PhysiqueSC Bonnaud2003

Physique des Solides,
des Semiconducteurs et Dispositifs
Professeur Olivier Bonnaud

Ancien lve de lENS Cachan
Professeur des Universits
Professeur lUniversit de Rennes 1
Professeur SUPELEC Campus de Rennes
Si
Si Si
Si Si
Si n p
trou libre
trou libre
ND NA
-
Octet Si
Si - ee
B -
A tom e dopant
Atome dopant Si
Si np(0)
ionis
i ngativement
onis ngativem ent pn(0)
expVF/VT
Si
Si Si
Si Si
Si expVF/VT npo
pno
n p n
Isolant de grille / oxyde
EC qVD2
qVD1 source grille drain
Eg EC
EC
EF EF
Eg
Eg N+ N+
EV
EV substrat p
Emetteur Base Collecteur
canal n induit par le champ
Juin 2003
Groupe Microlectronique/IETR, Universit de Rennes 1, Campus de Beaulieu, Bt 11B, 35042 Rennes Cedex
Tl : (+33) (0)2.23.23.60.71 Fax : (+33) (0)2.23.23.56.57 email : olivier.bonnaud@univ-rennes1.fr
AVANT-PROPOS
Ce cours, constitu de deux parties, est destin aux tudiants de 1re et 2me anne de SUPELEC
et vient la suite de lenseignement de Mcanique Quantique .
Lobjectif de ce cours est daborder la physique du semiconducteur et des dispositifs
lectroniques afin de comprendre les bases du fonctionnement des composants microlectroniques
qui constituent les briques des circuits intgrs ou des cartes utiliss dans pratiquement tous les
systmes lectroniques daujourdhui (informatique, tlcommunications, lectronique embarque,
etc). La connaissance des principes de base, ces derniers comprenant la physique du solide, la
statistique et la physique du semiconducteur, constitue un atout et une ncessit au niveau
ingnieur. La connaissance du comportement physique des composants et dispositifs lectroniques
permet de mieux apprhender les performances des circuits lectroniques qui sont toujours limites
par les composants qui les constituent. Par ailleurs, il est raisonnable de prvoir que dans le cadre
de leur vie professionnelle, quel que soit le domaine effectif dactivits, les futurs ingnieurs
auront au minimum dialoguer avec les fabricants de circuits intgrs sils nen conoivent ou
fabriquent pas eux-mme ou les quipementiers qui fabriquent des cartes lectroniques. Il faut
donc acqurir la fois le vocabulaire et les principes fondamentaux de cette discipline.
Lapproche physique utilise est inhabituelle puisquil est ncessaire de raisonner avec des
concepts nouveaux et avec des ordres de grandeur des paramtres physiques normment
diffrents. De plus, bien que ramene des concepts de base, la physique utilise est suffisamment
complexe pour essayer en permanence den simplifier lapproche afin daboutir des solutions
analytiquement accessibles. La combinaison des ordres de grandeurs trs diffrents et des
quations comportant de nombreux termes permettent la prise dhypothses simplificatrices
condition den bien connatre les tenants et les aboutissants. Ce document cherche simplifier la
prsentation tout en insistant sur des explications et comparaisons des fins pdagogiques ;
dautres documents, beaucoup plus complets, existent dans la littrature (cf bibliographie) et
permettent dapprofondir cette approche.
La physique du semiconducteur et des dispositifs est donc dune approche, a priori, difficile
mais qui donne habituellement une ouverture desprit fortement apprcie. Un minimum
dinvestissement personnel et une attention particulire aux propos et analogies mis en cours
permettent en gnral aux lves-ingnieurs SUPELEC de bien assimiler cet enseignement.
Olivier BONNAUD
SOMMAIRE
1ERE PARTIE
CHAPITRE I : ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE

I Introduction aux rseaux cristallins p 1
II Rseaux cristallins
1) Le cristal p 2
2) Range, nud, maille, indices de Miller p 3
III Rseaux rciproques p 5
IV Zone de Brillouin p 5
V Diffraction dans un cristal p 6
VI Reprsentation du cristal de silicium p 8
CHAPITRE II : ELECTRONS DANS UN CRISTAL

I Potentiel dun lectron dans un cristal p 11
II Modle de llectron libre dans un cristal. Modle de Sommerfeld p 11
III Modle de llectron quasi-libre dans un cristal p 12
1) Considration sur la forme du potentiel p 12
2) Considration sur la fonction donde p 13
3) Mthode de calcul p 13
4) Rsolution simplifie dans le cas dune perturbation de potentiel p 14
VI Conclusion
1) diagramme des phases dun cristal rel p 16
2) Gap direct et indirect p 17
3) Remplissage des bandes dnergie p 18
CHAPITRE III : NOTION DE STATISTIQUE. SYSTEMES DE PARTICULES

I Pression et nergie dune molcule dans un gaz parfait
1) Introduction la notion de statistique p 19
2) Calcul de la pression p 19
3) Energie cintique moyenne p 20
II Distribution dnergie des molcules dans un gaz parfait
1) Probabilit des collisions p 21
2) Calcul du facteur universel, p 22
III Distribution de Maxwell
1) Distribution maxwellienne des vitesses p 23
2) Distribution des nergies p 24
3) Conclusion p 25
VI Fonction de distribution de Fermi-Dirac
1) Statistique de Fermi-Dirac p 25
a) Calcul du nombre dtats dnergie dans le cristal p 25
b) Calcul de la probabilit a(E) p 26
2) Distribution de Fermi-Dirac p 27
3) Allure de la fonction de Fermi-Dirac p 28
CHAPITRE IV : INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DU SEMICONDUCTEUR

I Bandes dnergie
1) Semiconducteur parfait T=0K p 31
2) Statistique de remplissage des niveaux dnergie p 32
a) Statistique de Fermi-Dirac p 33
b) Approximation de Maxwell-Boltzmann p 33
3) Semiconducteur une temprature T0 p 34
II Porteurs de charge
1) Notion de trous p 35
2) Masse effective des porteurs de charge p 36
3) Concentrations des porteurs quasi-libres dans les bandes dnergie. Densits dtats
lectroniques p 37
a) Cas de la bande de conduction p 38
b) Cas de la bande de valence p 39
4) Concentration intrinsque et niveau de Fermi lquilibre thermodynamique p 41
a) Concentration intrinsque p 41
b) Position du niveau de Fermi dans un matriau intrinsque p 42
III Semiconducteur extrinsque
1) Notion de dopage p43
a) dopage de type n ou donneur p 43
b) dopage de type p ou accepteur p 44
2) Concentration des porteurs quasi-libres dans un semiconducteur dop p 44
a) concentration des atomes ioniss p 44
b) cas dun semiconducteur de type n p 45
c) cas dun semiconducteur de type p p 46
d) cas gnral p 47
3) Position du niveau de Fermi Diagrammes dnergie p 48
a) cas dun semiconducteur de type n, affirm p 48
b) cas dun semiconducteur de type p, affirm p 49
c) cas gnral en fonction de la temprature p 49
d) Variations du niveau de Fermi en fonction du type de dopage temprature ambiante p 50
IV Gnration recombinaison Dure de vie des porteurs
1) Gnration-recombinaison thermique p 51
2) Gnration-lumineuse p 52
3) Niveaux piges dans un semiconducteur p 52
4) Rsultats de la thorie simplifie de Schockley-Read-Hall p 52
a) cas dun semiconducteur lquilibre thermodynamique p 54
b) cas dun excs dlectrons et de trous dans le matriau p 54
c) dficit dlectrons et de trous dans le matriau p 54
CHAPITRE V : PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS

I Conductivit Drive dans un champ lectrique
1) Mobilit Conductivit p 55
2) Densit totale de courant de drive dans un champ lectrique. Rsistivit p 57
II Diffusion des porteurs
1) Loi de Fick. Coefficient de diffusion p 58
2) Densits de courant de diffusion p 59
a) Cas des lectrons : p 59
b) Cas des trous : p 59
III Densits de courant totales dans un semiconducteur p 60
IV Relation dEinstein p 60
V Equations de continuit p 61
VI Equations de Poisson p 62
VII Densits de courant gnralises p 63
CHAPITRE VI : JONCTION PN DIODES A JONCTION

I Constitution
1) Ralisation physique et dfinitions p65
2) Concentrations et types de porteurs dans la jonction p65
II Etude de la jonction pn lquilibre thermodynamique
1) Mouvement de charges au contact p66
2) Tension de contact ou tension de diffusion p68
3) Diagramme dnergie p68
4) Champ lectrique et dimension de la zone de charge despace p69
III Etude de la jonction pn polarise
1) Analyse physique du problme p71
2) Polarisation directe et inverse p72
3) Profils de concentrations des porteurs dans les zones quasi-neutres Densits de courant p73
a) Approximation de Boltzmann p73
b) Concentrations dans les zones quasi-neutres p74
c) Densits de courant injectes p76
4) Effet de la recombinaison : diode courte et diode longue p78
a)Longueur de diffusion grande hypothse de diode courte p81
b)Longueur de diffusion petite hypothse de diode longue p81
5) Caractristique Rsistance diffrentielle p83
6) Capacit de la jonction p83
7) Jonction fortement polarise en inverse p84
a) Effet davalanche p84
b)Effet Zener p84
IV Jonctions dans les applications particulires de diode
1) Diodes varicap p85
2) Diode tunnel (Esaki) p85
3) Photodiodes p86
4) Diodes lectroluminescentes p86
2EME PARTIE
CHAPITRE VII : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

I Constitution
2) Profils de dopage p88
3) Diagramme dnergie de la structure lquilibre thermodynamique p89
II Principe de fonctionnement
1) Rgime de conduction p89
2) Diagramme dnergie en conduction normale p90
3) Effet transistor. Bilan des injections ? Ncessit dune base courte p91
4) Effet des recombinaisons p92
a) recombinaison dans lmetteur p92
b) recombinaison dans la zone de charge despace de la jonction metteur-base p93
c) recombinaison dans la base : facteur de transport dans la base p93
d) courant inverse collecteur-base p93
5) Bilan des courants p93
6) Gain en courant du transistor p94
7) Efficacit dinjection p95
8) Caractristique en fonctionnement normal p95
III Effet des recombinaisons
1) Recombinaison dans lmetteur p96
2) Recombinaison dans la base facteur de transport p96
3) Effet des recombinaisons sur le gain en base commune p97
4) Recombinaisons dans la zone de charge despace de la jonction metteur-base p97
5) Consquences sur les courants ; Caractristiques bas niveau p98
IV Autres effets et limites physiques principales
1) Effet de la polarisation collecteur-base : effet Early p99
2) Tension de claquage de la jonction collecteur-base p100
3) Effet de la forte injection p101
4) Effet du dopage de la base et de lmetteur p102
CHAPITRE VIII : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE.

TRANSISTOR MOS : METAL/OXYDE/SEMICONDUCTEUR
I Constitution
2) Diffrents types de structures de base p106
3) Symboles des diffrentes structures de base p106
1) Sans polarisation de grille par rapport au substrat p107
2) La grille est polarise positivement par rapport au substrat p108
3) La polarisation de la grille atteint la tension de seuil : VGSVth p108
4) Caractristique IDS(VDS) dun transistor NMOS normally on. p109
a) La tension drain-source VDS est faible p109
b) La tension de grille VGS>Vth et la tension drain-source VDS non ngligeable p109
c) Caractristique de sortie du transistor IDS(VDS, VGS) p111
III Analyse physique de la structure mtal oxyde semiconducteur idale
1) Diagramme dnergie lquilibre thermodynamique p111
2) Rgime daccumulation p112
3) Rgime de dsertion p113
4) Rgime de faible inversion p113
5) Rgime de forte inversion p114
6) Rsolution de lquation de Poisson p115
7) Variation de la concentration de charge en surface en fonction de la polarisation de grille p117
a) Rgime daccumulation p117
b) Rgime de dsertion ou dappauvrissement p117
c) Rgime de faible inversion p118
d) Rgime de forte inversion p118
e) Variations de Qs en fonction de s p118
8) Variation de s en fonction de la polarisation de grille p119
9) Capacit quivalente de la structure MOS p120
IV Caractristique de transistor MOS idal
1) Expression de la charge dans le canal p121
2) Calcul du courant p122
V Dfauts cristallins et de surface
1) Diffrents types de dfauts p123
2) Etats nergtiques p124
CHAPITRE IX : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION :TRANSISTORS

JFET
I Constitution p125
II Symboles p126
III Principe de fonctionnement
1) La tension drain-source est maintenue trs faible p126
2) La tension drain-source polarise en inverse la jonction drain-grille p127
3) La tension drain-grille dpasse la tension de pincement p128
4) Conclusion sur le comportement p129
IV Modlisation simplifie de la structure
1) La tension drain-source est maintenue trs faible : rgime linaire p130
2) Caractristique statique jusquau rgime de saturation p131
3) Pincement et saturation du courant p132
CHAPITRE X : LA DIODE METAL-SEMICONDUCTEUR : DIODE SCHOTTKY
I Constitution p135
II Diagrammes des bandes dnergie p136
1) Cas ou m > s p136
2) Cas ou m < s p137
III Etude du contact Schottky : zone de charge despace
1) Zone dserte p138
2) Charge totale de la zone de charge despace dans le semiconducteur p139
3) Capacit de la zone de charge despace p139
IV Effet dabaissement de barrire : effet Schottky p140
1) 1) Electron dans le vide devant un plan mtallique p141
2) Abaissement de barrire ; effet Schottky p142
V Transport travers la jonction p142
1) 1) Considrations gnrales p142
a) Franchissement de la barrire par les lectrons de la bande de conduction p143
b) Franchissement de la barrire par effet tunnel p143
c) Processus de gnration-recombinaison dans la zone de charge despace p143
d) Processus de gnration-recombinaison dans le volume neutre p144
2) Conduction des porteurs majoritaires p144
3) Thorie thermoonique p145
4) Thorie de la diffusion p147
5) Thorie mixte, thermoionique-diffusion p147
6) Porteurs minoritaires p148
Quelques constantes physiques importantes p149

1re PARTIE
Chapitre Elments de cristallographie
CHAPITRE I
ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE
Ce premier chapitre apporte des informations de base sur la cristallographie qui doivent
permettre de comprendre la structure et ses consquences sur le comportement des lectrons
dans un cristal. En effet, les dispositifs lectroniques que nous tudierons la fin de ce cours,
mettent en jeu le dplacement des lectrons dans un cristal semiconducteur. Il sagit donc de
se dfinir un vocabulaire prcis qui permettra aux spcialistes de dispositifs de se reprer.
I Introduction aux rseaux cristallins

A partir du modle de latome hydrognode, vu en mcanique quantique, nous savons
quil existe des niveaux dnergie pour les lectrons et des orbitales qui correspondent des
orientations particulires par rapport au centre de latome pour lesquelles llectron a une
grande probabilit de se trouver. La position de ces orbitales (par exemple lorientation des
lobes) nest pas alatoire et correspond en fait un certain nombre de symtries. Suivant les
valeurs prises par le nombre quantique magntique et le nombre quantique azimutal, nous
avons pu voir que les directions des lobes pouvaient tre trs diffrentes ( , /2, etc..).
Le fait de rapprocher lun de lautre deux atomes, par exemple identiques, des distances
de lordre de grandeur de lextension spatiale de la fonction donde de chacun dentre eux, va
permettre aux lectrons des deux atomes dinteragir, en particulier pour ceux qui sont les
moins lis, cest--dire ceux qui sont situs sur les couches externes. Cette interaction va se
faire dans les directions privilgies, cest dire celles o les lectrons ont une grande
probabilit de prsence. Autrement dit, les atomes vont sagencer de faon respecter ces
orientations ; en fait cette situation correspond un niveau dnergie minimal auquel les
lectrons vont avoir tendance rejoindre. Intuitivement, nous pouvons bien imaginer que
dans le cas dun grand nombre datomes, ils vont tous se positionner en respectant ces
directions privilgies et constituer progressivement une structure priodique.
Cette mise en commun de ces lectrons des couches externes va constituer la liaison
chimique, mais aussi lgrement modifier les niveaux dnergie. Dans le cas de deux atomes
identiques, deux niveaux dnergie diffrents vont tre crs de manire rpondre au
principe dexclusion de Pauli.
En considrant les lectrons des couches externes, suivant la forme et la symtrie de leurs
orbitales, ils peuvent se retrouver dans des situations dattraction ou de rpulsion : attraction
de llectron par le noyau de latome voisin, rpulsion par llectron homologue de son
voisin, par exemple.
Dans ces conditions, pour les lectrons, deux orbitales vont se gnrer, orbitale liante et
orbitale anti-liante, tout en respectant un certain nombre de symtries.
O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 1

Pour de faibles nergies dagitation thermique des atomes, cest--dire aux basses
tempratures (cette notion sera prcise plus loin), un grand nombre datomes peuvent se lier
entre eux tout en respectant les symtries des orbitales. Les atomes tant identiques, dans une
premire approche, la distance inter-atomique tant constante, une structure priodique se
constitue de proche en proche. Cet arrangement constitue le cristal.
Paralllement, pour continuer respecter le principe dexclusion de Pauli, la cration de
nombreuses liaisons chimiques va multiplier le nombre de niveaux dnergie. Intuitivement,
du fait que nous sommes partis de niveaux dnergie discrets dun seul atome, nous allons
successivement ddoubler ces niveaux, qui restent des valeurs trs voisines. Ainsi dans un
cristal de grande dimension, nous allons trouver des regroupements dune quasi-infinit de
niveau dnergie. De la sorte, nous dirons que des bandes dnergie, correspondant des
pseudo-continuum se constituent. Le terme pseudo provient de la non-infinit des atomes et
donc de la non-continuit des tats dnergie.
II Rseaux cristallinx
1) Le cristal
Comme nous venons de lvoquer, le cristal est un arrangement priodique datomes
rpondant un certain nombre de symtries qui sont linversion, la rotation, la rflexion dans
un paralllpipde. Nous dnombrons 7 classes de paralllpipdes ou 7 systmes cristallins.
Le tableau ci-dessous recense ces systmes qui sont diffrentis par leurs angles et par les
dimensions relatives des cots.
Caractristique Type Paramtres Degr de Forme

symtrie
Rgulier Cubique a=b=c, ===/2 48
a
a
a
Axe principal Quadratique a=bc, ===/2 16

c a
a
Axe principal Hexagonal a=bc, ==/2, =2/3 24 c

a
a
Axe principal Rhombodrique a=b=c, ==/2 12 a

a
a
Sans axe principal Orthorhombique abc, ===/2 8

c b
a
Sans axe principal Monoclinique abc, ==/2 4 c

b
a
Sans axe principal Triclinique abc, 2 c

b b
a

Ces systmes sont caractriss par les paramtres du paralllpipde. Suivant les
considrations de translation (suivant la premire diagonale par exemple), nous sommes
amens singulariser 14 types darrangement du point de vue des symtries qui constituent
les 14 rseaux de Bravais. Nous pouvons noter quune forme de base, appele maille, non
lmentaire permet parfois de mieux dcrire les relations de symtrie quune maille dite
lmentaire. Le meilleur exemple sera donn plus loin pour le silicium.
Les 14 rseaux de Bravais sont :
- cubique simple, cubique centr et cubique faces centres,
- ttragonal simple, ttragonal centr,
- orthorhombique simple, orthorhombique centr, orthorhombique faces centres,
orthorhombique deux faces centres,
- trigonal et trigonal hexagonal,
- monoclinique, monoclinique deux faces centres,
- triclinique.
Ces rseaux sont bien sr importants pour reprsenter des cristaux. La figure 1 prsente les
rseaux de base de nombreux cristaux et plus particulirement ceux qui nous intressent,
savoir, le rseau cubique simple, le cubique centr (un atome au centre du cube), et le cubique
faces centres (un atome sur chaque face du cube).
a
a
a
Figure 1 : rseaux cubique simple, cubique centr et cubique faces centres. Ces
rseaux sont les trois rseaux de Bravais base de cubes.
Nous verrons dans la suite quune combinaison de cubes faces centres permet de
reprsenter un rseau ttradrique correspondant celui des principaux semiconducteurs
utiliss en microlectronique.
2) Range, nud, maille, indices de Miller

Nous allons dans ce paragraphe donner quelques dfinitions utilises par les
cristallographes qui permettent de dcrire de faon prcise le cristal avec ses priodicits.
Nous allons travailler dans un espace 3 dimensions, donc dans un cristal en volume sachant
que des cristaux surfaciques existent dans la nature. Nous allons donc considrer trois
r r r
vecteurs non colinaires, a , b , c , qui reprsentent des distances priodiques suivant les trois
directions de lespace (cf. Figure 2)

r
c
r
b
r
a
Figure 2 : Reprsentation dune maille construite sur la base dun paralllpipde
r r r
b , c ,.
dfini par les trois vecteurs non colinaires, a ,
r r r r
- nud : extrmit du vecteur n : n = ua + vb + wc ,
- range : toute droite passant par deux nuds,
- maille : tout paralllpipde construit sur 3 vecteurs non colinaires,
- plan rticulaire : tout plan passant par trois nuds ports par trois vecteurs non
colinaires,
Paralllement un plan rticulaire, il existe par translation dune combinaison linaire des
vecteurs de base, une infinit de plans rticulaires. Ils constituent donc une famille de plans
rticulaires. Cest la raison pour laquelle il sera choisi le reprsentant de cette famille qui se
trouve dans la maille lmentaire porte par les trois vecteurs de base des priodicits.
Lquation dun plan rticulaire peut scrire sous la forme :
t = hx + ky + lz avec h, k, l et t entiers relatifs (1)
Si t = 0, le plan passe par lorigine
Si t = 1, le plan est le premier plus proche de lorigine.
- indices de Miller : le plan rticulaire est dfini par son vecteur directeur qui a les
coordonnes entires suivant les 3 directions de lespace, h, k, l. Par commodit, on
appellera ce plan (h, k, l).
Les nombres entiers relatifs, h, k, et l sont appels indice de Miller.
La figure 3 montre la position du plan appel (2,3,1) qui est reprsent en pratique dans la
r r r
maille lmentaire paralllpipdique dfinie par les vecteurs a , b , c .
z
r1
c
r y
1/3
b1
r
1/2
a
1
x
Figure 3 : exemple de reprsentation dun plan rticulaire dans une maille lmentaire. Le plan dindice (2,3,1)
est reprsent dans la premire maille lmentaire comme indiqu sur la figure. De ramener la famille de plans
la premire maille permet de simplifier normment les reprsentations.

Remarque : le plan rticulaire de la famille (h,k,l), ne peut passer par les points A(h,0,0), B (0,k,0) et C (0,0,l)
que si |h|=|k|=|l|=1. Par exemple, le plan le plus proche de lorigine de la famille repre par les indices de Miller
(2,3,1), coupe les axes des coordonnes respectivement en 1/2, 1/3, 1 mais correspond aussi la famille de plans
parallles celui coupant les axes en A (3,0,0), B (0,2,0), C (0,0,6).
III Rseau rciproque

Le rseau rciproque prend toute son utilit dans ltude des phnomnes de propagation
lectromagntique dans le rseau cristallin ; en effet, lanalyse des rseaux depuis le dbut de
la cristallographie seffectue essentiellement par analyse dun faisceau de photons diffracts.
Linteraction photon-atome transforme le faisceau et aboutit une transforme de Fourrier du
faisceau de photon incident. Limage du rseau nest plus dans ce cas une image directe, mais
une image transforme. Cette nouvelle image du rseau, qui sera celle observe par les
cristallographes est appele rseau rciproque. En dautres termes, limage dun rseau
cristallin, donne aussi un rseau contenant des nuds, mailles etc.. mais qui sera de type
diffrent de celui du rseau dit direct.
Par dfinition, le rseau rciproque est dfini par ses vecteurs unitaires en utilisant la
notation de Dirac :
r r
ai*.ai = 2 ij avec ij = 0 si i j et ij = 1 si i= j (2)
Lastrisque repre les vecteurs lmentaires du rseau rciproque.

Le terme 2 provient de la propagation des ondes et de la transforme de Fourrier, et apparat
ici afin de simplifier les critures. Ainsi :
r r r r r r
a*.a = 2 a*.b = 0 a*.c = 0 (3)
Proprits intressantes :
- le rseau rciproque du rseau rciproque est le rseau direct,
- tant range du rseau rciproque est perpendiculaire la famille des plans rticulaires
de mme indice du rseau direct,
r r r r
r * = ha*+ kb * + lc * plan (h,k,l) (4)
- la relation entre les volumes des mailles est issue du produit mixte et fait apparatre le
coefficient (2)3 :
r r
vo*.vo = (2 )3 (5)
IV Zone de Brillouin
Cette zone se dtermine dans le rseau rciproque. En effet, la zone de Brillouin va
correspondre au domaine dinfluence dun atome sur les autres atomes voisins. Il faudra
raisonner sur les nergies, et donc en fonction des fonctions donde. Intuitivement, plus les
atomes sont loigns de latome considr, moins ils auront dinfluence. Nous allons ainsi

dfinir des zones dinfluence, donc essentiellement avec les plus proches voisins. La notion
mme de fonction donde, rappelle que la quantit de mouvement est trs troitement lie au
terme spatialement dpendant de la fonction donde. Lespace des phases (les vecteurs k) va
en pratique correspondre celui du rseau rciproque (son origine en fait).
Par dfinition, la zone de Brillouin, est la maille de Wigner-Seitz correspondante. Cette
maille est dtermine par les plans mdiateurs entre les plus proches voisins dun atome. Pour
simplifier cette prsentation, nous pouvons prendre lexemple dun rseau bidimensionnel et
carr.
La figure 4 met en vidence la premire zone de Brillouin repre par 1 et la deuxime
zone repre par 2, dlimites dans ce cas par les mdiatrices (des droites).
2
1 2
Figure 4 : Reprsentation dans un rseau bidimensionnel des deux premires zones

de Brillouin, notes 1 et 2 sur la figure. Elles sont obtenues partir de la construction
de mdiatrices successives entre les plus proches voisins. Mdiatrices verticales et
horizontales pour la zone 1, / 4 pour la zone 2.
V Diffraction dans un cristal

La priodicit spatiale des atomes du rseau cristallin va permettre aprs diffraction dune
onde incidente, dobtenir, dans une direction donne, des ondes secondaires cohrentes entre
elles, et donc des phnomnes dinterfrence. La diffrence de chemin optique, , est calcule
entre deux rayons diffracts par les atomes dans la mme direction, comme prsent sur la
figure 5.
= (KJ ) + (JL)
= d Sin + d Sin
2
( )
(
= d Sin Cos )

d
K L
J
Figure 5 : Phnomne de diffraction dans un rseau. Entre deux plans conscutifs, la
diffrence de chemin optique cre des phnomnes dinterfrence dans une direction
donne.
Les conditions de rflexion donnent la relation entre les angles, et .

= +
2
Lintensit de londe rflchie dans la direction , sera maximale si la diffrence de
chemin optique est un multiple entier de la longueur donde de la fonction donde considre.
( (
= d Sin Cos + = d2Sin = k
2
)
2d Sin = k (6)
Cette formule est appele formule de Bragg.
Remarque : il faut que la longueur donde, , soit du mme ordre de grandeur que la distance entre les plans
rticulaires, d. Il faut donc que soit de quelques Angstrm au maximum. Il sera possible dobserver de la
diffraction avec des rayons X ou avec des faisceaux dlectrons suffisamment nergtiques. Rappelons que la
longueur donde associe un faisceau dlectrons est donne par la formule issue des relations de Planck-
Einstein :
= h 1 = 12,3 en Angstrm (7)

2mq U U
Il sera donc possible dobtenir de la diffraction avec des tensions dacclration de quelques 100V quelques
kV, ce qui est tout fait contrlable dans un microscope lectronique balayage.
En raisonnant dans un espace trois dimensions, cela signifie que nous aurons un
maximum dintensit lumineuse en un point du plan focal dune lentille situ dans la direction
du faisceau rflchi. Sil existe dautres plans rticulaires, (suivant les 3 directions spatiales),
nous allons trouver dautres points dans ce mme plan focal. En ralit, nous construisons
progressivement une image du rseau rciproque. Lexistence mme de ce rseau rciproque
est justifi par ce type dobservation. Cest partir de ce rseau rciproque quil est possible
de remonter au rseau direct. Par exemple, un rseau rciproque cubique centr a pour rseau
direct un rseau cubique faces centres.
La difficult danalyser un rseau cristallin vient de son aspect tridimensionnel. Nous
verrons dans le prochain chapitre, quune approche une dimension est dj trs complexe

mais permet de dcrire des phnomnes observs, savoir des bandes dnergie accessibles et
interdites.
VI Reprsentation du cristal de silicium

Le cristal de silicium va reprsenter dans le cadre de ce cours un lment privilgi
puisquune crasante majorit des dispositifs microlectronique fabriqus ce jour sont
base de ce matriau semiconducteur. Laspect semiconducteur sera justifi plus loin.
Le cristal de silicium est compos de liaisons entre les atomes qui constituent un ttradre
rgulier. La structure du cristal est identique celle du diamant, que lon appelle aussi zinc-
blende, comme prsent figure 5 (d = 2 ,35).
Si
d

Si
Si
Si Si
Figure 5 : Structure cristalline du silicium, similaire celle du diamant. Les atomes

de silicium sont disposs au sommet dun ttradre rgulier.
Pour reprsenter une suite de ttradres qui font des angles entre eux non droits,
directement, cela complique fortement le dessin. En ralit, il est possible, par le jeu des
priodicits de reconstituer le rseau ttradrique partir dun rseau cubique faces centres.
Pour bien comprendre la construction du rseau nous construisons tout dabord, figure 6, un
rseau cubique faces centres. Dans ce rseau, les atomes occupent les 8 sommets du cube
ainsi que le centre de chacune des 6 faces. Pour les deux faces suprieure et infrieure, nous
avons fait apparatre les diagonales pour mieux les reprer sur la figure. Les 4 atomes au
centre des faces verticales ( mi-hauteur) sont relies par un carr en perspective trac en
pointills.
Figure 6 : rseau cubique faces centres. Nous avons repr la premire diagonale du
cube qui va servir la construction du rseau complet.

A ce stade, nous ne retrouvons pas la construction du ttradre. Pour y parvenir, nous

allons prendre exactement le mme motif de la figure 6 et le faire glisser dun quart de la
longueur de la premire diagonale du cube suivant cette premire diagonale. Nous
rencontrons alors les conditions de la figure 7.
Figure 7 : Structure cubique faces centres dcale de suivant la premire

diagonale. Dans langle infrieur gauche de la figure, nous retrouvons maintenant le
motif du ttradre. Latome situ sur la premire diagonale est reli ses plus
proches voisins.
Il est alors facile de dtecter le ttradre (visible en bas gauche sur la figure) construit
partir de lorigine du premier cube, de lorigine du deuxime cube et des trois atomes centrs
sur les faces du premier cube, qui sont alors les plus proches voisins. La structure ttradrique
peut tre ainsi construite pas pas partir de ce premier motif. Notons, que nous observons le
dbut dun ttradre quivalent partir du deuxime sommet du premier cube (en bas droite
de la figure).
Une faon simplifier de dcrire ce rseau consiste dire que cest rseau cubique face
centre avec un motif lmentaire comportant deux atomes distants dun quart de la diagonale
principale et dans sa direction.
De cette structure, il est alors possible de reprer les principaux axes cristallographiques
qui seront utiliss en microlectronique.
Un plan rticulaire repr par les indices (1,0,0) sera perpendiculaire au vecteur de
coordonnes (1,0,0) et sera donc parallle la face du cube passant par lorigine et

perpendiculaire au plan du dessin. Cest dans ce plan que seront fabriqus prfrentiellement
les transistors MOS.
Un plan rticulaire repr (1,1,1) passera par les trois sommets du cube les plus proches de
lorigine, comme reprsent figure 8. Ce plan passe aussi par les centres des trois faces
construites sur lorigine.
Figure 8 : Reprage dun plan dindices (1,1,1). Ce plan est relativement dense
puisquil comporte trois sommets du cube et trois atomes au centre des faces. Un
calcul simple montre quil contient en moyenne 4 atomes pour la mme surface.
Nous pouvons calculer la densit atomique de chaque plan.

Dans le cas du plan (1,0,0), il contient 4 sommets appartenant 4 mailles et le centre dune
face appartenant la maille. 4x(1/4) + 1x(1) = 2 ; il y a donc en moyenne un seul atome
propre ce plan rticulaire par maille.
Dans le cas du plan (1,1,1), lapproche est un peu plus complexe. Il faut se reprsenter la
situation dans le plan o lon retrouve un triangle quilatral. Pour raisonner sur un mme
surface, il faut prendre deux triangles adjacents ; par rapport au cas (1,0,0), le rapport des
surfaces est alors de 2 / 3 . Un atome de sommet appartient 6 triangles alors que latome du
centre de face appartient deux triangles. 2(3x(1/6) + 3x(1/2)) = 4.
Ce plan (1,1,1) est donc en moyenne plus dense que le plan (1,0,0). Ce rsultat aura de
grandes consquences sur le plan technologique et lectronique dans la suite.

Chapitre 2 Electrons dans un cristal
CHAPITRE II
ELECTRONS DANS UN CRISTAL
Ce chapitre est destin apporter des notions utiles la comprhension des comportements des
lectrons dans les cristaux. La priodicit des cristaux implique une rpartition des tats
nergtiques accessibles par les lectrons propres chaque cristal. Cette approche est ncessaire
pour expliquer plus tard le comportement lectrique des dispositifs lectroniques.
I Potentiel dun lectron dans un cristal

Les diffrents lectrons de latome constituant un rseau cristallin subissent essentiellement
leffet du potentiel coulombien attractif des noyaux des atomes. Dans une reprsentation en nergie
potentielle, du fait de la priodicit du cristal, llectron verra suivant une seule dimension une
distribution priodique dont lallure est donne figure 9.
Nous supposons une priodicit de a,
distance entre deux noyaux suivant
E
lorientation x. Ceci dans le cas le plus simple a
puisquil est possible davoir des noyaux
datomes diffrents dans des cristaux binaires
par exemple (cristaux ioniques tels que NaCl,
atome

KI, ou cristaux covalents tels que InP, GaAs,
SiC, etc.). x
Le potentiel nergtique est fortement Figure 9 : Reprsentation simplifie dun rseau
cristallin suivant une direction cristallographique. Le
influenc par les atomes voisins. Sachant potentiel nergtique est lui aussi priodique mais son
quil faut raisonner en trois dimensions, il est expression analytique peut tre trs complexe du fait
de la prsence de voisins.
clair que le problme devient trs rapidement
complexe et reste laffaire de spcialistes.
Par contre, il est possible de se donner une bonne ide des phnomnes physiques rsultants en
ne travaillant que suivant une seule dimension et en modlisant lnergie potentielle dune manire
trs simplifie. Trois modles simples sont pris en gnral pour apprhender le problme :
- Modle de Morse : V (x ) = Vo Cos 2 x
a
- Modle de Kronig-Penney : V (x) = Vo (x na )
n
- Modle de llectron libre : V (x ) = 0 dans le cristal, infini lextrieur

Le dernier cas est le plus simple traiter mais il ne tient pas compte de laspect priodique du
potentiel nergtique. Nous allons cependant voir lintrt de cette approche.
II Modle de llectron libre dans un cristal. Modle de Sommerfeld

Nous allons rsoudre le modle de llectron libre dans un cristal unidimensionnel. Pour
connatre les tats nergtiques, il est alors ncessaire de rsoudre lquation de Schrdinger une
dimension :

h2 2
+ U (x).(x ) = E (x )
2m x2
Dans notre modle trs simplifi, U(x) = 0
h2 2
. = E (x ) (x ) = A exp(ikx) + B exp(ikx)
2m x2
En appelant L la dimension du cristal, nous nous retrouvons dans le cas du modle de puits de
potentiel infini, cest dire que les conditions aux limites sont : (0) = 0 et (L) = 0
h 2 2 2
Donc (x) = A Sinkx avec k = n et En = n avec k = 2mE
L 2m L2 h2
Nous retrouvons bien videmment que lnergie de llectron est quantifie. Dans ce cas, cest en
raison des limites finies du cristal. Notons que si le cristal est suffisamment grand, donc L trs
grand, les tats nergtiques reprsentent un pseudo-continuum. La quantit de mouvement de
llectron est lie k. Ainsi :
h2 2
p = hk k = n E = k (8)
L 2m
Nous pouvons ainsi reprsenter E en E
fonction de k, qui est proportionnel la + +
quantit de mouvement, Figure 10. Nous
dirons que E est reprsent dans lespace des + +
phases (unidimensionnel dans ce cas). Nous
+ +
trouvons ainsi des niveaux dnergie discrets
+ +
situs sur une parabole. Nous pouvons de plus n + n k
L L L L
noter que le changement de k en k donne le
Figure 10 : Energie en fonction de la quantit de
mme rsultat pour le niveau dnergie mouvement (espace des phases). Les niveaux sont
discrets et dpendent de la dimension du cristal. Plus
(mme valeur propre). Ceci sera utile dans la le cristal est grand, plus les tats nergtiques sont
suite. rapprochs.
Bien quintressant comme premire approche, ce modle ne peut traduire avec suffisamment de
fidlit les phnomnes observs en particulier les bandes dnergie autorises et interdites dans le
cristal. Il faut donc tenir compte de la priodicit du potentiel nergtique.
III Modle de llectron quasi-libre dans un cristal
1) Considration sur la forme du potentiel

Le potentiel nergtique nest pas nul et priodique :
U(x+a) = U(x) (9)
Du fait de la priodicit du potentiel, nous pouvons le dcomposer en srie de Fourrier comme
suit :
U (x ) = U G exp(iGx) avec G = 2l l tant un entier
G a

Remarquons que U(x) est rel ce qui signifie que dans le dveloppement en srie les deux
composantes imaginaires conjugues existent simultanment : UG = U-G. Nous pouvons aussi crire
que : U (x ) = U G CosGx (10)
G
2) Considration sur la fonction donde

Lensemble des fonctions donde vrifie lquation de Schrdinger. A chaque fonction donde
(constituant la base de lespace vectoriel), on associe une nergie E qui correspond une valeur
propre de la rsolution matricielle H = E . Dans le cas dun cristal fini, les conditions aux
limites sont priodiques et la fonction donde vrifie :
(x+L) = (x) (11)
Nous pouvons donc trouver pour la fonction donde une dcomposition en srie de Fourrier.
(x) = CK expiKx avec K = 2n et L =na avec n entier
K L
3) Mthode de calcul
(x) = CK expiKx vrifie lquation de Schrdinger. En calculant la drive seconde et en
K
lintroduisant dans lquation, nous obtenons :

h2
2m
(
K 2 CK.exp(iKx) + U GCK exp i(K +G ) x = E CK exp(iKx) x ) (12)
K G K K
Par ailleurs, nous savons que si K = 2n et K' = 2n

' alors :
L L
0
L
( )
exp i(K K') x .dx = 0 si K K'
exp(i(K K') x ) .dx = L

L

0
si K =K'
Ainsi, en multipliant lquation (12) par exp(-iKx) et en lintgrant entre 0 et L, nous obtenons :
h
( )
2 L L L
K 2 CK.expi(K K')x.dx + UGCK exp i(K +GK') x .dx = E C K expi(K K')x.dx

2m 0 K 0 G K 0 K
Puisque G = 2l = 2nl = 2nl , G a la mme forme que K et K en fonction de L. Les

a na L
intgrales de lquation ci-dessus sont toutes nulles sauf dans le cas o K = K et K+G = K. Cette
quation devient aprs division par L :
h2
K'2 CK + U GCK'G = E CK' et (x) = CK'G expi(K'G ) x
2m G K'G
Puisque K ou K varient de moins linfini plus linfini, le changement de K en K ne change

h2 2
pas la forme de la fonction donde. En posant de plus K = K lquation se ramne :
2m
( K E ) CK + U C
G
G K G = 0 et K (x ) = C
G
K G expi(K G ) x (13)
A chaque valeur de G, correspond une fonction donde qui dpend de K et que nous noterons
K(x). La forme de cette fonction est la suivante :

K(x) = C exp (iGx). exp (iKx)

KG (14)
fonction priodique de a fonction de llectron libre
Cette expression montre que la fonction donde est le produit de deux exponentielles, la
premire tant priodique en a, la deuxime correspondant la fonction donde de llectron libre.
La fonction priodique correspond la modification apporte la fonction de llectron libre par le
potentiel priodique. Pour mieux comprendre la suite de valeurs de K et G , traons ces valeurs sur
un axe, Figure 11 :
0 K1 K 2 Kn-1Kn
2(n1)
2 0 2 4
2 K
L L L L L
2 0 2
a a G
-G1 0 G1
Figure 11 : reprsentation des diffrentes valeurs de K et G issus dinverses de valeurs
entires.
La priodicit de G est due la priodicit du rseau cristallin alors que la priodicit de K est
due aux dimensions du cristal (ici unidimensionnel).
4) Rsolution simplifie dans le cas dune perturbation de potentiel

Lquation (13) permet le calcul des CK-G et donc de dterminer les fonctions donde et donc les
niveaux dnergie solutions. Mais il y a une infinit dquations ce qui est un peu long rsoudre !
Pour simplifier cette rsolution nous commenons par supposer :
- seuls les premiers termes du dveloppement de U(x) sont non nuls ; U(x) = 2U1 CosG1 x ;
en dautres termes nous ne considrons que le fondamental du dveloppement, les
harmoniques tant choisis nuls,
- le potentiel nergtique est faible, cest dire que U1 est faible devant lnergie de
llectron libre correspondant la fonction donde (thorie des perturbations).
Cela revient avoir dans lchelle des nergies la reprsentation suivante (Figure 12) :
E
a

atome

Figure 12 : Modle de llectron quasi-libre : variation de lnergie potentielle dans le cas
de la mthode des perturbations. Le potentiel varie sinusodalement avec la priode du
rseau.
La fonction donde de llectron libre nest donc pas trop perturbe et partir de lquation (13),
en prenant pour G les deux valeurs, 0 et G1 nous pouvons crire :
(x ) = CK expiK x + CK G1 expi(K G1 ) x (15)

En se rappelant que UG1 = U-G1 = U1, et que et donnent la mme valeur de lnergie,
nous pouvons tablir les deux relations issues de (13) correspondant aux deux composantes de la
fonction donde.
h2

(K E ) CK + U1 CK G1 = 0
= K2
K
2m
avec
(K G1 E ) CK G1 + U1 CK = 0
(16)
h
( )
2
= K G1
2
K G1 2m
Ce systme dquations 2 inconnues, CK et CK-G1, ne donne une solution non nulle que si son
dterminant est nul.
E 2
E 2 K + K G1 E + K K G1 U1 = 0
2
K G1 E U1 = 0
K

En remplaant K et K-G1 en fonction de K2 et (K-G1)2, nous obtenons :
h2
2
2mU1
E+ = 1
2 2m
2 ( 2

) 2 (2 2
K + K G1 K + K G1 + 4 2

) (17)
h

A partir de cette relation (17), nous pouvons analyser les diffrents niveaux dnergie, plus
attentivement les valeurs particulires.
G G h2 2
si K = 1 K G1 = 1 E = K U1 (18)
2 2 2m
Il y a donc un saut dnergie de valeur gale 2U1 avec un dcalage de U1 et +U1 par rapport
au cas de llectron libre.
2
G1 2mU 2
si K << , comme U1 est faible, 2 1 << G1 . Un dveloppement limit permet
2 h
dobtenir : E+ =
h2
2m
(K G1 ) et E =
2 h2 2
2m
K (19)
Ainsi, pour K faible, E- correspond lnergie de llectron libre, pour K proche G1/2, E- se
dcale de -U1.
Pour K faible, G1 K est proche de G1, E+ correspond lnergie de llectron libre et pour K
proche de G1/2, E+ se dcale de +U1. Nous avons la reprsentation donne figure 13.
E
lectron libre
bande interdite 2U1
+ +
+ K
a L L a
Figure 13 : Diagramme des phases, E(k), dans le cas dun cristal unidimensionnel de
priodicit a. Pour k = 2/a, nous constatons un saut dnergie, qui loigne le pseudo-
continuum de la courbe de llectron libre. Cela signifie quil y a une bande dnergies non
permises ou bande interdite.

