LABORATOIRE DE PRODUCTION MICROTECHNIQUE (LPM)

Thomas Maeder
CH-1015 LAUSANNE, Switzerland

!:

+ 41 21 693 58 23

Fax : + 41 21 693 38 91 thomas.maeder@epfl.ch http://lpm.epfl.ch Encres de srigraphie - introduction - 080203.doc

Introduction aux ptes / encres de srigraphie en technologie des couches paisses

Introduction aux ptes de srigraphie, minrales, organiques et brasures, pour applications en technologie des couches paisses, dans les domaines de la microlectronique, des capteurs, de la microfluidique, du packaging, Thomas Maeder, 3.2.2008 Projets : laboratoire ; formation Mots-clefs : ptes / encres, srigraphie, couches paisses, lectronique, capteurs, matriaux

Table des matires

1. 2. 3. 4. 5. 6. INTRODUCTION ................................................................................................................................................1 COUCHES MINERALES A CUISSON HAUTE TEMPERATURE ..........................................................3 COUCHES EPAISSES POLYMERIQUES .....................................................................................................9 BRASURES TENDRES.....................................................................................................................................11 FABRICATION DES ENCRES DE SERIGRAPHIE ..................................................................................13 REFERENCES....................................................................................................................................................15

1. Introduction
1.1. Gnralits ; types de matriaux
Le processus de srigraphie des couches paisses [1][3] requiert la formulation des matriaux dposer sous forme pteuse. La formulation et la fabrication de ptes (aussi appeles encres) de srigraphie permettent l'adaptation de moult matriaux [3][4] cette mthode de dposition. Grosso modo, on a trois types de compositions : 1) Les couches paisses classiques matrice minrale, pour la fabrication de circuits, modules, capteurs et autres dispositifs cramiques, ont une matrice vitreuse (dilectriques, rsistances, verrages, verres de scellement) ou mtallique (conducteurs), ncessitent une cuisson haute temprature (! 400C environ, standard 850C) et se consolident par frittage. Leurs proprits sont trs stables, et elles permettent la ralisation de modules hermtiques. 2) Les couches matrice organique / polymrique permettent la cuisson plus basse temprature, et se consolident par polymrisation / polycondensation d'une rsine basse

2 temprature (ambiante jusqu' 200C environ), ce qui les rend compatibles avec les circuits imprims, par exemple. Cette classe inclut aussi les colles / adhsifs. 3) Les brasures (ptes / crmes braser) sont galement souvent dposes par srigraphie, et se consolident simplement par fusion. L'application de loin la plus rpandue est le montage de composants lectroniques, o l'on utilise des brasures tendres (standard sans plomb : Sn-Ag-Cu ; ancien standard : Sn-Pb ou Sn-Pb-Ag).

1.2. lments d'une pte de srigraphie

Du point de vue de la srigraphie (et non de l'application) [5], une pte se divise en deux parties : le vhicule et sa charge solide (autres lments), qui sont dcrits brivement cidessous. Les principales substances et matires utilises sont donnes, pour les types principaux de ptes, au tableau 1, et discuts plus en dtail aux sections suivantes. 1) Le vhicule. C'est la matrice fluide visqueuse de l'encre, qui permet sa dposition sous forme de srigraphie. Ce vhicule peut tre temporaire (disparatre lors de l'tape de cuisson), comme dans le cas des couches paisses minrales / mtalliques cuites haute temprature, ou au contraire permanent (par exemple rsine poxy pour une encre matrice polymrique, initialement fluide et polymrisant par la suite). Des cas intermdiaires existent aussi (rsines polymriques solidifiant par vaporation de solvant). 2) Les autre lments. S'il y existe des encres ne comportant que le "vhicule" (qui devient la rsine ensuite : colles poxydes ou silicones non charges), les autres lments de l'encre jouent un rle dterminant dans la plupart des encres, voire en constituent l'intgralit aprs cuisson si le vhicule disparat (couches paisses minrales / mtalliques). Ces lments se prsentent en gnral sous forme de poudres mlanger au vhicule. Type de Couches paisses classiques matriau minrales (cuisson haute temprature) Vhicule Vhicule temporaire (disparat la cuisson) solvant + liant + plastifiant + dispersant. Typique : Solvant = terpinol Liant = thylcellulose Plastifiant = dibutyl carbitol Dispersant = actylctone Autres Matrice dfinitive : verre ou lments mtal (conducteurs) Charges : cramiques isolantes, verres rfractaires, cramiques conductrices / semi-conductrices, graphite pour couches sacrificielles Couches polymriques paisses Brasures

Vhicule permanent (rsine), ou semi-permanent (vaporation de solvant) Typique : poxy : dur, rsistant Silicone : mou, lastique

Flux de brasure, comportant des huiles et des dcapants (vhicule temporaire)

Charges : mtaux, carbone Microbilles de (diverses formes), verres, l'alliage de cramiques brasure souhait : Sn-Pb Sn-Pb-Ag Sn-Ag-Cu Sn-Bi

Tableau 1. Vhicule et autres lments utiliss pour les principaux types de matriaux en technologie des couches paisses.

