École Polytechnique, Physique et Sciences de l’Ingénieur MP

Concours 

Solution proposée par JR Seigne MP*, Clemenceau Nantes

Propriétés et applications des semi-conducteurs

1 Propriétés électriques d’un semi-conducteur

1.1 Aspect qualitatif

1. La probabilité d’occuper le niveau d’énergie EV est donné par la statistique de B OLTZMANN : pV =

p
A exp − kEB VTa , celle pour le niveau d’énergie EC est pC = A exp − kEB CTa . Le rapport des probabilités est pVC =
exp − kEB GTa ≪ 1 puisque la bande de conduction est très peu occupée. On en déduit que EG ≫ k B TA .
L’énoncé nous dit que K = 40 V−1 = k BeTa . Cela signifie que k B Ta = 40
1
e = 0, 025 eV et comme EG = 1 eV,
p
on a bien EG ≫ k B Ta et plus particulièrement EG = 40k B Ta . On a donc pVC = exp −40 ≃ 4 × 10−18 . Il y
a très peu de conduction électrique possible dans ces conditions. Si on augmente la température, alors la
probabilité pour un électron de rejoindre le niveau d’énergie de la bande de conduction est plus élevée. La
conductivité va augmenter. Dans un conducteur ohmique, c’est le contraire : la conductivité diminue avec
la température parce que l’élévation de température favorise les chocs entre les nombreux - par rapport à
un semi-conducteur - électrons de conduction et les autres électrons du conducteur.
2. Pour un solide, il est assez raisonnable de choisir une masse volumique µ ≃ 5 × 103 kg · m−3 . Pour les
masses molaires, on peut les situer autour de M = 50 g · mol−1 = 0, 05 kg · mol−1 . La densité volumique
µ Nat
d’atomes est donc Nat = M NA ≃ 1028 m−3 et donc cela fait Nat ≃ 1022 cm−3 . On en conclut que ND ≃ 106 .
Il y a très peu d’électrons libérés pour participer à la conduction puisqu’un atome pour un million fournit
un électron.
3. Nous venons de voir que si la température augmentait alors il y aurait plus d’électrons de conduction.
Il est donc normal d’avoir des courbes décroissantes avec β puisque β = k B1T . Pour le semi-conducteur
extrinsèque SCN, on voit une croissance si la température augmente puis une stabilisation au voisinage
de β e = k B1Te . Cela signifie que pour la température Te , on a complètement ionisé le SCN. La densité n
reste stable jusqu’à ce que le SCi intervienne à son tour à une température plus élevée Ti > Te . À chaque
fois, la densité volumique d’électrons varie rapidement lorsque le gap d’énergie à franchir est de l’ordre
de k B T. On peut donc estimer k B Te ≃ δEG = 0, 01 eV. Avec k B Ta ≃ 0, 025 eV, on trouve que TTae ≃ 2, 5.
Ti
On en déduit Te ≃ 120 K . Pour SCi, il faut de la même façon que k B Ti ≃ EG = 1 eV. On a donc Ta ≃ 40
d’où Ti ≃ 1 200 K . La température ambiante se situe sur le plateau du SCN. Comme le SCN est totalement
ionisé pour les zones 2 et 3, on peut en déduire que sur le plateau on a n = ND . Comme à ce moment-là,
ND
ln n∗ = 0, on a automatiquement n∗ = ND = 1016 cm−3 .
4. On peut se servir du SCi pour construire un thermomètre par l’intermédiaire de sa résistance électrique
qui évolue fortement avec T. En effet, on sait que la conductivité est proportionnelle à n dans le modèle de
D RUDE de la conductivité.

1.2 Modélisation et caractérisation d’un semi-conducteur

5. L’allure de la probabilité pour un électron d’occuper le niveau d’énergie E est représentée sur la figure
1. On peut estimer le moment de variation autour de µ à raison de E − µ = ± 1β . Le facteur exponentiel

1
 2
passe alors de e = 2, 71 à 1/e et la fonction f e d’environ 0, 25 à environ 0, 75. On retient donc : ∆E = β
autour de µ.

f e ( E)
1 b

T1 < T2

1/2 b b

T2
b b

0 µ E
F IGURE 1 – Taux d’occupation du niveau d’énergie E pour un électron

R∞
6. Par construction à partir des informations données sur gC ( E) et f e ( E), on en déduit que n = EC f e ( E ) gC ( E )dE.
√ R ∞ ( E− EC )1/2
On obtient l’intégrale demandée par l’énoncé : n = 8 h32π m3/2
C EC 1+exp β ( E − µ ) dE .

