Chapitre 3 : LES TECHNIQUE DE DEPOT

3-1-Technique de croissance épitaxiale

Définition :
- L'épitaxie est un procédé technologique consistant à faire croître du cristal sur du
cristal. Etymologiquement, "épi" signifie "sur" et "taxis", "arrangement". La technique va donc
consister à utiliser le substrat comme germe cristallin de croissance et à faire croître la couche
par un apport d'éléments constituant la nouvelle couche. Autrement, la croissance épitaxiale est
une croissance d’une couche semiconductrice dont l’orientation cristalline et les autres
propriétés cristallines (structure cristalline et paramètre de maille) et uniquement cristalline, sont
les mêmes que celles du substrat - La croissance épitaxiale se fait à une température inférieure
à la température de fusion du matériau, le dopage (type et concentration) peuvent ne pas être les
mêmes. On parle d'homoépitaxie : lorsque la couche et le substrat sont identiques (Si sur Si) et
d'hétéroépitaxie lorsqu’ils sont différents (Si sur saphir ou GaAlAs sur GaAs).
Technologiquement, on fait croître sur un substrat fortement dopé, une couche faiblement
dopée, donc les couplets couche-substrat réalisables sont : n/n+, p/n+ ; p/p+, n/p+.

Exemple d'une épitaxie n- sur un substrat de type n+ ; on dira que le substrat est épitaxié.
Il existe principalement 3 types de méthodes expérimentales.
- l'épitaxie en phase vapeur ou VPE (Vapor Phase Epitaxy).
- l'épitaxie en phase liquide ou LPE (Liquid Phase Epitaxy),
- l'épitaxie par jet moléculaire, EJM ou MBE (Molecular Beam Epitaxy).
Pour chacune de ces techniques, des appareillages spécifiques sont mis en œuvre.
3.2-Techniques de dopage :
La fabrication de dispositifs électroniques et de CI nécessite la réalisation des régions différemment
dopées. Pour cela, on utilise la technique de dopage qui peut se faire par deux méthodes : - diffusion
thermique ; -et implantation ionique. Cette technique de dopage permet l’introduction d’impuretés
dopantes en quantité contrôlée. En jouant sur la différence de concentration, de T° et de temps dans le
cas de la diffusion thermique ou encore de la dose et de l’énergie dans le cas de l’implantation ionique.
3.2.1- Diffusion thermique
Définition
Le phénomène de diffusion est un phénomène très général et naturel, qui correspond à la tendance à
l'étalement d'espèces, particules, atomes ou molécules grâce à une excitation énergétique apportée par
la chaleur. Le mouvement de ces espèces a lieu toujours du milieu le plus concentré vers le moins
concentré et le processus s’arrête lorsque les deux concentrations s’égalisent. A température ambiante
le phénomène de diffusion sera très important dans un milieu gazeux, plus faible dans un milieu liquide
et pratiquement nul dans un milieu solide. Pour obtenir un phénomène de diffusion dans un solide ou un
cristal, il faudra chauffer le matériau à des températures voisines de 1000°C. Dans ce chapitre, on
s’intéressera essentiellement aux mécanismes de diffusion dans le milieu solide, sachant qu'il est
possible d'utiliser aussi des mécanismes en milieu gazeux voire liquide au niveau des mises en œuvre
technologiques de procédés particuliers. La technique de dopage est réalisée généralement à travers des
fenêtres pratiquées dans la couche l’oxyde.