2. Couches minrales cuisson haute temprature

2.1. Introduction aux processus
Pour comprendre la composition de ces ptes, il faut d'abord introduire les processus standard de fabrication des circuits cramiques en couches paisses, en technologie "classique" ou dans sa variante LTCC (Low-Temperature Cofired Ceramic ; cramique co-cuite basse temprature). 1) La technologie "classique" consiste successivement dposer, scher et cuire des couches sur un substrat stable, gnralement en alumine (figure 1). 2) La variante LTCC est une volution o les couches sont dposes et sches sur des feuilles crues de dilectrique (coules en bande), et o tout l'empilement multicouche est press et cuit ensemble la fin (figure 2).

Figure 1. Circuit en technologie "classique" (MilliNewton A) ; lments ; processus de fabrication [1]. Les tapes 14 sont en gnral rptes autant de fois qu'il y a de couches.

Figure 2. Exemples de dispositifs en technologie LTCC ; lments ; processus de fabrication [1].

Exemples en LTCC : 1) mandre rsistance fluidique pour gaz ; 2) membrane avec rsistance chauffante module pour gnrer thermiquement une pression dans une cavit ; 3) capteur de viscosit de gaz ; 4) microracteur / microcalorimtre chimique ; 5) inclinomtre thermique ; 6) capteur de force pizorsistif (poutre).

Couche paisse classique Le processus standard de dposition des circuits en technologie "classique" des couches paisses, normalement sur substrat en alumine 96% (le reste est constitu de phase vitreuse) suit un schma bien dfini (figure 1 ; droite). - Si circuit 2 faces, mtallisation des trous Dposition du conducteur de mtallisation des trous et aspiration Schage et cuisson 850C Si ncessaire, rptition depuis l'autre face du substrat - Conducteurs de base : dposition, schage et cuisson 850C, sur une ou 2 faces. - Si circuit multicouche, niveaux supplmentaires Dposition, schage et cuisson de 2 couches de dilectrique 850C Dposition, schage et cuisson du ou des conducteurs sur dilectrique, 850C Rptition autant de fois qu'il y a de niveaux - Rsistances (si le circuit en comporte). Normalement, on dpose et sche toutes les rsistances, puis la cuisson se fait ensemble (co-cuisson), 850C. On procde ainsi car les rsistances changent lorsqu'on les cuit plusieurs fois. - Verrage. Aprs cuisson des rsistances, on dpose, sche et cuit la couche protectrice de verre ("verrage"), qui a de nombreuses fonctions. Protection mcanique et chimique, augmente notamment la stabilit des rsistances Lutte contre les courants parasites et l'lectromigration entre conducteurs voisins Masque anti-brasure Le verrage est la seule couche cuite plus basse temprature que le reste du circuit, afin d'viter de trop altrer les rsistances. En pratique, une temprature de cuisson dans la gamme 550600C donne un bon compromis entre stabilit du verre et faible volution des rsistances. Processus LTCC En technologie classique, la dposition d'un circuit multicouches a le dfaut de requrir un grand nombre de cuissons. Idalement, le processus analogue en technologie LTCC (figure 2 ; droite), dcrit ci-aprs, ne requiert qu'une cuisson pour le module de base. Contrairement la technologie classique, on dpose les couches sur des feuilles crues de dilectrique coules en bande (composition finale voisine de celle des dilectriques en technologie classique) : on n'a donc normalement pas besoin de srigraphier des dilectriques, ce qui diminue fortement le nombre d'tapes de production. Pour chaque couche : - Dcoupe de la bande ; conditionnement ; perage des vias (trous) - Remplissage des trous, par srigraphie + aspiration de conducteurs ; schage. - Conducteurs (pistes) : srigraphie et schage. Pour tout le module : - Empilement et pressage de toutes les couches ensemble - Cuisson, normalement entre 850 et 900C. - ventuellement, dposition de niveaux "post-cuits" comme un circuit classique

2.2. Vhicule des couches paisses "classiques"

Dans les encres couches paisses pour modules cramiques [5], le vhicule n'est que temporaire ; il permet la srigraphie et le schage des encres, et disparat dfinitivement lors de la cuisson (avec le liant du LTCC)., La matrice finale est un verre dans la plupart des cas,

