UNIVERSITE FHB DE COCODY Année académique 2023 - 2024

UFR – SSMT / Lab Tech

LICENCE 3 –EEAI

T.D. PHYSIQUE DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES 1ère Série

EXERCICE 1 : Un cristal de germanium de densité 5.35 est dopé par de l’antimoine (Sb) de masse
atomique A=121,8g qui se place en substitution dans les proportions de 10-6g de Sb pour 1g de Ge pour
fournir un semiconducteur fortement extrinsèque.
1) Calculer la résistivité du cristal sachant que n = 0,36.104cm2/V.s et que Ao = 6,02.1023 atomes.
L’expression de ni pour du germanium est ni = 1,76.1016.T3/2. exp (-Eg/2KT) dans laquelle Eg varie
suivant la loi Eg = Ego -  T, où Ego et  sont des constantes.
2) Sachant que ni est multiplié par 300 quand on augmente la température de 300K à 400K,
calculer Ego ;
3) Déterminer  si Eg = 0,66 eV à la température ambiante.
4) Quel est le nombre de porteurs intrinsèques à 300 K ?

Un cristal de germanium est dopé par des impuretés d’atomes d’arsenic (As), ND = 1022m-3.
5) Quel est alors le type de ce semiconducteur ?
6) Sachant que l’ionisation des atomes As est totale à toute température, calculer la concentration
en électrons et en trous à 200K.

EXERCICE 2 : Sachant que dans un semiconducteur intrinsèque, on a les relations :

3/ 2 3/ 2
 E  E Fi   E  E Fi   2mc * .kT   2mv * .kT 
ni  N c . exp  c  ; pi  N v . exp v  , où N  2  et N v  2 
 kT   kT 
c  h 2  h 2 
   
1) Exprimer le niveau de Fermi EFi et trouver sa position dans la bande interdite, sachant que
Eg = Ec-Ev = 1,21eV à 300K :
- dans le cas où mc* = mv* ;
- dans le cas où mc*/mv* = 2; en déduire le déplacement de EFi par rapport au cas précédent.

2) Du germanium intrinsèque est dopé de deux façons différentes :

- par des donneurs de telle manière que n1 = 5.1015cm-3 et p1 = 5.1013cm-3 à 300K. De combien et comment
se déplace le niveau de Fermi EF par rapport au niveau de Fermi intrinsèque EFi ?
- même question, si le germanium est dopé par des accepteurs de telle manière que n2 = 5.1012cm-3 et p1 =
5.1016cm-3 à 300K.

EXERCICE 3 : On considère un semi-conducteur non dégénéré dans lequel on adopte les

notations et hypothèses suivantes :
 Gap du cristal Wg = 1,12 eV.
 Niveaux de Fermi dans le semi-conducteur extrinsèque noté WF, et dans le semi-conducteur
intrinsèque noté WFi ; Wi désigne le niveau énergétique équidistant de WC ( niveau le plus bas dans BC) et
WV (niveau le plus haut dans BV).
 Bande de conduction assimilée à un niveau unique WC, de probabilité d’occupation 𝑓 (𝑊 ) =
𝑒𝑥𝑝 , et de dégénérescence NC (densité effective d’états).

 Bande de valence assimilée à un niveau unique WV, de probabilité d’occupation 𝑓 (𝑊 ) =

𝑒𝑥𝑝 , et de dégénérescence NV (densité effective d’états).

On donne : ni = 1,45.1016 m-3 (concentration intrinsèque des porteurs) ; NC/NV = 2,7 ; n = 3800 cm2/V.s
(mobilité des électrons) ; p = 1800 cm2/V.s (mobilité des trous).
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 1) On considère tout d’abord le semi-conducteur à l’état supposé intrinsèque.
a) Exprimer WFi en fonction des données, notamment de Nc , Nv et Wi.
b) Calculer numériquement l’écart énergétique (WFi - Wi).
c) Calculer également les densités effectives d’états NC et NV.

2) Le cristal ci-dessus est dopé pour en faire un semiconducteur de type p affirmé. Le dopage des
accepteurs est égal à NA = 1024 m-3 ; toutes les impuretés sont supposées ionisées.
a) Exprimer littéralement, puis calculer numériquement l’écart énergétique (WF - WFi).
b) Calculer la résistivité  du semi-conducteur.

3) Le cristal est maintenant dopé pour en faire un semiconducteur de type n (cas général où on
suppose l’existence simultanée d’impuretés <<donneurs>> et d’impuretés <<accepteurs>>). La
résistivité du semi-conducteur devient  = 639 .m.
Calculer les concentrations n et p des électrons et des trous, respectivement.

EXERCICE 4 : On considère un semiconducteur extrinsèque. On donne T la température absolue, WA le

niveau supposé unique des accepteurs, Nv et Nc, respectivement, les densités effectives d’états dans le haut
de la bande de valence (BV) et dans le bas de la bande de conduction (BC), Wv et Wc, respectivement, le
plus haut niveau dans BV et le plus bas niveau dans BC. Le semiconducteur est non dégénéré et de type
P : NA désigne le dopage des accepteurs qui ne sont pas tous ionisés à la température considérée ; on
néglige le dopage des donneurs.
On admet que la probabilité d’occupation fp(WA) du niveau accepteur, pour le semiconducteur
considéré, est donnée par l’expression
1
f p (W A )  , où WF est le niveau de Fermi et k la constante de Boltzmann.
WF  W A
1  4. exp( )
kT
1) Déterminer à l’équilibre, la relation générale (équation de neutralité électrique) devant lier, le
dopage (NA), les densités effectives d’états (Nv et Nc) et les niveaux d’énergie (WV, WF, WA et
WC).
2) On suppose que la concentration des électrons est négligeable devant celle des trous.
Dans ces conditions :
a) Exprimer le niveau de fermi WF en fonction des données ;
b) On se situe aux basses températures tel (WA - WV) >> kT ; déduire dans ce cas
l’expression de WF ainsi que celle de la concentration p des trous.

