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Effet des paramètres physico-chimiques sur les propriétés électriques des

couches minces de silicium polycristallin élaborées par LPCVD

Conference Paper · August 2022

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Adel Kemiha
University of Jijel
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 Effet des paramètres physico-chimiques sur les propriétés
électriques des couches minces de silicium polycristallin
élaborées par LPCVD
A.Kemiha1 et B.Birouk2
1
Laboratoire LAMEL, Département de génie des procédés, Faculté des sciences et de la technologie
Université de Jijel, e-mail: Adel_kemiha@yahoo.fr
2
Laboratoire LAMEL, Département de l’électronique, Faculté des sciences et de la technologie Université
de Jijel, e-mail:bbirouk@gmx.com

Résume :
Dans ce travail nous avons étudié l’évolution des propriétés électriques des couches minces de
silicium polycristallin déposées sur substrats de silicium monocristallin d’orientation cristallographique
<100> et <111>, et présentant ou non, un fort dopage (de l’ordre de 1021 cm-3) au bore ou au phosphore. Les
films ont été soumis pendant 20 ou 120 min, à un traitement thermique à température élevée (950°C ou
1050°C) sous atmosphère oxydante.
L’intérêt particulier de ce travail réside dans l’étude du comportement électrique de ces couches de
polysilicium, sous l’influence de divers paramètres, en particulier le dopage, le type de substrat, la
température et la durée d’oxydation. Les techniques d'analyse utilisées dans ce cas sont les techniques de
caractérisation électrique, telles que : Effet Hall, Quatre pointes et I(V).
Mot clés : Si-LPCVD, couche mince, oxydation thermique, dopage au bore, dopage au phosphore,
résistivité, effet Hall, mesure I(V).

1. Introduction :
Le silicium polycristallin a été marqué par une large utilisation dans le domaine de la micro-
électronique et le photovoltaïque (transistors en couches minces, cellules solaires, etc.) ainsi que dans des
microsystèmes électromécaniques. Les propriétés de ce matériau dépendent fortement des conditions
d’élaboration et de traitement thermique du matériau. C'est un matériau important dans la technologie des
circuits intégrés dans ces dernières décennies [1-3].
On rencontre le polySi sous forme de films déposés sur des substrats de différentes natures. Il est
généralement obtenu par cristallisation d'un précurseur amorphe. En effet, bien qu'il soit possible d'obtenir du
matériau polycristallin directement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) autour de 600°C, ce dernier
présente en général un état de surface rugueux qui se prête mal au transport électronique de surface (cas
typique des composants à effet de champ) [4].
Le dopage in situ au bore ou au phosphore améliore la structure cristalline par l'augmentation de la
taille des grains et la disparition des phases amorphes, mais cette amélioration a des conséquences sur les
propriétés de transport dans les structures électroniques [1].

2. Procédure expérimentale :
 Dans cette étude, nous avons utilisé des films de polysilicium de 1700 et 2000 Å d’épaisseur, de
forme carrée (15mm×15mm), ont été obtenus par décomposition thermique du silane (SiH 4) par la technique
LPCVD (Low pressure chemical vapour deposition), à des températures allant de 550°C à 585°C, à la
pression partielle de 700mT. Les dépôts sont composés de trois séries, selon le dopage : non dopés, dopés au
bore ou au phosphore. Les échantillons dopés sont caractérisés par un niveau de dopage élevé de l’ordre de
1021at/cm3. Le dépôt a été réalisé sur substrats de silicium monocristallin oxydés (SiO2) ou non (c-Si), de
type p, possédant une orientation <100> ou <111>.
Les concentrations de dopants ont été obtenues par le mode de dopage in situ, tandis que les gaz
réactifs utilisés sont le trichlorure de bore (BCl3) pour un dopage de type P et la phosphine (PH3) pour un
dopage de type N.
L’appareillage utilisé pour la caractérisation d’effet hall est de type: « Ecopia Hall Effect
Measurement System » (HMS-300 Ver 3.51.3), tandis que la résistance par carré a été relevée au moyen
d’un résistimètre et un multimètre digital dont les précisions respectives sont de l’ordre de 10 -3 mA et 10-3
mV. Pour les caractéristiques courant-tension il a été fait usage d’un multimètre de type DA103 DC, et un
voltmètre de type DV-101 DC, et d’un générateur de tension de type GW INSTEK GPS-2303.
Avant toute manipulation, les échantillons sont passés dans l’acide fluorhydrique HF (40%) durant
quelques secondes (10-15s), pour décaper la couche d’oxyde thermique, suivi par un rinçage. Les
échantillons sont ensuite, trompés dans une solution d’acétone pour solubiliser les nombreuses espèces
organiques existant à la surface des films, rincés et séchés immédiatement après.