5 ou un mtal (conducteurs). Les matriaux comprenant la couche finale sont incorpors dans le vhicule sous forme de poudres. De ce qui prcde, les ptes de srigraphie sont dans trois tats diffrents au cours de l'laboration du circuit. - L'tat humide correspond la pte dans le pot et lors de la srigraphie. ce stade, elle doit avoir une consistance / rhologie optimale pour la srigraphie : passage facile entre les mailles de la trame, mais coulement modr sur le substrat, avec juste assez de nivellement pour combler les empreintes de la trame et gommer les petits dfauts, sans trop couler : les encres sont donc en gnral thixotropes leur viscosit au repos est leve, mais dcrot fortement sous cisaillement. - L'tat sec est obtenu aprs schage l'tuve (standard : 150C, 15 min). La couche doit alors tre suffisamment solide pour pouvoir refaire une srigraphie d'une autre couche. Ainsi, l'tape de cuisson peut tre ralise sur plusieurs couches la fois (co-cuisson, ncessaire pour les rsistances et le LTCC). - L'tat cuit est atteint aprs cuisson haute temprature (400930C) ; standard : 850C ; LTCC : 850900C). ce stade, toute trace du vhicule doit avoir disparu. Ces trois tapes ncessitent une composition approprie du vhicule, qui comprend un solvant, un liant, et optionnellement des plastifiants et des dispersants pour ajuster les proprits l'tat humide (et sec). - Le solvant est la principale composante pour "mouiller" et "fluidifier" la poudre. Idalement, il doit avoir une tension de vapeur trs basse temprature ambiante, afin de minimiser le schage sur la trame, mais pouvoir s'vaporer dans un temps raisonnable 150C, lors de l'tape de schage. On utilise donc des substances haut point d'vaporation telles que le terpinol. - Le liant garantit la cohsion de la couche l'tat sec, aprs vaporation du solvant. l'tat humide, il est dissous dans le solvant et en augmente la viscosit, et peut influencer la rhologie de la pte, que l'on veut thixotrope (viscosit plus faible cisaillement lev). Avec le terpinol, on utilise souvent de l'thylcellulose. - Les agents plastifiants altrent galement la rhologie de la pte, et, en ramollissant le liant, donnent une pte plus tenace l'tat sec (part moins facilement en poudre). - Les agents dispersants combattent la tendance des poudres incorpores dans la pte s'agglomrer et sdimenter. Un point critique pour les encres matrice vitreuse (verres) cuisant temprature relativement basse est d'assurer la dcomposition complte avant le frittage de la couche : si des restes carbons sont emprisonns au frittage, on risque ensuite leur conversion en CO2 et la formation de bulles dans les couches.

2.3. lments permanents des couches paisses "classiques"

Types de matriaux Le mlange de poudre initialement dispers dans le vhicule forme la couche paisse, normalement par frittage, aprs disparition du vhicule. La plupart des matriaux en technologie des couches paisses ont une matrice vitreuse (en tout cas initialement), sauf les conducteurs, qui ont une matrice mtallique. Un aperu des compositions est donn au tableau 2, et est comment ci-aprs. Partie Conducteur Matrice Ag, AgPd, Au, Pt, Cu, Ni, , + verre pour compositions cuisant basse temprature et pour ancrage / adhsion au substrat Verre, classiquement bas sur le systme borosilicate de plomb : PbO-B2O3-SiO2 Charges Oxydes divers promouvant l'adhsion, tels que Bi2O3 et CuO

Rsistance

Dilectrique

Couche de protection / verrage

Liaison mcanique / verre de scellement Liaison mcanique + lectrique Couches Verres solubles sacrificielles

Oxydes conducteurs, principalement RuO2 ou ruthnates, + additifs (oxydes de mtaux de transition) pour dcaler la rsistivit et son coefficient en temprature (TCR) Verre, souvent cristallisable Cramiques (Al2O3, ZrSiO4, ), + oxydes de mtaux de transition (Co, Fe, ) pour couleur ou adhsion Verre, normalement pas Souvent, charges en faible cristallisable (mais peut l'tre) quantit pour couleur, adhsion ou divers aspects (par exemple blocage de la migration d'Ag) Verre, cristallisable ou non Aucune, ou cramiques / verres rfractaires pour ajustement de la dilatation thermique, + additifs pour couleur et adhsion Verre, cristallisable ou non Mtaux ou oxydes conducteurs tels que RuO2, Oxydes solubles Graphite2

Tableau 2. lments permanents (sans vhicule) des couches paisses minrales cuisson haute temprature.

Le graphite est permanent (cuisson haute temprature sous N2) ou s'oxyde en CO/CO2 partir de 600700C (cuisson sous air), mais survit dans tous les cas l'tape de dliantage.