7. On considère le cas où exp β( E − µ) ≫ 1, cela permet √ de dire que f e ( E) ≃ exp − β( E − µ). On peut
8 2π 3/2 ∞
donc écrire que la densité d’électrons est donnée par n = h3 mC EC ( E − EC )1/2 exp − β( E − µ)dE. On
R

effectue un changement de variable avec x = β( E − EC√) et dx = βdE. On complète avec exp − β( E − µ) =

R ∞ 1/2
[exp][− x exp − β( EC − µ)]. Le calcul nous mène à n = 8 h32π m3/2 C [ exp − β ( E C − µ )] β 0 x exp − x dx. Avec
le résultat de l’intégrale qui nous est fourni, on arrive à une expression de la forme n = NC exp − β( EC − µ)
 3/2  3/2
avec NC = k B2T 2πm h 2
C
. Avec les informations de l’énoncé, on a aussi N V = 2
kB T
2πm V
h 2 .

8. On voit que np = NC NV exp − βEG . C’est moins immédiat pour trouver une expression de µ. On formera
NC
le rapport np = N V
exp β(2µ − ( EC + EV )). En passant à la forme logarithmique, on arrive à l’expression
 
demandée : µ = EC +2 EV + ln nN
pNC
V kB T
2 .

9. Pour un SCi, il y autant de trous dans la bande de valence que d’électrons libres dans la bande
de conduction. On en déduit que n = p et donc n2i = NC NV exp − βEG d’où la forme de la densité
√ βE
ni = NC NV exp − 2 G . Si on repasse en loi logarithmique, on a bien une affine avec ln √ Nni N = − E2G β
C V
dans la zone 3 du graphique.
 
10. Nous avons vu que µi = EC +2 EV + ln NV
NC
kB T
2 . On sait que exp β( µ − EV ) ≫ 1 et que exp β( EC − µ ) ≫
EC + EV
1. Cela signifie que k B T est négligeable devant µi , on peut donc conclure que µi ≃ 2 .
11. Pour un gaz parfait, nous pouvons écrire que PV = Nk B T où N représente le nombre total d’entités
puisque l’on profite de la relation R = k B N A . La densité volumique de particules est N P
V = k B T que l’on
peut évaluer en prenant P ≃ 105 Pa, T ≃ 300 K. On trouve que N 25 m−3 d’où n
V = n GP ≃ 2 × 10 GP =
19 − 3
2 × 10 cm . La densité dans un gaz est très élevée par rapport à la densité de porteurs dans le SCi :
ni = 1011 cm−3 ≪ n GP . On peut considérer les porteurs (électrons et trous) comme formant un gaz parfait
très dilué dans leur niveau d’énergie respectif à savoir la bande de conduction et la bande de valence.
12. On a vu que np = n2i était valable et comme dans la zone 2 du diagramme de densité, il y a ionisation to-
n2i p n2i
tale du SCN, on en déduit que n = ND . Cela permet d’écrire que p = ND et par la suite n = ND2 = 10−10 . La
conduction électronique est très largement dominante devant celle des trous, on peut imaginer le contraire
pour les SCP.

2
2 Étude de la diode PN
2.1 Jonction PN à l’équilibre

2.1.1 Étude électrostatique

13. Tous les plans de la forme ( M, ~ex , ~ey ) et ( M, ~ex , ~ez ) sont des plans de symétrie positifs Π+ de la distri-
bution des charges. Le champ électrique appartient à l’intersection de ces deux plans, il est porté par l’axe
~ex . Comme il y a invariance de la distribution de charge par translation sur y et sur z, le champ électrique
ne dépend que de X. Cette distribution étant volumique adaptée à un modèle 3D, le champ électrique sera
continu. On applique l’équation de M AXWELL -G AUSS dans le milieu de permittivité électrique ε = ε 0 ε r :
div ~E = dX
dE
= ρε(0Xε r) . Dans les deux grands domaines où la charge volumique est nulle, on a un champ
uniforme : E = α pour x ≤ X A et E = γ pour X ≥ XD . Dans les zones de charges, on a pour X A ≤ X ≤ 0
dE eNA eNA
dX = − ε 0 ε r qui conduit à E = − ε 0 ε r X + β. Pour l’autre côté de la distribution de charge, on a 0 ≤ X ≤ X D
avec dXdE
= eN eND
ε 0 ε r et donc E = ε 0 ε r X + δ. Il faut déterminer les constantes d’intégration. Pour cela, il est décisif
D