3. Aspect théorique:
Les propriétés électriques de silicium polycristtalin dépendent fortement du dopage, tandis que la
température a un effet important sur les propriétés électriques du polysilicium, selon leur utilisation la
température de dépôt varie en fonction des besoins et des conditions d’élaboration. La présence des joints de
grains dans le polysilicium entraîne des propriétés pour ce matériau fondamentalement différentes de celle
du silicium monocristallin [5]. Les caractéristiques électriques concernent particulièrement la résistivité, la
concentration des porteurs libres et la mobilité de porteurs.
La résistivité est décrite par la relation suivante :

………………………………………………………….(1)
Où : Ea est l’énergie d’activation de la conduction et KB la constante de Boltzmann
La conduction électrique des couches de silicium polycristallin, est fondée sur la ségrégation des dopants
et le piégeage des porteurs [6]; il tient compte des deux mécanismes essentiels de transport de charges : par
émission thermoïonique et par effet tunnel.
A basse température, la conductivité des joints de grains est exprimée par la relation de Mott suivante [7] :

……………………………………………………………….(2)
Où : A est une constante, T0=18α3/KB N(EF), est une quantité généralement utilisé pour déterminer la densité
des états localisés au niveau de Fermi, N(EF) ; α est le coefficient d’affaiblissement exponentiel des états
localisés, valant 1,24nm-1 [7].

4. Résultats et discussion :
 Caractérisation électrique par effet Hall:
Nous regroupons sur le tableau I les valeurs résultant de la caractérisation par effet Hall et relatives à la
résistivité, la mobilité de Hall et la concentration de porteurs.

Tab.I: Caractérisation par effet Hall des films, à température ambiante.

P-LPCVD P-LPCVD Si-LPCVD B-LPCVD B-LPCVD

Echantillon
/c-Si /SiO2 /SiO2 /SiO2 /c-Si
ρ (Ω cm) 2,51 10-3 5,90 10-3 8,20 10-3 6,31 10-3 5,88 10-3
σ (Ω-1.cm-1) 3,98 10+2 1,69 10+2 1,22 10+2 1,58 10+2 1,70 10+2
µ (cm2/Vs) 6,94 11,60 8,0 6,97 7,87
-3 20 19 20
p ou n (cm ) 1,5 10 1,3 10 // 1,1 10 1,8 1019

On remarque sur le tableau I que les films ont un comportement entièrement conducteur, avec une
meilleure conductivité dans le cas du phosphore. Il est clair que les caractéristiques des films sont assez peu
différentes d’un dépôt à l’autre, compte tenu des ordres de grandeur identiques.
On relève pour le film non dopé Si-LPCVD/SiO2, une valeur légèrement supérieure à celle des
dépôts dopés, quelque soit le type de dopage et de substrat. La résistivité des dépôts déposés sur substrat de
silicium monocristallin est inférieure à celle des dépôts sur oxyde. La différence est plus prononcée dans le
cas du dopage au phosphore.
Les caractérisations électriques qui ont été menées sur ces dépôts, confirment que les propriétés
électriques de ces films sont étroitement liées aux influences respectives du gaz de dopage et de la
température de dépôt [1].
 Caractérisation électrique par la méthode des quatre pointes
Sur les figures 7-8, nous avons représenté la variation de la résistivité des films de polysilicium non
dopé et dopés in-situ au bore ou au phosphore, en fonction de la température de recuit sous atmosphère
oxydante.
 4,5 5,5
P-LPCVD/SiO2
P-LPCVD/c-Si
4,0 5,0
Si-LPCVD/SiO2

4,5
3,5
 cm

4,0

 cm
3,0


3,5


2,5
3,0
B-LPCVD/c-Si
2,0 Si-LPCVD/SiO2
B-LPPCVD/SiO2
2,5

2,0
0 200 400 600 800 1000 1200
T (°K)
0 200 400 600 800 1000 1200
T (°K)

Fig.7: Evolution en fonction de Tox de ρ des films

Fig.8: Evolution en fonction de Tox de ρ des films Si-
Si-LPCVD fortement dopés au Bore et non dopé
LPCVD fortement dopés au phosphore et non dopé

Sur ces figures, on peut remarquer après traitement thermique, que les résistivités de tous les dépôts
chutent d’une façon plus ou moins importante selon la température et le film considérés. On notera
cependant, que la diminution de la résistivité pour un substrat oxydé, bien que remarquable, reste faible.
Comparées aux valeurs de la résistivité des dépôts non oxydés, celles des films oxydés à 950°C sont
clairement inférieures, contrairement au cas où la température d’oxydation vaut 1050°C, qui présente une
faible différence pour le dépôt sur monosilicium (voir fig.7). Ceci peut être expliqué par une faible
diminution de l’activité électrique des atomes de bore ou elle est liée à une baisse de la teneur en dopant due
à la ségrégation vers le joint, ou par la diffusion de bore dans l’oxyde [8,9]. Ce dernier étant éliminé par
attaque dans l’acide fluorhydrique, les atomes de dopant seraient du coup éliminés et leur concentration
réduite. Notons que la différence de résistivité peut être aussi interprétée en termes de diffusion de dopants à
l’interface substrat/poly-Si. En effet, le bore diffuse moins dans le monosilicium, lorsque celui-ci est oxydé
[10]. Cependant, nous pouvons clairement voir une diminution importante de la résistivité du film déposé sur
monosilicium, qui passe de 5,2.10-3 à 2,2.10-3 Ω.cm (voir fig.8). Cette dernière valeur, relevée après
oxydation à 950°C, se trouve inférieure à celles des dépôts réalisés sur silicium oxydé. Après un traitement
thermique à Tox=1050°C, la résistivité tend vers des valeurs plus faibles que celles relevées à 950°C. Ceci
serait justifié par un accroissement de l’activité électrique, où par suite d’un budget thermique plus
important, les dopants deviennent plus actifs électriquement. La ségrégation de phosphore aux joints de
grains peut réduire considérablement le nombre de dopants électriquement actifs dans le polysilicium et que
ce phénomène est d’autant plus marqué à basse température [11].