Les dépôts
Cette opération est nécessaire lorsqu’il faut réaliser une couche conductrice, isolante ou de masquage
dans un procédé qui n’utilise pas directement le matériau du substrat. Les dépôts s’effectuent dans un
four qui contient tous les éléments de la couche à réaliser ainsi qu’une balance à quartz afin de
contrôler l’épaisseur du dépôt. Il y a 5 méthodes de dépôt :
1)par vaporisation thermique. La matière à déposer est vaporisée à proximité des plaquettes, et va
donc se déposer dessus.
2)par pulvérisation cathodique ou canon à électrons. Ces techniques consistent à bombarder la
matière à déposer par des ions, qui vont arracher d’autre ions de cette matière et à les guider sur les
plaquettes de substrat. Ces méthodes permettent des dépôts de couches métalliques.
3)par dépôt chimique en phase vapeur (Chemical Vapor Deposition). Cette technique permet de faire
croitre du silicium polycristallin ou des couches d’isolants.
4)par dépôt assisté au plasma (Plasma Enhanced C.V.D.). Cette technique rejoint le C.V.D. on utilise
une source d’énergie magnétique afin de la substitué à l’énergie calorifique. On obtient donc un dépôt
à faible température, ce qui évite la diffusion des dopants. De plus cette technique permet le traitement
de plusieurs plaquettes simultanément.
5)par dépôt à basse pression (Low Pressure CVD). Méthode dérivée du C.V.D. qui s’effectue en
phase vapeur à basse pression et faible température (de 500 à 600 ֯c)

3.3-Oxydation et couches isolantes

Les étapes de fabrication des dispositifs microélectroniques discrets et circuits intégrés font intervenir
plusieurs techniques très élaborées et maîtrisées. En particulier, les quatre groupes de couches minces
qui sont :
-les oxydes thermiques de silicium
-les couches diélectriques ou isolantes (oxydes, nitrures...)
-le silicium polycristallin
-les couches minces métalliques
Dans la technologie silicium, les couches du dioxyde de silicium est le plus utilisée. Cette opération
d’oxydation est nécessaire tout au long des procédés modernes de fabrication des circuits intégrés. Il est
donc primordial de savoir réaliser un oxyde de bonne qualité.
- de masque ou d’écran lors des opérations d'implantation ou de diffusion de dopants (diffusion des
impuretés plus faible dans l’oxyde que dans le silicium), c’est oxyde épais qu’on appelle oxyde de
champ,
- de couche passivante à la surface du silicium (protection superficielle contre l’humidité,
contaminations, l’usure, etc..)
- de zones d'isolation entre différents composants d'une structure intégrée
- de condensateurs intégrés MOS et de couche active dans les transistors MOS (oxyde de grille qui est
mince de l’ordre de 500 à 1500Å),
- d'isolation électrique entre des couches adjacentes pour améliorer l'intégration et la diminution des
dimensions ("espaceur" par exemple),
- d'isolation électrique entre les différents niveaux de métallisation ou de couches conductrices en
silicium polycristallin fortement dopé.
de condensateurs intégrés MOS et de couche active dans les transistors MOS (oxyde de grille qui est
mince de l’ordre de 500 à 1500Å), - d'isolation électrique entre des couches adjacentes pour améliorer
l'intégration et la diminution des dimensions ("espaceur" par exemple), - d'isolation électrique entre les
différents niveaux de métallisation ou de couches conductrices en silicium polycristallin fortement dopé.
Types et techniques d’oxydation
La couche d’oxyde de silicium est obtenue par :
-oxydation thermique,
-oxydation anodique,
-dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD) ou à basse pression (LPCVD),
-assisté par plasma

3.4La métallisation

Une fois les circuits formés sur le substrat de silicium, ils doivent être reliés les uns aux autres pour
assurer les fonctions désirées. On appelle cette opération la métallisation. Elle établit l’interconnexion
électrique des couches supérieures des circuits intégrés sous la forme d’impressions complexes de pistes
en matériaux conducteurs qui acheminent l’électricité au sein des circuits.
Selon la dimension et l’épaisseur des couches de métaux et d’autres matériaux déposés, le processus de
métallisation au sens général se divise en trois catégories :
 Une couche mince — épaisseur de couche inférieure ou égale à un micron environ ;
 Une couche épaisse — épaisseur de couche égale ou supérieure à 10 microns environ ;
 Un placage — épaisseurs variables, mais généralement couches épaisses.

Les métaux les plus couramment utilisés pour la métallisation des semi-conducteurs au silicium sont
l’aluminium, le nickel, le chrome ou un alliage appelé nichrome, l’or, le germanium, le cuivre, l’argent,
le titane, le tungstène, le platine et le tantale.