de voir que la densité surfacique de charge totale de la distribution est nulle puisque le déficit en électrons
d’un côté est dû à l’excès d’électrons de l’autre. Si l’on se place en | X | → ∞, alors le champ électrique doit
être nul par neutralité globale de la jonction PN. On en déduit que α = γ = 0. Ensuite par continuité en
eNA eND
X = X A et en X = XD , on arrive à EX A ≤ X ≤0 = ε0 ε r (X A − X ) et E0≤ X ≤ XD = ε0ε r (X − XD ) . La continuité
du champ électrique en x = 0 entraı̂ne la relation NA X A = − ND XD . Cela n’est autre que l’expression de
RX
la neutralité globale de la charge dans la jonction puisque X A ρSdX = Se( NA X A + ND XD ).
A

14. On a, en électrostatique, ~E = − grad ~ ψ = − dψ~ex . Il faut intégrer - au signe près - les expression
dX
précédentes du champ électrique en étant assuré de la continuité du potentiel en toutes circonstances. Nous
avons deux portions de paraboles qui se raccordent et dont les concavités sont opposées. En imposant la
condition ψ( X = 0) = 0, on détermine les expressions du potentiel dans les deux domaines où il varie.
eNA eND
Pour X A ≤ X ≤ 0, on a ψ = 2ε 0εr
[( X − X A )2 − X 2A ] et pour 0 ≤ X ≤ XD , on a ψ = 2ε 0εr
2 − ( X − X ) 2 ].
[XD D
Pour X ≤ X A , on a un potentiel constant par nullité du champ électrique et par continuité avec le domaine
eNA 2 eND 2
voisin, on obtient ψ A = − 2ε 0εr
X A puis pour X ≥ XD , cela donne ψD = 2ε 0εr
XD . La barrière de potentiel
e 2 2 ) . En migrant du côté X ≤ 0, les
est Vd = ψD − ψ A . Elle est donnée par : Vd = 2ε 0 ε r ( NA X A + ND XD
électrons créent une zone de charge positive en X ≥ 0. Cela crée un champ électrique ~E orienté dans le
sens de X décroissant. Les électrons subissent alors une force orientée dans le sens X croissant, c’est la
force antagoniste qui contrebalance le mouvement de diffusion des électrons à travers la jonction et qui
permet d’atteindre un état d’équilibre.
15. La courbe d’évolution du potentiel est représentée à la figure 2.

16. Non, cela n’est pas possible . Pour connaı̂tre Vd , il faut connaı̂tre NA et ND ce qui est le cas ici, mais
cela ne suffit pas car il faut aussi la largeur de zone de charge ou bien une abscisse X A ou XD .
2.1.2 Phénomène de diffusion particulaire
17. On a un bilan des particules qui avancent à x croissant et de celles qui vont en arrière avec la même
p
probabilité p pendant la durée τ : f n,q = τ [− F ((n + 1) a, qτ ) + F (na, qτ )] .
pa F (( n +1) a,qτ )− F ( na,qτ )
18. On peut encore écrire f n,p sous forme d’un rapport : f n,q = − τ a . Si l’on prend la
limite lorsque a → 0. On passe du modèle discret à un modèle continu pour la fonction f . Ainsi, on peut
pa dF
conclure que : f = − τ dx .
F dF
19. On pose C = a3
et donc F = a3 C ce qui apporte la relation dx = a3 dC
dx . On peut en déduire que f =
2
− pa 3 dC
τ a dx . Le flux surfacique de particules est donc ϕ ( x, t) =
f
a2
= − paτ dC
dx . Cela nous permet d’identifier le
pa2
coefficient de diffusion : D = τ . Comme p est une probabilité sans dimension, on retrouve un coefficient
de diffusion en m2 · s−1 ce qui est rassurant.

3
 ψ,E ρ
eND b

XA
b b b

0 XD X
Vd

b
−eNA

F IGURE 2 – Évolution du potentiel dans la jonction PN. La représentation a été réalisée pour ND 6= NA ce
qui correspond à une situation plus réaliste.