Conducteurs Les conducteurs en technologie des couches paisses peuvent atteindre une rsistivit raisonnable (x1.52) par rapport celle du mme mtal l'tat massif, si le frittage des particules mtalliques est complet et que les joints ne sont pas trop pollus par les autres composants (verres et promoteurs d'adhsion). Ils se composent des lments suivants : - Le mtal / l'alliage dfinit les proprits et la mtallurgie du conducteur. Il reprsente normalement >80% du volume, afin de garantir une faible rsistivit, une bonne brasabilit et/ou aptitude au bonding. - Un verre bas point de fusion permet un meilleur ancrage de la mtallisation au substrat. Les mtallisations basse temprature de cuisson comportent plus de verre, qui aide aussi au frittage. C'est aussi le cas des mtallisations AgPd cuisson standard, car celles-ci frittent d'elles-mmes moins bien que Ag ou Au. Il existe des mtallisations ne comportant pas de verre, n'utilisant que des oxydes comme promoteurs d'adhsion. Le verre diminue la conductivit, la brasabilit et l'aptitude au bonding. - Des promoteurs d'adhsion, tels que CuO et Bi2O3, lient les mtaux nobles au substrat par raction chimique. Leur temprature "d'activation" est en revanche assez leve et ils n'aident pas le frittage ; les mtallisations basse temprature de cuisson doivent donc utiliser des frittes de verre. En revanche, ils sont moins dltres pour la brasabilit et l'aptitude au bonding. Les principales mtallurgies de base sont donnes ci-dessous. - L'argent-palladium (AgPd), en rapport 3:16.1 est le conducteur "standard" pour les petites sries, si on veut juste un matriau "robuste". Bonne rsistance l'lectromigration et la dissolution par la brasure (contrairement Ag seul). Cher (prix du Pd). Conductivit lectrique et thermique mdiocre. Effet de terminaison avec les rsistances en gnral modeste. Basse temprature de cuisson (<850C) difficile : oxydation du Pd en PdO. - L'argent (presque) pur a une conductivit lectrique et thermique trs leve, tout en tant relativement bon march. Il est donc utilis comme "bon" conducteur lectrique et comme rpartiteur thermique (surtout dans le LTCC, qui a une conductivit thermique faible la base). En revanche, il est viter en surface en raison des problmes d'lectromigration et de dissolution. Tendance l'lectromigration en surface : en environnement humide ou haute temprature, formation de dendrites entre plages ayant une diffrence de potentiel " courts-circuits ! Dissolution dans les brasures tendres, et formation d'intermtalliques (par exemple Ag3Sn). Contrairement au cas de Au, les intermtalliques forms ne sont pas fragiles. Bon march : utiliser comme conducteur enterr pour grandes sries. Conductivit lectrique et thermique trs leve. Basse temprature de cuisson possible, car oxyde trs instable. Tendance migrer dans les verres. - L'or a aussi une conductivit thermique et lectrique leve, mais son prix lui fait prfrer de loin l'argent pour ce rle Il est essentiellement utilis pour les plages de cblage (wire bonding) et pour les terminaisons de rsistances si on veut minimiser l'effet de terminaison. Essentiellement insensible l'lectromigration.

8 Peu de tendance migrer dans les verres. Dissolution dans les brasures tendres et formation d'intermtalliques fragiles avec Sn. viter pour brasure (marche si fusion trs courte). Trs cher (mais Au fin pour terminaisons ne revient pas beaucoup plus cher que AgPd pais). Basse temprature de cuisson possible. Les rsistances sont des composs percolatifs verre + conducteur. Pour avoir une percolation progressive (viter une transition trop abrupte entre isolant et bon conducteur), on utilise des oxydes conducteurs tels que le RuO2 et les ruthnates de Bi, Pb, comme charges conductrices, ainsi que des additifs (oxydes de mtaux de transition) pour ajuster les proprits. Les rsistances ont des proprits pizorsistives, et les compositions ayant une rsistance de couche de l'ordre de 10 k" (correspondant grosso modo une rsistivit de 0.1 ".m ou 10 ".cm) sont couramment utilises pour la ralisation de capteurs de force, de couple et de pression. Les dilectriques sont la base des verres chargs de particules cramiques et/ou d'autres verres plus haut point de fusion. Lors de la cuisson, la matrice vitreuse fond et agglomre le tout, alors que les charges permettent d'augmenter la stabilit mcanique, chimique et thermique, ainsi que d'adapter (augmenter ou diminuer) la dilatation thermique du dilectrique celle du substrat. On peut distinguer deux sortes, suivant qu'il y a modification des phases en prsence ou non lors de la cuisson. Dans les cas les plus simples (p.ex. verre borosilicate de plomb, PbO-B2O3-SiO2, charg d'alumine), il n'y a pas de modification majeure la cuisson ; le verre est "stable". Lors des cuissons ultrieures, la phase vitreuse fond nouveau, et peut donc interagir avec les autres lments dposs sur le dilectrique (notamment conducteurs et rsistances), et en altrer les proprits. De plus, la migration de conducteurs travers le verre est relativement facile. Alternativement, le verre peut tre "cristallisable" : lors de la cuisson, aprs frittage du dilectrique, le verre se fige par cristallisation, ce qui rend le dilectrique beaucoup plus stable mcaniquement. Finalement, les dilectriques multicouches modernes sont "ractifs", il y a raction du verre avec la charge, ce qui cristallise de nouvelles phases trs stables. Ces phases rsistent la diffusion et la migration des mtaux, ce qui permet des empilements Ag dilectrique Au, auparavant problmatiques en raison de l'"effet batterie" (migration de Ag dans le verre du dilectrique sous l'effet du potentiel lectrochimique). Ces dilectriques modernes ont une composition finale trs voisine de celle des LTCC : la principale diffrence rside dans la formulation sous forme d'encre (dilectriques) ou de bande (LTCC). Malheureusement, toutes ces proprits dsirables tendent se traduire par une densit et une tenue mcanique quelque peu infrieures celles des dilectriques plus "vitreux", et une sensibilit plus leve aux dfauts de srigraphie il y a un compromis entre stabilit chimique, rsolution latrale, tolrance des dfauts et densit Les verrages sont des verres basse temprature de fusion (densification souhaite vers 550600C), normalement juste lgrement chargs en pigments permettant le marquage et l'ajustement laser des rsistances. Les verres de scellement sont galement des verres basse temprature de fusion3, et permettent de sceller ensemble d'autres verres, des cramiques et des mtaux. Une trs large gamme de verres a t dveloppe, permettant des scellements des tempratures allant de moins de 400C plus de 1'000C. Cependant, les verres trs bas point de
On peut d'ailleurs utiliser certains verrages comme verres de scellement, et vice versa.