Tout lintrt de cette rsolution rside dans le fait que nous avons dmontr, dans le cas le plus
simple possible, la prsence dune bande dnergies non permises ou bande interdite et qui
correspond la ralit physique dans les cristaux. En gnral, L tant trs grand devant a, les
niveaux dnergie discrets tendent vers un pseudo-continuum dans les zones autorises. Nous
parlons alors de bandes dnergie permises ; notons que ces niveaux dnergie sont accessibles
mais pas forcment occups.
Si nous supposons que lanalyse se situe au niveau des lectrons de valence dun cristal, donc
des lectrons permettant les liaisons chimiques, la bande dnergie permise correspond la
premire zone de Brillouin, zone dinfluence des premiers voisins. Notons que dans notre modle,
nous avons suppos une influence simplifie du premier voisin puisque nous avons pris pour
potentiel, seulement le premier terme dun dveloppement en srie. Cela laisse supposer, que dans
une rsolution plus complte, nous trouverons des formes plus complexes.
IV Conclusion
1) diagramme des phases dun cristal rel

Nous avons retrouv le comportement dun cristal rel partir dun modle unidimensionnel,
cest--dire des bandes dnergie permises et interdites. Nous devons aussi retrouver ce mme
aspect, bandes dnergie, suivant les directions de lespace dans un cristal rel.
Si nous analysons un cristal rel ayant des direction k1
E
longueurs diffrentes de la maille lmentaire
suivant les directions de lespace (ou des direction k2
priodicits diffrentes en fonction des
directions comme par exemple suivant la bande de
conduction
diagonale dans le cas dun rseau cubique
centr), la forme de E(k) dpendra donc des bande interdite E
directions cristallographiques. Si nous
bande de
regardons plus attentivement le diagramme valence
des phases dans un cristal rel, par exemple
celui dun semiconducteur, nous pouvons direction k1
obtenir celui de la figure 14. Nous nous
direction k2
intressons essentiellement aux nergies
correspondant aux changes possibles avec le 0 + k
rseau cristallin, savoir le niveau de la a a
1re zone de Brillouin
bande de valence et le niveau de la bande de
Figure 14 : diagramme des phases dans la premire
conduction. Nous voyons que suivant la zone de Brillouin dun cristal. Suivant les directions
direction k1 ou k2 les courbes sont diffrentes. cristallographiques, les tats nergtiques accessibles
sont diffrents. Suivant la direction k1, la priodicit
Nous limitons la reprsentation la premire du rseau est a. Une bande dnergies non permises, la
zone de Brillouin, cest dire, mi- bande interdite de largeur E, apparat entre la bande
de valence et la bande de conduction.
chemin avec les plus proches voisins.

2) Gap direct et indirect

Lors de linteraction du semiconducteur avec un rayonnement lectromagntique, la forme du
diagramme de phases a un rle trs important. Dans le diagramme de la figure 14, le maximum des
courbes de la bande de valence se situe au-dessous du minimum des courbes de la bande de
conduction. La distance nergtique entre ces extremums sappelle la largeur de la bande interdite
ou de faon plus condense le gap. Lorsque les extremums correspondent la mme valeur de k,
comme cest le cas de la figure 14, cest--dire la mme quantit de mouvement, nous dirons que
le gap est direct. Un lectron effectuant la transition de la bande de conduction vers la bande de
valence, mettra un photon dune nergie correspondant E. Notons, quau plus cette nergie sera
importante, au plus la longueur donde associe sera courte.
Mais suivant les cristaux, les extremums peuvent tre dcals. La figure 15 fait apparatre les
deux situations.
E E
GaAs Silicium
k
Gap direct Gap indirect ----
----
Eg Eg
<111> k <100> <111> k <100>

Vecteurs donde Vecteurs donde
Figure 15 : Exemple pour deux semiconducteurs diffrents de gap direct (cas du GaAs) et
du Gap indirect (cas du silicium). La transition indirecte ncessite une modification de k
donc de la quantit de mouvement. Cette modification est apporte par un change de
quantit de mouvement avec le rseau sous forme de vibration (phonons). Cette transition
est donc progressive avec le rseau cristallin et lmission de photon est multiple.
Le schma de gauche montre le cas dune transition directe ; ce cas se rencontre pour le GaAs.
Lors de la transition, llectron peut mettre un photon dont la longueur donde est directement lie
la distance nergtique. Ce phnomne est utilis dans tous les composants optiques et metteurs
de lumire (par exemple les diodes lectroluminescentes ou les diodes laser).
Le schma de droite montre le cas dune transition indirecte. Pour un lectron transitant depuis le
bas de la bande de conduction vers le haut de la bande de valence, il faut la fois, une modification
de lnergie et de k. La transition indirecte ncessite donc une modification de la quantit de
mouvement. Cette modification est apporte par un change de quantit de mouvement avec le
rseau sous forme de vibration (phonons). Cette transition est donc progressive avec le rseau

cristallin et lmission de photons est multiple et non contrle, avec des longueurs donde
beaucoup plus grandes que celle correspondant une transition directe. Il ny a donc pas de
possibilit de raliser des composants optiques performants avec ces matriaux. Toutefois nous
verrons que dans le cas du silicium certaines de ses proprits (essentiellement technologiques) lui
ont permis un dveloppement fulgurant en microlectronique sans pour autant bnficier de
proprits optiques intressantes.
3) Remplissage des bandes dnergie

Ces diagrammes dnergie en fonction de k montrent les tats nergtiques accessibles par les
lectrons au niveau des couches externes des atomes. Suivant la nature de latome, le nombre
dlectrons de la couche externe varie (colonnes I VIII du tableau de classification priodique).
Par la mise en commun du nuage lectronique dans un rseau cristallin, les niveaux de la bande de
valence pourront tre compltement remplis avec des lectrons complmentaires dans la bande de
conduction. Les lectrons de la bande de conduction sont relativement peu lis latome qui les
gnre et peuvent donc circuler dans le cristal. Ils participent de la sorte la conduction du
matriau.
Si la bande de conduction ltat fondamental est vide dlectrons, sans excitation particulire
notamment due lnergie thermique (temprature de 0K), le matriau est isolant puisque aucun
lectron ne peut circuler dans le cristal.
Dans le cas o la bande interdite est troite (faible cart nergtique), nous verrons que les
lectrons peuvent passer statistiquement de la bande de valence la bande de conduction par
activation thermique et donc participer la conduction temprature ambiante ; cest le cas des
semiconducteurs. Nous analyserons plus en dtail ces phnomnes dans un prochain chapitre.

Chapitre 3 Notions de statistique. Systmes de particules
CHAPITRE III
NOTION DE STATISTIQUE. SYSTEMES DE PARTICULES
Ce chapitre est destin apporter quelques notions de statistique qui seront indispensables la
comprhension des distributions des porteurs de charge dans les dispositifs lectroniques. De plus
amples notions sont disponibles dans les ouvrages indiqus en rfrence.
I Pression et nergie dune molcule dans un gaz parfait
1) Introduction la notion de statistique

Parmi les systmes forms dun grand nombre de particules, le systme le plus simple analyser
est le gaz parfait. A toute temprature, T, diffrente du zro absolu, les molcules du gaz sont
animes de mouvements alatoires, appels aussi agitation thermique . Ces molcules ont un
comportement en mouvement analogue celui dautres types de particules, atomes, etc.quand ils
sont en grand nombre
A une temprature donne, la vitesse de dplacement et donc aussi lnergie cintique varient
beaucoup dune molcule lautre, mais les proprits macroscopiques du gaz sont relativement
bien dcrites lorsque la valeur moyenne de lnergie est connue. Cette description est fonde sur
une approche statistique, cest dire sur un modle de distribution des grandeurs condition que le
nombres de particules, ici de molcules, soit suffisamment grand.
La valeur moyenne de lnergie peut tre calcule partir des fonctions de distribution des
vitesses des molcules qui reprsentent la probabilit de trouver la molcule dans un domaine de
vitesse v (autour de v), en fonction de v.
Pour un systme de molcule, lnergie cintique (donc la vitesse) peut tre relie la pression,
qui est une grandeur mesurable. La pression est le rsultat des impacts des molcules sur les parois
de lenceinte comprenant le gaz.
2) Calcul de la pression
On considre dans le gaz que les molcules sont toutes de masse M et quelles frappent une paroi
avec un choc lastique, donc sans perte dnergie cintique, comme reprsent sur la figure 16.
Cette figure est prsente dans le plan -vx
dincidence dune molcule, cest dire que
vy Force
la composante en z napparat pas. En
exerce
analysant les composantes de vitesse :
avant choc vx, aprs choc - vx paroi
vy
avant choc vy, aprs choc + vy
donc (non chang) vx
La variation de la quantit de mouvement Figure 16 : Reprsentation simplifie dun choc
lastique dune molcule contre une paroi. La
est dans ce cas : p = 2Mvx. composant normale la paroi change de signe.

Pendant le choc, dune dure suppose t, qui correspond en pratique au temps moyen entre
deux chocs successifs de molcules avec la paroi, la molcule applique une force Fx, telle que :
Fx . t = 2Mvx Fx = 2Mvx (20)

t
A chaque instant, si Nv est le nombre vx.t
moyen de molcules par unit de volume,
Nv/2 arrivent vers la paroi et Nv/2 sen Nv/2
paroi
loignent (Figure 17). Si ce ntait pas le cas, Nv/2
il y aurait accumulation de molcules la
surface (adsorption par exemple). En appelant
Figure 17 : Statistiquement la moiti des espces
Nv le nombre de molcules ayant la mme sapproche de la paroi, lautre moiti sen loigne. Le
vitesse vx, par unit de surface, le nombre de volume considr a une paisseur vx.t.
chocs pendant t sexprime par :
n = Nv vx t
2
La force totale exerce par unit de surface sur la paroi (donc la pression) est :
Pv = F . n = Nv vx t 2Mvx Pv = M Nv vx2 (21)
2 t
Pour obtenir la pression totale, il faut considrer toutes les autres molcules ayant leur vitesse
comprise entre 0 et linfini. En appelant vx2 la valeur moyenne des vitesses et N le nombre total de
molcules par unit de volume de molcules,
N vx2 = Nv vx2
La pression totale tant gale la somme des pressions partielles :
P= N
PV = M Nv vx2 = M N vx2
Les expressions sont identiques sur les autres parois. Or P est la mme sur chaque paroi,
autrement dit nous retrouvons les mmes expressions quelles que soient les orientations des parois.
v2
vx2 = vy2 = vz2 mais comme v2 = vx2 + vy2 + vz2 vx2 =
3
P = 1 M.N.v2 (23)
3
Ainsi, nous voyons que la pression est directement relie la vitesse moyenne des particules
normales une paroi et quelle dpend du nombre de particules et de leur masse.
3) Energie cintique moyenne

Nous pouvons aussi retrouver des rsultats classiques de la thermodynamique des gaz partir de
la relation des gaz parfaits.
En appelant VM le volume dune mle de gaz, et No le nombre dAvogadro :
N.VM = No VM = No (attention, N est une concentration)
N
Daprs lquation dite des gaz parfaits :

P VM = R.T 1 M.N.v2. No = R.T 1 M.v2 = 3 R .T = 3 kT

3 N 2 2 No 2
k tant la constante de Boltzmann.
Ainsi, lnergie cintique moyenne des molcules est :
Ec = 1 M.v2 = 3 kT (24)
2 2
Nous avons suppos que les molcules pouvaient se dplacer suivant les trois dimensions de
lespace gomtrique, elles possdent donc trois degrs de libert. De la formule ci-dessus, il est
habituel de dire que lnergie dans un ensemble de particules animes par une excitation thermique
est de 1 kT par degr de libert.
2
II Distribution dnergie des molcules dans un gaz parfait
1) Probabilit des collisions

Comme nous lavons mentionn prcdemment, nous supposons que les molcules (ou les
particules) peuvent prendre nimporte quelle nergie cintique comprise entre 0 et linfini et
ninteragissent que durant les collisions mutuelles (ou sur les parois quand le milieu est limit). Au
niveau des parois, un choc lastique nimplique pas de modification de lnergie cintique. Par
contre le choc entre deux molcules (ou particules) entrane des changes entre elles et modifie
ltat nergtique de chacune dentre elles.
Ces nergies sont accessibles suivant une certaine probabilit que nous supposons exprimable
par une relation entre le niveau dnergie et le nombre de molcules (ou particules) se trouvant ce
niveau. Sil ny a pas de raction chimique, la conservation de lnergie est respecte au moment du
choc.
Nous considrons deux molcules (ou particules) aux niveaux dnergie E1 et E2 respectivement
et qui entrent en collision. Aprs le choc, ces deux molcules se trouvent des niveaux dnergie
diffrents que nous appelons E1 et E2 respectivement.
(E1 , E2 ) (E'1 , E'2 )
La conservation de lnergie nous permet dcrire :
E1 + E2 = E'1 + E'2
Considrons maintenant la probabilit pour quun tel choc se produise. Cette probabilit est
proportionnelle la probabilit davoir la premire molcule au niveau dnergie E1 et la
probabilit davoir la deuxime molcule lnergie E2. En effet, si les molcules ne sont pas
prsentes, le choc tel quil est imagin ne peut pas se produire. Notons que nous nimposons aucune
condition pour atteindre les niveaux E1 et E2 puisque nous avons suppos que tous les niveaux
taient accessibles, a priori, quelle que soit la situation des molcules avant le choc. Nous
appellerons a(E) la relation traduisant la probabilit dtre au niveau dnergie E pour une
molcule.
p = c.a(E1 ).a(E2 ) (25)

avec c constante.
Cette relation sous-entend quun certain nombre de molcules passent des nergies E1 et E2 E1 et
E2 . Mais les molcules ces niveaux darrive peuvent aussi avoir des collisions et passer au
niveau dnergie de dpart aprs le choc. La probabilit dun tel choc sexprime par :
p' = c.a(E'1 ).a(E'2 )
Puisque nous ne pouvons pas discerner les chocs des niveaux diffrents, les deux relations
expriment le mme phnomne et donc les constantes sont gales. De plus, si la probabilit p tait
diffrente de p cela signifierait que des niveaux dnergie sont privilgis et quau bout dun certain
temps, toutes les molcules se retrouveraient ces niveaux, ce qui est en contradiction avec une
distribution continue. Le processus inverse est donc gal au processus direct.
p = p' a(E1 ).a(E2 ) = a(E'1 ).a(E'2 )
En posant E'1 = E1 E la conservation de lnergie donne E'2 = E2 + E et ainsi :
a(E1 ).a(E2 ) = a(E1 E).a(E2 + E)
soit encore
a(E1 ) a(E2 + E) a(E + E)
= = cte E
a(E1 E) a(E2 ) a(E)
En drivant cette expression et en annulant la drive, nous obtenons :

a'(E + E).a(E) = a(E + E).a'(E) a' = cte
a
En intgrant cette dernire relation, nos en dduisons la forme gnrale de a(E) :
a(E) = A.exp (E) (26)
Le terme sous lexponentiel est ngatif afin que la probabilit reste finie quand lnergie tend vers
linfini. est un facteur universel et exp (E) est le facteur de Boltzmann.
2) Calcul du facteur universel,

Lnergie est considre sous la forme dnergie cintique.
E = EC = 1 M vx2 + vy2 + vz2
2
( )

(
a(E) = A.exp ( M vx2 + vy2 + vz2 = f vx + vy + vz
2
) ( )
en intgrant a(E) sur lensemble des vitesses, nous devons retrouver une probabilit gale 1
puisque nous sommes sr de trouver la particule dans lespace complet.
3
( )
+ + +
1 = 2 2

A.exp ( M vx2 + vy2 + vz2 dvx . dvy . dvz = 1
2 A M
3
M 2
A = (27)
2
Lnergie totale du systme, en considrant No molcules, est gale

(
No.E = No 1 M vx2 + vy2 + vz2
2
)
La fonction normalise de distribution des vitesses est :
( )
3
f vx + vy + vz =

M 2
2

(
.exp ( 2 M vx2 + vy2 + vz2

) (28)
Nous pouvons dduire les vitesses quadratiques moyennes en intgrant la vitesse quadratique
multiplie par la fonction de distribution.
( )
+ + +
vx2 = v

2
x f vx + vy + vz dvx . dvy . dvz = 1
M
Nous trouvons alors :
N o .E = 3 N o E= 3
2 2
Ce rsultat li lquation (24) et (25) donne :
= 1 (29) a(E) = A.exp ( 1 E) (30)

kT kT
Cette relation (30) est la loi de Boltzmann. Cette loi reste valable pour tout systme de particules
dont lensemble des niveaux dnergie est accessible sans condition restrictive. Nous verrons dans
la suite que pour les lectrons, le principe dexclusion de Pauli rajoute une condition qui modifie
notablement cette loi.
III Distribution de Maxwell
1) Distribution maxwellienne des vitesses

La fonction de distribution normalise des vitesses dduites des relations (28) et (29) scrit :
f(v ) = (2MkT ) .exp ( 2MkT ( v )
3
x + vy + vz 2 2
x + vy2 + vz2
Nous pouvons dcomposer cette fonction en un produit de trois fonctions normalises :

( ) (2MkT ) .f (v ) (2MkT ) .f (v ) (2MkT ) .f (v )
1 1 1
f vx + vy + vz = 2
x x
2
y y
2
z z
avec
f x(vx ) = exp ( M vx2
2kT
( ) f (v ) = exp ( 2MkT ( v ) f (v ) = exp ( 2MkT ( v )
y y
2
y z z
2
z
(
La fonction f vx + vy + vz ) et chacune
des fonctions lmentaires dont elle est le
(2MkT ) 1
2
produit sont appeles distribution

maxwellienne des vitesses ou distribution
de Maxwell-Boltzmann (Figure 18). Chacune
des fonctions lmentaires normalises
sexprime de faon analogue :
( ) (2MkT ) exp ( 2MkT ( v )

1
vx =
( ) (2MkT )
2 2
x (31) 1 1
2kT
2 2
M
La reprsentation (vx) est une
de
Figure 18 : Reprsentation Gaussienne de la fonction
gaussienne ; par dfinition elle est normalise. de distribution de Maxwell-Boltzmann.

2) Distribution des nergies

Des fonctions prcdentes, daprs la vz
relation (31), il est possible de dduire la
fonction de distribution des nergies. Pour
cela, nous calculons la probabilit de trouver
v
la molcule (ou la particule) dont les vitesses
sont comprises entre v et v + dv (module de la vy
vitesse qui comporte trois composantes).
Llment de volume correspondant dans une vx
reprsentation polaire est 4v2dv. La
probabilit davoir la particule dans cet
Figure 19 : Elment de volume des vitesses dont le
lment de volume correspond au produit de module est compris entre v et v + dv.
ce volume par la fonction de distribution.
( )
dP = f vx + vy + vz .4v2dv = f (v ).dv
avec
f( v )= (2MkT ) .4v exp ( 2MkT ( v ) = ( )
2 M 2 v 2 exp 1 1 Mv 2 ( )
3 3
2 2 2
kT kT 2
Comme EC = 1 Mv2 v.dv = 1 dE et v2.dv = 1 2E dE

2 M M M
( ) M1 (2ME ) exp ( kTE ).dE

3 1
dP = g(E ).dE = 2 M 2 2
kT
do
1
g(E ) =
2 1
2 4 (E )2 exp E
(kT )3 kT
( ) (32)

La fonction g(E) est appele distribution de 1 dN = g E

dN
g ( E )
NdE
( )
2kT NdE
Maxwell ou distribution de Maxwell

modifie. Sa reprsentation est donne
figure 20. La fonction asymptotique est en 1 E C
exponentielle. A partir de g(E) nous pouvons 4kT dN
particules
calculer le nombre de molcules ou particules N
ayant leur nergie comprise entre E et E + dE, dE

que nous appelons dN :
dN = g(E ).N .dE 0 kT 32 kT
2kT Ecin
o N est le nombre total de molcules. Figure 20 : reprsentation de g(E), fonction de

distribution de Maxwell modifie

Remarque : g(E) = 0 pour E = 0 et g(E) tend vers 0 quand E tend vers linfini ; en effet, le terme en exponentiel
lemporte largement sur le terme polynomial quand lnergie E devient suffisamment grande. Si nous calculons la
valeur moyenne de EC par intgration de E.g(E) sur lensemble du domaine, nous retrouvons 3/2 kT.
3) Conclusion
Tout systme de particules :
- comprenant un trs grand nombre de particules indpendantes,
- pour lequel les particules peuvent prendre toutes les nergies (de 0 linfini),
- o la temprature est constante et uniforme,
- non soumis des forces extrieures (influence ngligeable),
possde une distribution dnergie cintique de type Maxwell.
IV Fonction de distribution de Fermi-Dirac
1) Statistique de Fermi-Dirac
Dans un solide ou dans un cristal, les lectrons des couches externes des atomes peuvent se
mouvoir relativement librement dans tout le volume. Nous pouvons alors les traiter comme
constituant un gaz dlectrons libres enferms dans une bote que nous pouvons supposer cubique
de volume V = L3. Le mouvement des lectrons est soumis deux lois :
- le caractre ondulatoire, qui rduit le nombre de niveaux dnergie dans le domaine
quelconque situ entre E et E + E (quantification de lnergie),
- le principe dexclusion de Pauli, qui rduit 2 le nombre maximal dlectrons par niveau
dnergie permis (lectrons de spin diffrent).
a) Calcul du nombre dtats dnergie dans le cristal

A partir de la rsolution de lquation de Schrdinger dans un cube darrte L pour un lectron,
nous trouvons lexpression de sa fonction donde par (cf. Cours Mcanique Quantique, O.
( ) () ( )
2
sin n x.sin n y.sin n z.exp i E t
3
Bonnaud) : x, t = 2
L L L L h
avec (
E = n2 + p 2 +q 2 ) 2mL
h
2 2
2
et k 2 = kx2 + k y2 + kz2 = 2mE
h2
()
2
2 3 kz
Le terme en provient de la
L
normalisation de la fonction donde. A partir
de cette expression, nous pouvons calculer le
k
nombre de niveaux dnergie possibles dans
le volume lmentaire correspondant une
ky
variation dk de k. Cela revient chercher le
nombre de niveaux dnergie comprise entre kx
E et E + dE.
Figure 21 : Etats disponibles dans lespace des phases
(ou des k) lis la quantification de lnergie. Chaque
incrment des composantes de k est /L

Le nombre de valeurs de k est dduit du huitime de volume de la sphre de rayon k (Figure 21).
( )( ) ( )
n(k ) = 1 4k 3 / qui est gal au rapport du volume de la sphre de rayon k divis par le
8 3 L
3
volume occup par une seule valeur de k ; deux valeurs successives de k diffrent de /L sur lune
de ses composantes kx, ky ou kz. Cest dire :
() ()
3
L3 L3 2
n(k ) = 1 2 k 3 = 1 2 2mE = n(E )
6 6 h2
Calculons la densit dtats pour laquelle correspondant au nombre dtats dont lnergie est
comprise entre E et E + dE, par unit de volume :
() ()
3
dn(E ) L3 L3 2 3 12 1
s(E ) = = d 1 2 k 3 = 1 2 2m E 3
dE dE 6 6 h 2 2 L

3
2 12
s(E ) = 1 2 2m E
4 h 2
Ces tats sont occups par des lectrons qui peuvent avoir deux spins diffrents. La densit dtats
lectroniques est ainsi :
3
2 12
(E ) = 1 2 2m E (33)
2 h 2
b) Calcul de la probabilit a(E)

Nous calculons ici la probabilit a(E) pour quun niveau dnergie E soit occup par un lectron.
Les lectrons libres subissent des chocs avec lensemble des particules lourdes constituant le rseau
cristallin qui ont une nergie doscillation autour dune position dquilibre ; cette nergie
doscillation traduit lnergie dagitation thermique pour ces atomes du rseau.
Les nergies pour les atomes du rseau sont considres non quantifies et loccupation de ces
niveaux obit la loi de Boltzmann par analogie aux molcules dun gaz (relation (30)).
b(E) = B.exp ( 1 E)
kT
Le principe dexclusion de Pauli ne sapplique pas dans ce cas. En revanche, pour un lectron la
probabilit doccupation dun niveau dnergie E, que nous noterons a(E), et le transfert un autre
niveau doit tenir compte de la probabilit de non-occupation du niveau atteindre. Cette probabilit
de non-occupation se note tout simplement 1 a(E).
Considrons une collision entre un lectron et le rseau faisant passer llectron de lnergie E1
E1 et latome de lnergie E2 E2.
(E1 , E2 ) (E'1 , E'2 )
La conservation de lnergie nous permet dcrire :
E1 + E2 = E'1 + E'2
En appelant p le nombre de collisions correspondant ce transfert dnergies, p est proportionnel :

- la probabilit pour llectron doccuper le niveau dnergie E1, a(E1),

- la probabilit que le niveau E1 ne soit pas occup par un lectron, 1 a(E1),
- la probabilit que latome se trouve au niveau dnergie E2, b(E2).
Do p = c.a(E1 ).(1 a(E'1 )).b(E2 ) (34)
Pour la transition inverse, (E'1 , E'2 ) (E1 , E2 )
p, le nombre de collisions sexprime par :
p' = c.a(E'1 ).(1 a(E1 )).b(E'2 ) (35)
Pour les mmes raisons que celles voques prcdemment, les transitions directes et inverses se
compensent et des relations (34) et (35) nous dduisons :
a(E1 ).b(E2 ) a(E'1 ).b(E'2 )
(
1 a(E1 ) )=
(
1 a(E'1 ) )
ou encore
(
a(E1 )
1 a(E1 )
exp E2 =
) kT
( ) (
a(E'1 )
1 a(E'1 ) ) (
exp E'2
kT
)
E'2 E2
exp
a(E1 ) a(E'1 )
=
(
1 a(E1 ) ) (
1 a(E'1 )
)
kT

Mais daprs la conservation de lnergie :
E'2 E2 = E1 E'1
(
a(E1 )
1 a(E1 ) ) (
exp + E1 =
kT
) (
a(E'1 )
1 a(E'1 )
exp + E'1
kT ) ( )
Les expressions ci-dessus doivent tre valables quelles que soient les nergies E1 et E1 pour une
temprature donne. La forme propose est donc constante. Cette constante peut se mettre par
E
commodit sous la forme : A = exp ( F )
kT
EF est appel niveau dnergie de Fermi. Nous donnerons des notions plus physiques de ce niveau
dans la suite.
a(E). E ( )
(1 a(E)) exp + kT = exp + kT
EF ( )
a(E) = 1
E EF (36)
1 + exp
kT

2) Distribution de Fermi-Dirac
Pour obtenir la fonction de distribution des lectrons, il faut multiplier le nombre dtats
possibles par la probabilit doccupation de ces tats.
dN = (E ) .dE.a(E) = g(E).dE
3
2 12
dN = g(E ).dE = 1 2 2m E 1 dE
2 h 2 E EF
1 + exp
kT


3
2m(2 )2 2
( )
1 3
dN = g(E ).dE = 1 E 2. 1 . dE .(kT )2
2 2 h2 kT E EF kT
1 + exp
kT

( )
1
dN = 43 (2mkT )2 E 2.
3
1 .dE
2h kT E EF kT
1 + exp
kT
Le nombre dlectrons par unit de volume, dN ayant leur nergie comprise entre E et E + dE est
donn par la fonction g(E). La distribution correspondante est appele distribution de Fermi-Dirac.
La constante EF est dtermine par la condition de normalisation.

dN = g(E ).dE = N
0
avec N , le nombre total dlectrons libres par unit de volume (densit lectronique qui sera plus
tard exprime en cm-3).
Le calcul de lintgrale dans le cas gnral est complexe mais nous pouvons analyser la cas
simple dun mtal T = 0K . Dans ce cas limite,
Si E < EF alors a(E) = 1 et si E > EF alors a(E) = 0
(kTE ) .dE ( )
1 2
N = 43 (2m)2
3 FF 2
Ainsi,
2
EF = h . 3N 3
(37)
2h 0 2m 8
3) Allure de la fonction de Fermi-Dirac

Nous allons reprsenter a(E) diffrentes tempratures. Cette reprsentation sera dune grande
importance dans la suite dune part pour bien comprendre le phnomne mais aussi pour pouvoir
effecteur des approximations qui simplifieront grandement les calculs.
a(E) = 1 a(E)
E EF
1 + exp
kT 1
Pour T O, a(E) = 1 si E<EF 0K

a(E) = 0 si E>EF 1/2
Pour T O, a(EF) = 1/2 T2>T1
La courbe varie trs fortement autour de EF. 0 T1
si E - EF < -3kT, a(E) 1 EF E
si E - EF > +3kT, a(E) 0
Figure 22 : Reprsentation de la fonction de Fermi. La
en se rappelant que kT = 26 meV 300K. variation de la fonction se produit essentiellement
autour de la valeur de EF.
Ainsi, EF traduit un niveau de remplissage par les lectrons des diffrents niveaux dnergie
accessibles. Une notion de ce niveau est donne par celle dun niveau deau dans un rcipient pour
lequel le liquide se trouve presque coup sr au dessous-du niveau. Sil y a des vaguelettes
linterface air-eau, qui traduiraient une agitation thermique, la probabilit de prsence passe
progressivement de 1 0.
Reprsentons maintenant de faon approche cette fonction lorsque |E - EF| kT

E EF
E EF >>kT a(E) = 1 = exp << 1 (38)
E EF kT
exp
kT
Cette courbe montre que pour des valeurs leves de lnergie situes au dessus de EF, la
probabilit doccupation de Fermi se ramne celle de Boltzmann. Dans lautre situation :
E EF
exp
kT E EF
EF E >>kT 1 a(E) = = exp << 1 (39)
E EF kT
1 + exp
kT
1 1
a(E) Boltzmann Boltzmann 1 - a(E)
exp E EF exp E EF
1/2 kT kT 1/2
0 0
EF E EF E
Figure 23 : approximation de Boltzmann pour des Figure 24 : approximation de Boltzmann pour des
nergies suprieures celle du niveau de Fermi. nergies infrieures celle du niveau de Fermi.
Dans la suite, nous essayerons au maximum de simplifier les calculs partir de ces
approximations, lintgration mettant en oeuvre la relation (36) aboutissant des fonctions tabules.
Les lois tant exponentielles, il suffira de quelques kT dcart dans les nergies pour pouvoir
appliquer avec une prcision suffisante ces approximations.


Chapitre 4 Introduction la physique du semiconducteur
CHAPITRE IV
INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DU SEMICONDUCTEUR
I Bandes dnergie
1) Semiconducteur parfait T=0K

Nous avons vu que dans un cristal priodique parfait, que nous appellerons aussi monocristal,
les lectrons ne pouvaient occuper que certains niveaux dnergie. Dans le cas dun cristal
priodique indfini, les niveaux dnergie accessibles sont regroups en bandes dnergie. Les
niveaux de plus basse nergie (les nergies sont ngatives) correspondent des lectrons fortement
lis aux atomes du rseau cristallin, ces niveaux sappellent aussi niveaux de cur. Pour dplacer
ces lectrons (arracher latome) il faudra leur fournir une nergie suffisamment forte, par exemple
en envoyant des photons X. En pratique, nous nous intresserons aux niveaux lectroniques
permettant un transfert relativement facile des lectrons dans le matriau, cest--dire aux niveaux
dnergie correspondant aux couches (ou bandes) externes ne ncessitant quun relativement faible
change nergtique (de lordre de grandeur de llectron-volt). Ces couches externes constituent,
soit la bande de valence, les lectrons sont mis en commun avec ceux des atomes voisins pour
constituer les liaisons chimiques, soit la bande de conduction ; dans ce dernier cas, les lectrons
sont lis au matriau mais pas un atome particulier et peuvent circuler aisment travers
lensemble du rseau cristallin.
Dans le cas o la liaison chimique entre atomes, 0K, mettrait en jeu tous les lectrons
disponibles, T= 0K il ny a pas dapport dnergie sous forme thermique permettant un lectron
de quitter son tat li, tous les lectrons de la couche priphrique sont donc dans la bande de
valence et donc dans un tat li. Cest le cas des matriaux constitus partir des lments de la
colonne IV du tableau de classification priodique des lments de Mendlev tel que le silicium.
Octet
lectrons lis
Noyau
Figure 25 : Reprsentation simplifie coplanaire du remplissage des couches lectroniques

externes dans le cas dun matriau cristallin covalent (colonne IV du tableau de
Mendlev).
O. Bonnaud, Physique des semiconducteurs et dispositifs, juin 2003 31

De faon simplifie, nous pouvons donner une image de la structure par une reprsentation
coplanaire comme propose figure 1, sachant quelle est en gnrale tridimensionnelle et dans ce
cas ttradrique.
Dans cette reprsentation, les atomes mettent en jeu pour chacun dentre eux, quatre lectrons de
leur couche priphrique pour former un octet, structure lectronique la plus stable. Dans ce cas, le
diagramme dnergie laspect reprsent figure 26, la bande de valence tant compltement
pleine et la bande de conduction compltement vide ; tous les lectrons sont impliqus dans les
liaisons chimiques.
Bande de conduction
0 vide
Bande de valence
nergie
Niveaux de cur
Densit dtats dnergie

Figure 26 : Diagramme dnergie simplifi dun matriau cristallin form dlments de la
colonne IV, 0K. Les nergies sont ngatives.
On obtient ce mme type de diagramme dnergie pour des matriaux constitus de faon
stchiomtrique partir dlments de la colonne III et de la colonne V du tableau de Mendlev
ou de la colonne II et de la colonne VI. Il sagit par exemple de GaAs, InP, CdS, ZnS, CdTe, etc
Puisque ces matriaux T = 0K nont aucun lectron disponible pour circuler dans le cristal, ces
matriaux sont isolants.
Si la distance nergtique entre la bande de valence et la bande de conduction nest pas trop
grande, par excitation thermique (apport dnergie) certains lectrons pourront quitter la bande de
valence et passer dans la bande de conduction, et donc participer la conduction du matriau. Ces
lectrons quittent un tat li pour passer dans un tat dit quasi-libre (les lectrons restent
lintrieur du matriau). Le matriau sera appel semiconducteur si le gap, ou la distance
nergtique entre la bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence, nest pas
trop grand, cest--dire infrieur 2,5eV. Cest le cas des matriaux Ge, Si, GaAs, InP. Si le Gap
est suprieur 2,5eV, le matriau est considr lectriquement isolant.
En conclusion, le semiconducteur sera un matriau isolant 0K mais qui pourra conduire des
tempratures voisines de la temprature ambiante.
2) Statistique de remplissage des niveaux dnergie

Lorsque lon lve la temprature du matriau cristallin, en particulier du semiconducteur, on
donne statistiquement une nergie cintique aux lectrons. Certains lectrons peuvent quitter leur
tat li et se dplacer dans le cristal. Ces lectrons peuvent alors avoir des interactions avec les
atomes du rseau. On cre ainsi des collisions entre les lectrons et les atomes du rseau cristallin.