EXERCICE 5 : Soit un semiconducteur extrinsèque de type P affirmé (le dopage des donneurs est
considéré nul), pas nécessairement non dégénéré, pour lequel les grandeurs connues sont : T la
température absolue, Wa le niveau d’énergie supposé unique des accepteurs, NA la concentration des
accepteurs qui ne sont pas obligatoirement tous ionisés, Nc et Nv les densités effectives d’états
respectivement dans le bas de la bande de conduction (BC) et dans le haut de la bande de valence (BV),
Wc et Wv respectivement le niveau d’énergie minimum dans BC et le niveau d’énergie maximum dans
BV. Dans le diagramme des bandes, le niveau d’énergie Wv sera pris comme origine des énergies (énergie
nulle). Soit f(W) la fonction de distribution de Fermi-Dirac où W est le niveau d’énergie des porteurs :
fn(W) est relatif aux électrons et fp(W) est relatif aux trous. On admet en première approximation que :
- la probabilité d’occupation du niveau Wa de dégénérescence NA, est égale à fp(WA) ;
- les concentrations n des électrons dans le bas de BC et p des trous dans le haut de BV sont,
respectivement, égales à Nc. fn(Wc) et Nv. fp(Wv).

1) Etablir, à l’équilibre thermodynamique, l’équation générale dont la résolution doit permettre

d’obtenir l’expression de l’énergie de Fermi WF en fonction des données du texte.

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 2) On considère ici le domaine où n<<p : ce cas correspond aux très basses températures et aux
températures usuelles. Quelle est, dans ce cas, l’expression de WF ?

Déterminer les expressions de WF et de la concentration p des trous pour :

a) Les très basses températures où on suppose kT<<Wa.
b) Les températures usuelles où on suppose kT>>Wa.

3) Le semiconducteur est maintenant supposé non dégénéré, et on donne ni la concentration

intrinsèque des porteurs. La température est telle qu’on admettra que toutes les impuretés sont
ionisées.
Exprimer en fonction des données du texte l’énergie WF.
a) On suppose ni<<NA. Retrouver l’expression de WF en fonction de Nv, NA et kT.
b) On se situe à la température T assez élevée telle que ni>NA.
On fait de plus en plus croître T, quelle est l’expression limite régissant l’évolution de WF en
fonction du rapport Nv/ni ?

EXERCICE 6 : On considère (figure ci-dessous) un cristal semiconducteur, de type n, exposé à

des radiations ionisantes. Ce cristal est uniformément dopé et semi-infini. Le phénomène est
unidimensionnel (dimension x).
Sur la face avant, en x = 0, il y a une génération optique uniforme limitée à la surface du
semiconducteur (rayonnement non pénétrant). On note Gs le nombre de paires électron-trou générées par
unité de temps et par unité de surface. Dans la région 1, pour 0 < x < l, la durée de vie des porteurs
minoritaires est égale à 1 ; dans la région 2, pour x ≥ l, Cette durée de vie est égale à 2. Les coefficients
de diffusion ont la même valeur Dp dans les deux régions. On négligera, dans ce qui suit, l’influence du
champ interne induit. On utilisera les notations habituelles.

h
Région 2
Région 1
 = 2
 = 1

x
0 l

1) On suppose 1 ≈ ∞ et on néglige les recombinaisons en surface. Déterminer les expressions de la

concentration et de la densité de courant de minoritaires dans la région 2.
2) On suppose maintenant 2 nul et 1 de valeur finie non nulle. Par ailleurs, on tient compte du
phénomène de recombinaison en surface et on désigne par S la vitesse de recombinaison en surface.
a) Déterminer les expressions de la concentration et de la densité de courant de minoritaires dans la
région 1. (Dans ces calculs, et pour la condition à la limite x = 0, on écrira que la concentration
des minoritaires y est stationnaire : il y a équilibre entre le nombre de porteurs générés
optiquement, le nombre de porteurs partant par diffusion (loi de Fick) et le nombre de porteurs
disparaissant par recombinaison en surface).
b) Déduire, à partir de la concentration en x = 0, les valeurs limites pour :
 S très faible
 S très élevé.

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EXERCICE 7 :
On considère le dispositif semiconducteur de type n représenté ci-dessous. Le phénomène que
nous allons étudier est unidimensionnel (dimension x). Le dispositif est semi-infini. Comme indiqué, il est
illuminé par des radiations qui sont ionisantes ; il en résulte une génération de porteurs en volume à un
taux constant et égal à Gv. On désigne par S la vitesse de recombinaison en surface à x = 0.

h

Recombinaison
n
en surface

x
0
On donne pour les minoritaires trous : pn0 = concentration à l’équilibre ; Lp = longueur de diffusion; p =
durée de vie ; Dp = coefficient de diffusion.
Déterminer la concentration pn(x) des minoritaires. (On utilisera les notations habituelles).

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