2.1.3 Équilibre de diffusion-conduction

20. La charge q est mise en mouvement et atteint le régime permanent après une durée de l’ordre de
dψ
quelques fois le temps caractéristique qui est très court. On a v = µq E = −µq dX . Le courant de conduction
dψ dC
est jcond = qCq v = −qCq µq dX . La courant de diffusion est lui jdi f f = −qDq dXq . S’il y a équilibre entre
dC dψ
conduction et diffusion, cela signifie que jcond + jdi f f = 0. On en déduit l’équation − Dq dXq − Cq µq dX = 0.
dCq µ µ q Vd
On obtient l’équation différentielle : dψ + Dqq Cq = 0. On intègre de A à D pour obtenir CD = C A exp − Dq .
µq a qV
Si on utilise la relation d’E INSTEIN, alors Dq = kB T et donc CD = C A exp − k B Td .
21. On applique la relation précédente aux électrons libres tels que C = n et q = −e. Cela veut dire que
n2i n2i
ND = NA exp keVd
BT
= NA exp KVd . On peut obtenir la tension : Vd = 1
K ln ND N A
n2i
.
32
22. Avec les valeurs numériques fournies, on trouve Vd = 0, 025 ln 10
1022
= 0, 25 ln 10 ≃ 0, 50 V. Avec la
valeur précise de ln 10, on trouve : Vd = 0, 58 V .
23. 400 nm, c’est de l’ordre de 1 000 fois l’ordre de grandeur de la taille de la maille cristalline qui est
plutôt de quelques centaines de picomètres. L’approche continue est donc justifiée.
24. S’il circulait un courant, cela serait une situation équivalente à un moteur perpétuel impossible à
envisager en Thermodynamique comme nous le suggère l’énoncé.

2.2 Relation courant-tension

25. Si V est positif, on abaisse alors la barrière de potentiel puisque l’on passe de Vd à Vd − V. La diffusion
l’emporte sur la conduction.
ND N A p N ( XD )
26. À l’équilibre précédent, on avait n2i
= exp KVd . En déséquilibre, on a pA (XA )
= exp −K (Vd − V ).
Comme p A ( X A ) = pP = NA , on en déduit que p N ( XD ) = NA exp −K (Vd − V ). Cela nous permet de
n2i
conclure que : p N ( XD ) = ND exp KV . Par rapport à l’équilibre, l’écart est donc : δp N ( XD ) = p N ( XD ) −
n2i
p N,eq = (exp KV − 1).
ND
27. On réalise un bilan de particules par unité de temps en régime stationnaire. La variation du nombre
de particules (qui est donc nulle) est égale à ce qui entre, moins ce qui sort, moins le terme de disparition.
On applique cela dans un volume de section a2 et de longueur dx compris entre x et x + dx. Cela donne :
∂p N ∂pn ∂p δp dδp dp
∂t = 0 = − D P ∂x a2 + DP ∂xN a2 − τPN a2 dx. En utilisant le fait que dxN = dxN , on en déduit
x x +dx

4
 d2 δp N
l’équation différentielle DP − δpτPN = 0. On a bien une forme d’équation différentielle faisant intervenir
dx2
d2 δp δp √
une longueur caractéristique L P puisque l’on va écrire dx2N − L2N = 0 avec L P = DP τP .
P

28. La solution est de la forme δp N = A exp − LxP + B exp LxP . Comme la longueur caractéristique L P est
petite devant la longueur du domaine (4), on peut en déduire que B ≃ 0. On négligera la contribution du
x n2i
terme B exp LP dans la solution. Si l’on se place en x = 0, on a δp N = ND (exp KV − 1). La forme de la
n2i
solution est donc : δp N ( x) = ND (exp KV − 1) exp − LxP .
29. En régime permanent, la densité de courant de trous libres
R ∞ doit compenser la disparition des porteurs
2
dans la zone (4). L’intensité du courant résultant est IP = e 0 S( x) a dx. La densité volumique de courant
n2 R∞ L2
est donc JP = IP /a2 . Elle s’exprime selon JP = τeP NDi (exp KV − 1) 0 exp − LxP dx. Avec la relation τP = DPP ,
eD P n2i
on aboutit à l’expression voulue : JP = ND L P (exp KV − 1) .