Pour connatre la distribution des tats nergtiques des lectrons, il faut analyser leffet de ces
collisions.
a) statistique de Fermi-Dirac
Comme cela a t vu dans les chapitres prcdents, nous allons rappeler la probabilit pour un
lectron doccuper un niveau dnergie E.
En considrant la statistique de collision entre les lectrons et les atomes, en supposant qu
lquilibre thermodynamique le processus direct, dpart dun lectron de la bande de valence, vers
la bande de conduction, est gal au processus inverse, retour de la bande de conduction vers la
bande valence, et en tenant compte du fait que les lectrons sont des Fermions qui obissent au
Principe dexclusion de Pauli, nous avons dmontr au chapitre III que la statistique de transfert
sexprime par :
f(E) = 1
( )
(36)
1 + exp E EF
kT
dans laquelle E est le niveau dnergie considr, EF est le niveau particulier appel niveau de
Fermi. EF correspond au niveau statistique moyen occup lquilibre thermodynamique par
lensemble des porteurs. La reprsentation de f(E) est celle donne par la figure 27 (figure 22 du
chapitre III). Si la temprature dcrot, la variation autour de EF est dautant plus abrupte. f(E) tend
trs rapidement vers 1 pour les nergies infrieures EF et trs rapidement vers 0 pour les nergies
suprieures EF. Notons que si E = EF, f(E) = 1/2
f(E)
0K
1/2
T2>T1
0 T1
EF E
Figure 27 : Statistique de Fermi-Dirac : variations de f(E) en fonction de E pour diffrentes

tempratures. A 0K, la fonction est en escalier.
b) Approximation de Maxwell-Boltzmann
Nous verrons dans la suite que pour faire des calculs analytiques il est ncessaire de faire des
approximations de la fonction de Fermi que nous rappelons ici.
Analysons le terme en E EF ;
kT
kT
( )
Si E EF > qq kT, exp E EF >>1, f(E) =
1+exp
1
E EF

(exp
1
E E F
exp E EF (38)
) kT ( ) ( )
kT kT
kT
( )
Si EF E > qq kT, exp E EF << 1, f(E) =
1+exp
1
E EF
1exp E EF
( kT ) (
(39) )
kT

On voit ainsi que ds que la diffrence nergtique est de quelques kT par rapport EF, la
fonction de Fermi tend vers 0 ou vers 1 trs rapidement puisque exponentiellement.
En premire approximation (grossire), on dira que tous les niveaux dnergie situs au-
dessous du niveau de Fermi sont remplis alors que tous ceux au-dessus sont vides. Mais attention,
une variation mme apparemment trs faible de la quantit de porteurs libres peut compltement
changer le comportement lectrique du matriau considr. Il faudra donc connatre parfaitement le
nombre absolu dlectrons dans les couches et leur variation relative pour apprhender les
phnomnes de conduction.
3) Semiconducteur une temprature T0

Lacquisition dnergie thermique permet certains lectrons de peupler des niveaux dnergie
suprieurs au niveau de Fermi au dtriment des niveaux infrieurs. Dans le cas dun matriau
isolant T = 0K, cette modification peut apporter une grande diffrence de comportement.
Considrons les deux bandes de valence et de conduction et considrons que le niveau de Fermi,
EF, qui sera calcul plus tard, se situe lintrieur de la bande interdite du matriau. La figure 28
montre comment un lectron quittant la bande de valence peut atteindre la bande de conduction en
respectant la statistique de remplissage des niveaux nergtiques. On cre simultanment un dficit
dans la bande de valence et un excs dans la bande de conduction. Les lectrons situs cette
temprature dans la bande de conduction peuvent participer la conduction du matriau ; dans la
suite nous verrons que le dficit en lectrons dans la bande de valence peut aussi contribuer des
phnomnes de conduction.
E E
Bande de conduction
apport
EC
EF Transfert dun
lectron
EV dficit
Bande de valence
0 1/2 1 f(E)
Figure 28 : Influence de la temprature sur la distribution des lectrons dans les bandes de
valence et de conduction. Les lectrons ayant quitt la bande de valence, et donc leur tat
li, atteignent la bande de conduction.
Si la distance nergtique Eg = Ec Ev est grande (EC reprsentant le bas de la bande de

conduction et EV le sommet de la bande de valence), la variation du nombre dlectrons dans la
bande de conduction dcroissant exponentiellement en fonction de la largeur de la bande interdite,
le nombre des lectrons dans cette bande de conduction restera ngligeable et le matriau restera

isolant mme la temprature ambiante. Par contre, si Eg est infrieur 2,5 eV, le nombre de
porteurs de charge nest plus vraiment ngligeable et le matriau devient semiconducteur.
II Porteurs de charge
1) Notion de trous
Lagitation thermique a cr un dficit dlectrons dans la bande de valence. En ralit, cette
absence dlectrons va permettre un mcanisme de conduction au niveau de la bande de valence. En
effet, un lectron de cette bande va pouvoir se dplacer vers un emplacement libr par un lectron
voisin qui est parti vers la bande de conduction. On peut aussi dire que llectron qui est parti vers
la bande de conduction a laiss une vacance ou lacune dlectron derrire lui, cette lacune pouvant
tre occupe par un lectron de valence voisin, situ donc dans la mme bande dnergie. Cet
lectron de la bande de valence venant occuper la lacune a lui-mme laiss derrire lui une lacune
en faisant disparatre la premire. Un nouvel lectron de valence peut venir occuper cette nouvelle
lacune et ainsi de suite. La figure 29 donne une ide du mcanisme mis en jeu. On retrouve un
mcanisme similaire celui des pices dun jeu de taquin ou pousse-pousse . On peut noter que
si les lectrons se dplacent de la droite vers la gauche, les lacunes se dplacent de la gauche vers
la droite, cest--dire dans le sens inverse.
dplacement global des lectrons
lacune initiale lacune actuelle
e- 1 +
e - 2 charge positive
lacune intermdiaire
dplacement global de la lacune

Figure 29 : Reprsentation symbolique du mcanisme de dplacement des lectrons dans la
bande de valence. Cest en pratique un dplacement de lacunes dlectrons. Le premier
lectron a laiss sa place qui est prise par le second.
En faisant le bilan, cela revient avoir dplac la lacune dlectron. Labsence dlectron dans
la bande de valence va sappeler un trou et le phnomne sappeler conduction par trous. En
effet, sous laction dun champ lectrique extrieur, llectron va se dplacer dans le sens inverse du
champ lectrique. Ainsi, dans la bande de conduction, les lectrons remontent le champ
lectrique. Dans la bande de valence, le matriau tant globalement neutre, labsence dun
lectron confre la zone de dpart (environnement de la lacune) une charge quivalent positive
qui provient de la non-compensation de la charge du noyau due aux protons. Sous laction du
champ lectrique, les lectrons lis vont avoir tendance se dplacer dans le sens de la remonte du
champ lectrique, en laissant derrire eux une charge positive correspondant la lacune. Ainsi, les
lacunes vont se dplacer dans le sens du champ et correspondent donc au dplacement dune
charge positive dans le mme sens que le champ lectrique.

En conclusion, la conduction par champ lectrique dans le matriau pourra se faire deux
niveaux :
- pour les lectrons de la bande de conduction qui remontent le champ lectrique appliqu,
- par les trous de la bande de valence qui se dplacent dans le mme sens que le champ
lectrique.
Notons que du fait que les charges quivalentes sont de signe oppos, les courants quivalents
rsultants seront dans le mme sens en sajoutant. La figure 6 dcrit trs simplement ce phnomne.
Champ lectrique
Jn
dplacement e-
Bande de conduction
dplacement Jp
+ Bande de valence
Figure 30 : Reprsentation symbolique du mcanisme de conduction dans les bandes de

valence et de conduction. Les densits de courant rsultantes sont dans le mme sens.
2) Masse effective des porteurs de charge

Les lectrons ou les trous qui participent la conduction doivent se dplacer dans le matriau.
Intuitivement, le dplacement dans le matriau ne pourra se faire de la mme faon que dans le vide
en raison de linteraction des porteurs avec les diffrents atomes constituant le rseau cristallin. Il
apparat aussi intuitif que suivant les directions de dplacement lintrieur du cristal les
interactions seront diffrentes (pas la mme priodicit des atomes par exemple) et donc que le
comportement lectrique sera diffrent. En ralit, ce phnomne a dj t abord dans le chapitre
II (Electron dans un cristal), si lon analyse le diagramme dnergie dans lespace des phases
(vecteurs donde ou rseau rciproque). De faon habituelle, partir de la rsolution de lquation
de Schrdinger, les variables relatives aux vecteurs donde sexpriment par :
h2
k = 2mE E = k2 .
h2 2m
2 E h2
En considrant m constant, = et la masse m peut sexprimer par :
k 2 m
h2
m = (40)
2 E / k 2
Si on analyse le bas de la bande de conduction, la concavit est oriente vers le haut, cest--dire
2E
que est positif. Ainsi, m est positif et dpend du rayon de courbure de la courbe E(k) au point
k 2
considr. Suivant laxe cristallographique considr, la forme de la courbe est diffrente, la
courbure aussi et donc m pourra varier. La figure 31 donne un exemple de diagramme de phase
pour le silicium. Les courbures peuvent tre diffrentes et les masses effectives associes aussi.

2E
Si on analyse le sommet de la bande de valence, est ngatif et la masse effective calcule
k 2
de llectron est alors ngative. En ralit, il faut corriger ce propos en se rappelant le principe
fondamental de la dynamique : Fext=q=m. Changer le signe de m revient tout simplement
changer le signe de la charge lectrique ; autrement dit, le dplacement dun lectron au sommet de
la bande de valence, correspond au dplacement dune charge positive de masse effective
dpendant de lorientation cristallographique du dplacement.
E
Silicium
lectrons de
conduction ----
----
Eg
++++
++++
trous lourds
trous lgers
L <111> <100> X
Vecteurs donde
Figure 31 : Reprsentation schmatique du diagramme des phases pour le silicium. On peut
remarquer que suivant les orientations cristallographiques, les concavits sont diffrentes et
donc les masses effectives. Dans le cas du silicium, le gap, Eg est indirect, cest--dire que le
bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence ne concident pas
(daprs Chelikowski and Cohen).
Dans le silicium, pour un dplacement des charges lectrons et trous dans la direction <111>, la
masse de llectron au repos tant me, les masses effectives sont les suivantes :
- lectrons : m*n = 0,9 me,
- trous : m*p = 0,5 me,
3) Concentrations des porteurs quasi-libres dans les bandes dnergie. Densits dtats
lectroniques.
Dans le cas de lapproximation parabolique des courbes E(k) au voisinage des extrema, cest--
dire au minimum de la bande de conduction et au maximum de la bande de valence, les densits
dtats nergtiques (densit dlectrons ou de trous) ont dj t calcules dans le cours de
mcanique quantique et sexpriment par les relations suivantes :

3/ 2
2m*
B.C. dNC (E) = 1 2 2C
2 h
(E E )
C
1/ 2
dE (41)
3/ 2
2m*
B.V. dNV (E) = 1 2 2V
2 h
(E E )
V
1/ 2
dE (42)

en se rappelant que lon a fait un changement dorigine pour les nergies, EC pour la bande de
conduction et EV pour la bande de valence, et que le nombre total de places disponibles pour les
lectrons dans les bandes tient compte du fait que sur un mme niveau dnergie on peut placer
deux lectrons de spin diffrents.
Ces densits dtats nergtiques correspondent au nombre total de places disponibles dans
chacune des bandes par unit de volume et par niveau dnergie. Pour connatre le nombre effectif
de porteurs qui occuperont les bandes, il faut tenir compte de la probabilit doccupation de ces
niveaux par les porteurs.
a) Cas de la bande de conduction

Ainsi, pour la bande de conduction, on peut calculer la concentration en lectrons (nombre
dlectrons par unit de volume exprim en gnral en cm-3) ;

n= NC (E).f(E).dE
EC
o f(E) est la fonction de distribution de Fermi.

3/ 2
2m*
n= 1 2 2C 1 (E E )
( )
1/ 2
dE
2 h 1+exp E EF
C
EC
kT
Comme dans lintgration, E>EC et quen gnral EV<EF<EC, on peut simplifier f(E) sous la
forme :
f(E) =
1+exp
1
E (
EF

exp
1
)
E EF
exp E EF = exp
(kT ) kT
(
E EC

E EF
.exp C
kT
)
kT kT
ce qui donne pour n :

3/ 2
2m* E E E EC
n = 1 2 . 2C exp C F (E EC ) exp
1/ 2
.dE
2 h kT kT
EC
3/ 2
2m* E E E EC
n = 1 2 . 2C exp C F (E EC ) exp
1/ 2
.d(E EC )
2 h kT EC kT
Remarque : sans la simplification de f(E), la rsolution aboutit sur des fonctions elliptiques de Fermi qui ne sont pas
intgrables analytiquement et qui sont tabules. La dmonstration est alors beaucoup plus complexe. Cest ce qui se
passera quand les simplifications ne seront plus acceptables, par exemple lorsque EF devient gal ou suprieur EC.

E EC
En posant x = avec x=0 pour E=EC, lquation ci-dessus devient :
kT
3/ 2
2m* E E
n = 1 2 . 2C exp C F (kT ) x1/ 2 exp( x ).dx
3/ 2
2 h kT 0
( ) ( )

Lintgrale peut aussi scrire : I = u.exp u 2 .2u.du = 2u 2.exp u 2 .du
0 0
On peut remarquer que cette dernire intgrale est aussi le rsultat de lintgration par partie de :

I = exp(u 2 ).du =
0
2
En remplaant ce rsultat dans lexpression de n on obtient :
3/ 2
2m* E E
n = 1 2 . 2C exp C F (kT )
3/ 2
2 h kT 2
3/ 2
kTmC* E E
n = 2. exp C F
2h kT
2

Expression que lon note aussi sous la forme :
E E
n = NC exp C F (43)
kT
avec NC correspondant au nombre total de place par unit de volume effectivement occupes par les
lectrons au niveau dnergie quivalent EC. NC est appel densit dtats lectroniques dans la
bande de conduction et sexprime donc par :
3/ 2
kTmC*
NC = 2 2
(44)
2h
b) Cas de la bande de valence

Nous allons nous intresser au nombre de trous dans cette bande dnergie, puisque nous avons
vu que les porteurs de charges utiles pour la conduction taient les trous dans cette bande. Or les
trous correspondent, comme nous lavons vu, une absence dlectrons. Nous allons donc
considrer la probabilit de non-occupation dun tat nergtique par un lectron pour dterminer la
probabilit de prsence dun trou.
La probabilit de non-occupation correspond au complment 1 de la probabilit doccupation.
Ainsi, nous pouvons exprimer la densit de trous dans le matriau, p, par :
EV
p = NV (E).(1 f(E)).dE

EV 3/ 2
2m*
p = 1 2 . 2V (E E ) 1
( )
1/ 2
2 h
1 dE
1+exp E EF
V

kT

Comme dans lintgration, E < EV et quen gnral EV < EF < EC, on peut simplifier f(E) sous la
forme :
f(E) = 1 1 exp E EF ( )
1 + exp E EF
kT
(
kT
)
et donc
kT
(
)
E E
1 f(E) exp E EF = exp V
E E
exp F V
kT kT
En remplaant 1-f(E) par son expression ainsi que NV(E) nous obtenons :
3/ 2 EV
2m* E E EV E
p = 1 2 . 2V (E E )
1/ 2
exp F V exp .dE

2 h kT
V
kT
En menant le calcul de la mme faon que pour n, nous dduisons lexpression de p, aprs le
E E
changement de variable : x = V
kT
3/ 2
2m* E E
p = 1 2 . 2V (kT ) x1/ 2 exp( x ).dx
3/ 2
exp F V
2 h kT 0
Nous retrouvons ainsi exactement la mme intgrale que prcdemment, et donc nous arrivons au
rsultat suivant :
3/ 2
2m* E E
p = 1 2 2V exp F V (kT )
3/ 2
2 h kT 2
3/ 2
kTmV* E E
p = 2 exp F V
2 h kT
2

Expression que lon note aussi sous la forme :
E E
p = NV exp F V (45)
kT
avec NV correspondant au nombre total de places par unit de volume effectivement occupes par
les trous au niveau dnergie quivalent EV. NV est appel densit dtats lectroniques dans la
bande de valence et sexprime donc par :
3/ 2
kTmV*
NV = 2 (46)
2h
2

On peut remarquer que les densits dtats lectroniques dans les bandes ne dpendent que de la
temprature et de la masse effective des porteurs lectrons ou trous. Comme ces masses effectives
ont toujours le mme ordre de grandeur, cela signifie que NC et NV seront toujours du mme ordre
de grandeur une temprature donne quel que soit le matriau semiconducteur. En pratique, ces
densits dtats on une valeur de quelques 1019cm-3 300K.
Remarque : il ne faut pas confondre densits dtats nergtiques et densits dtats lectroniques, ces dernires tenant
compte de loccupation des niveaux dnergie par les lectrons.

4) Concentration intrinsque et niveau de Fermi lquilibre thermodynamique

Dans le matriau semiconducteur une temprature non nulle, on peut considrer la cration de
porteurs lectrons et trous comme le rsultat de la raction chimique :
e- + h+ 0
qui peut donc se produire dans les deux sens, cest--dire cration dune paire lectron-trou ou
disparition dune telle paire.
Comme pour toute raction chimique, on peut associer cette raction, une constante
dquilibre, K, mettant en jeu les concentrations des espces, en loccurrence, n et p :
K = n.p
En remplaant n et p par leur expression (5) et (7), nous obtenons :
E E E E
K = NC NV exp C F exp F V
kT kT
soit encore :
E E
K = NC NV exp C V
kT
Comme EC - EV est gal au gap du matriau, Eg, nous pouvons aussi exprimer K par :
E
K = NC NV exp g
kT
Eg correspond dans ce cas lnergie de la raction de cration dun lectron et dun trou (cest-
-dire la transition dun lectron li de la bande de valence vers la bande de conduction).
a) Concentration intrinsque
Dans un semiconducteur parfait, pour T0, chaque fois quun lectron part de la bande de
valence, et passe dans la bande de conduction, un trou apparat dans la bande de valence. La
quantit dlectrons est ainsi rigoureusement gale la quantit de trous ; leur concentration
commune est appele concentration intrinsque, ni. Le matriau est dit dans ce cas intrinsque.
p = n = ni (47)
E
K = p n = ni2 = NC NV exp g et donc p n = ni2 (48)
kT

Notons que cette relation reste toujours valable dans le matriau semiconducteur tant que celui-ci
est lquilibre thermodynamique ; cette relation sera utilise en permanence dans la suite. On peut
donc exprimer la concentration intrinsque par :
E
ni = NC NV exp g (49)
2kT
Dans cette relation on constate que la concentration intrinsque dpend trs fortement de la
temprature. Cest la loi exponentielle qui lemporte largement sachant que les densits dtats ne
dpendent de la temprature quavec une puissance 3/2. Pour avoir des ordres de grandeur, dans le
cas du silicium, T = 0K, ni = 0 cm-3, T = 300K, ni = 1,6.1010 cm-3 et T = 1300K,
ni = 2,5.1017 cm-3. Les variations sont donc trs importantes ce qui explique le trs grand

changement de comportement lectrique de ces matriaux en fonction de la temprature. En

pratique, dans les calculs, on utilise plus souvent le carr de la concentration intrinsque, relation
quil vaut mieux savoir en permanence et qui est la suivante :
E
ni2 = NC NV exp g (50)
kT
b) Position du niveau de Fermi dans un matriau intrinsque
Pour dterminer la position du niveau de Fermi on repart des quations (43) et (45) donnant les
concentrations dlectrons et de trous :
E E E E
n = NC exp C F p = NV exp F V
kT kT
puisque p = n, partir de ces deux quations nous obtenons :
E E E E
NC exp C F = NV exp F V
kT kT
N
ln C = 1 (EF + EV + EC EF ) = 1 (EV + EC 2EF ) do
NV kT kT
EV + EC N
EF = + kT ln V (51)
2 N
C
Ainsi, le niveau de Fermi intrinsque

(correspondant au matriau intrinsque), se
trouve peu prs au milieu de la bande E
interdite du matriau, thoriquement au
EC
milieu T = 0K. Pour T 0K, on peut
EC + EV
dterminer le terme correctif partir des
2
expressions de NC et de NV (relations (44) et EF
(46)).
EV + EC m* EV
EF = + 3 kT ln V
2 4 mC*
Puisque k = 8,85.10-5 eV/K, T = 300K, Figure 32 : position du niveau de Fermi
intrinsque dans un monocristal parfait. Il
kT = 26meV. Pour le silicium, 300K, se situe approximativement au milieu de la
Eg=1,12eV, et le rapport des masses bande interdite temprature ambiante.
effectives est de 0,55. Dans ce cas,
EF = 560meV-11meV, ce qui est encore trs
proche du milieu de la bande interdite.
Il peut tre not que le niveau de fermi se trouve dans la bande interdite, cest--dire un niveau
nergtique non accessible aux lectrons. Le niveau de fermi traduit un niveau statistique et non pas
un niveau effectivement occup.

III Semiconducteur extrinsque

On peut modifier de faon considrable la concentration de porteurs de charge dun
semiconducteur intrinsque en lui ajoutant de faibles quantits datomes astucieusement choisis et
que lon appelle impurets dopantes ou tout simplement dopants. On obtient alors un
semiconducteur extrinsque ou dop.
Selon la nature des atomes introduits, soit le nombre dlectrons devient trs suprieur au
nombre de trous et le semiconducteur est appel de type n, soit le nombre de trous devient trs
suprieur celui des lectrons et le semiconducteur est appel de type p. Cette diffrence sera
exploite judicieusement dans la suite. Dans limmdiat, nous allons expliquer le phnomne de
dopage et ses consquences sur le nombre dlectrons et de trous ainsi que sur la position du niveau
de Fermi (niveau statistique moyen) dans le semiconducteur.
1) Notion de dopage
Dans un cristal semiconducteur, il est possible dintroduire des atomes trangers de valence 3 ou
5 par exemple (colonne III ou V du tableau de Mendlev). Si tout va bien technologiquement (cf.
cours de technologie microlectronique intgre), les atomes vont prendre la place des atomes du
rseau, cest--dire se mettre en site substitutionnel comme reprsent figures 9 et 10. Nous allons
voir que cet apport va transformer considrablement ltat lectronique du monocristal.
a) dopage de type n ou donneur

Prenons le cas dun atome de la colonne V, par exemple du phosphore. La couche externe de cet
atome comporte, a priori, 5 lectrons, comme reprsent figure 33. Inclus dans le rseau cristallin,
cet atome va se retrouver avec 9 lectrons sur sa couche externe. Ds que lnergie thermique sera
suffisante, cet lectron va quitter son orbite pour circuler dans le cristal. Il rejoint dans ce cas la
bande de conduction du cristal. Le noyau de latome de phosphore ayant une charge (due ses
protons) qui nest plus compense, cet atome va sioniser positivement. Cet atome a ainsi un
comportement dopant et puisquil a fourni un lectron au cristal (dans sa bande de conduction),
on lappelle atome donneur. Notons que la charge totale du cristal reste nulle, le cristal tant
globalement neutre.
Si Si Si
Electron libre
Octet
Si P + e-
Atome dopant Si
ionis positivement
Si Si Si
Figure 33 : Dopage dun monocristal de silicium par un atome de phosphore. Llectron

excdentaire autour de latome de phosphore, vis--vis de la situation la plus stable quest
loctet, quitte latome pour rejoindre la bande de conduction et ioniser latome positivement.
On constitue un dopage donneur de type n.

Pour rsumer, un atome dopant de type donneur :

- donne un lectron au rseau cristallin,
- sionise positivement,
- cre un dopage de type n.
b) dopage de type p ou accepteur

Prenons le cas dun atome de la colonne III, par exemple du bore. La couche externe de cet
atome comporte, a priori, 3 lectrons, comme reprsent figure 34. Inclus dans le rseau cristallin,
cet atome va se retrouver avec 7 lectrons sur sa couche externe. Ds que lnergie thermique sera
suffisante, un lectron de valence voisin va quitter son orbite pour venir crer un octet autour de
latome de bore. Il cre dans ce cas une lacune dans la bande de valence du cristal, cest--dire quil
cre un trou. Le noyau de latome de bore ayant une charge due ses protons insuffisante, cet
atome va sioniser ngativement. Cet atome a ainsi un comportement dopant et puisquil a fourni un
trou au cristal (dans sa bande de valence), on lappelle atome accepteur, puisquil accepte un
lectron. Notons que la charge totale du cristal reste toujours nulle, le cristal tant globalement
neutre.
Si Si Si
Octet
Atome dopant B- e
-
ionis ngativement Si Si
trou libre
Si Si Si
Figure 34 : Dopage dun monocristal de silicium par un atome de bore. Llectron

dficitaire autour de latome de phosphore, vis--vis de la situation la plus stable quest
loctet, sera apporter par le rseau qui crera simultanment un trou. On constitue un dopage
accepteur de type p.
Pour rsumer, un atome dopant de type accepteur :

- donne un trou au rseau cristallin,
- sionise ngativement,
- cre un dopage de type p.
2) Concentration des porteurs quasi-libres dans un semiconducteur dop
a) concentration des atomes ioniss

Dans le cas dun atome donneur, condition que la temprature soit suffisamment leve
comme nous le verrons dans la suite, nous pouvons crire la relation de dissociation suivante :
D D+ + e
Du point de vue statistique, si cette raction se produit facilement dans le matriau considr, cest
que lnergie dionisation de latome donneur est relativement faible. En dautres termes, lcart

nergtique entre un lectron li latome donneur et ce mme lectron quasi-libre dans le cristal,
cest--dire situ dans le bas de la bande de conduction, sera relativement faible. On peut alors
exprimer le nombre datomes ioniss ou plus exactement leur concentration, en fonction du nombre
total datomes ou de leur concentration, ND, introduits dans le cristal. Cette concentration tient
compte de la statistique doccupation dun niveau dnergie par un fermion et des changes
possibles entre le niveau de llectron li et celui de la bande de conduction. Cette concentration
datomes donneurs ioniss, ND+ sexprime par :
N D+ = N D 1 (52)
E E
1 + 2 exp F D
kT

ED est le niveau dnergie donneur, cest--dire le niveau dnergie statistique auquel se trouve
llectron li latome dopant. Le facteur pr-exponentiel, 2, est appel facteur de dgnrescence
et provient du choix possible ou non de spins diffrents dans lchange nergtique : dans le cas
dun dpart de latome, le spin de llectron peut tre quelconque, alors que pour le retour, le spin
est impos par le nuage lectronique existant.
Dans le cas dun atome accepteur, nous pouvons mener un raisonnement analogue, et nous
pouvons crire la relation dionisation suivante :
A + e A
Du point de vue statistique, si cette raction se produit facilement dans le matriau considr, cest
que lnergie dionisation de latome accepteur est relativement faible. En dautres termes, lcart
nergtique entre un lectron li latome accepteur et ce mme lectron li au cristal de
semiconducteur, cest--dire situ au sommet de la bande de valence, sera relativement faible. On
peut alors exprimer la concentration des atomes ioniss en fonction de la concentration totale
datome dans le cristal, NA. Cette concentration tient compte de la statistique doccupation dun
niveau dnergie par un fermion et des changes possibles entre le niveau de llectron li et celui
de la bande de valence. Cette concentration datomes donneurs ioniss, NA- sexprime par :
N A = N A 1 (53)
E E
1 + 2 exp A F
kT

EA est le niveau dnergie accepteur, cest--dire le niveau dnergie statistique auquel se trouve
llectron li latome dopant. Le facteur pr-exponentiel, 2, est toujours le facteur de
dgnrescence et provient du choix possible ou non de spins diffrents dans lchange nergtique.
b) cas dun semiconducteur de type n

Le semiconducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est gale celle des
charges ngatives. En faisant le bilan des charges prsentes, il ny a que des lectrons, des trous et
des ions donneurs.

N D+ + pn = nn (54)
En raisonnant temprature ambiante, si llment ajout a effectivement le comportement de
dopant, pratiquement tous les atomes de cet lment sont ioniss, cest--dire ND+ ND. Par
ailleurs, nous avons vu que le produit p.n tait toujours gal au carr de la concentration
intrinsque, ni2, lquilibre thermodynamique. Nous avons donc :
pn . nn = ni2
Lquation de neutralit devient :
ni2
ND + = nn
nn
6474 8 6474 8
charges+ charges
do
nn2 N D.nn ni2 = 0
quation qui admet une solution du type :
N D + N D2 + 4ni2
nn = (55)
2
ni2
Ainsi, si ND>>ni alors : nn = N D et pn = (56)
ND
Pour donner un exemple classique 300K, on suppose une concentration de dopant de 1017cm-3, la
concentration intrinsque tant de 1,6 1010cm-3 et la concentration totale datomes de silicium tant
de 5.1022cm-3 ; ce dernier calcul se fait partir du nombre dAvogadro, de la masse molaire et de la
densit du silicium (2,7g/cm3). La concentration en lectrons est alors de 1017cm-3 et la
concentration en trous de 1,6.103cm-3. On voit bien dans ce cas que le dcalage des concentrations
est norme puisque les lectrons sont cent trillions de fois plus nombreux que les trous alors quils
taient en quantit identique au dpart.
En conclusion, dans un semiconducteur de type n affirm,
- les lectrons sont majoritaires,
- la concentration en lectrons est pratiquement gale la concentration de dopant,
- les trous sont minoritaires.
c) cas dun semiconducteur de type p

Le semiconducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est gale celle des
charges ngatives. En faisant le bilan des charges prsentes, il ny a que des lectrons, des trous et
des ions accepteurs.
N A + n p = p p (57)
En raisonnant temprature ambiante, si llment ajout a effectivement le comportement de

dopant, pratiquement tous les atomes de cet lment sont ioniss, cest--dire NA- NA. Par ailleurs,

nous avons vu que le produit p.n tait toujours gal au carr de la concentration intrinsque, ni2,
lquilibre thermodynamique. Nous avons donc :
pn . nn = ni2
Lquation de neutralit devient :
ni2
NA + = pp
pp
6474 8 6474 8
charges charges+
do p 2p N A.p p ni2 = 0
quation qui admet une solution du type :
N A + N A2 + 4ni2
pp = (58)
2
ni2
Ainsi, si NA>>ni alors : pp = N A et np = (59)
NA
En conclusion, dans un semiconducteur de type p affirm,

- les trous sont majoritaires,
- la concentration en trous est pratiquement gale la concentration de dopant,
- les lectrons sont minoritaires.
d) cas gnral
Dans le cas gnral, les deux types de dopants peuvent exister simultanment dans le matriau.
Cest en fait ce qui se passe en pratique pour des raisons purement technologiques. Le
semiconducteur est toujours globalement neutre et la somme des charges positives est gale celle
des charges ngatives. En faisant le bilan des charges prsentes, il y a des lectrons, des trous et des
ions accepteurs et donneurs.
N A + n = p + N D+ (60)
6474 8 6474 8
charges charges+
Le semiconducteur sera de type n ou de type p , si la temprature considre, la concentration en
donneurs ioniss ou en accepteurs ioniss respectivement est la plus grande (le plus nombreux
lemporte).
(N N A ) + (N N A ) + 4ni2
2
D D
Si ND>NA nn = (61)
2
(N ND ) + (N N D ) + 4ni2
2
A A
Si NA>ND pp = (62)
2
Nous pouvons remarquer que si les concentrations des donneurs et accepteurs sont identiques, le
matriau un comportement intrinsque. Si mathmatiquement ce rsultat est facilement

accessible, physiquement il est quasi impossible puisquil faudrait des prcisions normes sur les
concentrations des atomes dopants pour esprer avoir un comportement intrinsque. Puisque la
concentration datomes de silicium est de 5.1022cm-3, pour avoir un comportement intrinsque il
faut que la diffrence des concentrations soit infrieure ni, cest--dire 1010cm-3. Il faut donc une
prcision ou une puret chimique du silicium suprieure mille milliardimes pour esprer
contrler le procd, ce qui nest jamais atteint !
3) Position du niveau de Fermi Diagrammes dnergie
a) cas dun semiconducteur de type n, affirm

Pour dterminer la position du niveau de Fermi lquilibre thermodynamique, il faut partir des
relations (5) et (7), cest--dire :
E E E E
n = NC exp C F (43) et p = NV exp F V (45)
kT kT
Dans le cas dun matriau de type n affirm, temprature ambiante, n ND, et lquation (43)
devient :
E E
N D = NC exp C F
kT
do lon dduit aisment :
NC
EC EF = kT ln (63)
ND
En appelant Ei, la position du niveau de E
Fermi dans le cas o le matriau serait
EC NC
intrinsque, nous aurions la relation suivante :
EF ND
E E N
ni = NC exp C i et EC Ei = kT ln C
kT ni Ei ni
Eg
NC NC
EC Ei + Ei EF =kT ln =kT ln + Ei EF
ND ni EV
ND
EF Ei = kT ln
ni Figure 35 : Position du niveau de Fermi et valeur
correspondante des concentrations de dopants de
Le niveau de Fermi se dcale donc type n temprature ambiante. EF est dautant plus
proche de la bande de conduction que le dopage est
progressivement du milieu de la bande lev. On se limitera dans ce cours aux cas pour
interdite vers la bande de conduction lorsque lesquels EF reste situ dans la bande interdite. A
temprature ambiante (300K) le dcalage est de
le dopage de type n augmente comme 60meV par dcade de concentration.
reprsent figure 35.
Il faut se rappeler qu 300K, kT=26meV, et que le niveau de Fermi se dcale donc de 60meV
chaque fois que le dopage est multipli par 10 (nous dirons que la variation est de 60meV par
dcade).

b) cas dun semiconducteur de type p, affirm

Dans le cas o le matriau est de type p affirm de concentration de dopant accepteur, NA,
partir de la relation (45), nous obtenons :
E E
N A = NV exp F V E
kT

EC
do lon dduit aisment :
Eg
NV
EF EV = kT ln (64) Ei ni
NA
Ainsi, dans le cas dun semiconducteur EF NA
EV NV
dop de type p, le niveau de Fermi se
trouvera dautant plus prs du sommet de la
Figure 36 : Position du niveau de Fermi et valeur
bande de valence, que le matriau sera plus correspondante de la concentration des dopants dans
dop. un semiconducteur de type p affirm, temprature
ambiante. Au plus le dopage est fort, au plus le niveau
Il peut tre not que dans ce cours, nous de Fermi sapproche de la bande de valence.
nous limiterons au cas o le niveau de Fermi
reste dans la bande interdite, cest--dire que le dopage reste infrieur la densit dtats
lectroniques dans les bandes (NC et NV) ; dans le cas contraire, on dit que le semiconducteur est
dgnr.
c) cas gnral en fonction de la temprature

Dans un cas plus gnral, il faut tenir compte du fait que les atomes dopants sont ioniss en
fonction de la temprature, cette temprature dionisation intervenant aux environs de la
temprature de liqufaction de lazote liquide, et que lactivit de cration de porteurs dans le
semiconducteur devient trs importante des tempratures de plusieurs centaines de degrs
Celsius. Si nous souhaitons comprendre les phnomnes physiques dans les dispositifs dans une
large gamme de temprature dutilisation, il faut analyser ces effets.
Nous pouvons re-crire lquation dlectro-neutralit (60) en tenant compte de toutes les
charges en prsence (quations 43, 45, 52 et 53).
E E
n= NC exp C F
kT

E E
p = NV exp F V
kT

N D+ = N D 1
E E
1 + 2 exp F D
kT

N A = N A 1
E E
1 + 2 exp A F
kT


N A + n = p + N D+ (60)
La dtermination de EF peut alors se faire graphiquement dans un diagramme semi-
logarithmique pour aller rapidement, sachant quun calcul analytique est toujours possible.
Les quations ci-dessus scrivent aussi : ln[ ] neutralit
NV NC
EF EV p n
ln p = ln NV ND +
kT ND
-
N A
NA
EC EF
ln n = ln NC
kT
ni
E E
ln N D+ = ln N D ln1 + 2exp F D

kT

EV EA Ei EFEDEC

E EF
ln N A = ln N A ln1 + 2exp A Figure 37 : dtermination graphique de la position du
kT niveau de Fermi dans un semiconducteur. En vrifiant
lquation dlectro-neutralit, on dtermine facilement
EF. Les droites inclines ont une pente proportionnelle
Dans ce diagramme, lchelle tant semi- 1/kT
logarithmique, on raisonne comme dans le
cas dun diagramme de Bode (somme des
courbes asymptotiques).
Les pentes des courbes rsultantes dans les domaines o elles varient exponentiellement sont en
1/kT et dpendent donc directement de la temprature. On peut rsoudre lquation de neutralit
directement sur le graphe en cherchant lintersection des courbes de la somme des charges positives
(p et ND+) et de la somme des charges ngatives (n et NA-). Nous constatons aisment que la
position de EF dpendra de la temprature, les pentes variant en 1/kT.
Nous pouvons noter que si le dopage de type N est prpondrant, cest le cas de la figure 37, le
niveau de Fermi se trouve proche de la bande de conduction. Le niveau de Fermi se retrouvera au
niveau ED lorsque la temprature sera gale la temprature de Fermi, TF, situe autour de 100K.
Pour des tempratures leves, plusieurs centaines de degrs Celsius (autour de 1000K), les pentes
diminuant, le niveau de Fermi se dplace vers le milieu de la bande interdite. Lorsque n et p
atteignent la valeur suprieure de ND et NA, le matriau retrouve un comportement intrinsque
(temprature Ti). Cet aspect sera trs important dans la fabrication des circuits intgrs mais aussi
dans les dispositifs fonctionnant trs haute temprature (tte de forage par exemple).
d) Variations du niveau de Fermi en fonction du type de dopage temprature ambiante

Dans la figure qui suit nous prsentons les diffrentes situations obtenues lorsque le matriau est
intrinsque ou dop de type n puis de type p. Pour les besoins de la figure, les reprsentations des
concentrations dans les bandes dnergie ne sont absolument pas lchelle, les variations pouvant
tre de 10 ordre de grandeurs. Le niveau de Fermi se dplace vers la bande de valence lorsque le
matriau est de type p, vers la bande de conduction lorsquil est de type n.

E E
Bande de conduction B.C. Bande de conduction B.C.

EC e- EC
e-
EF intrinsque Type p
EF
EV h+ EV h+
Bande de valence B.V. Bande de valence B.V.
0 1/2 1 f(E) 0 1/2 1 f(E)

Densit dtats dnergie Densit dtats dnergie
E
Figure 38 : Evolution du nombre de porteurs dans les
bandes dnergie en fonction de la nature du dopage et
de la concentration des porteurs. La premire figure
Bande de conduction B.C. correspond au semiconducteur intrinsque, la deuxime
e-
EC au dopage de type n et la dernire au dopage de type p.
EF e- Lorsque le niveau de Fermi est prs de la bande de
conduction, la concentration des lectrons augmente et
Type n celle des trous diminue. Le phnomne est contraire du
h+
cot de la bande de valence. La distribution des porteurs
h+ dans les bandes obit toujours la statistique de Fermi-
EV
Dirac.
Bande de valence B.V.
0 1/2 1 f(E)
IV Gnration recombinaison Dure de vie des porteurs

1) Gnration-recombinaison thermique
Nous avons vu qu 0K, il ny avait aucun porteur libre (ou quasi-libre) dans le semiconducteur.
Le fait de chauffer le matriau permet de donner une nergie suffisante une fraction des lectrons
de valence pour quitter ltat li et atteindre le bande de conduction. Ce dpart dun lectron
correspond la cration simultane dune paire lectron-trou, phnomne appel gnration
thermique dune paire lectron-trou. Si ce processus ntait pas rversible, au bout dun certain
temps, tous les lectrons de valence se retrouveraient dans la bande de conduction. Or nous savons
que leur nombre est limit ni, ce qui signifie que statistiquement, il y a autant de cration que de
disparition de ces paires, lquilibre tant atteint, temprature fixe la valeur de ni
correspondante. Le processus global sappelle gnration-recombinaison thermique. A
lquilibre thermodynamique, ce phnomne se traduit par la constance du produit p.n (relation 48).

