Chapitre 2: Purification du silicium et Fabrication des plaquettes

2.1 Introduction
2.1.1 Sources du Silicium : Le silicium existe en grande quantité à la surface du globe
terrestre. C'est le deuxième élément le plus fréquent de la croûte terrestre ; O2 (46%), Si
(28%), Al (8%). Sa température de fusion assez élevée est de 1415°C. Il cristallise dans une
structure zinc-blende tétraédrique (ou cubique à faces centrées). C'est un matériau avec
une bonne stabilité thermique.
Les sources naturelles sont essentiellement les silicates (sable, etc...) mais aussi zircon,
quartz, donc du SiO2
donc sous forme oxydée et nécessite d'être réduit puis purifié afin d'obtenir un matériau de
qualité électronique ou EGS (Electronic Grade Silicon).

Du sable au silicium électronique

2.1.2 Elaboration du silicium électronique

2.2 Purification du silicium :

2.2.1 Purification chimique : se réalise en deux étapes :

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Etape 1 : Réduction de la silice : Un grand nombre de réactions chimiques est nécessaires et
la réaction bilan est la suivante:
SiC(liquide) + SiO2 (liquide) ---> Si (liquide) + SiO (gaz) + CO (gaz)
Le SiO2 est fondu et mélangé à du carbone (charbon). On réalise une électrolyse dans un four
à arc pour obtenir la réaction chimique complexe et comportant plusieurs étapes.
métallurgique
(Metallurgic Grade Silicon)
microélectronique.
Etape 2 : Purification du silicium : La purification chimique du silicium métallurgique
consiste à faire une distillation à température ambiante, à partir d'un produit liquide qui
contient le silicium. Plusieurs procédés ont été développés par les producteurs mondiaux de
silicium et qui sont basés sur le tétrachlorosilane (SiCl4), le dichlorosilane (SiH2Cl2) ou le
trichlorosilane (SiHCl3).
Exemple : Fabrication du trichlorosilane par pulvérisation du silicium réagissant avec du
chlorure d'hydrogène (acide chlorhydrique) suivant la réaction :
Si (solide) + 3HCl (gaz) 300°C > SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz)
La réaction avec le chlore permet une première purification puisque par exemple des
précipités chlorés de métaux ne sont pas mélangés au trichlorosilane. Une distillation (type
alambic) permet alors une purification supérieure.
Ce trichlorosilane purifié est ensuite réduit pour redonner du silicium selon la réaction :
SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) > Si (solide) + 3HCl (gaz).
Le procédé est identique à un dépôt chimique en phase vapeur (CVD). A partir d'un germe
dans de très longs tubes, on dépose progressivement le silicium. On obtient des lingots en
structure polycristalline jusqu'à 20 cm de diamètre. Les concentrations résiduelles après
purification des principales impuretés ou éléments dopants sont de l'ordre de 10 16 cm-3 (le
matériau peut être utilisé en microélectronique à condition de fabriquer du cristal). C'est à
partir de ce silicium polycristallinque que l'on doit fabriquer le monocristal.

Silicium polycristallin

Figure 2.1 : Réacteur CVD pour la

production de EGS à partir du SiHCl3

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2.2.2 FABRICATION ET RAFFINAGE DU CRISTAL (Purification physique et tirage du Si)
La cristallisation du lingot est obtenue par solidification progressive et contrôlée du silicium
liquide. La méthode classique la plus répandue est la méthode Czochralski.
A. La méthode Czochralski : Le principe consiste à étirer des barreaux cylindriques à partir
de silicium fondu. Le polycristal est fondu dans un creuset avec un matériau dopant (ex :
bore) pour obtenir un matériau de type p. Au sommet de ce bain, on place un germe de
silicium monocristallin et on effectue un tirage progressif du lingot en tirant, tournant et
contrôlant très précisément la température. On obtient des lingots de 1 à 2 mètres de long

Figure 2.2 : La méthode Czochralski

Notons que la différence de vitesse de diffusion des espèces entre la phase liquide et la phase
solide entraîne une modification de la concentration relative des espèces le long du lingot.
C'est en particulier vrai pour la concentration de dopant qui implique que la résistivité ne
sera pas constante le long du lingot.

Lingot de silicium

Méthode Czochralski

B. La méthode de la zone flottante ou fusion de zone : Un lingot polycristallin est disposé

au-

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: Technologie de Fabrication des Circuits Intégrés.
silicium et donc les lingots obtenus à partir de cette méthode sont meilleurs à ceux de la
méthode précédente.

Figure 2.3 : La méthode de la zone flottante

Elle consiste à prendre le barreau de silicium polycristallin issu du réacteur de réduction du
trichlorosilane, et de déplacer une zone fondue le long du barreau (obtenue par chauffage
radiofréquence) juste en limite du seuil de fusion du Si. Un germe monocristallin est situé à
est initié le processus de fusion de zone.
Cette méthode est aussi utilisée pour purifier un lingot. On exploite en effet les
phénomènes de diffusion des impuretés à haute température dans un solide.
Dans ce cas, on peut monter jusqu'à 3 bobines autour du lingot qui sont parcourues par un
courant HF. C'est un moyen pour obtenir des lingots de faible dopage résiduel notamment
nécessaires pour la réalisation de composants de puissance (zones quasi-intrinsèques
permettant la tenue en tension).

contrôle de la résistivité tout au long du lingot.