9 fusion tendent tre moins stables chimiquement, contenir des lments toxiques (Pb, Cd, Tl), et avoir une dilatation thermique trop leve. Ce dernier dfaut peut tre corrig par l'adjonction de charges dilatation faible, voire ngative (eucryptite-, PbTiO3, ). Comme les dilectriques, les verres de scellement peuvent tre stables (pas de raction ou cristallisation), cristallisables (dvitrification du verre) ou ractifs (raction du verre avec la charge, provoquant souvent galement une cristallisation). - Pour une liaison mcanique conductrice (souvent en parallle un scellement par verre), on peut "dtourner" pour cette fonction des conducteurs ou rsistances temprature de cuisson relativement basse, comportant une grande quantit de fritte de verre4 afin de favoriser l'accroche et de faciliter le frittage / l'coulement. Alternativement, on peut utiliser des nano-poudres mtalliques frittant basse temprature. Cependant, l'adhsion aux substrats lier tend tre moins bonne que le frittage.

3. Couches paisses polymriques

3.1. Vhicule / matrice
Souvent, le vhicule se confond avec la matrice (rsine), sauf si celle-ci durcit par vaporation de solvant. Deux familles importantes dcrites ci-dessous sont les rsines poxydes et les silicones. Il y a encore les polyurthannes, les acryliques, les polyimides, etc. - Les rsines poxydes5 sont utilises dans les colles, conducteurs, colles conductrices, rsistances, couches de protection, etc. C'est une matrice plutt dure, rigide, haute rsistance mcanique, mais assez cassante (il existe des variantes plus tendres). Leur stabilit thermique peut tre trs bonne : certaines compositions ont des tempratures d'utilisation possibles >200C. La haute rigidit tend transmettre des contraintes leves entre les pices, ce qui est problmatique pour les capteurs, les MEMS, et autres lments sensibles. - Les silicones sont surtout utilises comme colles. Contrairement aux rsines poxydes, les silicones sont tendres, plutt peu rsistants mcaniquement, et trs lastiques (lastomres). Ils sont utiliss pour coller des pices lorsqu'on veut viter de transmettre de trop grandes contraintes et/ou on requiert une certaine flexibilit : capteurs, MEMS, pices mal accordes thermiquement (alumine sur aluminium, par exemple). Comme pour les poxydes, leur stabilit thermique est leve, pouvant dpasser 200C.

3.2. Systmes de matriaux

Comme dans le cas des couches paisses minrales, la nature des charges dpend de l'application. Un aperu des compositions utilises pour diverses applications est donn au tableau 3 (analogue au tableau 2 pour les couches minrales). Quelques remarques s'imposent. - Conducteurs et colles conductrices. Par rapport aux couches paisses minrales, il n'y a pas normalement frittage des particules mtalliques ensemble, qui conduisent alors par percolation. Des exceptions sont toutefois possibles : les nanopoudres et les mtalorganiques peuvent former de "vrais" films mtalliques (souvent de l'argent) temprature modre. Aussi, certains adhsifs conducteurs Ag incorporent de la brasure Sn-Bi, qui assure une "vraie" liaison mtallurgique entre les particules d'argent. En
4

Pour les rsistances, on vite donc les valeurs trop basses, trop charges et pas assez vitreuses ; les gammes 1 k" et 10 k " donnent de bons rsultats. La plupart des substrats des circuits imprims (PCB) sont bass sur un mlange rsine poxyde fibre de verre. C'est le cas des compositions dnommes "FR4".

