ECOLE NATIONALE SUPERIEURE POLYTECHNIQUE UNIVERSITE MARIEN NGOUABI

EXPOSE DE TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES

COMPOSANTS ET MICROELECTRONIQUE

NIVEAU : Licence 2
OPTION : Electronique et Télécommunication

MEMBRES DU GROUPE :

 BANIAKINA NGASSA Divine Maria

 MONGO Apollos Ruben
 NGAHOU Jeansnel Norvey Joseph
 MBOKO MOUKALA Privat Meslin

Formateur : Ph D. Pierre MOUKALA MPELE

ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

THEME :
OXYDATION THERMIQUE ET DIFFUSION

~2~
 Table de matières

I- INTRODUCTION ………………………………………………………………………………………….2
II- DEVELOPPEMENT ……………………………………………………………………………………….3
A- OXYDATION THERMIQUE...………………………………………………..…………………………...3
1- Définition. ……………………………………………………………………………………………………………. 3 
2- Principe ……………………..………………………………………………………………………………………...3
3- Modélisation de l'oxydation .…………………………………………………………………………………5
4- Technique d’oxydation rapide : RTO (Rapid Thermal Oxidation) .…………………………..6

B- LA DIFFUSION …………………………………………………………………………….....................7

1- Définition.…...……………………………………………………………………………………………………….7
2- Principe ……….……………………………………………………………………………………………………….7
3- Phénomène de diffusion …….………………………………………………………………………………..9
4- Mécanisme de diffusion à l'échelle atomique ….………………………………………………….9

III- CONCLUSION …………………………………………………………………………………………….10

IV- BIBLIOGRAPHIE ………………………………………………………………………………………..11

~1~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

I- INTRODUCTION :

L’électronique, est une discipline née de la physique et dédiée à la manipulation des

signaux électriques. La découverte des matériaux semi-conducteurs et l’invention du
transistor, au début des années 60, a véritablement lancé la miniaturisation des composants
électroniques et l’essor de la microélectronique. La microélectronique désigne l’ensemble
des technologies de fabrication de composants, qui utilisent des courants électriques pour
transmettre, traiter ou stocker des informations, à l’échelle micrométrique. De la résistance
au transistor, du circuit intégré au microprocesseur en passant par les convertisseurs ou les
diodes électroluminescentes (LED), les composants de la microélectronique familièrement
appelés « puces » sont extrêmement nombreux. Ils forment un étonnant bestiaire
remplissant des fonctions extrêmement variées. Ces composants sont fabriqués à partir des
matériaux semi-conducteurs (silicium, gallium…), au moyen de diverses technologies parmi
lesquelles, on peut citer l’oxydation thermique et la diffusion. Ces deux étapes sont
indispensables à l’élaboration d’un circuit intégré. Ainsi, dans ce processus de fabrication,
comment se font les opérations d’oxydation thermique et de diffusion ? Ceci dit, notre
travail consistera à expliquer ces différents phénomènes, c’est-à-dire l’oxydation thermique
et la diffusion.

~2~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

II- DEVELOPPEMENT :
En effet, le processus de développement d’un circuit intégré comporte de
nombreuses étapes. La conception, la simulation et les tests de vérification sont des
principes fondamentaux dans la procédure de conception des circuits intégrés. Ce travail
fondé sur les procédés d’oxydation thermique et de diffusion permettra de mieux
appréhender ces termes.

A- OXYDATION THERMIQUE :
1- Définition :
L'oxydation thermique est un procédé qui utilise l'énergie
thermique pour oxyder des substances. C’est un traitement de surface qui permet d'obtenir
une couche d'oxyde sur la surface d'un wafer. La technique consiste à forcer l'agent oxydant
à diffuser à haute température à travers le wafer [1]. L'oxydation thermique peut être
appliquée sur des matériaux divers, mais son application la plus commune concerne la
surface.

2- Principe :
L’oxydation thermique permet la création d’une couche d’oxyde de silicium (d’une
épaisseur d’environ 0.5 micron) sur la couche épitaxiale. Cette couche d’oxyde peut aussi
être mise en place pour protéger les jonctions réalisées dans la couche épitaxiale, en phase
finale. Il existe plusieurs techniques pour obtenir un oxyde :
- l'oxydation thermique en présence d'oxygène, dite oxydation sèche ;
- l'oxydation thermique par voie humide en présence d'oxygène et de vapeur d'eau ;
- l'oxydation thermique vapeur en présence de vapeur d'eau uniquement ;
- l'oxydation anodique, obtenue par voie électrochimique ;
- l'oxydation plasma, réalisée à l'aide d'un plasma d'oxygène ;
Notons que nous différentierons dans la suite, l'opération technologique d'oxydation de
celle du dépôt d'oxyde qui n'entraîne pas les mêmes contraintes, thermiques notamment.
L'opération d'oxydation consiste donc à oxyder le Silicium depuis la surface du substrat. Les
réactions principales sont les suivantes :