30. Les charges négatives se déplaçant à x décroissant, leur contribution sera dans le même sens à ~J. En
eD N n2i
transposant la solution précédente, on a JN = NA L N (exp KV − 1). La densité volumique totale de courant
eD P n2i eD N n2i
est donc bien celle attendue : Jinv = ND L P + NA L N . Assez rapidement lorsque V < 0, on aura exp KV − 1 ≃
−1, il suffit de quelques − K1 pour V afin d’être dans ce contexte. La densité volumique de courant est donc
J = − Jinv . C’est le faible courant de saturation lors de la polarisation inverse de la jonction PN. Tous les
électrons libres sont entraı̂nés par le générateur qui polarise la diode. Cette situation doit être appréciée
en tenant compte du fait qu’il peut y avoir à un moment une avalanche de courant dans un effet de type
Z ENER.
31. On lit ln II0 = 0 pour V = V0 = 0, 7 V. On se reporte sur l’autre graphique I (V ) pour lire l’inten-
sité à cette tension. On trouve I0 = 10 mA . On voit bien une dépendance exponentielle croissante pour
l’intensité en fonction de V > 0. Le courant de saturation inverse est très faible, on peut écrire que très ra-
pidement, on a I ≃ Iinv exp KV. En utilisant le point (V0 , I0 ), on peut écrire que I0 ≃ Iinv exp KV0 . Cela nous
permet d’obtenir I = I0 exp K (V − V0 ) d’où ln II0 = K (V − V0 ) ainsi K est la pente du second graphique
4−(−12)
proposé. La pente de ce graphique est Kex p = 0,9−0,1 ≃ 20 V−1. On conclut donc avec Kex p ≃ 20 V−1 .
À la température ambiante, l’énoncé avait proposé K = 40 V−1 . C’est la moitié que l’on trouve avec le
graphique. On peut mettre en avant le fait que l’on a transposé Vd en Vd − V dans les raisonnements qui
précèdent alors qu’il était indiqué que cela était possible pour |V | ≪ Vd . Ici, on est largement sorti de cette
situation car on a V ≃ Vd en effet, nous avions calculé Vd ≃ 0, 6 V et nous sommes autour de V0 = 0, 7 V.
Le modèle ne présente pas de résistance électrique lorsque la jonction PN est passante, c’est un manque im-
portant car c’est ce qui limite la pente du graphique I (V ) puisque cette pente est l’inverse de la résistance
de la diode (on devrait parler de résistance dynamique car la caractéristique n’est tout à fait linéaire avec
Rdyn = dVdI ).

3 Transistor bipolaire

3.1 Gain en courant

32. La diffusion est de longueur caractéristique L N ≫ WB donc il n’y a quasiment pas d’évolution de la
concentration en électrons. Ceux qui traversent en 3 proviennent de 2. Les électrons subissent un champ
électrique orienté dans le bon sens. Ils subissent une force qui les fait passer dans le collecteur.
n2 n2 2 n2
33. D’après les données de l’énoncé, on a n B (2) = NAB
i
exp KVBC ≪ NAB
i
et n(3) = NniAB exp KVBE ≫ NABi
.
On peut proposer un modèle linéaire d’évolution pour simplifier, voir le graphique de la figure 3. En
transformant la dérivée en taux de variation par le modèle linéaire retenu, on peut écrire que la densité
D n2 D n2
de courant de particules pour la diffusion est JD = − WBNNAB
i
(exp KVBE − exp KVBC ) ≃ − WBNNAB
i
exp KVBE
D N en2i
puisque exp VBE ≫ exp VBC . La densité de courant de conduction est donc : JC = WB NAB exp KVBE .

5
 nB
Base b
n B ( 3)

n2i b

NAB

n B ( 2)
b
b b b

2 3 X
F IGURE 3 – Évolution de la concentration en électrons libres dans la base

34. Comme on nous donne la densité de courant dans la base, on peut former le rapport et trouver
JC D N NDE L B NDE L P
γ = JB = D P NAB WB . Comme on a DP ≃ D N , on peut simplifier l’expression : γ = NAB WB . On voit que
plus la largeur de la base sera petite, plus γ sera élevé. On voit aussi que le gain sera dépendant du dopage
réalisé lors de la fabrication du transistor. Il est possible de faire du sur mesure et d’ajuster le gain pour
les différents types de transistors que l’on veut obtenir. Dans le cas étudié, on trouve que γ ≃ 105 , ce gain
élevé est caractéristique de l’effet transistor. Un petit courant circulant dans la base déclenche un courant
très élevé dans le collecteur et donc aussi dans l’émetteur par loi des nœuds.

3.2 Polarisation du transistor

E −VCE
35. Par la loi des mailles, on a E = RC IC + VCE d’où l’expression IC = RC . De la même façon, on a
E −VBE
IB = RB . On peut compléter le réseau de caractéristiques par le positionnement de ces deux droites qui
passent par le point de fonctionnement P0 . Voir le graphique de la figure 4.