10 l'absence de liaison mtallurgique, un problme potentiel est la formation progressive d'une couche d'oxyde isolante entre les particules, ou (colles) entre la plage mtallique coller et la colle, surtout si cette plage n'est pas constitue de mtal noble. C'est pourquoi les matrices polymriques incorporent souvent des additifs pour empcher l'oxydation. - Rsistances. Le phnomne de percolation entre particules se trouve aussi dans les rsistances couches paisses matrice vitreuse, mais la nature polymrique (non-h, proprits variables dans le temps) de la matrice rend ces rsistances nettement plus instables, surtout si la charge conductrice utilise peut s'altrer en surface. - Dilectriques / couches de protection. Ici aussi, la nature non hermtique des polymres ne permet pas d'isoler compltement les couches sous-jacentes de l'environnement. Les poxydes sont plus "impermables" que les silicones, mais moins flexibles et donnent plus de contraintes. Une couche de protection polymrique est toutefois un bon complment une couche vitreuse, car elle peut rsister certaines substances chimiques (acides et bases forts) problmatiques pour les verres temprature de cuisson modre, tout en posant moins de risques de fissuration ou de dfauts locaux. Partie Conducteur Rsistance Matrice Rsine (Exemple : poxyde) Rsine (Exemple : poxyde) Rsine (Exemple : poxyde) Charges Mtaux : argent, nickel, or, Carbone : noir de carbone, graphite, Principalement carbone (surtout noir de carbone) ; dans certains cas, cramiques conductrices Cramiques / verres : meilleure stabilit, plus faible dilatation thermique, pare-feu, meilleure conductivit thermique, moindre usure mcanique (Comme dilectrique)

Dilectrique

Couche protection

de Rsine (Couche "dure" : poxyde) (Couche "tendre" : silicone) Liaison Rsine (Comme dilectrique) mcanique / (Colle "dure" : poxyde) colle, adhsif (Colle "tendre" : silicone) Liaison Rsine (Comme conducteur) mcanique / (Colle "dure" : poxyde) colle (Colle "tendre" : silicone conductrice / seulement dans certains cas7) adhsif conducteur6

Tableau 3. lments permanents (sans vhicule) des couches paisses minrales cuisson haute temprature.

Comme pour les couches paisses minrales, les adhsifs conducteurs tendent tre moins chargs en particules conductrices que les "conducteurs" : on doit faire un compromis entre conductivit et adhsion. Pour le silicone "conducteur", on utilise surtout du noir de carbone. La conductivit atteignable n'est pas aussi leve qu'avec les rsines poxydes, et moins stable.

11

- Colles / adhsifs. Pour le collage de composants lectroniques, on charge souvent les colles avec des verres ou des cramiques pour diminuer leur dilatation thermique, avec un compromis faire entre taux de charge (rduction de la dilatation, augmentation de la stabilit) et adhsion. Les colles sont bien entendu moins fragiles que les verres de scellement et ont l'avantage d'tre applicable des tempratures modres. Elles ne peuvent cependant remplacer les verres de scellement ou les brasures dans tous les cas. Une colle n'est jamais hermtique. La dfinition mcanique du joint n'est pas trs bonne : une colle flue, et volue dans le temps en fonction de l'environnement (absorption d'eau notamment). La tenue en temprature est modre.

4. Brasures tendres
4.1. Gnralits
La brasure tendre est la principale mthode d'assemblage de composants lectroniques. Par rapport aux colles (conductrices ou non), elle offre principalement deux avantages : 1) une rsistance lectrique plus faible, en raison du "vrai" lien mtallurgique tabli ; 2) la possibilit de raliser une fermeture hermtique. En revanche, la plupart des brasures tendres fluent dj significativement temprature ambiante : on ne peut donc pas les utiliser pour dfinir les conditions mcaniques aux bords d'un capteur, comme on le fait avec des verres de scellement. La figure 3 donne quelques applications de la brasure tendre en microlectronique. Hormis les nos 3 et 4, toutes ces applications sont compatible avec l'application de brasure en couche paisse par srigraphie. 1) Montage en surface (SMD) de composants lectroniques ou de connecteurs 2) Montage mcanique de pices 3) Assemblage de pattes de sortie latrales (SIL, DIL, ...) 4) Fixation de fils traversants 5) Assemblage lectrique et mcanique de cellules de capteurs 6) Cration posteriori de connexions lectriques (court-circuitage) 7) tamage de plages pour brasage de cbles ou "bumping" pour SMD 8) Cordon pour fermeture hermtique de botiers

Figure 3. Applications du brasage tendre en micro-lectronique [1].

12

4.2. Alliages pour brasage tendre

Les brasures utilises en technologie des couches paisses font essentiellement partie des brasures tendres (temprature de fusion < 450C). Le tableau 4 donne un aperu des diffrents alliages mtalliques utiliss [6]. Composition (valeurs en %masse) 52 Bi + 32 Pb + 16 Sn 52 In + 48 Sn 58 Bi + 42 Sn 62 Sn + 36Pb + 2Ag 63 Sn + 37 Pb Fusion [C] 100 118 138 179 182 Notes Brasure trs basse temprature Brasure trs tendre, trs basse temprature Brasure basse temprature, assez dure Brasure lectronique "classique", avec plomb (toxique) ; variante + Ag pour diminuer la dissolution des conducteurs / mtallisations Brasures lectroniques standard RoHS, bases sur le systme Sn-Ag-Cu, avec additions de Ni, Sb, Brasure tendre haute temprature, haut de gamme, trs rsistante mcaniquement, mais peu ductile Brasures tendres haute temprature riches en plomb ; encore tolres par la RoHS car pas d'alternative raisonnable ; trs tendres et ductiles (Pb)

95.5 Sn + 3.8 Ag + 0.7 Cu 96.5 Sn + 3.5 Ag 99.3 Sn + 0.7 Cu 80 Au + 20 Sn 90 Pb + 10 Sn 95 Pb + 5 Sn

218 220 227 280 267300 300315

Tableau 4. Quelques brasures tendres reprsentatives.