 Relevé des caractéristiques Courant-Tension

Les figures 9-11 représentent les courbes I(V) des films de silicium polycristallin non dopés et dopés au bore
ou au phosphore, déposés sur substrat oxydé ou non oxydé. Ces dépôts ont subit un traitement thermique à
deux températures (950°C et 1050°C) et deux durées différentes (20 et 120 min).
 2,5 2,5 6 6
B-LPCVD/c-Si, Tox=950°C, 20min
Si-LPCVD/SiO2,Tox=950°C, 20min B-LPCVD/c-Si, Tox=1050°C
Si-LPCVD/SiO2,Tox=1050°C B-LPCVD/c-Si, Tox=950°C, 2h
Si-LPCVD/SiO2,Tox=950°C, 2h B-LPCVD/c-Si, non oxydé
5 5
2,0 Si-LPCVD/SiO2, non oxydé 2,0

4 4
1,5 1,5
Courant I(mA)

Courant I (mA)
3 3
1,0 1,0

2 2

0,5 0,5
1 1

0,0 0,0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 0 0
0 1 2 3 4 5 6
Tension V(v)
Tension V(v)

Fig.9: Courbe I-V à différentes Tox et tox

Fig.10: Courbe I-V à différentes Tox
pour les films Si-LPCVD/SiO2 non dopés
et tox, pour des films B-LPCVD/c-Si

6 6

5 5

4 4
Courant I(mA)

3 3

2 2

1 P-LPCVD/c-Si, Tox=950°C, 20mn 1

P-LPCVD/c-Si,Tox=1050°C
P-LPCVD/c-Si,Tox=950°C, 2h
P-LPCVD/c-Si, non oxydé

0 0
0 1 2 3 4 5
Tension V(v)

Fig.11: Courbe I-V à différentes Tox et tox , pour des films P-LPCVD/c-Si

D’après ces figures il est bien clair que, d’une part, les courbes I(V) ne sont pas linéaires et que
d’autre part, le traitement thermique sous atmosphère oxydante influe beaucoup sur le courant électrique
traversant les films de polysilicium caractérisés par les mêmes conditions expérimentales décrites
précédemment. Il en résulte une augmentation du courant dans tous les cas, dans le même sens d’évolution
des conditions de traitement d’oxydation (température et durée), quelque soit le substrat. Ces résultats
s’expliquent par l’amélioration de la structure cristalline c’est-à-dire l’augmentation de la taille des grains et
la diminution du nombre de joints de grains qui agissent comme des barrières de potentiel vis-à-vis du
transport des porteurs de charge.
L’Analyse des figures10-11, nous permet de relever une amélioration du courant lorsqu’on fait un
dopage au bore ou au phosphore, comparativement aux valeurs obtenues en l’absence de dopage. A noter
que, pour le dépôt B-LPCVD/c-Si traité à 950°C pendant 120 min, les valeurs du courant sont devenues
remarquablement faibles, contrairement au cas du dopage au phosphore. Ceci pourrait s’expliquer par une
baisse en teneur du dopant ou par la minceur de la couche de polysilicium, parce que lors de l’oxydation et
traitement chimique une partie de la couche est éliminée, donc l’épaisseur du dépôt devient plus mince et la
couche plus résistive.
Conclusion
La caractérisation des trois séries d’échantillons a été effectuée grâce à la mise en œuvre de diverses
méthodes électriques. La caractérisation par la technique d’effet Hall à basse température, montre que l’effet
de la couche d’oxyde intermédiaire est beaucoup plus prononcé pour les valeurs élevées de la résistivité. De
plus, on a pu vérifier expérimentalement que les films, directement réalisés sur substrat non oxydé, d’une
part et sur substrat oxydé, d’autre part, présentent des propriétés électriques différentes. Il a été ainsi relevé
que la résistivité est plus faible dans le cas où le polysilicium est déposé sur substrat non oxydé. En effet, les
mesures de résistivité font ressortir que l’oxydation des couches renforce la conductivité du dépôt ce qui peut
s’expliquer par un nombre de cristallites moins élevés et donc moins de barrières de joints qui s’opposent au
mouvement des porteurs, de plus, la perte en dopant, par ségrégation dans les zones inter-granulaires et par
diffusion dans le substrat, est en outre plus faible. Ceci a été confirmé par les relevés de caractéristiques I(V),
qui ont montré une nette amélioration du courant sous l’effet du traitement thermique.

Référence bibliographique
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