2) Gnration-lumineuse
En envoyant des photons dnergie suffisante, au moins gale celle du gap, on peut crer une
paire lectron-trou (cf. cours de mcanique quantique). On peut alors dfinir un terme de
gnration lumineuse par GL, qui est une concentration de porteurs crs par unit de volume et
unit de temps (cm-3.s-1). Nous allons ainsi imposer un excs de porteurs dans le cristal par rapport
lquilibre thermodynamique tant que cette gnration se produira. En stoppant lenvoi de
photons, le matriau aura tendance retourner progressivement lquilibre thermodynamique.
Dans un lment de volume donn, si ce phnomne est seul intervenir, nous pouvons crire :
n = +G p
L (65) = + GL (66)
t t
3) Niveaux piges dans un semiconducteur

Dans un cristal parfait, il nexiste aucun tat lectronique dans le gap (bande interdite). Mais tout
cristal perd son aspect idal ds que lon y introduit des impurets, quelles soient dopantes ou non
dopantes, ou ds que le matriau prsente des dfauts cristallographiques (dislocations, macles).
Ces perturbations dtruisent la priodicit
E
parfaite du cristal et entranent la cration
dtats nergtiques dans le gap qui vont EC
pouvoir tre lectriquement actifs, cest--
dire permettre des changes entre les bandes Et
Eg
de valence et de conduction et ces tats. La
figure 39 met en vidence que ces tats
EV
peuvent servir dintermdiaire entre la bande
de valence et la bande de conduction et vont
Figure 39 : effet des niveaux piges sur le
modifier en particulier la cintique de ces transfert des lectrons entre les bandes de
changes par rapport leffet thermique pur. valence et de conduction. Le niveau pige
sert de marche intermdiaire.
La figure 40 montre de faon dtaille les diffrents mcanismes possibles. Un pige peut
capturer un lectron de la bande de conduction ou mettre un lectron vers cette bande. Un pige
peut capturer un trou en envoyant un lectron vers la bande de valence ou mettre un trou en
rcuprant un lectron de valence qui laisse un trou derrire lui. Ces changes se font en obissant
la statistique de Fermi-Dirac. Le processus complet de gnration met en jeu une mission dun
trou et une mission dun lectron (transit de la bande de valence vers la bande de conduction) alors
que la recombinaison met en jeu la capture dun lectron puis dun trou (transit de la bande de
conduction vers la bande de valence).
4) Rsultats de la thorie simplifie de Schockley-Read-Hall

Tels que reprsents figure 40, les niveaux piges vont servir dtapes intermdiaires pour les
phnomnes de gnration et recombinaison. La statistique des porteurs obit une loi
exponentielle de la probabilit de transfert entre deux niveaux dnergie ; pour avoir une transition

complte entre les bandes de valence et de conduction, le trajet se fera par les niveaux piges
puisque la probabilit de transiter entre les bandes et les piges est sans commune mesure
suprieure la transition directe bande bande. Les niveaux piges vont donc servir de marche-
pied aux porteurs. La position la plus efficace pour les piges pour permettre cette transition sera
situe en milieu de bande interdite ; pour comprendre simplement ceci, 2 marches de moyenne
hauteur sont plus faciles gravir par un tre humain quune trs petite et une trs grande, cette
dernire reprsentant la difficult !
B.C.
e- EC
avant e- e- Et
h+ e-
EV
B.V.
Capture dun Emission dun Capture dun Emission dun

lectron lectron trou trou
B.C.
e- EC
aprs e- e- Et
h+
EV
B.V.
Figure 40 : Mcanismes de gnration-recombinaison assists par piges. La transition
seffectue via un pige qui change un lectron avec la bande de conduction ou avec la
bande de valence. Dans ce dernier cas llectron se recombine avec un trou ou cre un trou
en quittant la bande de valence. Ces changes sont conditionns par la statistique de Fermi-
Dirac. Pour avoir une probabilit importante de transfert, le niveau pige doit tre situ en
milieu de bande interdite. Pour dterminer le taux de recombinaison gnration, il faut
exprimer les quatre processus prsents, missions et captures des trous et lectrons.
Ainsi, en ne considrant que les piges situs en milieu de bande interdite, qui seront les plus
efficaces, on peut dterminer le taux de recombinaison-gnration rsultant, U, qui traduit la
variation de la concentration de porteurs (lectrons ou trous) par unit de temps ; il faut pour cela
exprimer les quatre processus prsents, missions et captures des trous et lectrons. Nous ne
donnons ici que les rsultats de ce calcul relativement long qui suppose des simplifications
supplmentaires et qui aboutit :
p.n ni2
U = 1 (67)
o
p + n + 2ni
avec o, dure de vie des porteurs,

p, concentration des trous,

n, concentration des lectrons,
ni, concentration intrinsque.
Nous allons analyser dans ce qui suit les diffrentes situations rencontres dans le
semiconducteur qui aboutissent des comportements diffrents.
a) cas dun semiconducteur lquilibre thermodynamique

Nous avons vu qu lquilibre thermodynamique, lactivit thermique imposait p.n=ni2. En
reportant ce rsultat dans lquation (67), on aboutit :
U=0
Cela signifie que la gnration thermique est compense par la recombinaison et donc que le
bilan de la recombinaison-gnration est nul.
b) cas dun excs dlectrons et de trous dans le matriau

Nous allons analyser le cas dun matriau de type n, temprature ambiante. En utilisant les
n2
relations (18) : nn = N D et pno = i et en supposant un excs de paires lectron-trou,
ND
pn = nn, tel que ND >> pn >> pno, alors : nn ND et pn >> pno puisque pn = pn + pno, ainsi,
daprs la relation (29) :
pn.N D ni2
U = 1
o
pn + N D + 2ni
comme ND >> pn et ND >> ni
.n2 pn pno
U = 1 pn i ou encore U = (68)
o ND o
Ceci signifie que la disparition des porteurs en excs est proportionnelle lcart des
concentrations par rapport lquilibre thermodynamique. On peut donner un exemple pratique :
ND = 1017 cm-3, o = 10-7 s, ni2 = 2.1020 cm-6, pno = 2.103 cm-3, pn = 1010 cm-3,
alors U = 1017 cm-3.s-1
c) dficit dlectrons et de trous dans le matriau

Dans certaines conditions que nous verrons plus loin, le semiconducteur peut tre dsert par les
lectrons et les trous. En supposant, pour simplifier que : n << ni et p << ni :
ni2 n
U = , ou encore U = i
(69)
2. o.ni 2. o
Dans cette expression, le signe moins (U ngatif) traduit le phnomne de gnration de paires
lectron-trou alors que dans la formule (68) le signe plus (U positif) traduit un phnomne de
recombinaison.
Dans le chapitre suivant, nous allons utiliser et appliquer lensemble de ces rsultats pour
analyser les phnomnes de transport dans un semiconducteur.

Chapitre 5 : Phnomnes de transport
CHAPITRE V
PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS
I Conductivit Drive dans un champ lectrique

1) Mobilit - Conductivit
De faon gnrale, lorsque lon applique un champ lectrique, on a tendance dplacer les
porteurs de charge, lectrons et trous. En ralit, le mcanisme physique dentranement par un
champ lectrique se produit sur des porteurs qui se dplacent de faon alatoire, dans toutes les
directions de lespace, dans le matriau, en raison de lagitation thermique (aux tempratures
normales de fonctionnement) et qui effectuent un libre parcourt moyen sans choc. Ce libre
parcourt moyen est de lordre de grandeur de 200 , soit environ une centaine de distances
atomiques. Au niveau du choc, un change dlectrons peut se produire, comme dans le cas dun
relais. Le champ lectrique va agir entre ces chocs. La vitesse thermique est trs grande (107 cm.s-1
300K). Les porteurs ont ainsi une vitesse thermique moyenne, oriente dans toutes les directions
de lespace qui est lgrement modifie en imposant une direction statistique prfrentielle par la
prsence du champ lectrique.
La figure 41 montre de faon trs schmatique ces phnomnes. Nous ne rentrerons pas dans les
dtails au niveau phnomnologique et microscopique et nous nallons considrer dans la suite que
laspect moyenne statistique.
trajectoire linaire trajectoire incurve
entre choc entre choc
E
e- e-
dplacement
effectif
Figure 41 : Dplacement statistique des lectrons dans le semiconducteur et effet du champ
lectrique sur ces dplacements. Le mouvement erratique est perturb par la prsence du
champ. Le dplacement effectif peut tre de plusieurs ordres de grandeurs plus faible que le
dplacement rel des lectrons.
La densit de courant dlectrons sexprime de faon la plus simple par :

r r
jn =(q).n.vn
avec, n, concentration des lectrons,
r
vn , vitesse moyenne des lectrons,
r
jn , densit de courant exprime en gnral en Ampres par cm2.
O. Bonnaud, Physique des Composants et Dispositifs, juin 2003 55

Si, dans un semiconducteur, nous traons

la vitesse des lectrons en fonction du champ GaAs
vth
lectrique, nous obtenons alors la courbe
Vitesse (cm/s)
107
reprsente figure 42. Pour les forts champs Silicium
lectriques, la vitesse sature et tend en pente
106
pratique vers la vitesse thermique.
Lexplication simplifie de cette limite est
que les trajectoires entre chocs sont 105
102 104 106
suffisamment incurves pour prendre la Champ lectrique (kV/cm)
direction du champ mais que lnergie Figure 42 : variation de la vitesse des lectrons dans le
apporte entre ces chocs (et donc sur le libre silicium et le germanium. Pour les champ faible, la
pente correspond la mobilit. Pour les champs forts, la
parcourt moyen) est ngligeable par rapport vitesse tend vers une limite qui est la vitesse thermique.
Il peut tre not que le GaAs prsente une meilleure
lnergie thermique. Pour les trs forts
mobilit (rapport 5 environ) et une survitesse qui est
champs lectriques, nous verrons que dautres exploite dans certains composants trs rapides (HF)
(daprs Jacobini et al., Smith et al., Ruch et al.).
phnomnes interviennent.
Pour les faibles champs lectriques, la courbe relle est linarise et la pente dfinit la mobilit
des lectrons, n.
r r r r
v = n. E v = n.E
Ainsi,
r r
jn = (q).n.()n. E
r r
jn = qnn.E (70)
De faon tout fait analogue, il est possible de dfinir la mobilit des trous (dplacement des
lectrons lis). Lexpression de la densit de courant de trous est alors la suivante en se rappelant
que les trous se dplacent dans le mme sens que le champ lectrique :
r r
j p = qp p.E (71)
Ces deux densits de courant sont en fait des courants de drive dans le champ lectrique. Dans
certains ouvrages, ces densits de courant sont appeles courant de conduction, ce qui est un
plonasme et une terminologie non approprie pour traduire le phnomne. Nous verrons dans ce
chapitre que dautres phnomnes permettent la conduction.
r r
Il peut tre not que nous retrouvons la loi dOhm, j =.E pour chacun des deux types de
porteur. est la conductivit.
On peut donc dfinir une conductivit pour les lectrons, n, et une conductivit pour les trous,
p, comme suit :
n = qnn p = qp p

Puisque la mobilit est lie au libre

parcourt sans choc, il est vident que toute 104
mobilit (cm2/Vs)
perturbation du rseau cristallin va entraner 300K
une modification de la mobilit. Tout n Silicium
particulirement, lajout datomes dopants 103
cre des distorsions dans le cristal et affecte la
p
mobilit qui diminue lorsque le niveau de
dopage augmente. La figure 43 montre la
102
variation des mobilits des lectrons et des 1014 1015 1016 1017 1018 1019
trous en fonction du niveau de concentration concentration dimpurets (cm-3)
dimpuret ou de dopage, dans le silicium. Figure 43 : Variation de la mobilit des lectrons et des
trous dans le silicium 300K en fonction de la
Notons que cest la quantit totale datomes concentration dimpurets ou de dopants. La mobilit
dopants qui intervient et non pas le dopage dcrot avec le niveau de dopage. Notons que cest la
concentration totale dimpurets dans le cristal qui doit
effectif (aprs compensation ventuelle). intervenir en pratique (daprs Beadle, Plummer, and
Dans un cristal de silicium quasi-pur, 300K, Tsai).
la mobilit des lectrons est de 1.350 cm2/Vs

et la mobilit des trous de 480 cm2/Vs.
2) Densit totale de courant de drive dans un champ lectrique. Rsistivit
Lapplication dun champ lectrique au semiconducteur induit la conduction des deux types de
porteurs, simultanment. Les lectrons se dplacent au niveau de la bande de conduction, les trous
(et donc les lectrons lis) au niveau de la bande de valence La densit de courant totale est donc la
somme des deux densits de courant.
r r r
jdr = jn + j p
r r r
jdr = qn n E + qp p E
r r r
jdr = qn n + qp p E = E (72)

Puisque = 1 , la rsistivit du matriau sexprime par :

= 1 (73)
q(nn + p p )
Cette mobilit dpend trs fortement de la concentration de dopant puisque celle-ci varie jusqu
6 ordres de grandeur. Les mobilits, quant elles, bien que dpendantes du niveau de dopage,
seront donc beaucoup moins influentes sur lamplitude de variation de la rsistivit.
Exemples numriques :
Pour du silicium intrinsque, n = 1.350cm2/Vs, p = 480cm2/Vs, ni = n = p = 1,5.1010cm-3, alors
= 2,9.10-6 -1.cm-1 et = 3,4.105 .cm
Pour du silicium dop, n = ND = 1018 cm-3, pno = 2,2.102 cm-3, n = 280cm2/V.s, p = 90cm2/V.s,
alors = 48 -1.cm-1 et = 2,2.10-2 .cm

Il peut tre not, que mme pour des trs forts dopages, la rsistivit du semiconducteur, bien
quayant fortement diminu, reste trs suprieure celle dun mtal dont lordre de grandeur est le
.cm.
La figure 44 montre la variation de la

rsistivit en fonction du niveau de dopage. 104
rsistivit (.cm)
Lcart la linarit en chelle logarithmique 300K
10-2
est due la variation des mobilits en type-p Silicium
fonction du niveau de dopage. Lorsque le 100 type-n
dopage atteint le niveau 1016 cm-3, la
probabilit dune interaction avec un atome 10-2
dopant durant le libre parcourt moyen
10-4
augmente fortement ; en effet, ces niveaux, 1012 1014 1016 1018 1020
on trouve un atome dopant peu prs tous les concentration de dopants (cm-3)
100 atomes du rseau soit autour de 200 , Figure 44 : variation de la rsistivit en fonction du
niveau de dopage pour le silicium 300K. La non-
qui est lordre de grandeur du libre parcourt linarit en chelle logarithmique est due la
moyen. modification des mobilits lorsque le dopage atteint
1016 cm-3 (daprs Beadle, Plummer, and Tsai).
II Diffusion des porteurs

1) Loi de Fick. Coefficient de diffusion
Le phnomne de diffusion dans son sens le plus gnral, est un phnomne
thermodynamique rsultant de laccroissement de lentropie ; ceci signifie que la nature tend
toujours vers la dsorganisation maximale, globalement. Si nous considrons des porteurs de
charges, leur mouvement seffectuera dans une direction qui tendance uniformiser leur
distribution spatiale ; ce phnomne est quivalent celui de lquilibre de la pression dun gaz
dans un enceinte, par exemple. La loi de Fick traduit cette tendance ; cette loi scrit dans un repre
mono-dimensionnel correspondant la direction de ltalement par :
Loi de Fick F = D dC (74) C
dx
F, est le flux de lespce considre,
C, la concentration de lespce,
mouvement
D, coefficient de proportionnalit aussi appel dC
coefficient de diffusion, dC/dx
ce qui snonce par : le flux est proportionnel
au gradient de concentration. Le signe dx x
moins vient du fait que pour quil y ait
Figure 45 : Mouvement des espces dans le cas dun
talement, le gradient doit tre ngatif, gradient de concentration. La tendance est toujours
ltalement maximal, cest--dire la disparition du
comme cela est indiqu sur la figure 45. gradient de concentration.
O. Bonnaud, Physique des Composants et Dispositifs, fvrier 2003 58

Cette loi est trs gnrale et sapplique aussi bien aux lectrons et trous quaux atomes ou aux
ions (cf. cours de technologie microlectronique intgre, O. Bonnaud)
2) Densits de courant de diffusion

En considrant macroscopiquement la diffusion des lectrons et des trous, leur dplacement est
quivalent un courant. Nous pouvons ainsi exprimer les densits de courant des lectrons et des
trous en multipliant le flux des porteurs par la charge lmentaire, ngative pour les lectrons et
positive pour les trous.
a) Cas des lectrons : n jn

La figure 46 met en vidence le
dplacement des lectrons par diffusion. mouvement
F = 1 J des lectrons
q dn
La densit de courant sexprime par : dn/dx <0
jn = + qDn dn (75)
dx dx x
Dn est le coefficient de diffusion des Figure 46 : Mouvement des lectrons par mcanisme de
lectrons. Ce coefficient est positif. Par diffusion. La densit de courant est de sens oppos
celui des lectrons.
convention, la densit de courant est de sens
oppos au dplacement des lectrons.
Les lectrons se dplaant vers les x positifs, la charge tant ngative, et le gradient de
concentration tant ngatif, la densit de courant est ngative.
b) Cas des trous :

La figure 47 met en vidence le dplacement des trous par diffusion. La densit de courant
sexprime par :
j p = qDp
dp
(76) p jp
dx
Dp est le coefficient de diffusion des trous.
mouvement
Ce coefficient est positif. Par convention, la
des trous
densit de courant est de mme sens que celui dp
du dplacement des trous. Les trous se dp/dx <0
dplaant vers les x positifs, le gradient de
concentration tant ngatif, et la charge tant dx x
positive, la densit de courant rsultante est
Figure 47 : Mouvement des trous par mcanisme de
positive. diffusion. La densit de courant de trous est dans le
mme sens que celui du dplacement des trous.
Les coefficients de diffusion, Dn et Dp, sexpriment en gnral en cm2/s. Dans ces units, elles
sont de lordre de grandeur de lunit, Dn tant toujours un peu suprieur Dp. Nous expliquerons
ce rsultat plus loin dans ce chapitre.

III Densits de courant totales dans un semiconducteur

Nous avons vu que dans un semiconducteur nous pouvions avoir des courants de drive
dlectrons et de trous et que la diffusion concernait aussi ces deux types de porteurs. Nous
pouvons ainsi exprimer, dans un modle unidimensionnel, la densit de courant totale dlectrons,
la densit de courant totale de trous et la densit de courant totale (incluant les deux types de
porteurs de charge).
jn = + qDn dn + qnn.E (77)

dx
dp
j p = qDp + qp p.E (78)
dx
j = jn + j p (79)
Remarques : ces quations restent valables tant que le matriau semiconducteur reste homogne, et
la temprature constante travers la structure. Elles sont modifies quand le dopage, le gap ou la
temprature varient. Le modle est ici unidimensionnel ; il permet des calculs analytiques pas trop
complexes. Il est bien videmment possible de crer un gradient vectoriel.
IV Relation dEinstein
Il sagit dtablir une relation entre le coefficient de diffusion des porteurs et leur mobilit. Cette
corrlation est intuitive puisque les phnomnes ont une origine commune, la fois thermique et
statistique.
A lquilibre thermodynamique, le courant total, pour un type de porteur, est obligatoirement nul
(sinon nous pourrions crer du courant sans fournir dnergie !). Considrons le courant total
dlectrons exprim par la relation (77) :
jn = + qDn dn + qnn.E = 0 dn = n .dx

dx n Dn
.dx est homogne un potentiel lectrostatique, que nous appellerons d, qui est en fait interne
au matriau et "appliqu" sur llment de longueur dx.
d = .dx dn = n d
n Dn
Par ailleurs, partir de lexpression de la concentration en lectron en fonction de la position du
niveau de Fermi (formule (43)), nous pouvons dduire dn/n par drivation logarithmique. A
lquilibre thermodynamique, EF est constant par dfinition, la variation se retrouve donc porte par
EC, comme cela est indiqu sur la figure 48.

E E B.C.
n= NC exp C F dn = 1 dEC EC(x)
kT n kT d

dx
La variation de EC, est directement relie EF
la variation du potentiel lectrostatique
x
(lnergie est le produit de la charge par le
EV(x)
potentiel). B.V.
Nous obtenons ainsi :
q
dEC = qd dn = d Figure 48 : Variation de potentiel dans le matriau. Le
n kT
niveau d Fermi tant constant lquilibre
thermodynamique, toute la variation se retrouve au
niveau des bandes de valence et de conduction. Du
point de vue schmatique, les bandes sont "inclines".
Des deux expressions de dn/n, nous dduisons alors aisment la relation dEinstein :
Dn = kT
n q
On peut appliquer, par analogie, strictement le mme raisonnement pour la densit de courant de
trous, et retrouver la mme formule entre Dp et p.
Dp
Relation dEinstein : Dn = = kT = VT (80)
n p q
VT est le potentiel thermodynamique.
V Equations de continuit
Dans un semiconducteur, hors quilibre thermodynamique, nous pouvons dterminer dans un
modle unidimensionnel, en un point, le taux de variation de la concentration des porteurs
(lectrons et trous) en fonction du temps.
Dans llment de volume dpaisseur dx,
reprsent figure 49, si le flux entrant F(x) est
suprieur au flux sortant F(x+dx), la F(x) F(x+dx)
concentration de porteurs augmente (le
niveau monte dans le rservoir si lapport par
le robinet est suprieur au dbit de la bonde dx
de sortie !). De plus, dans cet lment de
Figure 49 : Principe de variation de concentration dans
volume, il est possible de gnrer des paires un lment de volume dcrivant lquation de
de porteurs par des photons, de taux de continuit.
gnration GL.ou den faire disparatre sur
place par recombinaison, de taux U.
Cest lquivalent de la pluie et de lvaporation, respectivement, quand nous considrons un
rservoir. Ainsi, lexpression gnrale de la variation de flux dune espce donne est la suivante :

t dx
( )
C = dF + GL U (81)
variation de variation gnration taux de

concentration de flux recombinaison
Sachant que pour les lectrons, Jn = -qFn et que pour les trous, Jp = +qFp, on en dduit les
quations de continuit pour les lectrons et pour les trous en remplaant U par son expression en
fonction de n pour les lectrons et p pour les trous :
t
( )
n = + 1 dJ n + GL n n po
q dx n
p p pno
= 1 dJ p + GL
t q dx p
En remplaant Jn et Jp par leurs expressions, nous obtenons :
Equation de continuit pour les lectrons
2
n = + Dn n + n (n ) + GL n n po (82)
t x 2 x n
Equation de continuit pour les trous

2
p p p pno
= + D p 2 p ( p ) + GL (83)
t x x p
Lintgration de ces quations diffrentielles permet de dterminer en tout point et en fonction

du temps la concentration des porteurs dans le matriau ou le dispositif tudi. Il est clair que pour
avoir des solutions simples et analytiques, il faudra chercher simplifier au maximum ces
expressions par la suppression de termes. La recherche de simplifications constituera la difficult
principale dans la suite, et une analyse srieuse sera ncessaire avant daborder tout calcul. Dans les
dispositifs, nous travaillerons essentiellement en rgime stationnaire.
VI Equation de Poisson
Dans un semiconducteur, lquation de Poisson, issue des quations de Maxwell, reste bien
videmment valable. Nous nous limiterons au modle unidimensionnel :
2
concentration de
V charge en C/cm3
= (84)
x 2 r o
permittivit du
Laplacien
en V/cm2 semiconducteur en F/cm
Dans cette quation, est une concentration de charges totales, exprime en coulomb par
centimtre cube. Dans un semiconducteur, dop par les deux types de dopant, la concentration de
charge totale tient compte des porteurs libres et des atomes ou impurets ioniss :
= q(p n + ND+ - NA-) (85)

Dans de nombreux cas, pour aboutir une solution analytique, il faudra simplifier cette
expression en comparant les diffrentes concentrations.
Remarque : Des charges dues des piges peuvent tre incorpores dans cette quation. Dans le cas de piges
lectrons, ils sont neutres ou chargs ngativement lorsquils sont actifs ; les piges trous seront quant eux neutres
ou chargs positivement.
VII Densits de courant gnralises

Le flux de charge peut tre exprim de la faon la plus gnrale possible partir du gradient du
niveau de Fermi. Hors quilibre thermodynamique, on peut dfinir un pseudo-niveau de Fermi pour
les lectrons et pour les trous, ce qui signifie que les lectrons sont en quilibre entre eux, les trous
aussi ( condition de considrer des temps suprieurs au temps de relaxation du matriau qui est de
lordre de la fraction de pico-seconde), mais un dsquilibre peut exister entre les deux
populations ; ceci se produira dans les dispositifs en conduction par exemple. Ces pseudo-niveaux
de Fermi sont dfinis trs simplement partir des quations (5) et (7), sachant que le produit p.n.
nest plus forcment gal ni2 :
E E EFp EV
n= NC exp C Fn p = NV exp
kT kT

Dans un modle unidimensionnel, les densits de courant sexpriment alors sous la forme :
jn = n.n. dEFn (86)

dx
dEFp
j p = p.p. (87)
dx
Il faut remarquer dans ces quations, que le courant est directement proportionnel la mobilit,
la concentration de porteurs mis en jeu, et au gradient de potentiel de Fermi. Ce gradient tient
compte la fois dune possible variation du potentiel lectrostatique crant un champ lectrique
(composante de conduction), mais aussi dun gradient de concentration (composante de drive).
Lavantage de cette formulation est importante pour traiter les semiconducteurs non homognes, les
htro-jonctions, super-rseaux, etc.qui ne pourront pas tre tudier de faon approfondie dans le
cadre de ce cours.
Il faut remarquer, qu lquilibre thermodynamique EFn = EFp, ce qui signifie que les deux
populations sont en quilibre entre elles.
Les quations prsentes dans ce chapitre vont tre toutes mises en uvre pour traiter les
composants de base que sont les diodes et les transistors bipolaires et effet de champ. Comme
nous lavons dj annonc, il sagira de simplifier au maximum leur rsolution et la connaissance
des ordres de grandeurs des diffrentes composantes constituera une approche nouvelle et
ncessaire mais pas toujours facile mettre en uvre.


Chapitre 6 : Jonction pn Diodes jonctions
CHAPITRE VI
JONCTION PN DIODES A JONCTION
I Constitution
1) Ralisation physique et dfinitions
La jonction PN est physiquement la juxtaposition de deux rgions dopes diffremment dans un
mme cristal semiconducteur. La zone frontire de passage de la rgion de type n la rgion de
type p sappelle la jonction mtallurgique. Lorsque le matriau semiconducteur est le mme pour
les deux zones dopes diffremment, par exemple du silicium, cette jonction est appele
homojonction. Quand les matriaux sont diffrents, cest le cas dans des composants base de
composs semiconducteur III-V, on parle dhtrojonction. Dans ce dernier cas, il faut une
compatibilit des rseaux cristallins, paramtres de maille voisins, pour considrer quil y ait
continuit du cristal. Nous nous limiterons dans le cadre de ce cours aux homojonctions.
On supposera dans ce qui suit que : monocristal

- les dopages sont constants de part et ND+ e- e-
+
-
-
h+ NA
+ h+
dautre,
+ -
n e- -
- la transition du type n au type p est +
h+
p
brutale, h+
+
e- e- -
+ h+
- il ny a pas de rupture du rseau -
e-
cristallin ; nous dfinirons dans ce cas
une jonction dite abrupte (variation de Jonction mtallurgique
profil abrupte), les profils tant de
Figure 50 : Structure schmatique dune jonction pn.
plus constants dans chacune des La jonction mtallurgique est la zone frontire entre les
deux types de dopage raliss en pratique dans un
zones. La figure 50 montre un schma mme cristal.
simplifi dune telle structure.
Bien videmment cette hypothse est simplificatrice et permettra de mener des calculs
analytiques pas trop compliqus.
Nous retrouvons dans notre structure les quatre types de charges que sont les lectrons et les
trous ainsi que les atomes dopants ioniss accepteurs et donneurs.
Nous pourrons considrer un modle unidimensionnel pour dterminer les grandeurs physiques
et lectriques, laxe dtude tant perpendiculaire la jonction physique, cest--dire la jonction
mtallurgique. La jonction a donc une surface indtermine dans les calculs.
2) Concentrations et types de porteurs dans la jonction

Nous considrons la jonction abrupte et donc les concentrations constantes de part et dautre de
la jonction mtallurgique. ND est la concentration de dopant dans la zone n, NA, la concentration de
dopant de la zone p. Nous avons vu prcdemment que dans des conditions normales de

fonctionnement, autour de la temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss et que les
concentrations des porteurs libres dans les zones dopes de type affirm (vraiment n ou vraiment p),
taient quasiment gales aux concentrations des atomes dopants ioniss.
Ainsi, lquilibre thermodynamique,
Rgion n : les lectrons sont les porteurs majoritaires, nno = ND,
les trous sont les porteurs minoritaires, pno = ni2/ND,
les dopants sont ioniss positivement,
Rgion p : les trous sont les porteurs majoritaires, ppo = NA,
les lectrons sont les porteurs minoritaires, npo = ni2/NA,
les dopants sont ioniss ngativement.
n monocristal p
La figure 51 fait apparatre ces n=ND p=NA
concentrations, au moment de la mise en e- e- e- e- e-
h+ h+ h+ h+
+ + + + + h+
contact fictive et met en vidence quune - - - - -
analyse approfondie doit tre effectue au n=ni2/NA
p=ni2/ND
niveau de la jonction mtallurgique. h+ e-
Nous allons analyser dans un premier

temps leffet de la prsence de charges de Jonction mtallurgique
signe oppos au niveau de la jonction Figure 51 : Charges en prsence dans la jonction pn.
mtallurgique, lquilibre thermodyna- Les lectrons sont majoritaires en zone n et minoritaires
en zone p. Les trous sont majoritaires en zone p et
mique, cest--dire sans aucune application minoritaires en zone n
dun champ lectrique extrieur.
Nous dirons dans ce cas que la jonction nest pas polarise.
II Etude de la jonction pn lquilibre thermodynamique

1) Mouvement de charges au contact
En adoptant le modle abrupt, la juxtaposition de deux zones dopes diffremment entranerait
un phnomne de diffusion infini puisque le gradient des concentrations de porteurs serait infini. La
structure va voluer instantanment vers une situation acceptable physiquement. Il y a donc
obligatoirement un phnomne de diffusion des porteurs depuis les zones o ils sont majoritaires
vers les zones o ils sont minoritaires, le rapport tant immense, cest--dire dpart des lectrons de
la rgion n vers la rgion p et rciproquement pour les trous. Mais tout dpart des porteurs libres
entrane une modification de charge locale puisque les ions qui ont engendr ces porteurs sont fixes
dans le cristal temprature ambiante. Dans la zone de contact, les lectrons vont laisser derrire
eux des ions positifs alors que les trous des ions ngatifs, comme reprsent sur la figure 52. Ces
charges non compenses de part et dautre de la jonction crent deux rgions spatialement
charges et simultanment un champ lectrique orient depuis la rgion n vers la rgion p,
obligatoirement. Cette zone, sappelle zone de charge despace de la jonction ou zone de
transition. Nous crons de la sorte un champ lectrique qui va avoir tendance renvoyer les
lectrons de la zone p vers la zone n et les trous de la zone n vers la zone p. Trs rapidement, le

systme va tendre vers un quilibre entre le phnomne de diffusion et le phnomne de drive. Si

cela ntait pas le cas, il serait possible de crer un courant sans apport dnergie, et cela serait
exploit depuis longtemps !
n monocristal p
+ +
e- e- e- - h+ - h+
+ + + - h+
e-
e- - h+ e-
+ + +
e- - -
e- + + h+
+ h+ -
h+ - h+
e- + e- h+
+ -
e- - h+ -
e-
Figure 52 : Mouvement des charges au niveau de la jonction. Les lectrons trs nombreux
en zone n diffusent vers la zone p ou ils sont minoritaires. Les trous de la zone p diffusent
vers la zone n. Les ions immobiles de part et dautre de la jonction ne sont plus compenss
lectriquement par les porteurs libres. Ils crent une zone de charge despace.
En supposant que dans la zone de charge despace, la concentration de porteurs libres est
ngligeable devant la concentration des atomes dopants ioniss, et en appelant xn et xp les abscisses
des limites auxquelles on retrouve le matriau neutre (type n cot n et type p cot p), la neutralit
globale de la structure permet dcrire :
Q+ = q.S.ND+.xn
Q- = -q.S.NA-.xp
en appelant S, la surface de la jonction tudie,
Q+, la charge totale de la zone de charge despace cot n,
Q-, la charge totale de la zone de charge despace cot p,
Comme la charge totale est nulle, Q+ + Q- = 0
cest--dire que :
N D.xn = N A.x p (88)

Cette relation fait apparatre clairement que lextension de la zone de charge despace de part et
dautre de la jonction mtallurgique est dans le rapport inverse des concentrations de dopants.
Ainsi, si la jonction est dissymtrique (dopages de niveau diffrent), ce qui est trs frquent dans les
dispositifs, la zone de charge despace stend principalement du cot le moins dop.
A lquilibre thermodynamique, le courant total pour chaque type de porteur est nul. Les
relations (88) et (89) donnent :
jn = + qDn dn + qn n.E = 0 (89)
dx
dp
j p = qDp + qp p.E = 0 (90)
dx
Pour chaque type de porteur, la composante de diffusion compense la composante de drive.
Rappelons aussi quen limite de zone de charge despace, la concentration des lectrons du cot
n, nno, est gale ND, et que la concentration du cot p, npo, est gale ni2/NA. Par analogie, nous
dduisons facilement les concentrations des trous aux limites.

2) Tension de contact ou tension de diffusion

Des formules (89) et (90), en considrant soit les lectrons, soit les trous, on peut dduire la
variation du potentiel induit correspondant lintgrale du champ lectrique dans la zone de charge
despace.
Dn dn = n n.E dn =
dx n
n
Dn
(.dx ) =
n
Dn
.dV
n po
n2
V = VT [ln n]
(p) dn n po
ZCE dV = Dn
n (n) n nno = VT ln
nno
= VT ln i 1
N A ND
V = VT ln N A.2N D
ni
La tension calcule, est la tension de diffusion ou tension de contact, non mesurable
extrieurement, que lon donne habituellement sous la forme de sa valeur absolue (ne dpend donc
pas de lorientation choisie pour laxe des x). Cette tension est toujours oriente de la zone n vers la
zone p. Dans le cas de notre calcul, le signe ngatif provient du choix de lorientation initiale de la
zone n vers la zone p.
VD = Vbio = VT ln N A.2N D (91)

ni
Nous pouvons dduire bien videmment la mme tension de diffusion en partant du calcul du
courant de trous.
Remarque : compte tenu des ordres de grandeurs de ni, NA, ND, et sachant que VT est gal 26 mV 300K, cette tension
est comprise en 0,7V et 1,1V dans le silicium. La notation Vbio vient de langlais built-in potential .
3) Diagramme dnergie
Lanalyse du diagramme dnergie est en pratique un lment trs pratique et trs puissant pour
comprendre ou prdire le fonctionnement dun dispositif. Nous verrons ceci plus particulirement
dans ltude des transistors.
E p
n
EC
EC- EF qVD
EC
EF
EV
Eg
qVD EF- EV
EV
Figure 53 : Diagramme dnergie de la jonction lquilibre thermodynamique. Lcart

nergtique entre les deux zones, ou hauteur de barrire, est gal la tension de contact
multiplie par la charge lmentaire. Cette hauteur de barrire dans ce cas simple
(homojonction) est identique pour les lectrons et pour les trous.

A lquilibre thermodynamique, le niveau de Fermi est toujours constant ou plat. Cest donc EF
la premire grandeur tracer et qui va servir de rfrence pour les autres niveaux (Figure 53).
Lcart entre les bandes de conduction et de valence reste dans notre modle en permanence gal
au gap. Il suffit donc de tracer la variation de EC travers la structure pour en dduire EV, par
exemple. Puisque nous avons vu quil existait une diffrence de potentiel lquilibre
thermodynamique, lcart entre la position de la bande de conduction de part et dautre (et donc de
la bande de valence) est gal qVD.
Le diagramme de la figure 28 fait apparatre la hauteur de barrire dnergie pour les deux types
de porteurs, qui correspond qVD et qui devront tre franchies par les porteurs.
Intuitivement, si lon souhaite crer un rgime de conduction, il faudra abaisser la barrire
dnergie pour chacun des types de porteur.
4) Champ lectrique et dimension de la zone de charge despace

Nous pouvons dterminer en tout point de la zone de charge despace le champ lectrique en
intgrant lquation de Poisson dans un modle unidimensionnel.