IC
(III)
P0 IB = Cte
(II) b b

VCE = Cte P0

IB 0 E VCE

(I)
VCE = Cte
P0 b b

P0

b
E (IV)
IB = Cte
VBE
F IGURE 4 – Caractéristiques du transistor et point de fonctionnement

E −V 0 E −V 0 RB
36. On a IC0 = RCCE = 2REC et IB0 = RBBE ≃ REB . On en déduit le gain en courant du transistor γ = 2R C
.
0 0
Comme γ = 100, on peut voir que IB ≪ IC et que RC ≪ R B . La puissance absorbée au niveau du transistor
est PM = IB0 VBE
0 + I 0 V 0 ≃ I 0 V 0 compte tenu de la valeur des courants et de la relation sur les tensions. On
C CE C CE
E2
peut écrire que la puissance absorbée par le transistor est : PM = 4R C
. La résistance du collecteur est donc
E2
RC = 4PM . On trouve RC = 100 Ω . On en déduit que R B = 2γRC = 20 kΩ et que IB0 = 1 mA. L’intensité

6
dans le collecteur est donc IC0 = 100 mA . On a VCE
0 = 10 V et I 0 assez faible. Ces deux valeurs justifient
B
les approximations réalisées avant.

3.3 Régime dynamique du transistor autour de son point de fonctionnement

37. La première relation est l’expression d’une tension, on peut utiliser le modèle de T H ÉVENIN. En sortie,
c’est un courant, il faudra utiliser le modèle de générateur de N ORTON. On peut voir le modèle du bloc à
la figure 5.

h11
IB IC
B b b b
C

b
1
VBE h12 VCE h22 VCE
h21 IB
E b b
E
b

b
F IGURE 5 – Modèle électrocinétique du quadripôle

Sur le graphique des caractéristiques du transistor qui a été fourni, on voit que IC ne dépend pas de VCE
puisque les courbes sont des droites horizontales à IB fixé. On en déduit que h22 = 0 . De même, on observe
des droites horizontales pour la relation VBE = f (VCE ). On a aussi h12 = 0 .

3.4 Modèle de la structure amplificatrice complète vis-à-vis des signaux variables

0
E −VBE
E −VBE v BE
38. On applique la loi des nœuds en entrée sur la base : IB = ie + RB = ie + RB − RB . Comme en
0
E −VBE v BE
situation statique, on a IB0 = RB
0 −
, on obtient IB = ie + IBE RB . Cela permet d’avoir la partie variable
VBE
du courant de base : iB = ie − RB . On effectue la même chose du côté du collecteur. On obtient facilement
vCE
iC = is − RC .
v BE vCE
39. Ces deux relations conduisent à ie = iB + RB et à is = iC + RC . Si on effectue la loi des nœuds en
entrée et en sortie dans le modèle, on arrive à la même chose.
γ
40. On a rB = KIC0
= 25 Ω . On avait R B = 20 kΩ ce qui montre que R B ≫ rB . Il n’y a pas beaucoup
de chute ohmique créée par l’envoi d’un courant variable dans la base. De la même façon, on trouve
rc = 100 kΩ . Comme RC = 100 Ω, on a rC ≫ RC .
41. On se place maintenant en régime variable. On néglige le courant iB devant le courant d’entrée puisque
la résistance R B est faible. On a, par diviseur de tension, v BE RB
e = R + 1 = 1+jRjRB CB CB ωB ω . Si on se place pour
B CB ω

ω ≫ RB1CB alors on peut constater que v BE

e ≃ 1. On a donc v BE = e = r B i B et vCE = s. Avec la loi des
vCE
nœuds ic = γiB + rC et iC = − RC , on arrive à −( R1C + r1C )s = γiB avec iB = reB . On obtient la fonction
s

de transfert G (iω ) = s
e = − γr1B rrCC+RRCC . Comme nous avons vu que rC ≫ RC , l’expression du transfert se
simplifie G = −γ Rr BC = − RC K IC0 avec IC0 = 2REC . Finalement, on arrive à l’expression du gain : G = − 12 KE .
On vérifie bien que sa valeur absolue correspond à ce que l’énoncé attendait. On trouve G0 = 400. En
choisissant un point de fonctionnement statique au milieu de la zone, on pourra profiter d’une plus grande
amplitude pour le signal variable qui sera amplifié. On aura toujours le même comportement pour la partie
positive et la partie négative du signal variable.
jR C ω
42. On conserve toujours les relations vCE = s et iC = − RsC mais il faut travailler avec vBE = 1+ jRB B BCB ω e.
La loi des nœuds est toujours iC = γiB + RsC . Après calcul, on obtient la nouvelle expression du gain :
G0 (ω ) = − 12 KE 1+ 1
1 . La fréquence de coupure du filtre passa-haut est f cBF = 1
2πR B CB . Numériquement,
jR B C B ω