Si solide + O2 ---> SiO2 solide

1[] Le wafer est un terme venant de l'anglais et désigne une plaque très fine de matériau semi-conducteur
monocristallin. Le wafer est utilisé pour fabriquer des composants microélectroniques, souvent employés dans
l'industrie, comme des cellules photovoltaïques

~3~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

Si solide + 2 H2O ---> SiO2 solide+ 2H2

D’abord, pour obtenir un oxyde de qualité électronique satisfaisante, on préfère

l'oxydation thermique soit avec de l'oxygène, soit en présence de vapeur d'eau. En général,
la croissance de l'oxyde avec de l'oxygène pur donne une croissance plus lente de l'oxyde
qui lui confère de bonnes propriétés électroniques (peu de défauts électriquement actifs).
La croissance avec de l'eau donne une croissance plus rapide mais plus de défauts
électriques. Cette méthode sera donc préférée pour réaliser des oxydes épais (quelques
milliers d'Angström) de masquage ou d'isolation. Par ailleurs, le Silicium s'oxyde à
température ambiante en présence de l'atmosphère (qui contient de l'oxygène) ; mais dès
que la couche d'oxyde atteint 2 ou 3 couches atomiques, le phénomène d'oxydation se
bloque. On dit que la couche est passivante. Pour obtenir une oxydation sur une grande
épaisseur, il faudrait activer le phénomène par une élévation de température.
Ensuite, la couche de Silicium initiale réagit avec l'élément oxydant pour former le
SiO2 ; on va ainsi consommer du Silicium. L'interface Si/SiO2 va donc se retrouver au-
dessous de la surface initiale. Un calcul simple montre que la fraction d'épaisseur située au-
dessous de la surface initiale représente 46% de l'épaisseur totale de l'oxyde ; la fraction au-
dessus représente donc 54% (figure 1)

Figure 1 : Oxydation du Silicium. Une partie du substrat a

été consommée lors de l'oxydation (d'après S.M. Sze [2]).

Encore, cette augmentation de volume aura des conséquences importantes sur la

planéité de la surface de la plaquette lorsque l'on réalisera des oxydations localisées. En
effet, l'augmentation de volume sera locale et créera donc un relief comme représenté
(figure 2).
 

Figure 2 : Effet d'une oxydation localisée du Silicium.

L'augmentation de volume crée un relief à la surface de
la plaquette.

~4~
 ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

Puis, les opérations d'oxydation s'effectuent en général dans des fours similaires à
ceux de diffusion dans lesquels on fait circuler de l'oxygène, sec ou humide, ou de la vapeur
d'eau (figure 3). Toutefois, dans les technologies submicroniques, les plaquettes peuvent
être traitées dans des réacteurs à chauffage très rapide à lampes (type halogène) en
présence d'un élément oxydant. Cette technique s'appelle oxydation thermique rapide et
sera revue plus loin. Aussi, on peut créer la vapeur d'eau dans le four en effectuant une
synthèse à partir d'un flux d'hydrogène et d'un flux d'oxygène. Cette réaction étant très
exothermique, elle est donc dangereuse. Le dispositif contient alors un grand nombre de
sécurités (détection de flamme, contrôle des débits, etc.) afin d'éviter toute explosion. C'est
ce type de réacteur qui est principalement utilisé chez les industriels. Il faut noter que la
pureté chimique des gaz employés doit être très bonne (pureté 5.0 minimum, c'est-à-dire
moins de 10ppm d'impuretés totales).

Figure 4 : Four utilisé pour la

Figure 3 : Oxydation thermique avec de l'oxygène ou de
diffusion et l'oxydation thermique
la vapeur d'eau. On peut aussi fabriquer la vapeur
à Toulouse.
d'eau à partir d'une torche à hydrogène brûlant en
présence d'oxygène (oxydation vapeur ; O2 + 2 H2 --->
2 H2O)
 

De surcroit, l'oxydation humide est plus rapide mais permet une qualité inférieure à
l'oxydation sèche, plus lente mais permettant de meilleures propriétés. Le gaz oxydant peut
aussi contenir quelques pourcents d'acide chlorhydrique (HCl), afin de supprimer les ions
métalliques qui peuvent s'y trouver. L'oxyde est formé à la fois par le silicium du substrat et
par l'oxygène apporté par le gaz ambiant. Ainsi, la couche d'oxyde croit à la fois vers
l’intérieur et l’extérieur du wafer. Pour chaque unité d’épaisseur de silicium consommé par
la réaction, 2,27 unités d’épaisseur d'oxyde apparaîtront1. Par conséquent, 44 % de la
couche d’oxyde sera en dessous de la surface d'origine et 56 % au-dessus.