2
V
=
x2 r o
r r
comme = gradV = dV
dx
d q
= = p n + N D NA
dx r o r o

Pour intgrer cette quation diffrentielle, nous allons nous placer successivement du cot n et
du cot p dans la zone de charge despace. A la limite de cette zone, la neutralit tant assure, le
champ lectrique est nul (pas de champ extrieur).
Comme reprsent sur la figure 54, nous
supposons que dans la zone de charge n p
+qND
despace cot n, ne subsistent que les charges
apportes par les ions donneurs, toutes les Q+
autres tant ngligeables, et que du cot p, ne xp
subsistent que les ions accepteurs. Ceci ne -xn 0 x
Q-
peut tre quune approximation, puisquil ny -qNA
a pas de gradient infini de concentration de
porteurs libres et quen limite de zone de Figure 54 : Charges de la zone de charge despace. La
charge despace le passage se fait neutralit lectrique globale est respecte, les charges
en vis--vis tant de mme valeur absolue mais de signe
progressivement. oppos.
Nous verrons plus tard que cette transition se fait suivant une loi exponentielle, et quaprs calcul
complet et complexe, cette approximation est tout fait acceptable. Cette approximation sappelle
lapproximation de Schockley.
La figure 54 fait apparatre la rpartition des charges dans la zone de charge despace appele
aussi zone dserte.

d qN D qN D
Cot n : = = + (x) = + x+cte
dx r o r o r o
puisque (-xn) = 0
(x) = +
qN D
r o
(x+ xn ) (92)
d qN A qN A
Cot p : = = (x) = x+cte
dx r o r o r o
puisque (+xp) = 0
(x) =
qN A
r o
(x x )
p (93)
n p
A partir du profil de charge de la figure 54,
qNDxn/ max qN x /
la figure 55 montre la variation du champ A p
lectrique qui, dans ce cas simplifi, varie

linairement dans chacune des deux zones.
En x = 0, la jonction mtallurgique, le
champ lectrique est maximal. -xn 0 xp x
qN A x p qN D xn
(0) = (0) = Figure 55 : Variation du champ lectrique dans la zone
r o r o de charge despace de la jonction pn. Le champ est
maximum la jonction mtallurgique.
Comme NA.xp = ND.xn, les deux valeurs calcules sont gales :

qN D xn qN A x p
max = = (94)
r o r o
Lintgrale du champ lectrique correspond une diffrence de potentiel qui est en fait la tension
de diffusion, VD.
+xp
VD = .dx
xn
Ainsi, partir des quations (22) et (93), nous obtenons :
qN D x2 0 qN A x 2 xp
VD = xn. x + + x p. x
r o 2 xn r o 2 0

qN D xn2 qN A x p 2
VD = + avec NA.xp = ND.xn
r o 2 r o 2
qN D 2 x qN A 2
VD = xn 1 + p = x p 1 + xn
2 r o xn 2 r o xp

On en dduit aisment :
xp = 2 r o 1 VD
qN A
1 + NA
ND
xn = 2 r o 1 VD
qN D N
1+ D
NA

Lextension de la zone de charge despace totale, W, est gale la somme des deux zones en vis-
-vis. W peut tre exprim en fonction de xp et des dopages :

W = x p + xn = x p 1 + xn = x p 1 + N D
xp NA
W = 2 r o N A + N D V D (95)
q N A.N D
Si ND >> NA, xn << xp, alors :
W = 2 r o 1 V D avec W xp et xn W. N A (96)
q NA ND
Ces expressions (56) ci-dessus, montrent quil est possible de faire une valuation rapide de
lextension de la zone de charge despace en ne considrant que la zone la moins dope. Lerreur
est simplement dans le rapport des concentrations de dopants (par exemple 1%). Une valuation
rapide montre quen fonction du niveau de dopage qui varie entre 1014 et 1020 cm-3, W varie
lquilibre thermodynamique entre une centaine dAngstrm et quelques microns.
Notons que si une tension, Vapp, est applique aux bornes de la jonction, la tension aux bornes de
la zone de charge despace devient la somme algbrique de la tension applique et de la tension de
diffusion, VD + Vapp. Pour connatre la nouvelle extension de la zone de charge despace, il suffit
alors de remplacer dans les expressions (95) ou (96) |VD| par |VD| - Vapp, sachant que Vapp sera
ngatif si lon applique une tension positive sur la zone n et ngative sur la zone p (tendance
augmenter le champ lectrique).
III Etude de la jonction pn polarise

1) Analyse physique du problme
Lapplication dune diffrence de potentiel sur les contacts aux extrmits des couches n et p, va
se reporter au niveau de la zone de charge despace qui stend de part et dautre de la jonction
mtallurgique, la conduction des zones dopes tant suffisante. En dautres termes, cela signifie que
les couches quasi-neutres n et p se comportent comme des quipotentielles. Cela sera vrai tant que
la densit totale de courant draine restera "faible" vis--vis de la rsistance des couches. Autrement
dit, tant que la chute de potentiel dans les couches quasi-neutres reste ngligeable vis--vis de la
tension applique.
Si la diffrence de potentiel applique a tendance diminuer le champ lectrique existant
lquilibre thermodynamique, elle facilitera le phnomne de diffusion aux dpens du phnomne
de drive dans le champ lectrique. Le gradient de concentration de part et dautre de la zone de
charge despace est alors important et le courant de diffusion correspondant peut tre important.
Une autre faon de prsenter le phnomne consiste considrer que la barrire de potentiel est
abaisse celle-ci sopposant moins au transfert des porteurs par diffusion.
Dans le cas o la diffrence de potentiel aurait tendance augmenter le champ lectrique, le
phnomne de diffusion est dfavoris aux dpens du phnomne de drive dans le champ

lectrique. Mais le champ lectrique, mme de trs grande amplitude, ne draine que des porteurs
minoritaires depuis les couches quasi-neutres (lectrons dans la zone p et trous dans la zone n), qui
sont comme nous lavons vu prcdemment en quantit extrmement plus faible que celle des
majoritaires. Les densits de courants rsultant ne pourront donc qutre trs faibles, toute autre
considration mise part.
En conclusion :
- une diminution du champ lectrique par application dune tension positive sur la zone p,
peut crer un courant important : la jonction est polarise en direct
- une augmentation du champ lectrique par application dune tension positive sur la zone n,
ne cre quun trs faible courant :la jonction est polarise en inverse.
2) Polarisation directe et inverse

De lanalyse prcdente, nous pouvons reprsenter sur la figure 56 les conditions de polarisation
directe : pour la polarisation inverse, il suffit dinverser le sens du gnrateur continue.
initial
appliqu
n p
- +
VF
Figure 56 : Polarisation directe de la jonction pn. Une tension positive est applique sur la
zone p. Le champ interne la jonction est alors diminu. Le courant peut devenir important
en raison de la possibilit de diffusion des porteurs.
Polarisation directe : borne + sur la zone p,

borne sur la zone n,
le champ lectrique appliqu diminue le champ interne initial,
moyen mnmotechnique : positif sur p, ngatif sur n
Polarisation inverse : borne - sur la zone p,
borne + sur la zone n,
le champ lectrique appliqu augmente le champ interne initial.
3) Profils de concentrations des porteurs dans les zones quasi-neutres Densits de

courant
A lquilibre thermodynamique, nous avons vu que les concentrations des porteurs dans chacune
des deux zones taient :
n2 cot p : p po N A ; n po ni
2
cot n : nno N D ; pno i
ND NA

a) Approximation de Boltzmann
Si nous polarisons en direct la jonction, nous favorisons le phnomne de diffusion et donc,
intuitivement, nous augmentons la concentration de porteurs de part et dautre de la jonction. En
effet, un transit important de porteurs impose une augmentation de niveau (telle une rivire au pied
dun barrage lorsque le dbit de celui-ci augmente). Laugmentation ne sera prpondrante que pour
les porteurs minoritaires, la variation de la concentration des porteurs majoritaires ne pouvant tre
que ngligeable dans un rgime de fonctionnement normal (le niveau suprieur du barrage nest pas
modifi sensiblement lorsque les turbines fonctionnent).
Le problme va consister valuer les concentrations de porteurs minoritaires en limite de zone
de charge despace, sous polarisation. Pour cela, nous allons de nouveau partir des quations des
densits de courant (89) et (90) valables lquilibre thermodynamique.
jn = + qDn dn + qn n.E = 0 (89)
dx
dp
j p = qDp + qp p.E = 0 (90)
dx
Analysons par exemple les deux termes intervenant dans lquation de la densit de courant
dlectrons en effectuant une valuation numrique simplifie.
J ndiff = + qDn dn et J ndr = qn n.E
dx
Il suffit de calculer lun des deux termes. Supposons la jonction en silicium telle que :
NA = 1017 cm-3, ND = 1019 cm-3, Dn = 10 cm2/s,
n = 260cm2/Vs, ni2 = 2.1020 cm-6, r = 10-12 F/cm
On dduit des diffrentes relations : VD = 0,96V, W = 0,11m, max = 1,6.104 V/cm.
En supposant que le gradient de concentration soit le gradient moyen entre xn et + xp :
dn/dx # n/x = (ND-npo)/W
mais (ND-npo)/W # ND/W = 10 /1,1.10-5 = 9.1023 cm-4
19
dans ces conditions :

Jndiff = 1,5.106 A/cm2 = Jnder
Nous constatons ainsi que les composantes de diffusion et de drive, qui sont antagonistes,
sont normes. Un trs lger dsquilibre entre les deux composantes peut entraner un courant
rsultant important travers la structure. Nous pouvons alors faire une approximation qui est
appele approximation de Boltzmann :
Le courant rsultant reste ngligeable devant les composantes de chacun des courants de
porteurs en rgime de conduction.
Mme sous polarisation les quations (89) et (90) restent ainsi valables :
jn = + qDn dn + qn n.E 0 (97)

dx
En conduction
dp
j p = qDp + qp p.E 0 (98)
dx

b) Concentrations dans les zones quasi-neutres

Des quations (97) et (98), nous pouvons calculer la diffrence de potentiel aux bornes de la
zone de charge despace.
(p)
Dn dn = .dx
n n .dx = VT dn
n
ZCE (n)
avec VT, potentiel thermodynamique : VT = kT VT est gale 26mV 300K.

q
Lintgrale du champ lectrique sur la zone de charge despace est gale la diffrence de
potentiel |VD| - Vapp. En appelant VF, la tension directe applique,
[ ]
n p(0)
VD VF = VT ln dn N D
n
en appelant np(0), la concentration des lectrons en limite de zone de charge despace du cot p
(cela revient dcaler lorigine de laxe des abscisses en x = xp).
n p(0)
VD VF = VT ln et compte tenu de la relation (91) VD = VT ln N D
ND n po
n p(0) = n po exp VF (99)

VT
De faon analogue, nous pouvons dterminer la concentration de trous en limite de zone de
charge despace du cot n :
pn(0) = pno exp VF (100)

VT
La figure 57 montre la situation au niveau de concentrations des porteurs majoritaires et
minoritaires.
n p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
x expVF/VT
x expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
Jonction mtallurgique
Figure 57 : Porteurs majoritaires et minoritaires dans la jonction pn sous polarisation
directe. Les concentrations des porteurs minoritaires de lquilibre thermodynamique ont t
multiplies par exp(VF/VT) aux limites de la zone de charge despace.
Remarquons qu 300K, lapplication de 60mV en polarisation directe multiplie par 10 la

concentration des porteurs aux limites de la zone de charge despace. Lapplication de 600mV
multiplie ces concentrations par 1010. Ces concentrations varient donc trs fortement en fonction de
la tension applique.

Ayant dtermin les concentrations aux limites, il faut alors dterminer le profil de concentration
des porteurs dans les zones quasi-neutres. Pour y parvenir, il faut considrer les quations de
continuit pour les lectrons et pour les trous.
Dans un premier temps, nous allons simplifier lapproche en considrant les hypothses
simplificatrices suivantes :
- pas de gnration lumineuse, GL = 0,
- les recombinaisons sont ngligeables, U = 0,
- le champ lectrique est nul lextrieur de la zone de charge despace, cest--dire dans les
zones quasi-neutres, = 0,
- le rgime est stationnaire ; pas de variation en fonction du temps.
Les quations de continuit pour les lectrons et les trous, relations (82) et (83), se simplifient
fortement et deviennent :
2
n = + Dn n = 0 2 n
= 0
t x 2 x2
p p
2
2 p
= + Dp 2 = 0 = 0
t x x 2
Il faut intgrer ces deux dernires quations diffrentielles du second ordre (trs simples !). Pour
cela il faut connatre deux conditions limites pour chacune delles. Nous savons ce qui se passe en
limite de zone de charge despace, il faut donc une autre condition limite pour chacune delle.
Nous allons considrer quau niveau des contacts avec les zones quasi-neutres qui
correspondent aux connexions avec la source de polarisation, donc aux limites extrieures des zones
n et p, la concentration des porteurs minoritaires correspond celle de lquilibre
thermodynamique. Une autre faon de prsenter cette hypothse est de considrer que les contacts
mtalliques avec le semiconducteurs sont infiniment recombinants ; en dautres termes cela signifie
que si le contact est ohmique, les changes entre le mtal, qui contient une concentration de
porteurs trs suprieure au semiconducteur, et les zones n et p sont quasiment instantane.
En appelant Wn et Wp la largeur des zones quasi-neutres, respectivement, comme indiqu sur la
figure 58, nous pouvons trs rapidement intgrer les quations diffrentielles.
d 2n
Ainsi, = 0 dn = cte n(x) = ax + b (quation dune droite).
dx 2 dx
Ce segment de droite passe par deux points dj dtermins. En effectuant le changement de

variable adquat, x = 0 en x = xp, lquation de la droite devient :
n po n p(0)
n(x) = x + n p(0)
Wp
En modifiant laxe des x de faon approprie, il est possible de la mme manire de dduire le
profil de concentration des trous dans la rgion n (translation de W).
pn(0) pno
p(x) = x + pn(0)
Wn

Connaissant le profil de concentration des deux types de porteurs, il est possible den dduire les
densits de courant, puisque dans les zones quasi-neutres, la composante de drive est nulle (champ
nul) et que seule subsiste la composante de diffusion (Figure 58).
n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 58 : Profils de concentration des porteurs dans la jonction polarise en direct en
considrant les recombinaisons ngligeables dans les zones quasi-neutres. Dans une chelle
linaire, le profil de concentration est linaire. Attention, cette reprsentation est
trompeuse ! puisque pour pouvoir les reprsenter, les niveaux des concentrations sont
supposs tre en chelle logarithmique. Il y a donc superposition de deux chelles
diffrentes, lune logarithmique, lautre linaire !
c) Densits de courant injectes

Il suffit dexprimer les courants de diffusion dans chacune des deux zones comme suit :

J n = qDn dn
dx
[ ]x=0 = qDn n po n p(0) = qDn n po expVF 1 (101)
Wp Wp VT

dp p (0) pno p VF (102)
J p = qD p = q D p n = qD p no exp 1
dx x =0 Wn Wn VT

Le signe ngatif provient de lorientation de laxe des abscisses, les lectrons se dplaant vers
les x positifs, la densit de courant est oriente vers les x ngatifs. Ainsi, il est habituel de donner
les expressions des densits de courant en valeur absolue. Nous rappelons aussi que nous avons
translat les axes pour simplifier lexpression des profils de concentrations des porteurs
minoritaires.
La densit de courant totale est la somme des deux types de courants injects (les porteurs se "
croisent " dans la zone de charge despace). En appelant JF la densit de courant totale :
B B
n
po p VF
J F = J n + J p = q Dn + D p no exp 1
Wp Wn VT

expression qui peut aussi scrire sous la forme :
n2 n2
VF
J F = q Dn i + Dp i exp 1
Wp N A Wn N D V
T

en multipliant par la surface de la jonction, on obtient lexpression du courant total :
ni2 ni2
VF (103)
IF = qS Dn + Dp exp 1
WpN A W N VT
n D
ou encore
V n2 n2
avec (104)
I F = I exp F 1 I = qS Dn i + Dp i
VT Wp N A Wn N D

Ainsi, la densit de courant (ou le courant total) circulant travers la jonction pn varie
exponentiellement en fonction de la tension applique. Laspect exponentiel provient de la
variation exponentielle des concentrations injectes en limite de zone de charge despace qui
voluent comme la statistique de Boltzmann.
Nous navons fait aucune hypothse particulire sur le signe de la polarisation VF. Si VF est B B B B
ngatif, tout le raisonnement effectu reste valable, mais dans ce cas lexponentielle (dun nombre
ngatif) tend vers 0. Les concentrations en limite de zone de charge despace deviennent infrieures
aux concentrations de lquilibre thermodynamique, et les pentes tant inverses, les densits de
courant sont aussi inverses. Trs rapidement, le courant total tend vers I et lexpression (104) B B
devient :
I F = I
I est appel courant de saturation ; cest le courant inverse de la diode jonction pn sous
B B
polarisation inverse lorsque cette dernire nest pas trop leve.

La situation des profils de concentrations de porteurs correspond la figure 59.
n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
np(0)
expVF/VT
pn(0)
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 59 : Profils de concentrations des porteurs dans la jonction pn polarise en inverse.
Par rapport la polarisation directe, les pentes sont inverses. Il faut se rendre compte dans
cette reprsentation que np(0) et pn(0) sont pratiquement nuls (chelle logarithmique pour les
B B B B
valeurs de concentrations). Attention, l encore le profil linaire correspond une

reprsentation modifie des chelles.
Nous pouvons crire les quations (101) et (102) sous une autre forme qui sera utilise
notamment dans ltude du transistor bipolaire.

ni2 ni2
VF VF
J n = qDn exp 1 = q exp 1
N A.W p VT

GB
VT

ni2 ni2
VF VF
J p = qD p exp 1 = q exp 1
N D.Wn VT GE VT

GE et GB sont appels nombres de Gummel respectivement pour les rgions n et p qui
B B B B
sappelleront plus tard metteur et base.

N D.Wn N A.W p
GE = GB = (103)
Dp Dn
Ces nombres de Gummel font intervenir la quantit totale de dopant par unit de surface dans
chacune des couches quasi-neutres. Ils auront de limportance dans les proprits des transistors
bipolaires puisquils permettront de calculer trs rapidement le gain en courant du transistor.
4) Effet de la recombinaison : diode courte et diode longue

Dans les quations de continuit, nous avons considr que les recombinaisons taient
ngligeables pour mener bien le calcul prcdent. Dans le cas plus gnral, il nest pas possible
dliminer ce phnomne puisque la dure de vie des porteurs dpend fortement du niveau de
dopage des couches qui sont, pour des raisons technologiques dintgration de plus en plus
dopes !. Nous allons reprendre le calcul avec les hypothses prcdentes, champ nul, gnration
lumineuse nulle, et rgime stationnaire mais en tenant compte des recombinaisons, cest--dire U
diffrent de 0.
d 2n n n po d 2n n n po
Dn = 0 =
dx2 n dx2 Dn. n
d2p p pno d2 p p pno

Dp = 0 =
dx2 p dx2 D p. p
Dnn et Dpp au dnominateur du second terme sont homognes une longueur au carr. Nous
B B B B B B B B
dfinissons par Ln et Lp les longueurs de diffusion des lectrons et des trous respectivement dans les
B B B B
zones o ils sont minoritaires. Ainsi :
2
Ln = Dn n do Ln = Dn n (104)
2
L p = D p p do Lp = D p p (105)
Nous verrons plus tard la signification physique de ces longueurs.
Les quations diffrentielles deviennent :

d 2n n n po d 2u u
2
= 2
2
= 2
dx Ln dx Ln
d2p p pno d 2v v
= =
dx 2 Lp
2 dx 2 Lp
2
Ces quations diffrentielles sintgrent en tenant compte des deux conditions limites dj
rencontres dans la rsolution prcdente, savoir :
n p(0) = n po exp VF et np(Wp) = npo
VT
B B B B B B
pn(0) = pno exp VF et pn(-Wn) = pno

VT
B B B B B B

u = A.exp x + B.exp + x
Ln Ln
Nous obtenons une expression analogue pour v. Ces expressions se transforment aprs
remplacement de A et B et quelques manipulations par :
Wp x
sh Ln
u = n p(x) n po = n p(0) n po
sh
Wp
Ln
Wn x
sh L p
v = pn(x) pno = pn(0) pno
shWn
Lp
En tenant compte des expressions de np(0) et de pn(0) :
B B B B
Wp x
sh
n p(x) n po = n po Ln expVF 1 (106)

sh
Wp VT
Ln
Wn x
sh
pn(x) pno = pno
Lp expVF 1 (107)

shWn VT
Lp
Le profil de concentration des porteurs est donc dans le cas le plus gnral en fonction
"chanette" qui donnerait dans une chelle linaire laspect de la figure 60. Sur cette figure, le profil
reprsent est trac dans une chelle linaire, pour simplifier la reprsentation. Il faut toujours avoir
lesprit que la variation des valeurs absolues est de plusieurs dcades ; cest ce qui justifie la
combinaison des deux types dchelle.

n pn(x) np(x) p
n=ND p=NA
np(0)
pn(0)
expVF/VT
npo=ni2/NA
pno=ni2/ND
-xn +xp x
Wn Wp
Figure 60 : Profil de concentration de porteurs dans une jonction pn polarise en direct et
pour laquelle les recombinaisons interviennent dans les rgions quasi-neutres. Laspect en
chanette prsent correspond une reprsentation en chelle linaire de la variation.
A partir de ces profils de concentration, nous pouvons calculer les densits de courant de
diffusion comme prcdemment en faisant lhypothse que seule subsiste la composante de drive
pour chaque type de porteur.
J n = qDn dn
dx
[ ]x=0
J p = qD p
dp
dx x=0
n po W V
Jn = qDn coth p exp F 1 (108)
Ln Ln
VT
pno V
Jp = qD p coth Wn exp F 1 (109)
Lp Lp
VT
Expressions qui peuvent tre crites en faisant apparatre les nombres de Gummel GE et GB. B B B B
n2 V
N .Ln Wp
J n = q i exp F 1 GB = A th (110)
GB VT Dn Ln

n2 V
N D.Lp Wn
J p = q i exp F 1 GE = th (111)
GE VT Dp Lp

Pour les relations (108) (111) deux cas limite peuvent se prsenter :
- la longueur de diffusion est grande devant les dimensions de la zone considre,
- la longueur de diffusion est petite devant les dimensions de la zone considre.
Il faut noter que les lois sont exponentielles ; la notion de grand et petit dans ce cas signifie
quun rapport 3 5 dans un sens ou dans lautre est suffisant !

a) Longueur de diffusion grande hypothse de diode courte

Cest le cas o Ln > 3Wp, ou Lp > 3Wn. B B B B B B B B
Nous pouvons alors considrer que les

recombinaisons sont ngligeables. Nous
retrouvons (figure 61) alors les rsultats des
formules (101) et (102). Nous pouvons np(0) Jn
retrouver le rsultat en partant des relations
np(x)
(110) ou (111).
N A.Ln Wp N .Ln Wp N .Wp
GB = th A = A
Dn Ln Dn Ln Dn npo
N A.Wp
GB = 0 Wp x
Dn
ni2 Figure 61 : profil de concentration dans le modle diode
VF (112) courte pour les lectrons. La variation est linaire. La
J n = qDn exp 1
WpN A VT densit de courant est proportionnelle la pente et est
donc constante dans la couche considre.
b) Longueur de diffusion petite hypothse de diode longue

Cest le cas o Ln < 3Wp, ou Lp < 3Wn. Nous pouvons alors considrer que les recombinaisons
B B B B B B B B
sont importantes. Le terme en thWp/Ln tend vers 1. B B B B
N A.Ln Wp N .Ln ni2

GB = th A VF (113)
J n = qDn exp 1
Dn Ln Dn Ln N A VT

Remarquons que lon passe trs

simplement de lquation (112) (113) en np(0) Jn
remplaant Wp par Ln. Le profil se ramne
np(x)
B B B B
une exponentielle dcroissante (figure 62), la

tangente lorigine coupant lasymptote en
Ln. Nous pourrions aussi rapidement retrouver
B B
npo
ce profil en partant de lquation de
continuit. La solution du type : 0 Ln Wp x
Figure 62 : profil de concentration dans le modle de
u = A.exp x + B.exp + x diode longue ; la zone est longue compare la
Ln Ln longueur de diffusion. Le profil est exponentiel
a son second terme qui nest plus physique si dcroissant (reprsentation dans une chelle linaire) ;
np(0) et npo peuvent tre dans un rapport 1012.
B B B B P
P
Ln est trs petit. Nous retrouvons ainsi la

B B
variation exponentielle dcroissante.

u = A.exp x = n p(x) n po
Ln
expression qui permet de retrouver le profil. Nous retrouvons facilement lexpression de la densit
de courant dlectrons.

Dans le cas de la diode longue, la densit de courant est calcule en x = 0. En effet, puisquil y a
recombinaison dans la couche, les lectrons disparaissent progressivement et sont remplacs par
des trous. La densit de courant totale injecte tant due aux lectrons en x = 0 se retrouve
entirement sous forme dune densit de courant de trous au contact, en x =Wp La pente tant
limage de la densit de courant de diffusion, il est clair sur la figure 62 que la densit de courant
dlectrons diminue quand x augmente et quelle tend vers 0.
La notion de diode courte, diode longue ou ni courte ni longue est appliquer aux deux types de
porteurs. Il est ainsi possible davoir une diode courte pour les lectrons et une diode longue pour
les trous, par exemple. La figure 63 montre cette situation.
diode longue Jn diode courte

Jp
np(x)
pn(x)
npo
pno
Wn Ln 0 Wp x
Figure 63 : profils des concentrations dlectrons et de trous dans le cas du modle diode
courte pour les lectrons et diode longue pour les trous.
En pratique, il faudra systmatiquement valuer les longueurs de diffusion afin de savoir

quel est le modle le mieux appropri : la rsolution devient alors trs rapide.
Dans le cas de la figure 63, les recombinaisons sont importantes dans lmetteur. Il y a donc
variation de la densit de courant de trous qui est compense par la densit de courant dlectrons,
la densit de courant totale restant constante en rgime stationnaire travers la structure. La
variation des densits de courant est reprsente figure 64.
Jtot = Jn + Jp
Jn
Jp
Figure 64 : variation des densits de courant travers la structure en rgime stationnaire. La

densit totale de courant est constante et la zone de type n est dans cet exemple fortement
recombinante. En se rapprochant du contact de la zone de type n, la densit de courant de
trous tend vers 0, compense par la densit de courant dlectrons.

5) Caractristique Rsistance diffrentielle

Que la diode soit courte, longue ou ni lune ni lautre, les densits de courant sexpriment toujours
V
par le produit dun terme exponentiel en exp F 1 et dun terme pr-exponentiel.
VT
Ainsi, dans tous les cas, il est possible IF
dcrire :
pente en 1/rd
VF (114)
J F = J exp 1
VT

Ds que la polarisation est suprieure
3VT, le terme exponentiel est trs suprieur
1 qui devient ngligeable. Le courant total VF
sexprime donc par : Figure 65 : caractristique exponentielle de la diode
V jonction pn. La pente est proportionnelle au courant et
I F = I exp F inversement proportionnelle la rsistance
VT diffrentielle.
La caractristique de la jonction pn reprsente figure 65, qui est celle de la diode

correspondante, est alors purement exponentielle. En un point de cette caractristique, la pente se
calcule par drivation logarithmique :
dI F dVF dVF dI F I
= dI + = = F
IF I VT VT dVF VT
La pente de la caractristique IF(VF) est linverse dune rsistance appele rsistance diffrentielle
et qui ne dpend que de la polarisation de la jonction et du potentiel thermodynamique.
V
rd = T (115)
IF
6) Capacit de la jonction
Nous avons vu prcdemment que lextension de la zone de charge despace sexprimait en
fonction de la tension de diffusion et de la tension applique lorsque celle-ci existe.
La prsence des deux charges de type oppos situes de part et dautre de la jonction
mtallurgique cre un effet quivalent celui de deux plaques dun condensateur dont la distance
correspond lextension de la zone de charge despace, W.
W = 2 r o 1 V V ou encore W = 2 r o 1
VD + VR
q N A D F
q NA
lorsque la tension applique est inverse et pour une zone p moins dope. Nous dfinissons alors la
capacit par unit de surface par :
CS = r o = 1 qN r o
A
1 en F/cm2 (116)
W 2
VD + VR

Cette capacit varie en VR-1/2 ds que VR>> VD. Cette capacit est celle qui apparat dans le
schma lectrique quivalent de la diode jonction pn. Cette variation est exploite dans la
ralisation des diodes "varicap".
7) Jonction fortement polarise en inverse

Lorsque la tension applique en inverse augmente, le champ lectrique maximum ( la jonction
mtallurgique) devient suffisamment fort pour crer deux nouveaux effets :
- ionisation par impact effet davalanche.
- effet Zener
a) Effet davalanche
Dans une zone de champ lectrique lev (autour de 300kV/cm pour le silicium) et suffisamment
tendu (sur une distance dau moins 100) un porteur (lectron ou trou) acclr par ce champ
peut acqurir suffisamment dnergie pour casser une liaison entre atomes du rseau cristallin et de
ce fait crer une paire lectron-trou.
Cette paire est discrimine par le champ (dplacement oppos) et les nouveaux lectron et trou
sont aussi acclrs par le champ et peuvent leur tour crer une nouvelle paire, et ainsi de suite.
Leffet est cumulatif comme reprsent figure 66. Les courants dlectrons et de trous peuvent
devenir trs importants et ne sont limits que par le circuit lectrique extrieur. Ce phnomne est
appel avalanche par multiplication par impact. Il peut tre contrl en ajustant les dopages et donc
la valeur du champ lectrique dans la zone de charge despace.
champ lectrique
lectron prcurseur
+
+
-
e
e-
e- +
e-
Figure 66 : Phnomne dionisation par impact. Llectron prcurseur acclr cre une
paire lectron-trou ( gauche de la figure) qui discrimine par le champ permet une nouvelle
ionisation par le trou acclr partant droite et ainsi de suite. Leffet cumulatif sappelle
avalanche par multiplication (par impact).
b) Effet Zener
Dans le cas o ltendue de la zone de fort champ lectrique est plus faible que dans le cas
prcdent (infrieure 100 ), le champ lectrique peut tre plus lev sans gnrer une ionisation
par impact. Mais lorsque le champ atteint 1MV/cm, il y a alors rupture des liaisons par effet
tunnel entre atomes voisins et donc mission dune paire lectron-trou. Le nombre de paires peut
crotre trs fortement et les courants gnrs aussi. Cest aussi un phnomne cumulatif.
Dans les diodes au silicium la transition effet Zener/effet davalanche se produit pour des
tensions autour de 6V, cette transition dpendant des niveaux de dopage des deux couches n et p.
Les faibles tensions correspondent leffet Zener pur, les fortes lavalanche. Exprimentalement,
les deux effets dpendent diffremment de la temprature.

Remarque : les lectroniciens ont pris lhabitude dappeler diode Zener des diodes qui servent de rfrence de tension
lorsquelles sont suffisamment polarises en inverse. Pour les fortes tensions, ce nest pas en ralit leffet Zener qui
intervient mais leffet davalanche.
IV Jonctions dans les applications particulires de diode
1) Diodes varicap
Cest une diode jonction pn pour laquelle
la capacit statique CS en fonction de la
tension inverse est exploite. Cette proprit
est optimise par le choix des dopages. Ces
diodes sont par exemple utilises dans les 1
CS = K.VR 2
oscillateurs pour commander un frquence
partir dune diffrence de potentiel. Diode varicap : schma et loi de variation
2) Diode tunnel (Esaki)

Ces diodes sont fabriques partir de jonctions pn trs dopes des deux cots. Le passage des
porteurs peut se produire travers la barrire de potentiel qui devient extrmement fine, comme
reprsent figure 67. Leffet tunnel, qui est iso-nergtique ne peut se produire que tant quune
place est disponible de lautre cot de la jonction. A trs faible polarisation, la conduction tunnel est
possible : ds que la polarisation atteint de lordre de 100mV, le dcalage des bandes dnergie est
suffisant pour bloquer le phnomne tunnel. La diode retrouve sa caractristique typique en loi
exponentielle (figure 68). Ainsi, il se cre entre les deux rgimes une zone pente ngative qui est
exploite dans les oscillateurs trs haute frquence.
IF effet tunnel
E EC
effet tunnel diode classique
pente ngative
EF EV
EC
0 VF
EV
Figure 68 : caractristique lectrique de la diode tunnel.
Sous faible polarisation la conduction est importante.
Quand la barrire dnergie est suffisamment abaisse,
la transition tunnel nest plus possible et la
Figure 67 : Diagramme dnergie lquilibre caractristique prend une forme de diode classique. Le
thermodynamique dune diode tunnel. Les deux zones changement de rgime cre une zone rsistance
sont trs dopes et le niveau de Fermi se retrouve dans dynamique ngative.
les bandes dnergie. A faible polarisation, la
conduction peut se produire par effet tunnel.

3) Photodiodes
La jonction pn est mise en conduction par gnration lumineuse apporte par un faisceau de
photons dnergie suffisante pour crer des porteurs (cf. figure 69). Les paires lectron-trou sont
discrimines par le champ lectrique de la zone de charge despace. Les porteurs sont alors drains
vers le circuit extrieur. La lumire est alors convertie en courant. Lapplication la plus connue est
la cellule photovoltaque. Il faudra bien sr optimiser la capture des photons et la rcupration des
porteurs de charge pour obtenir un rendement de conversion acceptable.
n+
ZCE n-
p+
Figure 69 : Coupe simplifie et symbole dune photodiode. Le champ lectrique prsent

dans la zone de charge despace permet de discriminer les porteurs gnrs depuis la surface
et de les drainer vers les contacts (zone hachures sur la figure).
4) Diodes lectroluminescentes
En choisissant le matriau semiconducteur avec un gap suffisant, la transition entre les deux
zones se fait avec une diffrence nergtique suffisante pour crer un photon dans la gamme des
longueurs donde visible. Linjection dans la base de la diode (la zone la moins dope), cre un
excs de porteurs minoritaires qui se recombinent sous forme radiative. La figure 70 montre le
diagramme dnergie dans cette situation. Il est bien sr utile dutiliser des matriaux gap direct
sil lon souhaite obtenir un rayonnement dans le domaine visible. Cest le domaine privilgi des
semiconducteurs composs III-V. La conception de ces diodes doit aussi tenir compte de lefficacit
dmission (il faut rcuprer au maximum les photons).
n p
EC
q(VD1-VA)
Emetteur
Base
Figure 70 : Injection dlectrons dans la zone p et recombinaisons radiatives des lectrons. Il
faut bien sr contrler la sortie des photons pour obtenir une bonne efficacit.

2me PARTIE
Chapitre 7 : Le transistor bipolaire
CHAPITRE VII
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I Constitution
1) Ralisation physique et dfinitions

Le transistor bipolaire correspond physiquement la juxtaposition de deux jonctions pn
ralises dans un mme cristal semiconducteur. Le transistor bipolaire est donc le premier dispositif
que nous appellerons "actif", constitu base de jonctions pn. La connaissance srieuse du
fonctionnement dune diode jonction pn est donc strictement ncessaire pour en comprendre le
fonctionnement.
Il existe donc deux types de transistor en fonction de la zone commune aux jonctions, la
structure nomme npn et la structure pnp. La figure 71, donne une reprsentation extrmement
schmatique de la structure de base.
n p n
ou
p n p
J1 J2
Figure 71 : Reprsentation trs schmatique dun transistor bipolaire. Les deux types de
structures npn ou pnp sont possibles. La partie centrale est appele la base.
Le fait davoir deux jonctions trs rapproches confre la structure des proprits autres que la
simple juxtaposition de deux jonctions pn tte-bche. Pour cela il faut sassurer quil ny a pas
rupture du rseau cristallin et que la distance entre les jonctions mtallurgiques soit de lordre de
grandeur ou plus faible que la longueur de diffusion des porteurs dans la couche centrale. Cela va
imposer des contraintes technologiques et donner un rle spcifique chacune des zones encadrant
la zone centrale appele la base. En dautres termes, la structure bipolaire nest pas simplement
rversible. En technologie silicium classique, une coupe de la structure peut tre celle reprsente
figure 72.
Emetteur
n+
p Base
p
n Collecteur
Figure 72 : Reprsentation trs schmatique dune coupe dun transistor bipolaire au niveau
des jonctions. La zone en surface est appele metteur et la zone profonde, collecteur,
terminologie qui sera justifi plus loin.

La zone en surface qui sera en gnral trs dope est appele metteur. La zone situe au-
dessous de la base est appele collecteur. Nous justifierons simplement cette terminologie plus loin
dans le chapitre. Emetteur et collecteur sont donc raliss dans un mme cristal et ont le mme type
de dopage, mais pas forcment le mme type de dopant ni le mme niveau de concentration. Les
deux jonctions sont respectivement appeles metteur-base et base-collecteur.
Dans les circuits lectroniques, les C C
symboles utiliss pour les deux types de n p
transistors sont donns figure 73. La flche B NPN B PNP
indique entre la base et lmetteur est p n
n p
oriente dans le sens passant de la jonction pn
E E
correspondante, donc toujours oriente de p
Figure 73 : Reprsentation des transistors npn et pnp.
vers n. La flche entre lmetteur et la base est dans le sens
passant de la jonction metteur-base.
2) Profil de dopage
Compte tenu des contraintes dj voques, le profil de dopage typique dans une technologie de
transistor bipolaire intgr (cf. cours de technologie microlectronique intgre,
http://gmv.spm.univ-rennes1.fr) est celui reprsent figure 74 et correspond :
- un metteur trs dop,
- une base moyennement dope,
- un collecteur constitu de deux zones, la premire faiblement dope la seconde trs dope.
1020
N+
N+
Concentration cm-3
1018
P
Collecteur
Emetteur
1016
Base
N-
1014
0 1 2 4 5 6
Profondeur (x 0,1m)
Figure 74 : Profils de dopage. Les dopages sont trs diffrents dans les diffrentes zones. En
gnral, l metteur est trs dop, la base moins dope et le collecteur dop en deux parties
au moins.
La zone trs dope du collecteur se justifie par la minimisation de la rsistance interne de cette
couche, les performances lectriques du transistor dans ses applications en dpendant trs
fortement. En effet, dans les circuits intgrs base de transistors bipolaires, pour viter les courts-
circuits entre les diffrents transistors et pour isoler les couches entre elles, la structure est assez
complexe et ressemble celle prsente figure 75. Le contact collecteur est "remont" en surface et

ncessite donc une zone daccs trs dope pour minimiser les pertes dans le circuit lectronique du
collecteur.
B E C
p p+
n+
Figure 75 : Reprsentation schmatique dune coupe dun transistor dans un circuit intgr.
Lagencement des zones est li aux besoins disolation lectrique et dinterconnexion des
composants.
Ainsi, la structure est essentiellement tridimensionnelle, mais pour simplifier ltude thorique
et bien comprendre les mcanismes fondamentaux, nous nous limiterons un modle
unidimensionnel dont lorientation est perpendiculaire aux plans parallles des jonctions
mtallurgiques metteur-base et base-collecteur.
3) Diagramme dnergie de la structure lquilibre thermodynamique

Le diagramme dnergie est trac figure 76 dans ce cas lquilibre thermodynamique en
supposant une coupe allant de lmetteur vers le collecteur perpendiculairement aux jonctions. La
position du niveau de Fermi dans chacune des zones correspond des niveaux de dopage de la
structure reprsente figure 74.
n p n
EC qVD2
qVD1
Eg EC
EC
EF EF
Eg
Eg
EV
EV
Figure 76 : Diagramme dnergie lquilibre thermodynamique. Le collecteur comporte

deux zones de dopage diffrent.
Pour simplifier, nous considrons les dopages constants ce qui signifie que les jonctions seront
considres abruptes. Ce diagramme dnergie reprsent figure 76 sera exploit plus loin en
rgime de conduction.
1) Rgime de conduction
En rgime dit "normal" de fonctionnement,

- la jonction metteur-base est polarise dans le sens direct,

- la jonction collecteur-base est polarise en sens inverse.
Connaissant les rsultats de la diode jonction pn, dans le cas des transistors base de silicium,
la tension applique la jonction metteur-base se situera autour de 0,7 V alors que la tension
applique la jonction collecteur-base pourra stendre de quelques volts quelques milliers de
volt en adaptant les niveaux de dopage pour ajuster la valeur de la tension de claquage par
avalanche.
La jonction metteur-base tant polarise en direct, il y aura une injection de porteurs depuis la
base vers lmetteur et depuis lmetteur vers la base, ces deux injections tant pilotes par la
polarisation de la jonction metteur-base.
La jonction collecteur-base tant polarise en inverse, les injections de porteurs dues cette
polarisation sont trs faibles et le champ lectrique dans la zone de charge despace de la jonction
trs leve.
Nous allons analyser, dans la suite, les phnomnes se produisant dans un transistor bipolaire de
type npn, sachant que pour un transistor pnp, le raisonnement sera dual.
2) Diagramme dnergie en conduction normale

Le diagramme dnergie sous polarisation est obtenu partir du diagramme dnergie
lquilibre thermodynamique, figure 77.
n p n
EC
q(V D1 -V BE )
EC q(V D2 +V CB )
EF E Fn
E Fp EC
E Fp
EF
EV E Fn
Emetteur
Base
EV
Collecteur
Figure 77 : Digramme dnergie sous polarisation normale du transistor bipolaire. La

jonction metteur-base est polarise en direct, la jonction collecteur-base en inverse. Les
pseudo- niveau de Fermi pour les lectrons et les trous sont spars. Dans lmetteur et la
base, les porteurs tant en excs ; EFn est au-dessus de EFp. La situation est contraire au
niveau du collecteur (gnration dans la ZCE).
Attention, dans ce cas, les niveaux de Fermi pour les lectrons et les trous ne sont plus
identiques. Nous allons toujours supposer quau niveau des contacts (metteur et collecteur) le
matriau semiconducteur retrouve lquilibre thermodynamique grce aux changes de porteurs
avec le mtal. Cela signifie que les pseudo-niveaux de Fermi se rejoignent. Dans la zone de charge
despace de la jonction metteur-base, linjection cre des excs de porteurs, ce qui laisse supposer
que le niveau EFn est au-dessus du niveau EFp (chacun des niveaux se rapproche de la bande des

porteurs respectifs). Dans le cas de la jonction collecteur-base, cest leffet contraire qui se produit
(dsertion accentue par la polarisation inverse).
La variation des pseudo-niveaux de Fermi se fera essentiellement dans les zones o les porteurs
sont en faible quantit, donc dans les zones o ils sont minoritaires (le courant tant constant, la
diminution de la concentration est compense par la variation du gradient du pseudo-niveau de
Fermi (formules (86) et (87)).
La diffrence entre les deux niveaux de Fermi des majoritaires correspond la polarisation
externe applique. Dans le diagramme de la figure 50, le potentiel (ou lnergie) de lmetteur est
pris comme rfrence. La diffrence totale (entre les deux contacts extrmes) correspond la
somme algbrique des diffrences de potentiel appliques la jonction metteur-base et la
jonction collecteur-base.
Ce diagramme dnergie fait clairement apparatre la diminution de la hauteur de barrire
dnergie pour les lectrons injects dans la base et laugmentation de la chute dnergie pour les
mmes lectrons au niveau de la jonction collecteur-base. Par contre, pour les trous de la base, la
hauteur de barrire a fortement augment. Pratiquement aucun trou de la base ne pourra, a priori,
rejoindre le collecteur.
3) Effet transistor. Bilan des injections. Ncessit dune base courte.