7
la fréquence de coupure est ; f cBF ≃ 8 Hz . Cette fréquence est assez basse. La plupart du temps, les si-
gnaux électriques variables traités par le montage électrique et donc par le transistor posséderont une
fréquence plus élevée puisque rien que pour l’électricité c’est 50 Hz. La conclusion que l’on peut tirer est
que le condensateur CB coupe bien les fréquences basses et les composantes continues sans affecter les
fréquences qui nous intéressent en électronique.
43. On peut considérer vBE = e = rB iB et iC = γiB + vrCE C
. Sur la modélisation de sortie, on écrira que
 
jCC ω jRu CC ω 1+ j( RC + Ru ) CC ω
iC = − RC + 1+ jRu CC ω vCE . Or, s = 1+ jRu CC ω vCE d’où l’équation iC = − Rsu
1
jRC CC ω . La loi des nœuds
1+ j( RC + Ru ) CC ω γ s 1+ jRu CC ω
donne − Rsu jRC CC ω = rB e + r C jRu CC ω . Comme 1
rC ≪ 1
RC , on pourra négliger le dernier terme de
l’équation précédente. Après calculs, la fonction de transfert est G = − 21 KE R
1
. C’est aussi un
1+ RCu + jRu 1C
Cω

filtre passe-haut mais avec un facteur d’atténuation par rapport à la situation précédente. Plus la résistance
d’utilisation sera faible, plus le gain sera atténué.
44. On va calculer le gain en sortie ouverte, à vide. Le condensateur est assimilé à un fil puisque l’on est
en haute fréquence. En entrée, la situation est définie par le schéma de la figure 6.
RG
i0 iB
b b b
B
b

i1
RB vBE
eG
b
E
b

F IGURE 6 – Utilisation d’un générateur à résistance interne R G en entrée

On a vBE = R B i1 et i1 = i0 − iB . On écrit aussi la loi des mailles pour obtenir eG = R G i0 + R B (i0 − iB ).

Cela permet d’écrire la relation eG R1G = vBE ( R1G + R1B + r1B ). Dans cette dernière relation, on peut simplifier
un terme puisque R1B ≪ r1B . On a donc vBE = eGRG . Dans l’étude précédente, la relation était vBE = e,
1+ rB
RG
on a une atténuation par le facteur 1 + rB puisque l’étage de sortie est inchangé. Le nouveau gain sera
G0
donc G0 affecté du facteur d’atténuation : G ′ = − R . On avait trouvé G0 = 400, R G = 50 Ω - ce qui
1+ r G
B

est une situation très classique - et rB = 25 Ω. Le facteur d’atténuation est de 3 par conséquent, on trouve
|G ′ | ≃ 130.

3.5 Étude de la dérive thermique

45. Avec le commutateur en position 1, nous avions démontré que VCE0 = E − R I 0 et aussi que E ≃ R I 0 .
C C B B
0 0 0 0 R 0
Comme IC = γIB , on arrive à VCE = E − γRC IB = E(1 − γ RB ). On a donc VCE = (1 − γq) E ce qui fait que le
C

facteur recherché est α01 = 1 − γq. On en déduit que χγ,1 = −q . Avec les valeurs numériques fournies, on
obtient χγ,1 = −5 × 10−3 . Si la température augmente alors γ augmente et donc α0 diminue. Cela provoque
0 alors que le courant I 0 lui va augmenter. Le point de fonctionnement P0 va se déplacer
la diminution de VCE C
en montant sur la gauche par rapport à sa position initiale.
46. Pour le commutateur en position 2, il faut écrire de nouvelles lois des nœuds et des mailles. On a
R B IB0 = VCE
0 − V 0 . En notant I 0 l’intensité du courant délivré par le générateur de tension E, on a I 0 =
BE
0
E −VCE
IB0 + IC0 = RC . On peut aussi écrire que RC I 0 = E − VCE
0 . On arrive alors aux relations donnant le

V0 V0 V0
courant collecteur et le courant de base : IC0 = REC + RBEB − VCE
0 ( 1 + 1 ) et I 0 = CE − BE . Compte tenu
RC RB B RC RB
0 , on peut faire des approximations dans les deux expressions précédentes. On
des valeurs de R B et de VBE
0
VCE 0
VCE
E E
a IC0 = RC − RC et IB0 = RB .
0 =
Cela nous permet d’aboutir dans le calcul pour obtenir VCE 1+ γq et donc
dα02 χ γ,1
α02 = 1
1+ γq . On calcule la dérivée dγ = − (1+qγq)2 . On a χγ,2 = (1+ γq )2
. γ et q étant positif, le coefficient sera
plus faible sur la position 2 que sur la position 1.