En plus de ces deux techniques, la technique de Bridgman-Stockbarger peut être utilisée
pour la croissance des lingots et particulièrement les composés II-VI (CdS, CdTe).
A la fin de ces procédures, le silicium est de type monocristallin.

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2.3 FABRICATION DES PLAQUETTES
1. Equeutage du lingot : éliminer les extrémités du lingot mal cristallisées ou riches en
impuretés (surtout dans le cas de la fusion de zone).

2. Contrôle de résistivités sur les extrémités du lingot : en utilisant la technique des

quatre pointes), la résistivité finale varie en fonction de la position à cause de la variation de
la concentration d'impuretés lors du tirage du lingot.
3. Repérage cristallographique du lingot: (en utilisant la méthode de diffraction des
rayons X) pour connaître les orientations cristallographiques pour effectuer la découpe
: plan
100).

4. Polissage cylindrique : Lors du tirage, le diamètre du lingot varie légèrement ce qui

constitue des ondulations à sa surface. Pour obtenir des plaquettes de même diamètre un
polissage cylindrique est nécessaire.

5. Polissage d'un méplat de référence cristallographique et géométrique : Cette

référence servira au cours du procédé (orientation des zones de conduction par rapport aux
axes du cristal, repérage des motifs lors de la photolithographie, axes cristallographiques
pour la découpe des puces). Par ailleurs, suivant le type de dopage de substrat et son
orientation cristallographique, on fera des repères supplémentaires. Notons que sur les
plaquettes de 200 mm, seul subsiste un repérage cristallographique par une petite encoche ;
la nature du substrat est indiquée dans le marquage (effectué par laser).

Méplats d'identification des plaquettes

6. Découpage des plaquettes : Il s'effectue à l'aide d'une scie diamantée de 400 µm
d'épaisseur pour les lingots de diamètre important ou par scie à fil pour réduire les pertes de
coupes.

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7. Traitement thermique : A cause des contraintes mécaniques lors du sciage, un recuit
de 600 °C à 700 °C est nécessaire afin de permettre aux atomes de se repositionner dans les
sites cristallins aussi pour stabiliser la résistivité.
8. Polissage des bords ou ébardage : Après sciage, des "gendarmes" ou de la "barbe"
subsistent sur la périphérie des plaquettes. Il faut l'éliminer. Par ailleurs, pour faciliter la
manipulation des plaquettes en cours de procédé, on arrondit le champ. Cela permet de ne
pas dégrader les dispositifs de prises et de supprimer des amorces de cassures.

9. Tri des plaquettes en fonction des épaisseurs : Les épaisseurs après découpe
pourront être sensiblement différentes. Il faut donc limiter la quantité de matière à éliminer
par le polissage (le tri se fait par gamme de 10 µm par exemple)
10. Enrobage des plaquettes dans une mixture d'alumine en solution - polissage : afin
d'améliorer l'état de surface des plaquettes. ces dernières subissent un polissage à l'aide
d'une mixture contenant des grains d'alumine de dimension micronique.
11. Nettoyage :
solvants et d'eau dés ionisée.
12. Attaque chimique des plaquettes : pour éliminer les impuretés formées en surface
des plaquettes
13. Endommagement de la face arrière : La partie utile de la plaquette se trouve très
près de la surface supérieure. Il va s'agir de rendre cette zone la plus pure possible aussi bien
au niveau des impuretés (atomes étrangers) que des défauts cristallographiques ou
structuraux (macles, dislocations, etc...). On va alors créer des défauts sur la face arrière par
sablage ou bombardement LASER, ce qui provoque un dépolissage. Lors des traitements
thermiques ultérieurs, les impuretés du côté de la face active vont migrer dans le substrat et
être piégées par des états plus favorables énergiquement créés par les dommages de la face
arrière. On appelle ce phénomène, l'effet "getter".

14. Tri en fonction des épaisseurs : Après dépolissage de la face arrière, les épaisseurs
ont varié. On effectue donc un nouveau tri par gamme d'épaisseur.

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15. Préparation au polissage final de la face active : Les plaquettes sont montées dans
des polisseuses afin d'améliorer l'homogénéité de polissage.

16. Elimination de l'excès d'épaisseur : 25 µm environ sont éliminés.

17. Polissage final "miroir" : Ce polissage peut être mécanique ou mécano-chimique qui
combine à la fois les effets mécaniques et chimiques. Il faut éliminer les rayures, les peaux
d'orange. Cette opération est effectuée à l'aide d'une machine identique à celle de la figure
ci dessus, mais avec des disques de polissage peu agressifs et une solution abrasive à très
petits grains (diamètre de 0,1 à 0,5 mm)
18. Démontage, nettoyage, tri final en fonction des épaisseurs : Ces dernières opérations
permettent : - le démontage des plaquettes des supports de polissage, - le nettoyage
final, - le tri final en fonction des épaisseurs.
19.Test de résistivité des plaquettes, tri final en fonction des résistivités
20. Repérage - marquage : pour suivre la plaquette tout au long des étapes de
fabrication, un marquage de lots, lingots, date est réalisable à l'aide d'un faisceau laser.
21. Inspection visuelle : pour détecter les variations de couleur, les rainures, les rayures

22. Test de planéité : très important pour la lithographie. Il existe aujourd'hui des
machines à tester la planéité basée sur une mesure optique (déviation d'un faisceau laser).

Après l'ensemble de ces étapes, les plaquettes sont prêtes pour subir les étapes de
fabrication des circuits intégrés (ou des composants discrets).

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