Nous avons vu que dans le cas de la jonction pn polarise en direct que si celle-ci est
dissymtrique, (par exemple de type n+p, alors la densit de courant injecte dans la rgion p est
trs suprieure celle injecte dans la rgion n. Le but de la structure est de rcuprer cette densit
de courant injecte par lmetteur dans la base, par lintermdiaire dun champ lectrique(cr par
la polarisation inverse de la jonction collecteur-base) dans le collecteur.
n=ND p=NA
n=NDC
np(0) champ
pn(0)
pnoC=ni2/NDC
2
npo=ni /NA
pno=ni2/ND
Figure 78 : Densits de courant injectes dans un transistor npn en rgime normal de

conduction. La densit de courant dlectrons injecte dans la base atteint la jonction
collecteur-base o le champ lectrique happe les porteurs et les propulsent dans le
collecteur.
Donc si tout va bien, dans le cas dun transistor npn, le courant collecteur va tre trs voisin du
courant dlectrons inject par lmetteur. La figure 78 donne un aperu du phnomne. Dans la
suite nous allons analyser les principaux phnomnes et paramtres limitant ce transfert.
Sur la figure 78, JpE est la densit de courant injecte dans lmetteur, JnB injecte dans la base
et JnC dans le collecteur. La jonction collecteur-base tant polarise en inverse, la densit de courant

qui la traverse est ngligeable lorsquil ny a pas dinjection JnC. Si cette dernire existe (injection
pilote), le champ lectrique capte (ou happe) tous les lectrons pour les propulser (ou envoyer)
vers le collecteur, qui les collecte (origine du nom !), lmetteur ayant mis ces porteurs.
La densit de courant de trous injecte dans lmetteur ne peut provenir que de la base, puisque
le collecteur ninjecte pas de trous dans la base.
Ainsi, leffet transistor consiste :
- injecter un faible courant dans la base depuis lextrieur qui polarise la jonction metteur-
base,
- injecter des lectrons dans la base depuis lmetteur, la densit de courant tant beaucoup
plus grande que celle des trous injects dans lmetteur,
- rcuprer la majeure partie des lectrons dans le collecteur grce au champ lectrique et donc
piloter un courant fort dans le collecteur.
On appellera gain en courant le rapport entre le courant collecteur et celui inject depuis le
contact de base dans la base.
Cet effet ne sera possible que si la base est suffisamment courte. En effet, la densit de
courant de diffusion, JnB augmente lorsque les dimensions de la base diminue. De plus, si la base est
trop, longue, par rapport la longueur de diffusion des porteurs (ici les lectrons), la densit de
courant disparat dans la base sans atteindre le collecteur. Le courant collecteur (et donc JnC) est
alors quasiment nul.
Pour rsumer, leffet transistor apparat lorsque :
- la jonction metteur-base est dissymtrique, lmetteur tant beaucoup plus dop que la
base,
- lpaisseur de la base est faible par rapport la longueur de diffusion des porteurs dans la
base,
- la jonction metteur-base est polarise en direct,
- la jonction collecteur-base est polarise en inverse.
Remarques : sur la figure 51 nous navons pas fait apparatre explicitement leffet de la polarisation inverse de la
jonction collecteur-base. Cette polarisation a tendance diminuer la concentration en lectrons minoritaires la limite
de la ZCE du cot base. Mais il faut se rappeler que nous combinons sur ce graphe des chelles linaires et
logarithmiques. En fait la pente donne dans une chelle linaire nest pas affecte par cette polarisation qui diminue la
valeur de npo. Que cette concentration soit gale par exemple 104cm-3 ou 10-20cm-3 ne modifie en rien la valeur
effective de la pente qui est par exemple de (1014 104) / WB, soit 1014 / WB.
4) Effet des recombinaisons

Nous avons vu que le but du jeu est de navoir aucune perte sur le parcourt entre metteur et
collecteur. Les recombinaisons vont jouer un rle important dans ces limitations
a) Recombinaison dans lmetteur
Si lmetteur est le sige de recombinaisons importantes, le modle pour les porteurs injects
dans lmetteur sera celui de la diode longue. Seulement la densit de courant Jp sera rcuprer au

contact comparer JpE inject. Le modle diode longue a ainsi tendance accrotre la pente du
profil et donc augmenter le courant base sans pour autant augmenter le courant collecteur.
b) Recombinaison dans la zone de charge despace de la jonction metteur-base

Dans cette zone nous avons un excs de porteurs d aux injections par rapport lquilibre
thermodynamique. La tendance est donc la recombinaison, ce qui signifie que certains des
porteurs quittant la zone quasi neutre de lmetteur natteindront pas la zone de base. Sur le
parcourt, cest linjection de la base qui prend le relais, et donc le courant base est augment. Cette
densit de courant est appele Jrec.
c) Recombinaison dans la base ; facteur de transport dans la base

Si la recombinaison intervient dans la base, une fraction des porteurs injects de puis lmetteur
et pntrant dans la base disparat dans cette zone. Ces porteurs sont compenss par des trous
arrivant du contact de base. La recombinaison augmente donc le courant de base sans augmenter le
courant collecteur ; il affecte donc le gain. La diffrence sexprime par : JnE - JnC.
d) Courant inverse collecteur-base

Ce courant inverse, a priori trs faible, peut tre fortement augment par la prsence de
gnration dans la zone de charge despace de la jonction collecteur-base. Le champ lectrique y est
trs fort et tout porteur gnr est vacu. Dans la cas du transistor npn, les lectrons gnrs sont
envoys vers le collecteur et les trous vers lmetteur. Leffet est donc de diminuer le courant
inject depuis le contact de base et daugmenter le courant collecteur. Il y a donc augmentation du
gain. Cet effet apparemment bnfique a ses limites puisque ce courant nest pas pilot par la
polarisation de la jonction metteur-base.
5) Bilan des courants

Pour mieux comprendre les diffrents effets prsents ci-dessus, la figure 79 prsente les
densits de courant dans le cas dun transistor npn polaris dans des conditions normales.

Jn Jne champ
JnC
Jpe Jne- JnC
Emetteur JpoC Collecteur
JnoC
Jrec
JG
Base
Figure 79 : Reprsentation schmatique des diffrentes densits de courant prenant en
compte les recombinaisons et gnrations dans les diffrentes zones du transistor npn en
rgime normal de conduction. Les densits de courant dmetteur, collecteur et base
correspondent la somme algbrique de ces courants.
Une autre faon de reprsenter les diffrentes densits de courant et la variation de leur
amplitude relative est donne par la figure 80. Il faut tre attentif au fait que les lectrons se

dplacent dans le sens contraire de celui des densits de courant. Au contact dmetteur, la densit
de courant totale est maximale. Les lectrons injects par lmetteur traversent toute la structure
avec des pertes dues essentiellement aux recombinaisons des trous dans lmetteur, des porteurs
dans la jonction metteur-base, des lectrons dans la base. La densit de courant au contact de base
correspond lensemble des flux de trous qui alimentent les recombinaisons et qui sont injects
dans lmetteur. Une petite fraction provient du collecteur et diminue lgrement la densit totale
fournie par le contact de base.
In I ne I nC
I ne- I nC
Emetteur I pe Collecteur
IE I rec I poC I noC IC
IG
Base
IB
Figure 80 : Reprsentation schmatique des diffrentes densits de courant circulant dans le

transistor. Le flux suprieur correspond au flux des lectrons, linfrieur aux trous.
IE = InE + IpE + Irec

IB = IpE + Irec + (InE - InC) ICo avec ICo = (IpoC + InoC) (117)
IC = InE + ICo
Sachant par ailleurs que dans le circuit lectrique extrieur IE = IC + IB
6) Gain en courant du transistor

Par dfinition, le gain classique du Base Collecteur
transistor bipolaire est le gain en metteur IB IC
commun qui signifie que lmetteur est la
borne commune au quadriple quivalent Emetteur
comme reprsent sur la figure 81. Le gain, , Figure 81 : quadriple quivalent au transistor bipolaire.
I
sexprime par le rapport suivant : = C , soit Dans ce cas la borne commune lentre et la sortie est
IB lmetteur, le montage est dit en metteur commun.
I nC + ICo
encore : =
I pE + I rec +(I nE I nC ) ICo
(118)
Si lensemble des recombinaisons est ngligeable et si le courant inverse de la jonction

collecteur-base est ngligeable, alors :
I
= nE (119)
I pE

Ainsi, pour obtenir un grand gain en courant, il est ncessaire davoir une jonction metteur-
base trs dissymtrique de manire obtenir un rapport dinjection important.
7) Efficacit dinjection
Par dfinition, lefficacit dinjection de la jonction metteur-base est :
I nE
= (120)
I nE + I pE + I rec
cest--dire le rapport du courant inject par lmetteur dans la base au courant total traversant la
jonction metteur-base. Si Irec est ngligeable,
= I nE
I nE + I pE
Or, nous avons vu dans le chapitre sur la diode, que :
n2 V
n2 V

J nE = q iB exp F 1 et J pE = q iE exp F 1
GB VT GE VT

en appelant niE et niB les concentrations intrinsques des porteurs dans lmetteur et la base
respectivement ; nous verrons plus tard pourquoi cette diffrence existe. Dans ces conditions en
appelant toujours GE et GB les nombres de Gummel dans les zones dmetteur et de base :
= 12 (121)
n G
1+ iE2 B
niBGE
8) Caractristiques en fonctionnement normal

Les caractristiques lectriques du transistor bipolaire sont donnes systmatiquement dans le
montage metteur-commun, comme reprsent sur la figure 82.
IC
Elles sont principalement constitues de la
C
caractristique IC(VCE) avec IB comme IB B
paramtre, et de IC (IB) avec VCE comme
paramtre. Au premier ordre, ces E VCE
VBE
caractristiques ont laspect de la figure 83.
IE
Notons que les constructeurs rajoutent en
gnral les paramtres hybrides associs (h21
Figure 82 : Grandeurs lectriques considrer dans un
et h22 principalement) qui correspondent aux montage en metteur-commun. Lmetteur est la borne
commune.
pentes des caractristiques en basse
frquence. .
Le courant IC est pilot par le courant IB. Le transistor ayant des caractristiques plates en
sortie, il se comporte comme une source de courant, puisque IC ne dpend pas de VCE.

IE
IB3>IB2
pente
IB2>IB1
IB1
IB VCE
Figure 83 : Caractristiques lectriques typiques dun transistor bipolaire npn. Le courant IB

pilote le courant IC. Le transistor se comporte en sortie comme une source de courant.
Ces caractristiques sont en effet idalises, les caractristiques relles doivent tenir compte des
effets physiques tels que :
- la gnration- recombinaison dans les diffrentes zones,
- le courant inverse de la jonction collecteur-base,
- la modulation des extensions des zones de charge despace qui modifie notamment
lpaisseur de la base effective et donc de linjection dans la base,
- la quantit de porteurs injects par rapport aux porteurs majoritaires dj prsents (dopage),
- linfluence du champ lectrique dans les zones de charge despace,
- la temprature : la puissance dissipe dans les transistors provoque un chauffement
important au niveau des jonctions ; cet chauffement modifie les proprits du matriau
semi-conducteur.
La suite du cours va consister analyser quelques-uns uns de ces effets.
III Effets des recombinaisons

1) Recombinaison dans lmetteur
Ce cas a dj t analys dans le cours sur la jonction pn. Il correspond au modle de diode
longue et modifie le nombre de Gummel dans lmetteur suivant la formule (111) dans le cas dun
transistor npn
N .L W
GE = D p th E
Dp Lp
Ce cas est frquemment rencontr dans les transistors bipolaires intgrs puisque lmetteur est
en gnral trs dop, la dure de vie des porteurs minoritaires y est trs faible et donc la longueur de
diffusion souvent du mme ordre de grandeur, voire plus faible, que lpaisseur de lmetteur.
2) Recombinaison dans la base facteur de transport

La recombinaison des porteurs minoritaires dans la base intervient dj au niveau de linjection.
En effet, le nombre de Gummel dans la base a lexpression (110) dans le cas dun transistor npn :
N A.Ln WB
GB = th
Dn Ln

Ainsi, le courant inject est augment (la pente augmente) mais laspect au moins aussi
important vient du fait quune partie du courant inject par lmetteur vers le collecteur disparat sur
le parcours.
En se rappelant que le courant est un courant de diffusion, nous avons :
Wp x
J n = qDn dn
dx x=0
[ ]
avec np (x) n po = (n p(x) n po )
sh
Ln
Wp
sh
Ln
et avec JnE = Jn(x=0) et JnC = Jn(x=WB), on dfinit le facteur de transport dans la base par :
J
T = nC
J nE
Wp x
ch
J n = qDn dn = qDn (n p(x) n po ) Ln 1

dx W
sh p Ln
Ln
J n (WB )
ainsi T = = 1 (122)
J E (0) W
ch B
Ln
3) effet des recombinaisons sur le gain en base commune

Il est plus facile de montrer leffet combin des lefficacit dinjection de la jonction metteur-
base et du facteur de transport dans la base en prenant le gain en courant en base commune dfini
par le rapport du courant collecteur au courant dmetteur.
I nC I I nE
= do = nC = T ainsi = T (123)
I nE + I pE + I rec I nE I nE + I pE + I rec
4) recombinaisons dans la zone de charge despace de la jonction metteur-base

La jonction metteur-base est polarise en direct. Il y a injection de porteurs, lectrons et trous,
qui sont donc en excs par rapport lquilibre thermodynamique.
La zone de charge despace est donc le n p
sige de recombinaisons de type Shockley-
Read-Hall. Avec lapproximation de ND NA
Boltzmann sur le niveau dinjection, on peut
faire lhypothse quen tout point de la zone np(0)
pn(0)
de charge despace, le produit pn reste
expVF/VT
constant. Or en limite de zones, de part et expVF/VT npo
dautre, on dmontre facilement quen pno
remplaant n et p par leurs expressions :
V W
pn = ni2 exp BE
VT
Figure 84 : Profils de concentration des porteurs en
La figure 84 permet de visualiser limite et dans la zone de charge despace de la jonction
metteur-base polarise en direct. Le produit pn peut
simplement les raisons de ce rsultat. tre considr constant travers la zone.

En fait, une autre approche pour expliquer ce rsultat est de considrer que les pseudo-niveaux
de Fermi restent constants dans la zone de charge despace, ce qui correspond lapproximation de
Boltzmann. En utilisant lexpression du taux de gnration-recombinaison de la formule (67), nous
obtenons :
p.n ni2
U = 1
o
p + n + 2ni
Nous allons nous situer dans le cas le plus dfavorable pour la recombinaison, savoir une
valeur maximale pour U. Au dnominateur, nous avons la somme de deux termes dont le produit est
constant. Ce dnominateur sera minimal et donc U maximal, lorsque ces deux termes seront gaux.
Ainsi :
V
exp BE 1
V VT
p = n = ni exp BE U = 1 ni2
2VT o V
2ni exp BE + 1
2VT
Ds que la tension applique la jonction, VBE, est suprieure quelques VT,
V
U max = 1 ni exp BE (124)
2 o 2VT
La densit de courant associe cette recombinaison sexprime par le produit du taux de
recombinaison par le volume considr, J rec = qU maxW
qni W V
J rec = exp BE (125)
2 o 2VT
Remarque : W, lextension de la zone de charge despace, varie aussi en fonction de la tension applique (en racine
carr) mais la loi exponentielle est prpondrante dans le comportement de cette densit de courant. Cela est vrifi
exprimentalement.
5) Consquences sur les courants caractristique bas niveau

Les densits de courant InE et IpE varient suivant une loi exp(V/VT) alors que le courant de
recombinaison suivant une loi exp(V/2VT). Pour le domaine de la tension base-metteur, VBE,
compris entre quelques VT et environ 0,5V pour les transistors raliss en technologie silicium, le
courant Irec va avoir un rle prpondrant sur la valeur du gain en courant, .
I nE
En effet, si nous considrons comme simplement : = , nous constatons laide de
I pE + I rec
la figure 85, que pour des valeurs infrieures au point dgalisation des composantes de courant IpE
et Irec, seul ce dernier intervient. Le gain dcrot trs fortement. De faon classique, on trace la
courbe log=f(IC), IC tant aussi pris en chelle logarithmique et qui correspond en ralit VBE en
raison de la loi exponentielle.

Densits de courant (log) Jne Jpe
Figure 85 : Variation des densits de courant

dlectron, de trous et de recombinaisons dans la
jonction metteur-base. A bas niveau de
Jrec polarisation, le courant inject par lmetteur dans
la base est du mme ordre de grandeur que celui de
recombinaison. Le gain est alors trs faible. La
transition se produit lorsque les deux composantes
principales du courant base sgalisent. En dessous
de cette valeur, nous dirons que le transistor
fonctionne bas niveau.
Gain en courant ()
Potentiel appliqu (VBE)
IV Autres effets et limites physiques principales

1) Effet de la polarisation collecteur-base : effet Early
La modification de la polarisation de la jonction collecteur-base, donc en inverse, modifie
lextension de la zone de charge despace de cette jonction. Cela entrane en particulier une
modification de la largeur effective de la base, donc de WB. Il y a donc aussi modification de la
densit de courant de porteurs injects par lmetteur dans la base et donc modification du courant
collecteur.
Ainsi, pour VBE constant,
WB = WB WB = f(VCB) = g (VCE)
JnC = TJnE = T(WB) JnE(WB) ==> VCE ==> IC Effet Early
JnC = TJnE = T(WB) JnE(WB)
La figure 86 reprsente schmatiquement la modification du profil de concentration dans la

base. Cet effet se traduit sur les caractristiques IC(VCE) par une pente non nulle, cest--dire que la
source de courant quivalente nest pas parfaite. Dans les transistors intgrs, cette pente qui est
linverse de la rsistance de sortie est habituellement de lordre de quelques 100k1.
La tension Early correspond au point d'intersection de la caractristique de sortie avec laxe des
tensions ; elle correspond une tension hypothtique qui ferait disparatre compltement la zone de
base par lextension de la zone de charge despace.

Base Collecteur
np(0)
WB IC
Effet Early
W
W
Jne IB3
WB Jne
WB IB2
npo
IB1
VCE
Figure 86 : La modification de lextension de la zone de charge despace du cot base,
modifie le gradient de concentration et donc linjection des lectrons (dans ce cas). Cet effet
se traduit sur la caractristique de sortie par une pente positive.
2) Tension de claquage de la jonction collecteur-base

Comme indiqu dans le cas de la jonction pn, le phnomne dionisation par champ lectrique
peut se produire pour des champs lectriques levs, de lordre de 300.000V/cm dans le silicium, et
la jonction pn peut alors conduire trs fortement.
Sans la polarisation de la jonction

metteur-base, le phnomne davalanche se max
produit une tension applique nomme Collecteur
Base
LVCBo (claquage par une tension applique la
jonction collecteur-base).
LVCBo
Si la base du transistor npn est non
-xB 0 xC x
connecte (en lair), linjection dans la base
des trous cre par le champ lectrique, Figure 87 : champ lectrique la jonction collecteur-
base. Lorsque le champ maximal atteint le champ
polarise la jonction metteur-base (effet de critique de claquage, la jonction part en avalanche,
charge de la base). similairement une diode classique. La valeur observe
est appele LVCBo.
La jonction metteur-base polarise en direct va alors injecter des lectrons en retour dans la
base quils traversent pour atteindre la zone de champ lectrique lev de la jonction collecteur-
base. La conservation du courant total dans la structure impos par le circuit extrieur, fait que le
champ lectrique peut alors tre plus faible, la quantit de porteurs ayant trs fortement augment.
Il y a en fait un phnomne damplification du courant au niveau de la jonction metteur-base.
Le champ lectrique plus faible conduit extrieurement une tension plus faible, appele LVCEo.
Cest cette valeur qui est observe sur la caractristique de sortie du transistor en forte polarisation.
En connectant la base une source de courant extrieure fournissant un courant IB, le
phnomne sentretient pour une tension encore plus faible comme le montre la caractristique
IC(VCE) de la figure 88. Pour augmenter la tenue en tension du transistor, il faut modifier le profil du

champ lectrique de manire augmenter lintgrale (donc la tension) tout en vitant de dpasser la
valeur critique du champ maximal.
IE
Comme le gradient du champ lectrique
est proportionnel la densit de charges (et IB3
donc au dopage) daprs lquation de IB2
Poisson, en diminuant le dopage de la zone la
moins dope, lintgrale est bien augmente IB1 IB=0
comme le montre la figure 89. Le dopage
diminuant, on augmente les dimensions de la LVCE LVCEoLVCBo VCE
zone la moins dope pour permettre Figure 88 : Evolution de la caractristique de sortie
laugmentation de lextension de la zone de pour des fortes tensions. Pour IB=0, le claquage se
produit une tension LVCBo, beaucoup plus grande que
charge despace. la valeur de LVCEo ds que le phnomne sentretient par
injection depuis lmetteur.
Cette zone dope environ 1014cm-3
(dopage trs faible) peut atteindre plusieurs Collecteur
Base
centaines de microns dans le cas des max=c
transistors de puissance haute tension peu dop
NDC-
(quelques milliers de Volts). Afin dviter des NA
trs dop
problmes lis la rsistance srie dune zone
NDC++
trs peu dope, le collecteur est alors
-xB 0 xC- x
constitu de deux zones dopes diffremment.
La dimension de la zone la moins dope est Figure 89 : Profil du champ lectrique de la jonction
collecteur-base pour laquelle le collecteur est constitu
dfinie par les besoins de lutilisation en de deux zones dopes diffremment. La zone
fonctionnement nominal (la zone de charge faiblement dope permet daugmenter la tenue en
tension (intgrale plus grande).
despace atteint la limite du fort dopage).
3) Effet de la forte injection

La forte injection apparat lorsque la Emetteur Base
concentration en porteurs minoritaires injects ND NA
atteint le niveau de dopage de la zone np(0)
considre. Au niveau de la jonction pn(0)
collecteur-base, cest du cot le moins dop, expVinj/VT
donc dans la base, que ce phnomne va
npo
apparatre en premier. Le figure 90 donne un pno
aperu du phnomne.
Nous pouvons alors dfinir un seuil de la W
forte injection par :
Figure 90 : Apparition de la forte injection dans un
n p(0) = npo exp V = N A (cas du npn) transistor bipolaire de type npn. Le niveau dinjection
VT dans la base atteint le niveau de dopage.

ni2 exp V = N N A2
A Vinj = VT ln (126)
NA VT ni2
Exemple numrique : ni2 = 2,5.1020cm-6, VT = 26 mV
si NA = 1,6.1018cm-3, Vinj = 0,90 V
si NA = 1,6.1016cm-3, Vinj = 0,78 V
bas nominal forte

Gain en courant () niveau injection
Vbn Vinj
Potentiel appliqu (VBE)
Figure 91 : Variation du gain en courant en fonction du niveau de tension base-metteur
applique. A bas niveau, le phnomne prpondrant est la recombinaison dans la jonction
metteur-base, fort niveau , la forte injection dans la base.
A ce niveau dinjection, il nest plus possible de considrer la concentration des porteurs

majoritaires comme constante et gale au dopage. La concentration des porteurs majoritaires va
augmenter simultanment, ce qui va augmenter linjection de la base vers lmetteur sans
augmenter linjection de lmetteur vers la base dans le mme rapport. Cela entrane une chute du
gain. La courbe du gain en fonction de la tension metteur-base a alors lallure donne sur la figure
91. A bas niveau, leffet des recombinaisons est prpondrant, fort niveau, leffet de la forte
injection. Le fonctionnement dit nominal se trouve situ entre ce deux limites.
4) Effet du dopage de la base et de lmetteur

En premire approximation, il semble intressant davoir lmetteur le plus dop possible et la
base la moins dope possible pour obtenir un grand gain. Mais la base ne doit pas tre entirement
dserte par la polarisation collecteur-base, il faut limiter aussi leffet Early. Pour cela , il faudrait
fortement doper la base ce qui est contradictoire. Des considrations frquentielles montrent par
ailleurs la ncessit de fortement doper la base pour diminuer la rsistance daccs intervenant dans
le schma quivalent de Giacoletto. Mais une base trs fortement dope implique une trs faible
tenue en tension de la jonction metteur-base. Ces quelques considrations montrent quil faut
imprativement trouver un compromis.
Lexemple donn sur la figure 92 correspond un transistor bipolaire npn moyennement intgr
dont les paisseurs dmetteur et de base sont de 0,2m. Le gain en courant mentionn correspond
au domaine nominal, cest--dire ni bas niveau, ni en forte injection et en basse frquence
(paramtre h21 des caractristiques).

100
NA=4.1017cm-3
Gain en courant ()
80
60 5.1017
40
7.1017
1018
20
0
1018 1019 1020 1021
Dopage dmetteur ND (cm-3)
Figure 92 : Variation du gain dun transistor bipolaire npn en fonction du dopage
dmetteur, le dopage de base tant pris comme paramtre. Le maximum du gain est
toujours obtenu pour des dopages dmetteur voisins de 1020cm-3, cest--dire en dbut de
dgnrescence (daprs O. Bonnaud et al., SSED, 1983).
Compte tenu des variations des paramtres en fonction du dopage tels que la mobilit, la dure
de vie des porteurs et la variation de la largeur de la bande interdite (pour les trs forts dopages), la
figure 65 montre quil existe en gnral un dopage optimal pour lequel le gain est maximal pour un
dopage dmetteur voisin de 1020cm-3. Cette dernire valeur sera en gnral celle choisie dans les
transistors fortement intgrs. Pour ces niveaux de dopage il faut remarquer que lapproximation de
Boltzmann nest plus valable puisque le semiconducteur est dgnr. Toutefois cest un terme
correctif quil faut apporter.
A ce mme niveau de dopage, la relation dEinstein devient aussi une approximation. Il faudrait
utiliser, pour tre plus prcis, un dveloppement limit du rapport Dn/n en fonction du dopage.
Le dopage de la base conditionne la valeur du gain sur la figure 92. Attention, un faible dopage
et donc un fort gain en courant aura des consquences sur dautres grandeurs lectriques telles que
le claquage, leffet Early, la rponse en frquence, etc
En consquence, en fonction de lapplication, cest--dire du cahier des charges, les niveaux de
dopages et les paisseurs des couches seront prdtermines. Il ne sera effectivement pas possible
datteindre simultanment, une forte tension, une forte puissance, un fort gain et une rponse en trs
haute frquence

Chapitre 8 : Le transistor effet de champ grille isole
CHAPITRE VIII
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE

TRANSISTOR MOS : METAL/OXYDE/SEMICONDUCTEUR
Nous allons tudier dans ce chapitre le transistor MOS. Ce type de transistor apparut rellement
au dbut des annes 1960 bien que son principe ait t propos ds le dbut du 20me sicle. Cest la
matrise technologique des procds appliqus au silicium la place du germanium et plus
particulirement la mise en uvre des oxydes minces de silicium qui a permis le dveloppement
fabuleux de cette technologie.
I Constitution
1) Ralisation physique
La structure Mtal/Isolant/Semiconducteur ou Mtal/Oxyde/Semiconducteur, que lon nomme
plus communment MOS, est base sur la commande par une polarisation sur une lectrode isole
de porteurs libres dans une zone peu dope (a priori). La modulation du nombre de porteurs permet
dtablir un canal de conduction entre deux zones conductrices correspondant des zones
semiconductrices trs dopes.
La figure 93 prsente une coupe schmatique de la structure. Llectrode de commande
sappelle grille, les deux autres source et drain. Cette terminologie sera justifie dans la suite. La
grille est constitue dune couche isolante de trs faible paisseur, en gnral de loxyde de
silicium, SiO2, surmonte dune couche trs conductrice telle quun mtal ou dans le cas des
circuits intgrs du silicium trs dop (cf. cours de technologie microlectronique, O. Bonnaud).
Les zones de semiconducteur de source et drain sont recouvertes dune couche mtallique
permettant dtablir un bon contact lectrique avec les circuits extrieurs.
Isolant de grille / oxyde
source grille drain
N+ N+
substrat p
canal n induit par le champ

Figure 93 : Coupe schmatique dun transistor MOS canal n. Au repos, cest--dire sans
application dune tension sur la grille, aucun courant significatif ne circule entre la source et
le drain. Le transistor est dit normalement non-conducteur.
Pour que sans polarisation de grille le courant circulant entre les deux lectrodes source et drain
soit ngligeable, la zone de canal lquilibre thermodynamique doit tre de type oppos aux zones
de source et drain afin davoir, quel que soit le sens de la polarisation entre ces deux zones, une
jonction polarise en inverse et qui est donc bloquante ; la structure est quivalente deux diodes

tte-bche. Ainsi, si les source et drain sont de type n comme reprsentes figure 93, alors la zone
sous la grille isole est de type p.
Par laction dune polarisation sur le contact de grille par rapport la zone semiconducteur, il se
cre un champ lectrique qui va agir sur la zone semiconductrice sous loxyde. Pour assurer une
conduction, il faut dans lexemple de la figure 93 que des lectrons viennent prendre la place des
trous. Il se cre dans ces conditions un canal induit de type n. Lapplication dune polarisation
positive sur la grille conduira cet effet. Le transistor est nomm dans ces conditions MOS de type
n ou plus simplement NMOS.
Puisque au repos le transistor de la figure 93 ne conduit pas, nous dirons quil est de type
normalement non-conducteur, normally off en anglais.
2) Diffrents types de structures de base

Telle que nous lavons dcrite ci-dessus, la structure ne conduit pas entre la source et le drain au
repos, cest--dire lorsque aucune tension nest applique sur la grille ; en pratique, il est possible
de raliser une couche trs fine et suffisamment dope juste sous lisolant de mme type que les
zones de sources et de drain afin de permettre une conduction au repos : trois zones dopes du
mme type sont en srie. Par contre, lapplication dun champ lectrique peut chasser les
lectrons de ce canal existant au repos et donc peut entraner le blocage de la conduction. La figure
94 montre la coupe schmatique dune telle structure. Ce transistor est alors appel transistor
NMOS normalement conducteur, normally on, en anglais.
source grille drain
N+ canal n N+
substrat p
canal n existant au repos
Figure 94 : Coupe schmatique dun transistor NMOS normalement conducteur. La
prsence dune couche dope n de trs faible paisseur sous loxyde de grille permet
dassurer la conduction lorsque aucune tension nest applique sur la grille.
Les figures 93 et 94 concernent des transistors canal n. Nous pouvons remplacer par analogie
le dopage de type n des zones de sources et de drain par un dopage de type p, et le dopage du
substrat de type p par du type n et ventuellement celui du canal en surface par du type p. Nous
crons dans ce cas des transistors PMOS soit normalement non-conducteur, soit normalement
conducteur. Il existe donc 4 types de transistors MOS.
3) Symboles des diffrentes structures de base

Les quatre types possibles de transistors sont reprsents ci-dessous avec leurs symboles
conventionnels. Il faut noter que pour des simplicits graphiques certains catalogues et ouvrages
utilisent des formes lgrement diffrentes. Le figure 95 recense ces structures.

De faon symbolique, une flche apparat entre le substrat et le canal. Cette flche est oriente
dans le sens passant de la jonction pn fictive substrat-canal. Par exemple, dans le cas du NMOS
normally off, la flche est oriente dans le sens substrat-canal.
source grille drain
NMOS N+ N+ D
normalement G
non conducteur substrat p S
source grille drain
NMOS D
N+ canal n N+ G
normalement S
conducteur substrat p
source grille drain
PMOS P+ canal p P+ D
normalement G
substrat n S
non conducteur
source grille drain
PMOS D
P+ canal p P+ G
normalement S
conducteur substrat n
Figure 95 : Coupes et reprsentations symboliques des diffrents types de transistors MOS.
Nous allons analyser le principe de fonctionnement des transistors grille isole en prenant
lexemple dun transistor MOS normalement non-conducteur et en considrant les couches idales.
Nous verrons plus loin en dtail ce que cela signifie.
1) Sans polarisation de grille par rapport au substrat

Le circuit lectrique entre la source et le drain est toujours constitu de deux diodes jonction
pn montes tte-bche. Quel que soit le signe dune polarisation drain-source, automatiquement,
lune des deux diodes est polarise en inverse ce qui signifie que le courant dit drain-source, IDS
peut tre considr nul ou tout au moins ngligeable.

S G D
A lquilibre thermodynamique, il existe
en permanence une zone de charge despace
entre le drain et la zone de substrat, ainsi N+ N+
quentre la source et le substrat (figure 96).
substrat p
Il faudra tre attentif aux extensions de
ces zones qui doivent bien sr tre infrieures Figure 96 : Transistor NMOS lquilibre
thermodynamique. Les deux diodes prsentent des
la distance entre les jonctions zones de charges despace habituelles.
mtallurgiques pour viter de mettre en court-
circuit les zones de source et de drain.
Remarque : au niveau du substrat, la structure source-substrat-drain (npn) a laspect dun transistor bipolaire. Puisquil
ny a aucune polarisation directe des jonctions source-substrat ou drain- substrat, le substrat qui pourrait jouer le rle de
la base nest pas aliment et ne provoque donc aucune injection ; il ny a donc pas deffet transistor bipolaire, dans ces
conditions.
2) La grille est polarise positivement par rapport au substrat

Le circuit lectrique entre la source et le drain est toujours constitu de deux diodes jonction.
Lapplication dun potentiel, VG>0, sur la grille entrane la cration dun champ lectrique,, orient
vers le substrat la fois dans loxyde et dans le semiconducteur. En gnral, la rfrence est la
source, si bien que nous noterons dans la suite VGS>0.
G D
Ce champ dans le semiconducteur a S
tendance chasser les trous prs de linterface
et donc dserter la zone sous la grille tel que
reprsenter figure 97 puisque les ions N+ N+
accepteurs sont immobiles. Il se cre ainsi une
substrat p
zone de charge despace (ZCE) sous la grille
qui prolonge les deux zones latrales ZCE
prexistantes. Pour un champ lectrique pas
Figure 97 : cration de la zone de charge despace sous
trop fort, la zone de charge despace la grille par la prsence dun champ lectrique qui
correspond essentiellement lvacuation de chasse les porteurs majoritaires (les trous dans ce cas).
trous qui sont majoritaires dans cette zone

dope de type p.
Si le champ dans le semiconducteur augmente, intuitivement, celui-ci peut devenir suffisant
pour attirer les porteurs minoritaires qui viennent sagglutiner contre loxyde. Il se forme alors
progressivement un canal dlectrons contre loxyde. La transition entre la source et le drain devient
possible et un faible courant IDS peut commencer circuler.
3) La polarisation de la grille atteint la tension de seuil : VGS>Vth

En augmentant VGS, on augmente le champ lectrique dans le substrat prs de linterface oxyde
substrat et la concentration en lectrons continue augmenter. A linterface oxyde-substrat, cot
semiconducteur, la concentration en lectrons peut atteindre la valeur du dopage, cest--dire la

concentration en trous initiale du substrat : partie fonce du canal entre les deux zones dopes N+
sur la figure 98.
G
Dans ces conditions, nous dirons quil y a S

D
inversion de population de porteurs et que la

tension de grille a atteint la tension de seuil
du transistor, Vth. N+ N+
Nous dirons aussi que le canal est cr.
La conduction entre source et drain peut substrat p
devenir importante et le transistor sera dit en
rgime de conduction. Ainsi, par application canal dlectrons
dune tension positive sur la grille, il est Figure 98 : Cration du canal lorsque la tension de
possible de commander un courant entre la grille devient suprieure ou gale la tension de seuil.
Dans ce cas, un canal dlectrons est form.
source et le drain.
En rgime continu ou aux basses frquences, le courant traversant la grille peut tre considrer
nul. Le dispositif est donc un convertisseur tension-courant (entre-sortie) qui sera dautant
meilleur quune faible tension pilote un fort courant (transconductance leve). La suite va consister
tablir la forme de la caractristique lectrique de sortie en tenant compte des contraintes
physiques et de linfluence des diffrents paramtres physiques et lectriques.
4) Caractristique IDS(VDS) dun transistor NMOS normally on.

a) La tension drain-source VDS est faible.
Ds que la tension de grille a atteint Vth, le IDS
canal dlectrons est form. Lorsque la VGS2 > VGS1
tension VGS est encore augmente, la densit
dlectrons dans la zone de canal augmente et VGS1 > Vth
la rsistance quivalente du canal diminue. La
VGS= Vth
pente IDS/VGS augmente. Tant que la tension
faible VDS
VDS est faible, elle ne modifie sensiblement
pas cette distribution de concentration Figure 99 : La variation de VGS fait varier la rsistance
interne du transistor vue entre le drain et la source. Les
dlectrons. Le dispositif est dit en rgime courbes sont linaires tant que la tension VDS reste
ohmique ; le transistor se comporte comme faible. Le transistor se comporte comme une rsistance
commande.
une rsistance pilote par la tension de grille
(figure 99).
b) La tension de grille VGS>Vth et la tension drain-source VDS non ngligeable.
VGS>Vth signifie que pour la tension VDS trs faible, le canal dlectrons existe en tout point
compris entre les zones de drain et de source.
Pour une valeur de VDS positive et non ngligeable, la diffrence de potentiel entre la grille et le
substrat (dans la zone de canal) cot drain diminue.

G
Cela revient diminuer le champ S

D
lectrique dans la zone de canal sous la grille,

cot drain. La concentration dans le canal, du
cot drain, a alors tendance diminuer (figure N+ N+
100). La rsistance du canal cot drain
augmente puisque le nombre de porteurs substrat p
diminue, ce qui signifie que la pente de la
courbe IDS(VDS) diminue. canal dlectrons
Nous dirons que nous sommes dans la Figure 100 : Modification de la forme du canal
zone de caractristique intermdiaire, telle dlectron lorsque pour une tension de grille suprieure
la tension de seuil, la tension de drain augmente. Le
que reprsente figure 101. canal est beaucoup plus troit du cot drain, jusqu ce
quil disparaisse.
Si la tension drain continue augmenter, IDS

la diffrence de potentiel entre la grille et le
substrat (VGD) devient gale voire infrieure
VGS>Vth
la tension de seuil. Le canal a donc tendance
disparatre du cot drain.
Nous dirons que le canal est pinc. Dans
VDS
ces conditions, toute la chute de potentiel est
Figure 101 : Evolution de la caractristique IDS(VGS)
absorbe par la zone de charge despace lorsque la tension de drain augmente, pour une tension
comprise entre le drain et lextrmit du de grille suprieure la tension de seuil. La pente de la
caractristique diminue dans la zone dite intermdiaire.
canal.
La conduction est alors assure par le champ lectrique transverse tel que prsent figure 102.
Notons que ce champ peut tre calcul par intgration de lquation de Poisson dans ce domaine
compris entre lextrmit du canal et la zone de drain.
G
Si la concentration de dopant dans la zone S
champ transverse D
de canal nest pas trop faible, lextension de
cette zone est faible et la variation relative de
la longueur totale du canal est faible. Le canal
N+ N+
existant nest alors pas modifi sensiblement
et sa rsistance entre la source et le point de substrat p pincement du canal
pincement est pratiquement constante. Le canal dlectrons
potentiel du point de pincement correspond
Figure 102 : Lorsque la tension de drain rend la
VGS Vth qui est constante pour une valeur diffrence de potentiel entre grille et drain infrieure
la tension de seuil, le point de pincement se dplace
donne de VGS. Ainsi, la diffrence de sous la grille. La conduction est alors assure par le
potentiel entre le point de pincement et la champ lectrique transverse entre le drain et le point de
pincement
source est constante.

Diffrence de potentiel et rsistance fixes, signifient que le courant traversant le canal, IDS, est
constant VGS donne (I = U/R). La caractristique lectrique est alors horizontale et a lallure de la
figure 103. Nous dirons que le transistor est en rgime de saturation.
Pour un VGS donn, la caractristique de
sortie comprend ainsi trois zones IDS
significatives :
- le rgime ohmique,
VGS>Vth
- le rgime intermdiaire,
- la saturation.
Le point de saturation dpend de la valeur
VDS
de VGS puisquil apparat pour VGS VDS
Figure 103 : Lorsque la tension de drain rend la
= Vth. Cette valeur de VDS sappelle tension diffrence de potentiel entre grille et drain infrieure
de saturation VDSsat. la tension de seuil, le courant sature.
c) Caractristique de sortie du transistor IDS(VDS, VGS).

La figure 103 a t trace pour une IDS limite de saturation
tension applique sur la grille bien dfinie et VGS - Vth
suprieure la tension de seuil.
La modification de VGS :
- modifie la pente en rgime ohmique, VGS2 > VGS1
- dplace la tension de saturation, VDSsat, VGS1 > Vth
- modifie lamplitude du courant de
Vth
saturation.
VDS
On retrouve de la sorte un rseau de
Figure 104 : Caractristique de sortie du transistor
courbes reprsent figure 104, semblable
MOS. La saturation apparat lorsque la tension de drain
celui dun transistor bipolaire mais la atteint la valeur VGS-Vth reprsente par la courbe en
pointille.
grandeur de contrle est dans ce cas le
potentiel de grille la place du courant base.
III Analyse physique de la structure mtal/oxyde/semiconducteur idale

1) Diagramme dnergie lquilibre thermodynamique
La structure Mtal/Oxyde/Semiconducteur est donc un sandwich de couches constitues de
matriaux de nature diffrente : conducteur, isolant et semiconducteur. Nous allons pour simplifier
ltude considrer que ces matriaux sont homognes et ont des travaux de sortie identiques.
En dautres termes, lcart nergtique entre le niveau du vide et le niveau de Fermi du mtal est
gal celui du semiconducteur dop constituant le substrat. A lquilibre thermodynamique, il ny a
donc pas de diffrence de potentiel et donc pas de champ lectrique local entre le conducteur et le
semiconducteur.
La figure 105 montre les diagrammes dnergie avant et aprs contact entre les diffrents
matriaux. Nous considrerons toujours un modle unidimensionnel : lorientation est
perpendiculaire aux interfaces.