8
 0 qui diminue, ce qui est cohérent avec le fait que I 0
47. On a un facteur γ qui augmente et donc VCE C
V0
augmente. Mais alors IB0 = RCE B
va diminuer. Cela contrebalance l’effet de γ en limitant IB0 et donc in fine
IC0 . Dans la position 1 pour le contacteur, on a γ qui augmente et IC0 aussi avec VCE0 qui diminue mais I 0 = E
B RB
n’est pas affecté. Il n’y a d’effet de contre-réaction. Il est donc préférable pour gérer la dérive thermique
d’utiliser le contacteur en position 2.
E 0 = E . Cela permet d’obtenir q = 1
48. Nous avons vu que 0
VCE
− 1 = γa q avec VCE 2 γa . La puissance absorbée
par le transistor est liée au courant de base qui évolue sous la tension VBE 0 et au courant du collecteur qui
0 0 0 0 0
évolue sous la tension VCE . La puissance est donc P = VBE IB + VCE IC ≃ VCE 0 0 I 0 . Avec les relations de la
C
E 2
situation statique liée à la polarisation du transistor, on arrive à P0 = 4R C
. Ce résultat est celui obtenu sans
VCE
dérive. Dans un cas plus général, on a P = VBE IB + VCE IC ≃ VCE IC . Avec IB = RB − RRCB IB =
et IC = E
RC
IC E γq
E
RC − γq d’où IC = RC 1+ γq . De la même façon, on a VCE = R B IB = RγB IC . La puissance électrique est donc
 2
RB 2 E2 R B γq RB 1 E2 γq γ
P= γ IC = RC γRC 1+ γq . Comme γRC = γq . On a donc Pélec = RC (1+ γq )2 . Comme γq = γa = 1 + aX, on
E2 1+ aX
peut conclure sur l’expression : Pélec = RC (2+ aX )2 .
49. Nous allons écrire un bilan énergétique en puissance et disant que la variation de l’énergie du transistor
est la conséquence d’une puissance qui entre comptée positivement, d’une puissance qui sort comptée
négativement et d’un terme de création. On ne prendra pas de terme de création, la puissance qui entre est
la puissance électrique calculée avant et la puissance qui sort est celle liée à la convection Pth . On a donc
E2 1+ aX
C dT
dt = RC (2+ aX )2 − H ( T − Ta ). On va passer en variable adimensionnée avec T = XTa + Ta , on a donc
dT E2 1+ aX
dt = Ta dX dX
dt . L’équation différentielle devient CTa dt = RC (2+ aX )2 − HTa X. Il ne reste plus qu’à diviser par
2
C dX E 1+ aX C
HTa pour obtenir la forme attendue : H dt = RC HTa (2+ aX )2 − X. On peut identifier les constantes : τ = H
E2
et A = RC HTa . L’application numérique conduit à A = 1, 2.

50. À l’équilibre thermique, on a dT

dt = 0 et donc A (21++aX
aX
)2
= X. Cela peut encore s’écrire selon 1+ aX
(2+ aX )2
=
aX
aA . On change alors de variable pour travailler avec Y = aX. Sachant que a = 0, 5 et A = 1, 2, on a aA = 0, 6.
Y
La condition d’équilibre est fixée par F (Y ) = 0,6 . On peut utiliser le graphique fourni, en ajoutant la droite
Y
d’équation 0,6 et en déterminant les coordonnées du point d’intersection. On trouve que cela se produit
pour Y = 0, 17. On en déduit que X = 0, 34. Cela donne un écart de température ∆T = 102 K. Le transistor
possède une température de fonctionnement très élevée d’environ 100 ◦ C supérieure à la température
ambiante. En général, on essaie de limiter la température des circuits vers 60 ◦ C pour une température
ambiante de 20 ◦ C. Il faudra prévoir des ailettes de refroidissement pour augmenter la convection et donc le
coefficient H. On pourra aussi l’augmenter en forçant l’écoulement du fluide avec un ventilateur lorsque le
fluide est de l’air ou un gaz. De plus en plus souvent, on utilise un liquide comme fluide de refroidissement
avec une circulation réalisée par une pompe, toujours dans le but d’augmenter la convection. Si l’on calcule
pour finir la tension collecteur-émetteur, on trouve VCE = 1+Eγq = 2+EaX = 2+EY . On trouve E ≃ 9, 2 V .
51. Plus l’élévation de température est importante, plus la puissance absorbée par le transistor est faible.
C’est cohérent avec le fait que VCE diminue et en même temps une diminution de IB qui provoque la
diminution de IC .