3- Modélisation de l'oxydation

~5~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

De plus, le modèle de base de l'oxydation est représenté sur la (figure 5) qui

distingue les 3 domaines dans lesquels il faut considérer des mécanismes différents :
- l'atmosphère ambiante contenant l'élément oxydant (soit de l'oxygène soit de la vapeur
d'eau soit une combinaison de ces deux éléments ;
- l'oxyde qui est traversé par l'élément oxydant par phénomène de diffusion. Notons que
cette diffusion est négligeable à température ambiante mais fortement activée
thermiquement ;

- le Silicium, à la surface duquel se produit la réaction chimique d'oxydation.

Le calcul est basé sur l'analyse des flux de l'espèce oxydante dans les différentes
zones. Si on raisonne en régime stationnaire, les trois flux sont égaux :

F1 = F2 = F3

Figure 5 : Modèle de base pour l'oxydation thermique. On met en œuvre les 3 flux
de l'espèce oxydante en phase gazeuse, dans l'oxyde et à l'interface Si/SiO2 (d'après
B.E. Deal and A.S. Grove [9]).

4- Technique d’oxydation rapide : RTO (Rapid Thermal Oxidation)

Enfin, les oxydes MOS dans les technologies de longueur de grille inférieure à 0,1µm
sont de dimension nanométrique. La croissance peut donc être très rapide. Pour éviter
toute rediffusion de dopant dans les couches déjà réalisées, la technique d’oxydation
consiste à disposer dans un four à lampes halogènes les substrats et à les chauffer très
rapidement en présence d’une atmosphère oxydante. La durée de l’opération peut être
inférieure à la minute. Un des avantages de cette technique est la possibilité de traitement
plaque à plaque dans le cas des substrats de très grand diamètre. Il faut par contre
parfaitement contrôler la montée en température des substrats afin d’éviter leur
éclatement par gradient de contraintes thermiques. L’oxydation ne se fait que sur une seule
face ce qui permet d’éviter le dépôt d’une couche protectrice ou des gravures postérieures.

~6~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

Figure 6 : Réacteur d’oxydation thermique rapide dont le

chauffage est obtenu par rayonnement de lampes halogènes.
La durée de ces oxydations rapide est de l’ordre de la minute

B- LA DIFFUSION :
1- Définition :
En effet, le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature,
qui correspond à la tendance à l’étalement d’espèces, particules atomes ou molécules grâce
à une excitation apportée par la chaleur. C’est un phénomène par lequel un milieu de
propagation produit une répartition continue, dans de nombreuses directions, de l'énergie
d'une onde (électromagnétique ou autre)
2- Principe :

Ensuite, les procédés de diffusion vont dépendre de la nature des sources de

dopants. Il existe trois grands types de sources qui permettent de fournir les éléments
dopants que l'on doit faire pénétrer dans les substrats. Ces sources
sont gazeuses, liquides ou solides. Il s’agit de faire diffuser, localement, un corps (ou
impureté) dans le réseau cristallin semi-conducteur, afin d’obtenir la conductibilité de type
P ou type N (selon la structure atomique du corps diffusé). L’empilement de ces types de
conduction permet la création de jonctions, donc de diodes ou de transistors. Les
résistances sont également réalisées selon ce procédé, aux endroits où l’on a prévu de les
implanter, c’est-à-dire en ouvrant des fenêtres dans l’oxyde par photogravure et utilisation
de masques. La gamme de résistances s’étend de 20 à 20 000 W environ. Les condensateurs
peuvent être réalisées de deux façons, soit par l’effet capacitif d’une jonction polarisée en
inverse (dont il a été question au sujet des diodes à capacité variable), soit par interposition
entre deux zones métallisées d’un matériau diélectrique (l’oxyde de silicium). On obtient
ainsi quelques picofarads.

Figure 7 : Diffusion dans un four à partir de sources

gazeuses. Les gaz dopants sont entraînés par un gaz
porteur neutre, tel que l'azote.

~7~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

Puis, les sources gazeuses sont les gaz tels que l'Arsine, AsH3, la phosphine, PH3 ou
le diborane B2H6 (figure 8). Notons qu'il circule en permanence un gaz neutre (azote) afin
d'éviter toute pollution par des éléments venant de l'atmosphère ambiante. Cet azote doit
être très pur afin de ne pas polluer le four.

Figure 8 : Diffusion à partir de sources liquides.

Les ballons contenant les liquides sont chauffés
pour vaporiser le liquide afin de le faire pénétrer
dans le four.