E mtal oxyde semiconducteur E mtal oxyde semiconducteur

E
vide vide vide vide
EC EC
EC EC
EF EF EF EF
EV EV
EV EV
matriaux avant contact structure aprs contact
Figure 105 : diagrammes dnergie lquilibre thermodynamique des diffrents matriaux

de la structure MOS avant contact puis aprs contact. Le niveau de Fermi est dans la bande
de conduction pour le mtal. La largeur de la bande interdite de loxyde est trs grande
devant celle du semiconducteur. Le semiconducteur est dop p dans cet exemple, le niveau
de Fermi se trouve donc proche de la bande de valence
A lquilibre thermodynamique, le mtal et le semiconducteur sont au mme potentiel, les

niveaux de Fermi sont donc aligns. Nous allons prendre comme potentiel de rfrence le potentiel
du semiconducteur loin d linterface oxyde/semiconducteur.
2) Rgime daccumulation
Pour ce rgime, une tension est applique sur le mtal par rapport au semiconducteur qui
correspond la tension de grille applique par rapport au substrat.
La chute de potentiel va se rpartir entre loxyde et le semiconducteur prs de linterface.
Loxyde tant suppos idal, il nexiste aucune charge lintrieur, ni statiques, ni en transit.
Daprs lquation de Poisson, le champ lectrique y est constant la variation de potentiel linaire.
Puisquil existe une charge despace possible dans le semiconducteur, le champ peut varier dans
cette zone, le potentiel aussi.
La figure 106 montre de faon qualitative mtal oxyde semiconducteur
la variation du potentiel dans la structure, et
donc la variation du niveau du vide. Vo
Sur cette figure, nous appelons : VG
- -s le potentiel linterface, s

- Vo, la chute de potentiel dans loxyde, -d 0 x
- le potentiel labscisse x.
Figure 106 : variation du potentiel travers la structure.
Lorsque VG est ngatif, lest aussi. Le La variation est linaire dans loxyde. s est le potentiel
linterface. Le potentiel de la grille est gal la
niveau de Fermi dans la zone considre se
somme des potentiels dans loxyde et le
rapproche de la bande de valence. semiconducteur.
Notons la relation : VG = Vo + s.
E E
Comme p = Nv .exp
F V
kT , le semiconducteur senrichit en trous majoritaires. Nous

appelons ce rgime, le rgime daccumulation.

La zone de charge despace est alors E mtal oxyde semiconducteur

remplie par des trous majoritaires et les VG<0
vide
concentrations des autres types de charges
deviennent ngligeables. La figure 107 EC
montre le diagramme dnergie dans ce EC
rgime. Dans le cas prsent, le potentiel du

EF EF
mtal est plus faible que celui du s
semiconducteur (sens inverse des nergies). EV
EV accumulation
La courbure de bande est dite vers le haut .
Ce rgime sera mis en oeuvre dans
Figure 107 : diagramme dnergie de la structure en
certaines structures particulires pour enrichir rgime daccumulation. Au niveau de linterface
la zone de canal. oxyde/semiconducteur, le niveau de Fermi est plus
proche de la bande de valence.
3) Rgime de dsertion
Dans ces conditions, la tension applique sur le mtal est positive : VG>0, mais pas trop leve.
La courbure des bandes dnergie est change de sens par rapport au cas prcdent. Le potentiel de
surface, s, est positif et donc le niveau de Fermi linterface sloigne de la bande de valence et se
rapproche du milieu de la bande interdite, cest--dire du niveau de Fermi intrinsque. Il y a
appauvrissement de porteurs, en trous dans cet exemple. La zone de charge despace contient
principalement des atomes dopants ioniss E mtal oxyde semiconducteur
(accepteurs dans ce cas). vide
La figure 108 montre le diagramme
VG>0
dnergie dans ces conditions. Il faut analyser EC
la position du niveau de Fermi linterface EC
qs
oxyde-semiconducteur. Dans ce cas, qVG Ei
qp E
|qs| < |qp|, ce qui signifie que le niveau de F
EF EV
Fermi reste dans la partie infrieure de la
bande interdite. La concentration en trous est EV
dsertion
trs infrieure la concentration en dopant et
la concentration en lectrons reste Figure 108 : Diagramme dnergie de la structure en
rgime de dsertion pour un substrat dop p. La
compltement ngligeable. La zone de charge
courbure est dans ce cas vers le bas et le niveau de
despace stend en fonction de la tension Fermi linterface scarte de la bande de valence et se
rapproche du niveau de Fermi intrinsque.
applique sur la grille. Quand la courbure
augmente, lextension augmente.
4) Rgime de faible inversion

La tension applique sur le mtal est plus leve de manire ce que le potentiel de surface (en
nergie) soit suprieur lcart nergtique entre le niveau de Fermi et le niveau de Fermi
intrinsque dans le substrat semiconducteur initial, qp.

Dans ces conditions, telles que E mtal oxyde semiconducteur

reprsentes figure 109, la courbure est vers
le bas , le niveau de Fermi linterface est VG>0
vide EC
pass au-dessus du niveau de Fermi
intrinsque ; le niveau de Fermi linterface EC
inversion Ei
est plus proche de la bande de conduction que qp E
F
de la bande de valence. Les lectrons sont s
qVG>0 EV
alors plus nombreux que les trous mais restent
EF
nanmoins en concentration ngligeable par EV
rapport aux atomes dopants ioniss. La
population de porteurs sest inverse
linterface. Nous appelons ce rgime la faible Figure 109 : Diagramme dnergie de la structure en
rgime dinversion pour un substrat dop p. La
inversion. courbure est dans ce cas vers le bas et le niveau de
Fermi linterface est pass au-dessus du niveau de
Fermi intrinsque.
5) Rgime de forte inversion

Ce rgime dbute lorsque le canal tel que nous lavons dfini commence exister, cest--dire
dans le cas propos, lorsque la concentration en lectrons devient gale en surface du
semiconducteur la concentration datome dopants ioniss, ce qui correspond la concentration
en trous dans le volume neutre (loin de linterface). Dans ces conditions, lcart nergtique entre
le niveau de Fermi de surface et le niveau de Fermi intrinsque est gal en valeur absolue celui du
volume neutre. Autrement dit, le potentiel en surface est gal ou suprieur 2 fois p.
Nous noterons : s 2 p
Lorsque s = 2 p alors VG = Vth E mtal oxyde semiconducteur
cest--dire que la tension de grille est gale

la tension de seuil. La figure 110 montre cette 2qp
situation. La courbure de bande a augment et vide EC
la zone de charge despace atteint EC Ei
pratiquement un maximum. EF
s
En effet, la zone de charge despace EV
qVG>qVth forte
comporte deux parties charges avec des
inversion
lments portant le mme signe : EF
- la zone dserte de concentration, NA EV
dans notre cas,
- la zone de canal de concentration n
trs leve et suprieure NA.
Figure 110 : diagramme dnergie de la structure en
forte inversion. Le niveau de Fermi linterface est au
moins aussi proche de la bande de conduction quil
nest de la bande de valence dans le volume neutre.

La zone de canal est en fait trs fine Q
(quelques Angstrm quelques dizaines mtal oxyde semiconducteur

dAngstrm) puisque les porteurs
sagglutinent contre la paroi doxyde. La
charge totale de ces deux contributions se -d 0 W x
-qNA
retrouve de signe oppos sur la grille comme
le montre la figure 111.
Sur cette figure, trs schmatise, il est
possible de se rendre compte de la faible -qn
paisseur du canal. Du cot du mtal, la Figure 111 : Reprsentation de la distribution des

charges dans la structure en rgime de forte inversion.
concentration en lectrons est tellement forte La concentration en lectrons linterface oxyde-
que lpaisseur concerne, correspondant un semiconducteur est trs leve, lpaisseur de cette zone
est trs faible. Il en est de mme du cot mtal.
dficit dlectrons est presque nulle.
6) Rsolution de lquation de Poisson

Lintgration de lquation de Poisson est plus complique dans ce cas puisquil nest pas
possible, a priori, de ngliger les diffrents types de charges devant les autres dans la mesure o
suivant le rgime limportance relative de leur concentration est modifie fondamentalement.
d 2 q(N D+ N A + p n)
= = (85)
dx2 r o r o
Dans le volume neutre du substrat, lquilibre thermodynamique, en considrant les dopages
constants, et en notant no et po les concentrations des porteurs, nous avons :
N D+ N A + po no = 0 N D N A = no po
En appliquant la statistique de Boltzmann, le niveau de Fermi est situ entre la bande de valence
et la bande de conduction :
q q
n = no exp + et p = po exp (127)
kT kT
le changement de signe provenant de lorientation des nergies.
En remplaant les expressions prcdentes dans lquation de Poisson, nous obtenons :
d 2 q q n exp + q
= no po + po exp o kT
dx 2
r o kT
Il est clair que la rsolution de cette quation nest pas triviale. Il faut utiliser un facteur
d d d 2 1 d d . De plus, sachant que le champ drive du
2
intgrant, , sachant que =

dx dx dx 2 2 dx dx
d
potentiel, =
dx
d d = 2qpo exp q + 1 + no exp + q 1 d
2
dx dx r o
kT
po
kT
dx


Cette quation peut tre alors intgre entre les limites de la zone de charge despace, donc de 0
W.
(W)
[ ]
d = ( )2 W = 2kTpo exp q + q + no exp + q q
2
dx kT kT kT kT
0
r o po (0)
d
or en x = W, = 0 et ==0
dx
d
et en x = 0, = s et = s
dx
2kTpo q s q s q s q s
( )
s
2
=
r o
exp +1 + no 1 exp +
po
+
kT
(128)
kT kT
kT

2kTpo 2kTpo (2kT )2 qpo q
Le terme en peut scrire sous la forme =
r o r o q 2
2 r o kT
qpo q
Le deuxime terme de cette galit contient lexpression qui est homogne
2 r o kT
linverse dune longueur au carr. Nous noterons :
LD = 2 r o kT (129)
qpo q
appele longueur de Debye. Notons que cette longueur a exactement la mme forme que celle dune
extension de zone de charge despace pour laquelle le potentiel serait le potentiel
thermodynamique.
Remarque : dans certains ouvrages, la longueur de Debye est dfinie sans le nombre 2. La diffrence est dans le rapport
racine de 2 et perd en partie son analogie. Nous verrons laspect intressant de notre choix un peu plus loin.
Des expressions (88) et (89) nous pouvons exprimer le champ lectrique linterface oxyde-
semiconducteur, en valeur absolue :
1
q q s q s q s
2
s = 2kT exp s + 1 + no 1 exp + + (130)

qLD kT kT po kT kT

qui se note aussi :
s = 2kT F( s , no ) (131)
qLD po
F(s, no/po) tant la fonction de Kingston-Neustader.
1
q s q s
2
q s q s
F s , no = 1 exp + no 1 exp + + (132)
po kT kT po kT kT


Cette expression du champ lectrique en surface (relation 91) est trs importante car elle va
permettre dvaluer la valeur de la charge en surface en appliquant le thorme de Gauss et en
dduire dans la suite la capacit quivalente vue depuis la grille de la structure MOS.
A partir du thorme de Gauss nous pouvons exprimer la charge par unit de surface :
Qs = r o s Qs = 2 r o kT F( s , no )
qLD po
Nous allons analyser dans la suite en fonction des diffrents rgimes imposs par la tension de
grille lexpression de cette charge.
Remarque : dans la fonction F, le rapport no/po est une valeur trs faible qui correspond au rapport des concentrations
des porteurs minoritaires celui des majoritaires. Si NA = 1016cm-3, po = 1016cm-3 et no = ni2/NA~ 104 cm-3, no/po ~ 10-14.
q s
Le terme exponentiel en facteur dans F, deviendra du mme ordre de grandeur quand sera gal 1014, cest--
kT
dire en pratique pour s = 2 p . Autrement dit no = ni2 = exp 2q p
po N A2 kT
7) Variation de la concentration de charge en surface en fonction de la polarisation de

grille
Nous allons exprimer puis tracer Qs dans les diffrents rgimes dans le cas dun substrat de type
p pour lequel les trous sont majoritaires et les lectrons minoritaires lquilibre thermodynamique.
a) Rgime daccumulation
q s
Dans lexpression de Qs, s > 0, Qs > 0, seul le terme en exp subsiste dans F. Ainsi :
kT
q s
Qs = + 2 r o kT exp (133)
qLD 2kT
En appelant ps la concentration en surface, cest--dire linterface oxyde-semiconducteur,
q s
ps = po exp lexpression de la charge devient en remplaant LD par son expression :
kT
Qs = + 2q r o kT ps (134)
q
Cette forme est intressante car elle met en vidence limportance de la concentration en surface
dans lexpression de la charge qui traduit aussi une loi exponentielle en fonction du potentiel de
surface.
b) Rgime de dsertion ou dappauvrissement

q s
Dans lexpression de Qs, s > 0, Qs < 0, avec 0 < | s |< |p|, seul le terme en 1 subsiste
kT
dans F. Ainsi :
q s
Qs = 2 r o kT 1 (135)
qLD kT
Expression qui scrit encore :

q s
Qs = 2 r o qpo 1 (136)
kT

Remarque : Qs = - qNAW donne W = 2 r o s kT . Nous retrouvons ainsi lexpression de lextension de

qN A q
la zone de charge despace habituelle. En fait, le calcul complet que nous venons de mener amne une correction gale
au potentiel thermodynamique, VT. Cela signifie quen faisant lapproximation de Schockley, lerreur est trs faible. La
modification apparat sur la longueur de Debye, distance sur laquelle nous naurions pas le droit de faire
lapproximation que la concentration en porteurs est ngligeable devant la concentration en atomes dopants ioniss.
c) Rgime de faible inversion

Dans lexpression de Qs, s > 0, Qs < 0, avec |p| < | s |< 2|p|, le terme incluant le facteur no/po
est toujours ngligeable et donc lexpression de cette charge reste identique au cas prcdent :
q s
Qs = 2 r o qpo 1 (137)
kT

d) Rgime de forte inversion

Dans lexpression de Qs, s > 0, Qs < 0, avec | s |> 2|p|, le terme facteur de no/po devient alors
2q p
suprieur exp et cette partie de lexpression de F devient prpondrante. Ainsi :
kT
q s no
Qs = 2 r o kT exp (138)
qLD 2kT po
q s
Sachant que ns = no exp ,
kT
Qs = + 2q r o kT ns (139)
q
Laspect intressant de cette dernire expression est que nous retrouvons exactement le mme
type dexpression que dans la cas de laccumulation (formule 94) mais en changeant le type de
porteurs de charge ; dans notre exemple dune structure sur substrat p, nous changeons ps en ns. Il
est clair que la structure a t inverse par rapport la situation de dpart.
e) Variations de Qs en fonction de s
La figure 84 montre la variation de la charge en fonction du potentiel de surface. Il faut se
rappeler que celui-ci dpend directement de la polarisation applique sur la grille. Cette charge
augmente trs fortement en valeur absolue dans les rgimes daccumulation et de forte inversion
et varie trs peu entre. Puisque cette charge compense leffet de la tension applique sur la
grille, cela aura pour consquence que dans les rgimes extrmes, la tension applique sur la
grille pourra tre relativement importante.

Qs
8) Variation de s en fonction de la
exp(-qs/2kT)
polarisation de grille
La tension applique sur la grille par
EFs=Ei
rapport au substrat est la somme de la chute dsertion inversion
de potentiel dans loxyde, Vo, et de la chute de 0 p 2qp s
accumulation
potentiel dans le semiconducteur s.
VG = Vo + s -exp(qs/2kT)
forte inversion
La chute de potentiel dans loxyde
considr parfait correspond la circulation Figure 112 : Variation de la charge en fonction du
potentiel linterface oxyde semiconducteur dans le cas
du champ lectrique, cest--dire : dun substrat de type p. En rgime daccumulation ou
|Vo| = |d.ox| de forte inversion la variation est trs rapide.
A linterface oxyde-semiconducteur, le s
vecteur dplacement lectrique est continu. 2qp forte inversion
ox.ox = Si.s inversion
Si + s p
VG = Vo + s VG = d dsertion
ox S
Le problme est alors dvaluer le champ

0 VGinv Vth VG
lectrique linterface. Soit nous utilisons le
rsultat de lintgration de lquation de Figure 113 : Variation du potentiel de surface en
fonction de la tension de grille. Pour des tensions de
Poisson complte, soit nous utilisons grille suffisantes, le potentiel de surface varie
linairement en fonction de la tension grille jusqu la
lapproche simplifie qui tient compte de tension de seuil.
lapproximation de Schockley.
Cette approximation consiste considrer que la concentration en lectrons, mme si elle est
gale la concentration de dopants ioniss exactement linterface pour la tension de seuil, est trs
vite ngligeable quelques distances atomiques de linterface.
En supposant le dopage constant, le champ linterface oxyde-semiconducteur correspond la
valeur maximale (en module) du champ lectrique qui sexprime par :
s = A 2 r o s =
qN 2qN A
s
r o qN A r o
Si 2qN A + s
VG = d
ox r o
s
La figure 85 donne une ide de la variation du potentiel de surface en fonction de la tension de

grille.
La tension de seuil est dfinie pour s = 2p. Ainsi, la tension de seuil sexprime par :
Vth = d
Si 2qN A 2 + 2 (140)
ox r o
p p
Nous pouvons donner un exemple numrique dans le cas o :

d = 200 , Si, = 10-12 F/cm ox = 1/3 Si, NA = 3.1016 cm-3,

ainsi, 2p = 0,76V et Vth = 1,28V

Nous pouvons remarquer que si d diminue la tension de seuil diminue aussi ; cest lune des
raisons de la diminution des paisseurs doxyde dans les technologies fortement intgres trs basse
consommation.
9) Capacit quivalente de la structure MOS

On associe la variation de charge totale de la zone de charge despace la variation de la
tension de grille, VG, par lquivalence dune capacit :
dQs
C=
dVG
Or nous avons vu que VG = Vo + s et donc dVG = dVo + ds
dQs 1
C= =
dVo + d s dVo + d s
dQs dQs
Le premier terme du dnominateur correspond la capacit de loxyde, Cox. Le second la
capacit quivalente de la zone de charge despace du semiconducteur, Cd.
1 Co Cd
C= = (141)
1 + 1 Co + Cd
Co Cd
La capacit totale est quivalente la mis en srie des deux capacits Co et Cd.
dQs peut tre dduit de ltude de VG substrat

d s
Qs(s), pente de la courbe. Ainsi, si nous Co Cd
supposons que la variation de Vg est C/Co
1
suffisamment lente pour considrer que
lquilibre est atteint en permanence, le forme accumulation forte inversion
de C(VG) est celle reprsente sur la figure
114. Pour effectuer la mesure il faut en
rponse HF
gnral superposer VG un signal variable. En
haute frquence , les porteurs minoritaires 0 Vth VG
ne peuvent pas suivre la variation impose, Figure 114 : Variation de la capacit normalise en
puisquils sont trop peu nombreux pour fonction de la tension de grille ; la capacit totale est la
mise en srie des deux capacits Co et Cd. Si la
permettre datteindre lquilibre. Pour des frquence est trs basse, les porteurs minoritaires ont le
zones de substrat de trs bonne qualit temps de rpondre et la capacit remonte vers Co en
forte inversion. En haute frquence, nous obtenons la
(grande dure de vie), le domaine de haute courbe en pointills pour les tensions de grille positives.
frquence peut dbuter quelques dizaines
de Hertz.

IV Caractristique de transistor MOS idal

Il sagit de retrouver les expressions analytiques ID(VDS, VGS) correspondant la forme de la
caractristique prsente au paragraphe 2. Cela va ncessiter un certain nombre dapproximations
en fonction du rgime de fonctionnement. Nous nous limiterons ce stade, la caractristique en
conduction, cest--dire pour des tensions de grille au moins gales, en valeur absolue, la tension
de seuil.
1) Expression de la charge dans le canal

La charge totale dans le semiconducteur, Qs, est la somme de la charge correspondant aux
atomes dopants ioniss dans la zone de charge despace, QB, et de la charge quivalente des
porteurs libres dans le canal, QI. Ainsi :
Qs = QI + QB
La tension de grille, VG > Vth est applique sur une face de lisolant. En raisonnant laide dun
condensateur quivalent, la charge totale Qs se retrouve en vis--vis aux bornes de lisolant. La
tension aux bornes de lisolant sexprime alors par :
Qs Qs
Vo = et donc VG = + s
Co Co
Lorsque VG = Vth , nous pouvons supposer que QI est encore ngligeable puisque le canal
commence tout juste se former ; mme si la concentration des porteurs atteint celle du dopage,
lpaisseur du canal est encore suffisamment faible pour tre ngligeable devant lextension de la
zone de charge despace ; ceci est bien sr une approximation importante. Alors :
G
Q S canal dlectrons D
Vth = B + 2 p (142)
Co
Ainsi, en tout point du canal, le potentiel dQI
est VG Vth - , ce dernier terme

N+ (y) N+
reprsentant le potentiel local dans la zone de
canal linterface oxyde-semiconducteur. dy
substrat p
Qs QB Q 0 L y
VG Vth = = I
Co Co
Figure 115 : Reprsentation schmatique de la structure
Notons que QI = QI(y) puisque = (y) MOS en rgime de conduction non sature. La canal
existe partout sous la grille. Le potentiel de surface
et donc
( )
varie en fonction de la position y ; il en est de mme
QI = Co VG Vth (y) (143) pour la charge dinterface QI. Lintgrale de la
rsistance entre 0 et L permet de dterminer le courant
Cette charge par unit de surface dans la total drain-source traversant le transistor. La rsistance
augmente lorsque la polarisation drain-source
zone de canal dpend donc de la position augmente.
(fonction de labscisse y) et va nous permettre
dvaluer la rsistance globale du canal entre
les contacts de source et de drain, en
supposant que ces zones sont parfaites
(rsistance nulle).
2) Calcul du courant

Dans la zone de canal quand celui-ci existe, nous supposons que le mcanisme de conduction
prpondrant est de type drive dans le champ lectrique transverse, y. Lexpression du courant
inclue donc le champ lectrique, la mobilit des porteurs, la charge du canal par unit de surface, et
la largeur du canal, Z (non visible sur la coupe de la figure 115). La longueur du canal est L.
d
I D = Z n QI y et y =
dy
I D = Z n Co VG Vth (y)( d
dy
)
En intgrant cette quation tout le long du canal entre 0 et L, le potentiel variant de 0 VD,
(V )
L VD
I
0
D dy = Z n Co
0
G Vth d

(
I D L = Z n Co VG Vth VD VD
2
2
)
L
(
I D = Z n Co VG Vth VD VD
2
2
) (144)
Lexpression du courant trouve ici est trs simplifie mais donne un bon aperu de lquation
de la caractristique du transistor. Sans les approximations, la rsolution est beaucoup plus
compliques.
Dans le calcul ci-dessus, nous avons suppos que le canal existe sur toute la longueur L en
rgime limite. Lorsque VDS = VGS Vth, le point de pincement du canal apparat au niveau du drain.
Cette situation correspond au dbut de la saturation du courant ; le courant de saturation sera not
IDsat.
VDsat = VG Vth

( )
2

( )
2 VG Vth
I Dsat = Z n Co VG Vth
L 2

(V )
2
G Vth
I Dsat = Z n Co (145)
L 2
Ainsi, nous dterminons le courant de saturation qui ne dpend que de la diffrence entre la
tension de grille et la tension de seuil.
Il faut cependant remarquer que pour la tension de grille trs lgrement infrieure ou gale la
tension de seuil, le courant nest pas nul. Pour connatre le comportement lectrique au-dessous du
seuil, il faut reprendre les quations qui dterminent la quantit effective des porteurs (dans notre
cas les lectrons) dont la concentration est infrieure la concentration de dopant mais est loin
dtre nulle (1017cm-3 par exemple). Dans ces conditions, nous dterminons la caractristique de
transfert sous le seuil, le courant pouvant varier sur une bonne dizaine de dcades pour atteindre la
valeur du courant inverse dune des deux jonctions drain-canal ou source-canal.

Le forme de cette caractristique et plus particulirement sa pente dans une chelle

logarithmique est directement lie lpaisseur doxyde, au dopage de la zone de canal et la
densit de charge parasite lies essentiellement aux dfauts dinterface oxyde/zone canal (figure
116).
Le cours de limites physiques des composants et dispositifs commun la 3me anne et au DEA
Electronique pourra donner des dtails sur ce comportement.
IDS(A)
10-4
10-6 pente S
en V/dcade
10-8
10-10
10-12
10-14
-2 -1 0 1 2 3
VGS(V)
Figure 116 : Caractristique de transfert typique dun transistor NMOS intgr. Le courant
drain-source varie sur une dizaine de dcade pour une variation de lordre du volt pour la
tension de grille.
V Dfauts cristallins et de surface

Dans la majorit des composants microlectronique et plus particulirement dans les transistors
MOS, les surfaces et interfaces vont jouer un trs grand rle sur le comportement lectrique. Toute
rupture du rseau cristallin va apporter des perturbations sur les liaisons et donc sur les nergies.
1) Diffrents types de dfauts

Ces dfauts peuvent tre :
- des dislocations dans le cristal lui-mme,
- des lacunes cres par des dplacements datomes dans le cristal,
- des carts la stchiomtrie dans le cas des semiconducteur composs (III-V),
- rupture du rseau au niveau dune surface.
La surface est une zone de transition entre deux phases, deux matriaux de morphologie
diffrente (amorphe, vitreuse, polycristalline). Les contraintes variant dune phase lautre :
- des atomes peuvent tre dplacs,
- des atomes nont pas de liaisons ; il se cre des liaisons dites pendantes qui peuvent tre
lectriquement active par pigeage dlectron par exemple,
- des hybridations lectroniques peuvent se produire par changement de lenvironnement
atomique,
- des atomes peuvent tre impliqus dans une marche en surface, dans une terrasse, ou dans u
cran (modle dit TKL).

De plus en surface, certaines espces peuvent ragir avec lautre phase. Dans le cas de lair, des
ractions doxydation, dadsorption datomes (carbone, etc.) ou de molcules (eau, composs
organiques, etc.) sont possibles.
2) Etats nergtiques
Tous ces dfauts vont crer des tats nergtiques qui dans beaucoup de cas vont apparatre
dans la bande interdite du semiconducteur. Ces niveaux nergtiques se distribuent dans la bande
interdite en fonction de la nature du semiconducteur et de la nature de la deuxime phase. Suivant
leur position dans le gap, ils peuvent tre de types donneur ou accepteur.
La prsence de ces tats aura une trs grande importance sur le comportement lectrique final
du dispositif en jouant sur :
- le pigeage des porteurs libres,
- la mobilit des porteurs libres,
- la recombinaison.
Localiss nergtiquement en grande quantit, ils peuvent verrouiller le niveau de Fermi.
Par exemple, dans le cas dun transistor de type MOS, au lieu de moduler le nombre de porteurs
libres dans le canal par la polarisation de grille, le nombre de porteurs pigs varient seulement sans
modification de la conduction du canal. Cest cause de ce phnomne quil na pas t possible de
fabriquer des transistors de type MOS performants (M.I.S. mtal-isolant-semiconducteur) avec
lInP ou la GaAs.
Il est possible dvaluer le nombre de dfauts ou dtats nergtiques par unit de surface. Le
nombre total datomes tant denviron 5.1022cm-3, le nombre de liaisons pendantes peut tre de :
(5.1022)2/3 = 1015cm-2
Un bon traitement de surface et un bon contrle de linterface entre le semiconducteur et
loxyde de grille dans les transistors MOS submicroniques aboutissent une densit dtats, Nss, de
lordre de 109cm-2, soit un dfaut par million datomes en surface. Cela laisse supposer une matrise
technologique remarquable.
La prsence de ces dfauts affecte bien sr les caractristiques des transistors MOS, tension de
seuil, pente sous le seuil, transconductance, etc.. Les phnomnes associs ne seront pas abords
dans le cadre de ce cours.

Chapitre 9 : Le transistor effet de champ jonction
CHAPITRE IX
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION

TRANSISTORS JFET
Nous allons tudier dans ce chapitre le transistor effet de champ jonction : Junction Field
Effect Transistor (JFET). Cette structure est de la mme famille que le transistor MOS savoir que
le courant est pilot par une polarisation sur une lectrode qui sera aussi dans ce cas la grille du
dispositif. Le principe est alors la modulation de lpaisseur dune zone conductrice constitue par
un matriau semiconducteur qui peut tre dserte par lextension dune zone de charge despace
pilote par lapplication dune tension. Cette zone de charge despace existe par la prsence dune
jonction pn. Cette jonction sera polarise en inverse pour jouer sur lextension de la zone de charge
despace.
I Constitution
La partie conductrice du transistor est constitue dun barreau semiconducteur de type n ou p. Si
cette zone est de type n, nous dirons que le transistor est canal n, si elle est de type p, canal p. La
figure 89 donne lexemple dun transistor canal n. La zone conductrice, le canal, est limite du
cot suprieur par la zone de charge despace de la jonction grille/canal et du cot substrat par une
jonction. Le canal est donc confin entre deux zones de type oppos. En technologie silicium, pour
laquelle il est trs difficile dobtenir un substrat isolant, il faudra sassurer que cette jonction
infrieure reste polarise ngativement afin de minimiser tout courant de fuite par le substrat.
De faon analogue au transistor MOS, S G D
nous dfinissons les trois lectrodes par
source (S), grille (G) et drain (D). Nous
justifierons plus loin lorigine de ces P+
+ N+
N
dnominations. Pour minimiser les effets de Z.C.E.
N
rsistance en srie avec les lectrodes les canal
Z.C.E.
extrmits du canal sont en gnral trs
dopes. Il faudra donc raliser substrat P
technologiquement cet assemblage de Figure 117 : Coupe schmatique dun transistor effet
couches dans des dimensions suffisamment de champ jonction canal N. La jonction grille-canal
est trs dissymtrique pour permettre de commander
faibles pour permettre un bon pilotage de la lextension de la zone de charge despace (Z.C.E.) dans
conduction. La grille commande par effet de la zone de canal, et donc de moduler la section de
conduction. Sous les contacts de source et de drain, le
champ (lectrostatique) la largeur du canal et semiconducteur est trs dop afin de minimiser la
donc la section de conduction de ce canal. Il rsistance de ces zones. Le substrat de type P dans ce
cas est moins dop que la zone de canal pour que la
est alors clair que la rsistance quivalente Z.C.E. stende essentiellement du cot du substrat. Ce
substrat peut tre pitaxi (P+/P-)
entre la source et le drain va tre module par
la polarisation de grille.
O. Bonnaud, Physique des semiconducteurs et dispositifs, Juin 2003 125

Le substrat de type P dans ce cas est moins dop que la zone de canal pour que la Z.C.E.
stende essentiellement du cot du substrat. Leffet de la polarisation de drain, qui intervient
comme une polarisation inverse de la jonction drain substrat, est alors minimis dans la rgion du
canal. En pratique, le substrat est constitu de deux zones, la premire relativement bien dope et la
deuxime, en surface, peu dope par la technique de croissance pitaxiale (cf. cours de technologie
microlectronique intgre).
II Symboles
Pour le trac des circuits lectroniques impliquant des JFET, les conventions adoptes sont les
suivantes. La flche apparaissant sur la connexion de grille est oriente dans le sens passant de la
jonction pn ; vers le canal (depuis la grille) pour un canal n, depuis le canal (vers la grille) pour un
canal p.
Canal n Canal
D D
G G
S S
III Principe de fonctionnement

1) La tension drain-source est maintenue trs faible
Considrons le cas dun transistor canal n. Pour que lextension de la zone de charge despace
se produise essentiellement du cot du canal, il faut une jonction pn trs dissymtrique, dans ce cas
p+ n. La zone p, qui constitue la zone de grille est donc trs dope. Lapplication dune tension
ngative sur la grille, donc sur la zone de type p de la jonction pn, produit une augmentation de
lextension de la zone de charge despace visible sur la figure 90. Lorsque la polarisation de grille
varie, la zone dserte du canal est ainsi module et donc la section de conduction lest aussi (figure
118). La rsistance quivalente entre la source et le drain va donc varier.
Pour une trs faible valeur de la diffrence S VGS G D
de potentiel applique entre la source et le
drain, le courant est directement li la valeur
de la rsistance module par la tension de
P+
grille. N+ N+
Z.C.E.
La structure se comporte donc dans ces
conditions comme une rsistance pilote par
N
une tension. Pour tre plus prcis, elle est
pilote par le champ lectrique interne, do canal
le nom donn au transistor. Figure 118 : Evolution de la largeur du canal lorsquune
La tension applique entre la source et le tension est applique sur la grille. La section du canal
diminue lorsque la polarisation inverse de la jonction
drain tant faible, le champ le long du canal augmente. Pour une polarisation nulle, la largeur du
canal est dtermine par lextension de la Z.C.E. de la
est ngligeable. jonction grille canal au repos.

Si la tension applique sur la grille atteint IDS

une valeur telle que la zone de charge VGS1= 0
despace stende jusquen limite de la zone
de canal, la rsistance du canal devient alors VGS2>VGS1
trs leve et la conduction est bloque. Cette
VGS3=Vp
situation correspond au blocage complet du
transistor appel cut-off . La tension faible
VDS
applique sur la grille correspondante est la
Figure 119 : volution de la caractristique de sortie
tension de cut-off, ou Vp. Cette tension faible tension de drain lorsque la polarisation inverse de
correspond aussi la tension de pincement du la grille volue. Le transistor se comporte comme une
rsistance commande. Pour une polarisation nulle, la
canal. La caractristique de sortie reprsente section du canal est maximale et la rsistance associe
figure 119 montre le comportement du minimale. La pente de la caractristique est donc
maximale. Pour une polarisation ngative, la
transistor en rsistance commande. conductance diminue et la rsistance augmente jusqu
tre quasi infinie pour la tension Vp (pincement du
canal).
2) La tension drain-source polarise en inverse la jonction drain-grille

La figure 120 montre lvolution de la zone de charge despace et donc de la largeur du canal.
La polarisation inverse augmentant du cot du drain, la section de conduction du canal diminue de
faon plus importante du cot du drain, lextension ntant pas modifie du cot source.
A tension de grille fixe, la tension de S VGS G D
VDS
drain augmentant, la pente de la
caractristique IDS (VGS) qui correspond
linverse de la rsistance quivalente de la
P+
zone de canal, diminue. La caractristique de N+ N+
Z.C.E.
sortie sincurve de faon tout fait similaire
celle du transistor MOS lorsque le canal se N
pince progressivement. Il faut noter que
canal
lextension de la zone de charge despace
variant de faon quadratique en fonction de la Figure 120 : volution de la zone de canal lorsque le
drain est polaris. La section du canal diminue du cot
tension applique la jonction (lorsque le du drain, ce qui entrane une augmentation de la
dopage est constant), cette volution nest pas rsistance vue depuis le drain.
linaire. Les calculs mens plus loin dans le IDS

chapitre justifieront cette volution.
La caractristique de sortie, reprsente
VGS>Vth
figure 93, montre cette volution du courant
lorsque pour une tension de grille fixe, la
tension applique sur le drain augmente.
VDS
Figure 121 : caractristique de sortie plus grand VDS.

La pente diminue jusqu la disparition du canal du cot du drain. La structure atteint le rgime
de pincement du canal. Cette situation se produit lorsque la diffrence de potentiel totale entre le
drain et la grille atteint la valeur de la tension de cut-off, note Vp.. A partir de cette limite, il faut
analyser comment est assure la conduction du transistor .
3) La tension drain-grille dpasse la tension de pincement

La figure 94 montre lvolution de la zone de charge despace et donc du canal lorsque la
polarisation du drain par rapport la grille dpasse la tension de pincement (VDS - VGS > Vp). Le
canal a disparu du cot du drain mais une diffrence de potentiel longitudinale dans la partie pince
permet dassurer la conduction. Au point P de la figure 122, le potentiel par rapport la source est
juste gal la tension de pincement, Vp.
Le phnomne est tout fait similaire S VGS G VDS D
celui dj observ dans le cas du transistor
IDS
MOS. Si lextension de la zone de charge
despace le long du canal reste faible devant
P+
la longueur du canal, la rsistance quivalente N+ N+
du canal est pratiquement constante ne Z.C.E. Vp

dpendant que de sa longueur effective et de
N
sa largeur en premire approximation. Au
P
point de pincement, le potentiel est toujours le courant canal champ lectrique
mme. Ainsi, pour une mme diffrence de Figure 122 : Situation du transistor en rgime satur. La
potentiel, la rsistance tant constante, le zone de charge despace atteint le fond de la
structure. La conduction est assure par le champ
courant circulant est alors constant (U=RI). lectrique situ entre la zone de drain et la zone de
La caractristique de sortie devient donc canal non dserte. La gomtrie du canal restant
presque constante, sa rsistance quivalent lest aussi.
horizontale et le transistor se comporte
comme une source de courant. Ce rgime est
dit satur, autrement dit le courant entre le
drain et la source sature.
Les porteurs mis en jeu tant ceux de la zone de canal, la conduction est donc assure par
porteurs majoritaires. La conduction sera donc plus leve pour des types N que pour des types P.
La figure 95 prsente la caractristique de sortie complte. Nous retrouvons faible VGS le
rgime dit ohmique, en rgime intermdiaire une variation notable de la rsistance quivalente, en
rgime satur, un courant quasi-constant. La pente du courant permet de dterminer ladmittance de
sortie lie leffet Early. En effet, le point de pincement nest pas strictement immobile lorsque la
tension drain-source augmente mais se dplace lgrement en direction de la source. La
dtermination de cette position est faite laide de la rsolution de lquation de Poisson. La
rsistance diminue un peu et donc le courant augmente lgrement, la diffrence de potentiel tant
toujours la mme. Nous obtenons lquivalence de leffet Early du transistor MOS ou bipolaire. Cet
effet se traduit par une pente positive sur la caractristique de sortie prsente figure 123.

La tension de Early est dfinie de faon limite de

saturation VGS = 0
similaire au transistor bipolaire par IDS
lintersection de la caractristique avec laxe
VGS1 < 0
des tensions. Pour une mme dimension, au
plus le dopage sera grand, au moins la zone VGS2 < VGS1
de charge despace stendra. Mais attention,
dautres phnomnes rentreront en jeu si le
dopage est trop lev (extension du cot
grille, claquage par champ lectrique,
Effet Early VDS
diminution de la mobilit des porteurs, etc).
Figure 123 : caractristique de sortie. En saturation le
courant drain-source est pratiquement constant. Leffet
Early cre une pente lgrement positive
4) Conclusion sur le comportement

Le transistor JFET est contrl par champs lectriques qui sont dpendant directement de la
tension de grille et de la tension de drain. La conduction seffectue par porteurs majoritaires, les
porteurs libres du canal. Il ny a donc pas de problme de charge stocke comme dans le cas du
transistor bipolaire par effet dinjection de porteurs minoritaires qui sont automatiquement
compenss par des majoritaires pour assurer la quasi-neutralit.
Le courant de grille peut tre trs faible en rgime statique puisquil est constitu
principalement du courant inverse de la jonction grille-canal. La densit de courant et la section
tant trs faibles, le courant sera trs faible aussi.
La drain collecte les lectrons du canal qui sont envoys par la source. Cela explique lorigine
du nom des lectrodes.
La caractristique, IDS(VDS) ressemble celle dun transistor bipolaire ou dun transistor MOS,
la grandeur de commande tant dans ce cas la tension de grille. En rgime satur, le transistor se
comporte comme une source de courant commande par une tension.
Le comportement en frquence du transistor fera intervenir la capacit de jonction grille-
substrat (zone de canal) au premier ordre ainsi que la mobilit des porteurs du canal. Un transistor
canal N sera plus rapide que celui canal P pour un mme courant drain.
Tous les rsultats sur la jonction PN et la mthodologie applique ltude des transistors MOS
peuvent tre appliqus ltude thorique de ce transistor.
IV Modlisation simplifie de la structure

Dans cette partie, nous allons modliser la conduction en rgime statique dans un transistor
JFET canal N. Nous allons supposer que le dopage est constant dans chacune des couches (sone
de grille et zone de canal) ce qui nous permettra de mener des calculs analytiques relativement
simples. Nous supposerons aussi que la mobilit dans la zone de canal est constante malgr la forte
valeur du champ lectrique dans le zone de pincement en rgime satur. Nous supposerons aussi la
temprature uniforme.