Ces alliages sont normalement prsents dans la pte sous forme de microbilles, dont la taille limite la finesse atteignable en srigraphie : on considre que l'cart entre les mailles / le diamtre des trous dans le masque de srigraphie doit tre au minimum 4x le diamtre des plus grosses microbilles.

4.3. Vhicule des crmes braser

Le vhicule a plusieurs constituants : la rsine, les solvants, les activateurs / dcapants, ainsi que des additifs pour contrler la rhologie. Les rles de ces constituants sont dtaills ci-aprs. - La rsine est la matrice du vhicule qui reste aprs fusion de la brasure. Elle fond, puis solidifie et "englobe" idalement les contaminants, permettant dans une partie des cas de renoncer au nettoyage (rsines "no clean", pour circuits pas trop sensibles). - Les solvants dissolvent la rsine dans la pte l'tat initial (ils s'vaporent ensuite lors de la phase de prchauffage, en principe avant la fusion). Leur composition permet de contrler la rhologie. Comme dans le cas des couches paisses pour modules cramiques, leur tension de vapeur doit tre trs faible temprature ambiante, afin de limiter au maximum le schage spontan de la pte, tout en tant suffisamment leve aux tempratures de prchauffage pour assurer une vaporation raisonnablement rapide. - Les activateurs / dcapants sont des substances permettant de dissoudre les oxydes prsents tant la surface des microbilles qu'aux surfaces braser. Typiquement, on utilise des acides, des amines et des halognures.

13 - Finalement, d'autres additifs servent contrler la rhologie de la pte, pour l'adapter la srigraphie, au dispense, etc.

4.4. Mtaux / mtallisations brasables

Le tableau 5 donne une apprciation approximative de la brasabilit, avec des crmes braser (brasures tendres) standard, comportant des dcapants peu actifs. Mtal / alliage Ag Apprciation Bien brasable si pas trop vieux, mais se dissout trs rapidement. Brasure possible si pais et/ou basse temprature / fusion trs courte. Intermtalliques Ag-Sn pas fragiles. Ag-Pd Plus apte la brasure que Ag : moins de dissolution, et surface un (3:16:1) peu plus stable dans le temps. Au Bien mouill par la brasure, mais s'y dissout rapidement et y forme des intermtalliques fragiles avec Sn. Brasure possible si fusion trs courte, basse temprature, ou Au seulement en couche mince sur autre mtal pour favoriser la mouillabilit. Cu Bien brasable si pas trop vieux, et pas de problme de dissolution, mais a aussi tendance former des intermtalliques fragiles l'interface avec Sn ( long terme). PCB : souvent tam, recouvert de Ni-Au ou de composs organiques (OSP). Ni, Pt Moyennement brasables, ncessitent un dcapant un peu plus actif ; idalement, recouvrir de # 50 nm Au. En revanche, bonne sous-couche, car trs lentement attaqus par la brasure liquide. Al, Cr (aussi Pas brasables car oxyde trop stable recouvrir avec un mtal plus inox), Ti, noble. Ti (Zr, Nb, Ta) = couche d'adhsion pour couche mince. Mtallisation couche mince (nm) : 20 Ti + 200 Pt + 50 Au.
Tableau 5. Commentaires sur la brasabilit de quelques mtaux.

5. Fabrication des encres de srigraphie

Aprs avoir fabriqu le vhicule et les diffrentes poudres entrant dans la composition souhaite, on doit mlanger ces constituants pour former une pte se prtant la srigraphie [5]. Grosso modo, la prparation se droule comme suit. 1) On pse et mlange grossirement, la spatule, les diffrentes poudres (figure 4). 2) On y incorpore le vhicule. Selon les cas, le dispersant peut tre dj tre dans le vhicule, ou est ajout sparment, selon une procdure spcifique. 3) La viscosit des ptes tant leve, le mlange final est normalement ralis avec un tricylindre (figure 5), machine ayant 3 rouleaux cylindriques espacs faiblement et tournant des vitesses diffrentes, ce qui permet de casser les agglomrats et d'obtenir une bonne homognisation en imposant un cisaillement lev la pte. 4) Aprs un ou plusieurs passages, on rcupre la pte dans un pot (figure 6). Selon les cas, il peut tre ncessaire de rajouter du solvant pendant ou aprs le passage pour corriger la viscosit (notamment pour compenser les pertes par vaporation).

