Master-1 et Magistère-2 de Physique Fondamentale Université Paris-Sud

Matière condensée

TD n˚3 - Electrons libres sous champ magnétique :

effets orbitaux
Dans ce TD, on s’intéresse aux propriétés d’un gaz d’électrons libres soumis à un champ
−
→
magnétique B . Les N électrons de spin 1/2 sont contenus dans une boı̂te de dimensions Lx ,
Ly et Lz selon Ox, Oy et Oz respectivement. On notera m, leur masse et −e leur charge.

1. Dans cette question, on suppose que le champ magnétique est nul. Ecrire l’hamiltonien
du gaz d’électrons. Rappeler les fonctions d’onde propres et la densité d’états en énergie,
g(ε). On utilisera les conditions aux limites périodiques.
−
→
2. En présence d’un champ magnétique B dirigé selon la direction Oz, l’hamiltonien devient
−
→
(−
→
p + e A )2
H=
2m
−
→
où A = (0, Bx, 0) est le potentiel vecteur dans la jauge de Landau. On peut alors montrer
que les fonctions d’ondes s’écrivent sous la forme eiky y eikz z u(x).
(a) Montrer que, pour ky et kz constants, u est définie par une équation d’oscillateur
harmonique 1D sur l’axe des x de centre x0 = √ ~ − ky /eB = lc2 ky et de pulsation ωc =
eB/m (dite pulsation cyclotron), avec lc = ~/eB une longueur caractéristique
associée au champ magnétique, appelée longueur magnétique.
(b) En déduire que chaque fonction d’onde propre est ’étendue’ selon Oy et Oz et
’localisée’ selon Ox. On rappelle que l’extension spatiale de la fonction d’onde
√ propre
d’un oscillateur harmonique simple de pulsation ω est de l’ordre de l = ~/mω.
(c) Montrer que les énergies propres du système s’écrivent :

εn = (n + 1/2)~ωc + (~kz )2 /2m

(d) Montrer alors que, à kz donné, la dégénérescence du niveau d’énergie, appelé niveau
de Landau, est gn = Lx Ly /2πlc2 qui est indépendant de kz et n. Pour cela, on
remarquera que l’énergie des oscillateurs est indépendante de ky et on cherchera le
nombre d’oscillateurs possibles sur l’axe des Ox correspondant à la même énergie.
3. Dans cette question, on cherche à déterminer la densité d’états en énergie du gaz d’électrons
sous champ magnétique.
(a) Calculer la densité d’états en énergie, pour un niveau d’énergie εn = εn,0 + ε(kz ) en
posant εn,0 = (n + 1/2)~ωc et ε(kz ) = (~kz )2 /2m.
(b) Montrer que la densité d’états en énergie, par unité de volume, g(ε), s’écrit :
√
2eB 2m ∑
g(ε) = (ε − εn,0 )−1/2
h2 n;ε>ε
n,0

Représenter schématiquement cette fonction en remplaçant les divergences par des

maxima.
1
 (c) On se place à température nulle, montrer que la densité d’états au niveau de Fermi,
g(εF ), présente des oscillations avec B et que ces oscillations sont périodiques en
1/B. Tracer alors schématiquement g(εF ) en fonction de B.
4. On cherche à mettre expérimentalement en évidence ces oscillations de la densité d’états.
(a) En utilisant le même raisonnement qualitatif qu’au TD n˚1, montrer que la chaleur
spécifique présente des oscillations en fonction du champ magnétique si kB T <<
~ωc . Commentez la figure 1a.
(b) La figure 1b présente la résistance longitudinale et la résistance Hall dans un système
bidimensionnel d’électrons très pur. On peut montrer que, sous fort champ ma-
gnétique, la résistance longitudinale est proportionnelle à la densité d’états au
niveau de Fermi. Montrer que les oscillations de la résistance longitudinale, dites
oscillations Shubnikov-de Haas, reflètent les oscillations de la densité d’états en
identifiant les valeurs de n.
Remarque : La résistance Hall est quantifiée en sous-multiple de eh2 = 25, 9 kΩ à
chaque fois que la résistance longitudinale est minimale, c’est l’effet Hall quantique
qui a conduit à 2 prix Nobel de Physique en 1985 et 1998 et qui reste un sujet très
étudié.
D’une manière plus générale, la recherche et l’étude de ces oscillations de la densité
d’états permettent d’accéder à la structure électronique des matériaux étudiés en
matière condensée.

a) b)

Figure 1 – a) Evolution de la chaleur spécifique dans un empilement de plans bidimension-

nels d’électrons dans l’Arséniure de Gallium (GaAs). b) Résistance longitudinale et résistance
de Hall en fonction du champ magnétique dans un gaz bidimensionnel d’électrons réalisé à
l’interface des semiconducteurs GaAs et GaAlAs : T=50mK