1) La tension drain-source est maintenue trs faible : rgime linaire

Si la tension drain-source est trs faible, le canal peut tre considr comme une quipotentielle.
Nous pouvons ainsi calculer lextension S VGS G D
VDS
de la zone de charge despace, h, dans la
couche de type n dpaisseur a. En appelant
ND la concentration en dopant dans le canal et P+
N+ Z.C.E. N+
VD la tension de diffusion de la jonction
0 x
grille-substrat la conductance du canal scrit h(x) L a
y N
alors :
G = n S = qN D n Z (a h) (146) canal
L L
Dans cette expression, Z reprsente la Figure 124 : Schma de la structure faisant apparatre
les grandeurs intervenant dans la modlisation
largeur du canal, non visible sur la figure 124. simplifie.
Lextension de la zone de charge despace, en conservant lhypothse de Shockley et en

considrant que la tension applique est ngative en fonctionnement normal (polarisation inverse),
sexprime par :
h=
q ND
(
2 r o V V
D GS ) (147)
En remplaant h dans lexpression 106, nous obtenons :
G = qN D n
a Z
L
1 2 r o V V
q a2N D
D GS ( ) (148)

Il est clair qu partir de cette expression, la conductance dcrot quand VGS est de plus en plus
ngative, jusqu atteindre une valeur nulle lorsque le terme sous la racine est gal 1. Cette
situation correspond VGS = Vp. En effet, si h = a,
q N D a2 N AND
Vp = VD avec VD = kT ln (149)
2 r o q ni2
NA est dans cette expression le dopage de la zone P de grille.
La relation (147) indique que la conductance est indpendante de la tension drain-source, et
lapplication de la relation linaire dOhm entre IDS et VDS permet dcrire tout simplement :

I DS = G VDS = qN D n
aZ
L
1
q a2 N D
D GS(
2 r o V V V
DS
)

En utilisant la relation (109), nous simplifions la notation de cette quation :
aZ

(V
VGS )
I DS = G VDS = qN D n 1
(V )
D
VDS (150)
D Vp
L

Nous avons ainsi pu rendre compte de la rgion linaire correspondant aux courbes de la figure
91, le transistor se comportant comme une rsistance ajustable. Cette proprit est exploite dans

les circuits pour raliser des rsistances qui occupent une surface beaucoup plus faible quavec une
couche simplement dope sur laquelle des contacts sont raliss.
Le courant de grille, peut tre considr comme nul dans le circuit puisquil correspond au
courant inverse de la jonction grille-canal.
2) Caractristique statique jusquau rgime de saturation

Lorsque la tension drain-source augmente, il nest plus raliste de ngliger la chute de potentiel
le long du canal entre le drain et la source. La polarisation locale de jonction est alors note VG(x).
Du cot source, x = 0, VG(0) = VGS alors que du cot drain, x = L, VG(L) = VGD.
Lextension de la zone de charge despace, h, volue le long du canal (cf. figure 92). Pour
dterminer son expression, il suffit dintgrer lquation de Poisson en labscisse x, correspondant
au potentiel V(x).
Lexpression de h, relation (147) est modifie comme suit :
h(x ) =
q ND
(
2 r o V V + V ( x )
D GS G )
qui peut aussi scrire :
h(x ) = a
(V D )
VGS + VG (x )
(151)
VD Vp
Remarque : Le canal est toujours pinc si h(L) = a, pour un Vp donn. Notons que si nous voulons conserver la valeur
de Vp, il faudra augmenter le dopage de la couche si lpaisseur du canal diminue. Ceci sera rechercher dans les
structures fortement intgres.
Le long du canal, la densit de courant suivant la direction x, sexprime en fonction de du

champ transversal x par :
J x (x ) = (x ) x (x ) = qN D n x (x )
Le courant total traversant la zone de canal, en rgime stationnaire tient compte de la section de
conduction qui varie le long du canal :
I DS = J x (x ) (a h(x )) = qN D n V (a h(x )) Z
x
Dans cette expression, le courant est compt positivement lorsquil est dirig du drain vers la
source. En remplaant h(x) de lexpression (111), nous obtenons :

I DS = q a Z N D n V 1
x q ND
( D GS G )
2 r o V V + V (x )

Les valeurs limites de VG(x) sont connues. Le courant tant suppos constant travers la
structure en rgime stationnaire, il est possible dintgrer cette quation par rapport x pour le
terme de gauche et par rapport V pour le terme de droite.

V =VDS
3

I DS

L = q a Z N D n V 2
3 q ND
(
2 r o V V
D GS
2
+ VG (x )

)

V =0
Cette quation peut tre transforme en faisant apparatre Vp et en remplaant VG(x) par ses
limites :

( ) (V + V V )
3
VD VGS 2 3

2
= q N D n a Z VDS + 2 2 D DS GS
I DS
(V V ) (V V )
1 1 (152)
L 3 2
3 2
p p

D D

Cette expression, un peu lourde quoique trs simplifie quant aux hypothses, indique
clairement la perte de linarit ds que VDS nest plus ngligeable devant les autres tensions
appliques. Nous retrouvons ainsi le comportement de la figure 93. Un dveloppement limit
permet de revenir lexpression (110).
3) Pincement et saturation du courant

Pour une tension de grille donne, nous avons un courant maximum IDsat qui correspond au
dbut du pincement du canal du cot du drain, cest dire lorsque la zone de charge despace atteint
le fond de la zone de canal. A la limite, la tension VDS correspond la condition :
VD Vp = VD VGS + VDSsat
soit encore VDSsat = VGS - Vp (VGS et Vp ngatifs) (153)

expression quil est aussi possible dcrire sous la forme de valeur absolues des tensions :
VDSsat = Vp - VGS (154)
2
( )
3

(V V
) V
1 p
D DSsat
I DS = q N D n a Z VDSsat + 2 VD Vp 2 2
( )
1
L 3 3
VD Vp 2

En remplaant VDSsat par son expression en fonction de VD et Vp, nous transformons cette
relation :
(

1
)
VD VGS ( )
VD VGS 2

3

I DS = q N D n a
( )
Z VD Vp + 2
VD Vp
(155)
L 3 VD Vp 3

Cette dernire relation donne la valeur du courant de saturation correspondant aux conditions de
la figure 123. Pour des tensions de drain suprieures, cette quation peut tre modifie en tenant
compte du dplacement de la zone de pincement dans le canal. Par ce biais, il est possible de
dterminer ladmittance de sortie et leffet Early.

Remarque : toute la thorie propose est fonde sur la modulation de la zone de charge despace dune jonction PN. En
pratique, il est aussi possible de raliser une jonction partir dun contact mtal sur un semi-conducteur. Si la tension de
diffusion (built-in potential en anglais) est en gnral plus faible, et le courant inverse plus lev, le principe reste
strictement identique. Cela correspond aux transistors dits MESFET, MEtal Semiconductor Field Effect Transistor,
utiliss en lectronique rapide, notamment base de GaAs en raison de labsence de charges stockes de porteurs
minoritaires comme dans le cas des transistors bipolaires.


Chapitre 6 : La diode mtal-semiconducteur : la diode Schottky
CHAPITRE X
LA DIODE METAL-SEMICONDUCTEUR
DIODE SCHOTTKY
Nous allons tudier dans ce chapitre le contact mtal-semiconducteur qui est trs utilis dans
tous les dispositifs microlectroniques. Suivant la nature du mtal et du semiconducteur, ce contact
peut aboutir soit un contact dit ohmique, autrement dit dont la rsistance est ngligeable par
rapport celles des couches mises en jeu, soit un contact redresseur. Cest la matrise de ces deux
aspects principaux, mettant en jeu des phnomnes physiques trs diffrents qui va conduire notre
approche.
I Constitution
La diode mtal semiconducteur est constitue dun contact tabli entre un mtal et un
semiconducteur, en gnral dop. Cest le plus vieux dispositif lectronique connu, datant de la fin
du 19me sicle, les premiers redresseurs solides et les premiers postes galne tant par exemple
bass sur cette structure. La premire thorie de fonctionnement, propose par Bethe, ne remonte
cependant qu 1938.
La structure de base est un contact direct
N- N+
entre un mtal et un semiconducteur, peu
mtal
dop, tel que reprsent figure 97. semiconducteur
Dans les diodes intgres, la couche de

semiconducteur est en gnral peu dope et
crue par la technique de croissance pitaxiale Figure 97 : Coupe schmatique dune diode mtal
semiconducteur. Pour minimiser leffet de rsistance
(. (cf. cours de technologie microlectronique srie.
intgre) sur un substrat trs dop ou sur une Mtal Mtal contact ohmique
couche trs dope enterre afin de minimiser
les effets de rsistance srie, leffet diode se
produisant essentiellement proximit du N- N+
contact ralis sur la couche peu dope. Dans
N+
ce cas les couches mtalliques peuvent tre substrat p
constitues du mme mtal. Pour des effets
spcifiques, les mtaux peuvent aussi tre Figure 98 : Coupe dune diode mtal-semiconducteur
diffrents mais cela complique le procd de intgre. Le contact du mtal sur le zone N+ constitue
un contact ohmique (pas deffet notable de barrire)..
fabrication.
Le contact lectrique du semiconducteur est aussi ralis avec un mtal. Dans ce cas, il faut un
contact ohmique. La prsence des deux types de contacts sur la mme structure fait apparatre la
diffrence de comportement, a priori. Nous allons en premier lieu ne nous intresser qu la
structure simple entre un mtal et un semiconducteur, moyennement dop.
135
II Diagramme des bandes dnergie

Pour comprendre le diagramme dnergie des jonctions mtal semiconducteur, il faut tout
dabord tracer le diagramme des deux matriaux indpendamment. La figure 98 (avant contact)
prsente le diagramme dun mtal, le niveau de Fermi tant situ dans la bande de conductionk, et
dun semiconducteur, par exemple faiblement dop n dans ce cas. Nous supposons la structure
idale, cest dire sans perturbation au niveau des liaisons chimiques du contact mtal-
semiconducteur.
E E
mtal mtal
semiconducteur semiconducteur
vide vide
vide vide
EC EC
EF EF
EV EV
matriaux avant contact matriaux aprs contact
Figure 98 : Diagramme dnergie dun mtal et dun semiconducteur de type n faiblement dop avant contact et aprs
contact. Aprs contact, si les niveaux du vide sont dcal, une courbure de bande apparat.
Le contact est ensuite ralis comme prsent figure 98. Le principe qui en rgit ltablissement
physique est lalignement des niveaux de Fermi du mtal et du semiconducteur, puisque la structure
est lquilibre thermodynamique.
Loin du contact, aussi appel jonction, du cot semiconducteur, les niveaux des bandes de
valence, de conduction et du vide, Ev, Ec et Evide conservent leur position respective par rapport
EF. Le mtal, restant une quipotentielle, approximation toujours valable si les densits de courant
circulant dans la diode ne sont pas trop leves, le niveau dnergie du vide est continu au contact.
Mais si les niveaux de dpart du mtal et du semiconducteur sont diffrents, cest--dire, si les
travaux de sortie respectifs, m et s, sont diffrents, ce qui est le cas en gnral, une courbure de
bande apparat essentiellement dans le semiconducteur, prs de la zone de contact.
Remarque : La continuit du niveau du vide admet lhypothse quil nexiste aucune charge linterface, qui pourraient
tre due des piges. Les charges surfaciques pourraient crer une discontinuit du potentiel.
Deux situations peuvent alors se rencontrer en fonction de la diffrence des travaux de sortie,
comme analys ci-dessous.
1) Cas ou m > s.
Au voisinage de la jonction, le niveau de Fermi sloigne de Ec et se rapproche donc de Ev. Il y
a donc appauvrissement du semiconducteur de type n dans la zone de contact et cration dune zone
de charge despace de largeur W. Cette charge positive est compense la surface du m tal par une
charge ngative, donc trs prs de la jonction mtallurgique. Du fait de la trs forte concentration
136
lectronique dans le mtal, lextension de la zone de charge despace cot mtal seffectue sur une
fraction de monocouche atomique.
E
mtal semiconducteur
vide
vide
qm qs
EC
qb
EF
EV
Figure 99 : Diagramme des bandes dnergie dans le cas dune diode Schottky. Le travail de
sorite du mtal est suprieur celui du semiconducteur. Une hauteur de barrire, qFb, se
cre au contact mtal-semiconducteur.
Nous dfinissons la hauteur de barrire nergtique de la diode Schottky par :

qb = Ec EFs la jonction mtallurgique (116)

Il est clair que, dune part la dsertion du semiconducteur, et dautre part la cration dune
barrire dnergie vont limiter la conduction travers la structure. Un effet diode peut tre attendu.
2) Cas ou m < s.
Dans ce cas, le niveau de Fermi prs du contact mtallurgique se rapproche de la bande
conduction. Il y a donc accumulation dlectrons linterface et le semiconducteur se comporte
alors comme un matriau trs dop.
E
mtal semiconducteur
vide
vide
qs
qm
EC
EF
EV
Figure 100 : Diagramme des bandes dnergie dans le cas o le travail de sorite du mtal est
suprieur celui du semiconducteur. Une hauteur de barrire, qFb, se cre au contact mtal-
semiconducteur.
Labsence de barrire de potentiel et de zone dserte ne limite pas le transport au contact et

nous avons dans ce cas un contact lectrique qui peut tre considr ohmique . Ceci signifie que
137
la conduction est limite par le volume du semiconducteur et non pas par le contact. Nous
ntudierons pas en dtail ce cas dans la suite puisque le contact ne limite pas la conduction.
III Etude du contact Schottky : zone de charge despace

La courbure des bandes dnergie se produit dans une zone dnergie variant de qVbio tel que
reprsent sur la figure 101. Vbio correspond au potentiel interne lquilibre thermodynamique ou
encore built-in potential en anglais puisquil est cr par fabrication. Cest cette barrire de
potentiel que doivent vaincre les lectrons de la bande de conduction du semiconducteur pour
passer dans le mtal. Ce potentiel Vbio est compt positivement dans le sens mtal-semiconducteur.
Dans le cas de la figure, Vbio est ngatif (mais attention lorientation de laxe des x par rapport aux
zones.
E
mtal semiconducteur
vide
V
qB qVbio
EC
EF
EV
Figure 101 : Diagramme des bandes dnergie faisant apparatre la tension de diffusion Vbio.
Cette diffrence de potentiel correspond la hauteur de barrire vue par les lectrons de la
bande de conduction pour passer dans le mtal. La hauteur de barrire effective est qB.
1) Zone dserte
Pour dterminer cette zone, nous repartons comme dans les cas prcdents de lquation de
Poisson. Dans un modle unidimensionnel, et en supposant les dopages constants, nous pouvons
crire :
2
V
=
x 2 ro
d q
= = p n + N D
dx r o r o
En premire approximation nous pouvons ngliger dans la zone de charge despace p et n
devant ND.
Remarque : Cette hypothse est bien videmment fausse en limite de zone lorsque la concentration des porteurs libres
avoisine celle des ions dopants. Dans ce cas il faut intgrer compltement lquation et nous retrouvons la formule (92)
de Kingston Neustader (cf. chap 8)
(x) = +
qN A
r o
(xW ) (117)
138
qN D x2
V(x) = . + cte
r o 2
W x
2
qN D W 2 r o Vbio
Vbio = W =
r o 2 qN D
En ne ngligeant plus la concentration des porteurs libres dans la zone de charge despace,
lapplication de la fonction Kingston-Neustader (92) permet dajouter le terme correctif et darriver
:
W = 2 r o Vbio kT (118)
qN D q
Remarque : Ce terme correctif peut prendre de limportance lorsque la hauteur de barrire Vbio est relativement faible,
cest dire infrieure 0,3V 300K.
La valeur de cette extension de zone de charge despace est du mme ordre de grandeur que
dans le cas dune jonction pn puisque les tensions de diffusion restent en gnral autour de quelques
diximes de volts : elle dpend aussi trs fortement du dopage. Elle stend ainsi entre quelques
dizaine de nanomtres et quelques microns
Dans le cas dune polarisation de la structure, en appliquant une tension V sur le mtal par
rapport au semiconducteur, nous supposons que tout le raisonnement prcdent reste valable,
notamment que la concentration quivalente de porteurs traversant la structure reste faible par
rapport la concentration datomes dopants ioniss. Si la tension applique, V, est positive, cela
revient diminuer le champ interne et donc diminuer la diffrence de potentiel totale. La formule
(118) devient simplement :
W = 2 r o Vbio V kT
(119)
qN D q
Ainsi, de faon analogue la jonction pn, lextension de la zone de charge despace diminue si
une tension ngative est applique sur la zone n.
2) Charge totale de la zone de charge despace dans le semiconducteur

En considrant que la charge despace est essentiellement due aux atomes dopants ioniss, la
densit de charge par unit de surface lquilibre thermodynamique sexprime par :
Qsc = qN DW = qN D 2 r o Vbio kT
q
qN D
Qsc = 2 r oqN D Vbio kT (120)

q
Dans du silicium, pour ND = 1017cm-3 et Vbio = 0,5 Volt, QSC 10-7 C/cm2
3) Capacit de la zone de charge despace

Nous dfinissons la capacit quivalente par unit de surface du semiconducteur par :
dQmtal dQsc dQmtal dW
CSC = = =
dVmtal / sc dVmtal / sc dW dVmtal / sc
De la formule (119) nous pouvons dduire :
139
qN D r o
CSC = = r o (121)

2 Vbio V W

A partir de cette expression, nous pouvons extraire la variation de linverse du carr de la
capacit en fonction de la tension applique, V.
2 Vbio V
1 = (122)
CSC
2
qN D r o
Cette formule est importante car elle montre quen traant linverse du carr de la capacit en
fonction de la tension, (quil est possible de faire varier), la variation de la pente de la courbe est
directement proportionnelle au dopage (Figure 102).
1/CSC2
pente 2/qNDro
Vbio V
Figure 102 : Variation du carr de linverse de la capacit en fonction de la tension. La
pente de la courbe permet de dterminer la valeur de la concentration de dopant et la
hauteur de barrire lquilibre thermodynamique.
Dans le cas dune concentration variable de dopage, ce qui est trs souvent le cas, il est possible
de tracer linverse de la variation de cette pente.
2 1
ND = (123)
q r o d1/C 2 / dV
SC
Cette technique est applique pour la dtermination ou la vrification des profils de dopage en
cours de fabrication des composants et circuits. La ralisation dun simple contact sur des cellules
de test incluses dans les plaquettes permet cette vrification.
IV Effet dabaissement de barrire : effet Schottky

La prsence dun lectron participant la conduction dans le semiconducteur se trouve subir
une force attractive par la cration par effet lectrostatique dun porteur image (de signe oppos) et
donc dun champ lectrique. Intgr au voisinage de linterface, ce champ induit une diffrence de
potentiel et donc une variation du diagramme dnergie. La force lectrostatique induite tant
attractive, la diffrence de potentiel nergtique cre est donc ngative et correspond un
abaissement de la barrire existante. Nous allons analyser en dtail ce phnomne qui aura des
consquences sur la conduction du dispositif. Pour faciliter lapproche, nous allons dabord
considrer un lectron dans le vide face plan mtallique.
140
1) Electron dans le vide devant un plan mtallique
Un lectron face un plan conducteur, E(x)

la distance x de celui-ci, est soumis une
mtal
force attractive coulombienne (figure 103). x
0 F e-
q2 1 = 1 q2
F =
4 o (2x )2
16 o 2
x
Le travail (et donc lnergie) fourni par

cet lectron pour arriver de linfini jusqu la
position x, est : Figure 103 : Electron devant un plan mtallique. F est
la force coulombienne.
q2 q2

x
E(x) = Fdx = + 1 E(x ) = 1
16 o x2 16 o x
Cette nergie correspond lnergie potentielle de llectron, rfrenc linfini. Sous laction
dun champ lectrique appliqu, (x), lnergie potentielle totale est :
q2 E

x
E p( x ) = 1 + q (x)dx 0 xm x
16 o x 0
type -1/x
En considrant, pour simplifier le calcul,
le champ appliqu constant, et orient suivant E pente qx
les x ngatifs, lnergie potentielle devient :
q2
E p( x ) = 1 + q x
16o x
Ep(x)
Cette nergie est la somme de deux
termes. Il est ainsi possible de reprsenter sa
variation en fonction de x (figure 104).
Figure 104 : Variation de lnergie potentielle de
llectron devant un plan mtallique et en prsence dun
champ lectrique interne (ou appliqu) constant.
Par rapport la hauteur de barrire dnergie maximale, la prsence dun lectron devant le plan
entrane un abaissement de barrire E. Cet abaissement de barrire peut tre calcul simplement
dans les conditions simplificatrices prsentes. A partir de la dtermination de la position du
maximum de Ep(x), il est possible de dduire sa valeur et donc E.
q2
E p(x ) = 1 + q x
16 o x
dE p(x ) en x = xm
q2 1 q x = 0 q
=0 xm =
dx 16 o x2 16 o
qm
E = 2(xm).xm = (124)
4o
141
Cet abaissement de barrire va bien videmment se retrouver lorsque llectron est localis dans
le semiconducteur devant le mtal.
2) Abaissement de barrire ; effet Schottky

Dans le cas dun contact mtal-semiconducteur, la diffrence des travaux de sortie aboutie une
hauteur de barrire pour les lectrons devant passer du mtal vers le semiconducteur, qB, (cf.
figure 99). Dans le cas dun dopage constant dans le semiconducteur, le champ lectrique dans la
zone de charge despace gnr par la charge lie aux dopants ioniss a t exprim par lquation
117. Le champ lectrique varie linairement en fonction de x. Dans ce cas, le calcul de
labaissement de barrire se complique beaucoup. Il suffit par contre de faire lhypothse que la
valeur de xm est suffisamment faible devant W pour que le champ lectrique puisse tre considr
constant et pratiquement gal sa valeur maximale, linterface mtal semiconducteur, max.
qN D
(xm) max = W
r o
Nous en dduisons la valeur de E
0 xm x
labaissement de barrire de potentiel, :
type -1/x
q qN D
= 2max.xm = W q
4 r o r o pente qxmax
qB
(125)
Cet abaissement de barrire en prsence dune
Ep(x)
interface mtal-semiconducteur est appel
effet Schottky.
Exemple numrique :
Figure 105 : Variation de la hauteur de la barrire
ND = 1016cm-3, r = 10-12F/cm, qVbio = 0,4V dnergie due la prsence du plan conducteur.
Labaissement peut rester faible devant la barrire elle-
W = 0,22m, max = 3,6.104V/cm, xm = 31
mme..
q = 22meV
Cette valeur de 22meV est comparer la hauteur elle-mme qui peut-tre de 0,3 0,5 eV en
gnral. Dans beaucoup de cas, il sera possible de ngliger cette correction., except pour la
dtermination des courants qui nous le verrons, varient exponentiellement en fonction de cette
hauteur (approximation de Boltzmann).
Une analyse de lerreur de la valeur du champ lectrique montre quen prenant xm = 0 au lieu de
31 , lerreur est de 1,4% pour le champ lectrique au maximum de lnergie potentielle et de 0,7%
sur labaissement de barrire qui est dj un terme correctif. Lapproximation est ainsi tout fait
acceptable.
V Transport travers la jonction

1) Considrations gnrales
142
Nous pouvons distinguer 4 processus de transport travers la jonction. Nous les prsentons
dans le cas dun semiconducteur de type n, cest dire que nous allons analyser principalement le
transfert des lectrons qui sont les porteurs majoritaires depuis la zone de type n vers le mtal.
142
a) Franchissement de la barrire par les lectrons de la bande de conduction

Cest le processus le plus frquent qui est reprsent figure 106.
Intuitivement, plus la hauteur de barrire E mtal semiconducteur
sera faible, plus les lectrons pourront passer.
Nous pouvons abaisser cette barrire en EC
polarisant positivement le mtal par rapport EF
au semiconducteur (diminution du niveau
dnergie cot mtal). Cela revient aussi EV
diminuer le champ lectrique prexistant dans
Figure 106 : Franchissement de la barrire dnergie par
la zone de charge despace. les lectrons de la bande de conduction du
semiconducteur ayant une nergie suprieure.
b) Franchissement de la barrire par effet tunnel

Les lectrons de la bande de conduction traversent la barrire par effet tunnel. Ce phnomne ne
peut se produire que lorsque la largeur de la barrire est suffisamment faible, cest dire lorsque la
zone de charge despace stend peu. Cela correspond au cas des dopages levs pour le
semiconducteur. Par exemple, si ND = 5. 1018cm-3, pour qB = 0,4eV, W 80, max 106V/cm.
Du fait de la variation quadratique de V(x), la largeur de la barrire se rtrcit dans la zone proche
de linterface comme visualis sur la figure 107.
Les porteurs peuvent traverser par effet E mtal semiconducteur
tunnel et la conduction peut tre importante.
Cest la situation qui est en gnral contrle EC
pour raliser des contacts ohmiques, la
conduction tant alors essentiellement limite
par la rsistivit de la zone quasi-neutre du EV
semiconducteur. Ceci explique la prsence du
Figure 107 : Franchissement de la barrire dnergie par
surdopage au niveau du contact de la figure les lectrons de la bande de conduction du
semiconducteur par effet tunnel.
98.
Leffet tunnel agissant dans les deux sens, la caractristique lectrique sera symtrique, do la
terminologie ohmique .
c) Processus de gnration-recombinaison dans la zone de charge despace
Un lectron de la bande de valence passe
dans le mtal et laisse derrire lui un trou E mtal semiconducteur
dans le semiconducteur. Ce trou sloigne du
- EC
mtal dans la zone de charge despace, et se
recombine avec un lectron de la bande de
conduction (figure 108). En effectuant un
bilan de dplacement des charges, cela revient EV
+
avoir fait transiter un lectron depuis le
Figure 108 : Processus de recombinaison dans la zone
semiconducteur vers le mtal avec un change de charge despace du semiconducteur. La conduction
intermdiaire du type de porteur. assure par la combinaison des deux types de porteurs
143
d) Processus de gnration-recombinaison dans le volume neutre

Ce processus est similaire au prcdent, E mtal semiconducteur
mais dans ce cas, la recombinaison se produit
- EC
dans le volume neutre du semiconducteur
(figure 109), hors de la zone de charge
despace. Ce processus tant principalement
li aux trous qui transitent dans toute la zone EV
de charge despace, la contribution la +
conduction sera faible dans ce cas. Figure 109 : Processus de recombinaison dans la zone
neutre du semiconducteur.
De tous ces quatre processus, celui auquel nous allons le plus nous intresser est le premier,
puisquil sera dominant en rgime de conduction direct lorsque leffet tunnel est ngligeable.
2) Conduction des porteurs majoritaires

Le transport suivant le processus a) est le fait des porteurs majoritaires. Il peut tre dcrit par
deux thories dont lapplication dpendra des proprits du semiconducteur :
- thorie thermoonique,
- thorie de la diffusion.
La thorie thermoonique situe la limitation des phnomnes de transport linterface mtal-
semiconducteur. Il ny a pas de contribution la conduction, ni du volume neutre, ni de la zone de
charge despace. Dans ces deux rgions, le pseudo-niveau de Fermi des lectrons est considr
quasi-constant (puisque non limitant). La variation du pseudo niveau de Fermi est ainsi localise
linterface et prsente donc une discontinuit (figure 110). Le franchissement de barrire est alors
fond sur la probabilit davoir des porteurs dont lnergie, due lagitation thermique, est
statistiquement suprieure la hauteur de barrire quils doivent franchir et dont la composante des
vitesses, normale au plan du mtal, est oriente vers le mtal. Nous devons retrouver une statistique
de type Boltzmann dans la valeur du courant.
La thorie de la diffusion situe la semiconducteur
E mtal
limitation du transport dans la zone de charge thermoionique EC
despace de la structure, cot semiconducteur, EF
qV
et non plus linterface. Ainsi, le pseudo- diffusion
EF
niveau de Fermi nest plus discontinu
EV
linterface mais varie progressivement dans
toute la zone de charge despace (cf figure
Figure 110 : Reprsentation des pseudo-niveaux de
110). En rsum, les deux thories diffrent Fermi dans le cas de la thorie thermoionique et de la
sur la localisation du goulot dtranglement thorie de la diffusion. Pour le modle thermoionique
les pseudo-niveaux sont discontinus linterface. Pour
qui limite les changes de porteurs entre le la diffusion, le pseudo-niveau de Fermi varie dans la
mtal et la semiconducteur. zone de charge despace.
De faon pratique, la thorie thermoonique sapplique plus aux cas o les lectrons ont une
forte mobilit dans le semiconducteur, la thorie de la diffusion aux cas o les lectrons ont une
144
faible mobilit dans le semiconducteur (goulot dtranglement !). Dans le cas le plus gnral, nous
pourrons appliquer une combinaison des deux, appele thorie mixte.
3) Thorie thermoonique
La thorie de lmission thermonique part des hypothses suivantes :
- la hauteur de barrire dnergie est grande devant kT,
- lquilibre thermique est tabli,
- lexistence dun courant naffecte pas sensiblement cet quilibre ; cette hypothse est
analogue lapproximation de Boltzmann pour une jonction pn.
- nous pouvons supposer lexistence de deux courants indpendants, lun inject par le mtal
dans le semiconducteur, lautre inject par le semiconducteur dans le mtal.
Nous allons tout dabord exprimer la densit de courant injecte par le semiconducteur dans le
mtal. Cela revient ne considrer que les lectrons dont lnergie est suprieure la hauteur de
barrire et dont la composante de vitesse, vx, est oriente vers le mtal.

J SC m =

EF + q B
q vx dn
dn est la concentration en lectrons dduite de la formule 41 (chapitre IV).

E EF
3/ 2

avec dn = N (E ) f (E ) dE = 1 2
2 kTm
2 h2
*
C

E (
EC
1/ 2
)
exp
kT

o f(E) est la statistique de remplissage des niveaux (approximation de Boltzmann dans ce cas). vx,
est la composante de vitesse suivant la direction x (normale linterface).
En appelant V la tension applique sur le mtal par rapport au semiconducteur, linterface :
EF = EC qB + qV
En se rappelant de plus que : E EC = 1 m*v2 et que v2 = vx2 + vY2 + vZ2 , nous retrouvons aprs
2
intgration :
4qmC* k 2 2 q B
exp
qV
J SC m = T exp
h 3
kT kT
q B
exp
qV
qui scrit aussi : J SC m = A* T 2 exp (126)
kT kT
La constante A* correspond la constante de Richardson, dj vue dans le cas dune mission
par une cathode chauffe (cas dun tube lectronique).
Ce calcul peut tre men diffremment, si nous acceptons demble, la statistique de Boltzmann
en exprimant directement la densit de courant en fonction des porteurs dnergie suprieure ou
gale au sommet de la barrire.
Considrons lquilibre thermodynamique. La concentration sexprime partir de la statistique
de Boltzmann en se rfrenant au bas de la bande de conduction et en considrant que la densit
dtats lectroniques dans la bande de conduction est NC. Dans la zone quasi neutre, no = ND,
expression qui permet de dterminer la position du niveau de Fermi.
145
E E E
C F mtal semiconducteur
no = N D = NC exp
kT

Concentration
Dans la zone de charge despace, avec une vth
courbure vers le haut, la concentration nso
qB qVbio
diminue en fonction de la variation du EC
ND
potentiel nergtique : EF EF
Cette concentration peut tre relie la
concentration en lectrons sans polarisation, EV
lquilibre thermodynamique, au mme point,
nso. A lquilibre thermodynamique, la
Figure 111 : Concentrations des lectrons en fonction
hauteur de barrire est qB, ventuellement du niveau nergtique lquilibre thermodynamique.
corrige de qB, pour les lectrons situs au A linterface, la concentration est nso qui correspond
un cart nergtique de qB.
niveau de Fermi (cf figure 111).
q B mtal semiconducteur
nso = NC exp E
kT vth
qV nso
La concentration au mme point de la ns
qB EC
structure, ns, sous la polarisation directe ND
de potentiel, V, qui aura donc tendance qV EF
abaisser la barrire (figure 112), va suivre EF
aussi la loi de Boltzmann et scrire : EV
ns = nso exp
qV

kT
Figure 111 : Concentrations des lectrons en fonction
du niveau nergtique sous polarisation directe. La
barrire sest abaisse de qV.
La densit de courant injecte par le semiconducteur vers le mtal peut sexprimer par :
J SC m = q ns vth
avec vth, la vitesse thermique suivant la direction x, ns la concentration en lectrons en surface, du
cot du semiconducteur, cest dire au sommet de la courbure de bande en limite de zone de charge
despace, sous polarisation. Cette concentration est celle qui correspond aux porteurs dont lnergie
est au moins gale celle du sommet de la barrire et donc la composante de vitesse vx oriente
vers le mtal permet le transfert.
q B
exp
qV
J SC m = q vth NC exp (127)
kT kT
Notons quen remplaant vth et NC par leurs expressions, nous retrouvons lexpression de la
formule (126).
A lquilibre thermodynamique, le courant total est nul, cest dire que le flux dlectrons
inject par le semiconducteur vers le mtal doit tre gal au flux inverse. Cela donne pour les
densits de courant :
146
J SC m + J mSC = 0
Nous avons donc la valeur de la densit de courant injecte par le mtal partir de la formule
(127) en prenant V=0. Cette valeur va rester la mme sous polarisation compte tenu des hypothses
initiales. Ainsi, nous pouvons exprimer le courant total de la diode par :
q B qV
J = q vth NC exp exp 1 (128)
kT kT

q B qV

J = A* T 2 exp exp 1 (129)
kT kT

Dans cette expression, il est clair que plus la hauteur de barrire sera importante, plus le courant
inverse (ou de saturation) sera faible, plus le courant direct sera faible pour une mme polarisation.
Notons que A* = 120A/cm2 300K si nous considrons m* = me (masse de llectron au repos).
4) Thorie de la diffusion
Dans ce cas, ce nest plus linterface qui est bloquante mais la zone de charge despace du
semiconducteur. Les porteurs doivent transiter par cette zone, et la densit de courant peut scrire
directement en fonction de la variation du pseudo niveau de Fermi dans cette zone et de la mobilit
des porteurs (formule 86) :
jn = n.n.dEFn
dx
Il sagit alors de dterminer le gradient de EFn. Sa variation totale correspond qV. Par ailleurs,
de la formule 43 (ou 45), nous pouvons exprimer n en fonction de EFn.
E E
n= NC exp C Fn do dEFn = kT
((
d ln n/ NC

))
dEC (x )
= kT 1 dn
dEC (x )
kT dx dx dx n dx dx

La variation de EC(x) est directement lie au champ lectrique dans la zone de charge despace.
Nous pouvons calculer le courant linterface mtal semiconducteur en appelant s le champ la
surface du semiconducteur.

[ ]
jn = n. kT dn
dx surf

+ qnss

nous retrouvons les deux composantes du courant. A linterface, la concentration tant relativement
faible, le gradient lest aussi. Nous considrons dans ce cas la composante de drive avec le champ
lectrique maximal trs prs de linterface (en xm), la concentration tant ns qui sexprime en
fonction de nso. Si nous rajoutons la densit de courant injecte par le mtal, la densit totale de
courant est alors :
qV
jn = qnnsos exp 1 (130)
kT
5) Thorie mixte, thermoionique-diffusion

Dans ce cas, la conduction est contrle la fois par linterface et le volume ; la variation du
niveau de Fermi est mixte, cest dire varie dans la zone de charge despace et prsente une
147
discontinuit linterface comme reprsent figure 112. Nous pouvons prendre une vitesse de
collection quivalente, vc, et la densit de courant sexprime par :
J = q ns no vc

La vitesse de collection est infrieure la vitesse thermique. Les phnomnes intervenants dans
cette limitation sont la mobilit dans la Z.C.E. mais aussi la rflexion quantique, la prsence
doxyde natif dinterface, etc.).
mtal semiconducteur
E
thermoionique EC
EF
qV
diffusion
EF
EV
Figure 112 : Variation du niveau de Fermi dans la cas dune conduction mixte ; variation
dans la zone de charge despace et discontinuit linterface.
6) Porteurs minoritaires
La conduction des minoritaires est due dans le cas dun semiconducteur de type n aux trous.
Lchange entre le mtal et le semiconducteur linterface est en gnral trs rapide. Dans la zone
de charge despace, les trous sont un peu plus nombreux que dans le volume neutre ; ainsi, le
pseudo-niveau de Fermi des trous est peu prs constant dans cette zone. Le gradient du niveau de
Fermi est donc support par le volume neutre sur une paisseur de quelques longueurs de diffusion ;
nous avons lquivalent dune jonction pn polarise en inverse avec un courant d diffusion de
minoritaires. Nous pouvons ainsi crire directement sont expression.
D qV
j p = q p pno exp 1
Lp kT
Cette densit de courant est en gnral trs faible devant la densit de courant des porteurs
majoritaires.
Remarque : nous naborderons pas dans le cadre de ce cours les problmes lis aux tats dinterface. Il est clair que leur
prsence peut affecter fortement les phnomnes de conduction comme il la t mentionn pour les transistors MOS.
148

PhysiqueSC Bonnaud2003

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Physique des Solides,

des Semiconducteurs et Dispositifs

Professeur Olivier Bonnaud

CHAPITRE I : ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE

CHAPITRE II : ELECTRONS DANS UN CRISTAL

CHAPITRE III : NOTION DE STATISTIQUE. SYSTEMES DE PARTICULES

CHAPITRE IV : INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DU SEMICONDUCTEUR

CHAPITRE V : PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS

CHAPITRE VI : JONCTION PN DIODES A JONCTION

CHAPITRE VII : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

CHAPITRE VIII : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE.

CHAPITRE IX : LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION :TRANSISTORS

Quelques constantes physiques importantes p149

I Introduction aux rseaux cristallins

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 1

Caractristique Type Paramtres Degr de Forme

Axe principal Quadratique a=bc, ===/2 16

Axe principal Hexagonal a=bc, ==/2, =2/3 24 c

Axe principal Rhombodrique a=b=c, ==/2 12 a

Sans axe principal Orthorhombique abc, ===/2 8

Sans axe principal Monoclinique abc, ==/2 4 c

Sans axe principal Triclinique abc, 2 c

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 2

2) Range, nud, maille, indices de Miller

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 3

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 4

III Rseau rciproque

Lastrisque repre les vecteurs lmentaires du rseau rciproque.

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 5

Figure 4 : Reprsentation dans un rseau bidimensionnel des deux premires zones

V Diffraction dans un cristal

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 6

Les conditions de rflexion donnent la relation entre les angles, et .

= h 1 = 12,3 en Angstrm (7)

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 7

VI Reprsentation du cristal de silicium

Figure 5 : Structure cristalline du silicium, similaire celle du diamant. Les atomes

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 8

A ce stade, nous ne retrouvons pas la construction du ttradre. Pour y parvenir, nous

Figure 7 : Structure cubique faces centres dcale de suivant la premire

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 9

Nous pouvons calculer la densit atomique de chaque plan.

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 10

ELECTRONS DANS UN CRISTAL

I Potentiel dun lectron dans un cristal

- Modle de llectron libre : V (x ) = 0 dans le cristal, infini lextrieur

II Modle de llectron libre dans un cristal. Modle de Sommerfeld

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 11

III Modle de llectron quasi-libre dans un cristal

1) Considration sur la forme du potentiel

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 12

2) Considration sur la fonction donde

lintroduisant dans lquation, nous obtenons :

Par ailleurs, nous savons que si K = 2n et K' = 2n

exp(i(K K') x ) .dx = L

K 2 CK.expi(K K')x.dx + UGCK exp i(K +GK') x .dx = E C K expi(K K')x.dx

Puisque G = 2l = 2nl = 2nl , G a la mme forme que K et K en fonction de L. Les

Puisque K ou K varient de moins linfini plus linfini, le changement de K en K ne change

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 13

K(x) = C exp (iGx). exp (iKx)

fonction priodique de a fonction de llectron libre

4) Rsolution simplifie dans le cas dune perturbation de potentiel

O. Bonnaud, Physique des solides, juin 2003 14