Bien qu'a priori ces gaz soient simples à mettre en œuvre, ils sont par contre très
dangereux puisque létaux pour l'homme à quelques ppm de concentration. On leur préfère
des sources liquides telles que POCl3 ou BBr3 qui sont liquides à température ambiante
mais facilement vaporisées pour être introduites dans des fours de diffusion (figure 8).
Aussi, on peut utiliser des sources solides que sont les verres contenant les dopants
tels que nitrure de bore ou verre dopé au phosphore. Ces sources se présentent sous forme
de plaquettes et sont en général introduites dans le four en alternance avec les plaquettes à
doper (figure 9). Ces plaquettes sont activées par une oxydation qui permet de former un
oxyde. Dans le cas du Bore, du B2O5 se forme. Ces oxydes ou verres s'évaporent et se
déposent sur les plaquettes. Au cours de ce dépôt, une fraction pénètre depuis la surface
dans le silicium. Après retrait des sources solides du four, les éléments dopants sont diffusés
vers l'intérieur du substrat par une étape thermique (à haute température). En pratique,
avant l'étape de diffusion, on élimine le verre déposé par gravure chimique, la quantité de
dopant introduite dans le substrat en surface durant le dépôt étant suffisante.

~8~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

Figure 9 : Procédé de dopage à partir de sources solides. Les

plaquettes de verre dopé permettent de réaliser un dépôt sur les
substrats montés sur une nacelle (ou porte substrats).

3- Phénomène de diffusion

Le phénomène de diffusion est un phénomène très général dans la nature, qui

correspond à la tendance à l'étalement d'espèces, particules, atomes ou molécules grâce à
une excitation énergétique apportée par la chaleur. Suivant le milieu dans lequel se
déplacent ces espèces, l'étalement sera plus ou moins grand. A température ambiante, le
phénomène de diffusion sera très important dans un milieu gazeux, plus faible dans un
milieu liquide et pratiquement nul dans un milieu solide. Pour obtenir un phénomène de
diffusion dans un solide ou un cristal, il faudra chauffer le matériau à des températures
voisines de 1000°C. Dans la suite, nous nous intéresserons essentiellement aux
mécanismes de diffusion dans le milieu solide, sachant qu'il est possible d'utiliser aussi des
mécanismes en milieu gazeux voire liquide au niveau des mises en œuvre technologiques de
procédés particuliers.Pour mieux comprendre l'aspect macroscopique du phénomène de
diffusion, il faut avoir une idée des phénomènes et mécanismes mis en jeu à l'échelle
atomique.

4- Mécanisme de diffusion à l'échelle atomique

Les mécanismes de diffusion mis en jeu dans un cristal vont dépendre de la nature
du cristal et de la nature de l'espèce diffusante. On peut noter que les atomes constituant le
cristal peuvent eux-mêmes diffuser ; on parlera alors de mécanisme d'autodiffusion.
L'autodiffusion est importante puisqu'elle permet notamment de créer des lacunes dans le
réseau cristallin.

~9~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

Remarque :

Comme évoqué ci-dessus, les mécanismes ne seront possibles qu'à la condition que les
espèces concernées soient suffisamment excitées (niveau d'énergie suffisant) pour
statistiquement franchir les barrières d'énergie que constituent par exemple les barrières de
potentiel atomique. Ces barrières de potentiel vont dépendre des mécanismes mis en jeu.
Par exemple un petit atome tel que le Bore pourra se faufiler entre les mailles du réseau
cristallin et nécessitera donc une énergie plus faible pour se déplacer.

III- CONCLUSION :
L’oxydation thermique et la diffusion sont très utilisées en électronique. Il a été mis
en exergue d’une part, que l’oxydation est une étape très importante dans la réalisation des
circuits intégrés au silicium, puisque c'est grâce à cette propriété spécifique que le silicium,
qui n'est pas a priori un très bon semi-conducteur, est devenu le matériau le plus utilisé en
microélectronique. Cette opération est nécessaire tout au long des procédés modernes de
fabrication des circuits intégrés. Il est donc primordial de savoir réaliser un oxyde de bonne
qualité. D’autre part, la diffusion est elle aussi très importante dans la mesure où elle
permet de diffuser localement une impureté dans le réseau cristallin semi-conducteurs afin
d’avoir une conductibilité de type P et de type N.

~ 10 ~
ENSP_LET_ 2 _TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES COMPOSANTS ET CIRCUITS MICROELECTRONIQUES

IV- BIBLIOGRAPHIE :
www.microelectronique.univ-rennes1.fr
Nicolas SALLES entre 2014 et 2016.
Ce travail a été publié en 2017 dans le Journal of Chemical Physics.
Strain-driven diffusion process during silicon oxidation investigated by coupling Density
Functional Theory and Activation Relaxation Technique - Nicolas Salles, Nicolas Richard,
Normand Mousseau and Anne Hemeryck, Journal of Chemical Physics 147 (2017) 054701 -
doi: 10.1063/1.4996206
 Technologie de fabrication des circuits intégrés (abcelectronique.com)

Cours de technologie de fabrication des composants et circuits microélectroniques

(Université Marien NGOUABI)

~ 11 ~