14

Figure 4. Poudres de dpart dans nacelles de pese ; balance de prcision.

Figure 5. Tricylindre de laboratoire.

"

"

Figure 6. Passage de la pte : alimentation, mlange et rcupration.

Ici, fabrication d'une rsistance modle verre (poudre blanche) + RuO2 (poudre noire).

15

6. Rfrences
[1] [2] [3] http://lpm.epfl.ch/tf http://www.ltcc.de Articles de revue & livres sur les couches paisses a. Monneraye-M, "Les encres srigraphiables en microlectronique hybride: les matriaux et leur comportement", Acta Electronica 21 (4), 263-281, 1978. b. Larry-JR Rosenberg-RM Uhler-RO, "Thick-film technology: an introduction to the materials", IEEE Transactions on Components, Hybrids and Manufacturing Technology CHMT-3 (2), 211-225, 1980. c. Borland-W, "Thick-film hybrids", Hybrids and Higher-Level Integration, 332-353, 1980. d. Sergent-JE, "Understand the basics of thick-film technology", EDN 17 (9), 341-348, 1981. e. Coleman-MV, "Thick-film materials for hybrids", The Radio and Electronic Engineer 52 (5), 227-234, 1982. f. Hoffman-LC, "An overview of thick film hybrid materials", American Ceramic Society Bulletin 63 (4), 572-576, 1984. g. Pitt-K (ed.), "Handbook of thick film technology, 2nd ed.", Electrochemical Publications, 2005. h. Barlow-FD Elshabini-A, "Ceramic interconnect technology handbook", CRC Press, 2007. Matriaux moins courants ; applications spciales a. Mergui-S, "Advances in materials for sensors", MCM C / Mixed Technologies and Thick Film Sensors, Kluwer 3:2, 239-257, 1995. b. Altenburg-H Plewa-J Plesch-G Shpotyuk-O, "Thick films of ceramic, superconducting, and electro-ceramic materials", Pure and Applied Chemistry 74 (11), 2083-2096, 2002. c. Belavi!-D Hrovat-M Dziedzic-A Golonka-LJ Kita-J Holc-J Drnov"ek-S Kosec-M Santo-Zarnik-M, "An investigation of thick-film materials for sensors and actuators", Proceedings, XXIX International Conference of IMAPS Poland, Koszalin, 357-360, 2005. d. Moos-R Kita-J, "Ceramic multilayer gas sensors - an overview", Proceedings, XXXI International Conference of IMAPS Poland Chapter, Krasiczyn, Poland, 75-82, 2007. La formulation des encres "classiques" et leur rhologie a. Baudry-H Franconville-F, "Encres srigraphiables pour haute dfinition. Rhologie et impression", Acta Electronica 21 (4), 283-295, 1978. b. Teng-KF, "Theory of pseudoplastic screen inks in orifice printing", IEEE Transactions on Components, Hybrids and Manufacturing Technology 12 (2), 254-258, 1989. c. Prudenziati-M, "Pastes, inks and slurries", Handbook of Sensors and Actuators vol. 1: Thick film sensors / ed. by M. Prudenziati, Elsevier, Amsterdam, 113-124, 1994. Les brasures tendres a. Kay-PJ Mackay-CA, "The growth of intermetallic compounds on common base materials coated with tin and tin-lead alloys", Transactions of the Institute of Metal Finishing 54, 68-74, 1976.

[4]

[5]

[6]

16 b. Mackay-CA Levine-SW, "Solder sealing semiconductor packages", IEEE Transcactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology 9 (2), 195-201, 1986. c. Harada-M Satoh-R, "Mechanical characteristics of 96.5Sn/3.5Ag solder in microbonding", IEEE Transcactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology 13 (4), 736-742, 1990. d. Vianco-PT, "ASM Handbook vol. 6: Welding, Brazing and Soldering General Soldering", ASM International 6, 965-984, 1991. e. Weber-L, "Creep and fatigue behaviour of eutectic Sn62Pb36Ag2", thesis no. 12251, ETHZ, Switzerland, 1992. f. Meagher-B Schwarcz-D Ohring-M, "Compound growth in platinum/tin-lead solder diffusion couples", Journal of Materials Science 31 (20), 5479-5486, 1996. g. Hua-F Glazer-J, "Lead-free solders for electronic assembly", Design & Reliability of Solder Interconnects, proc. symp. TMS, 65-73, 1997. h. Bastow-E, "5 solder families and how they work ", Indium Corporation, USA, TP-173, 2001. i. Kim-KS Suganuma-K Shimozaki-T Lee-CG, "Effects of fourth alloying additives on interfacial microstructure of Sn-Ag-Cu lead-free soldered joints ", Materials Science Forum 439, 7-11, 2003. j. Satoh-H, "Toxicities of metals consisting of Pb-free solder", EFSOT International Meeting, Berlin, www.efsot-europe.info, 2004. k. "Solder - practical technical information", Indium Corp., USA, www.indium.com, 2007.