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Gnralits: Semiconducteurs
Modle de BOHR
Niveau dnergie discret: contient 2n2 lectrons n: Numro de niveau correspond une couche couche (K (n=1), L(n=2), M(n=3)) En <0 quelque soit n : il faut produire un travail pour loigner un lectron de latome. Exemple : Atome de silicium (Z= 14) K (n=1) = 2.12 = 2 L( n=2) = 2. 22 = 8 M(n=3) (peut occuper 2.32=18) : occupe le reste = 4 10 lectrons de cur 4 lectrons de valence
Matriaux solides
Crisallin:Atomes rangs rgulirement aux noeuds d'un rseau priodique.
Cristal
Cristaux molculaires.
Cristaux covalents Mtaux (Li, Ag, Au,...) . (Colonne IV: C, Si, Conducteurs lectriques . Ge,Sn). Un lectron libre par Liaisons de valence. atome. Liaisons moins fortes que les liaisons ioniques. Proprits= f(force de ces liaisons).
EG Bande interdite
lectrons li aux atome
Cristal Un lectron dont lnergie est situe dans une bande en dessous de la bande de valence est li un atome donn du solide. Dans la bande de valence, llectron est commun plusieurs atomes.
Llectron dont lnergie est comprise dans la bande de conduction circule librement dans le solide.
Le gap EG reprsente la quantit dnergie minimale ncessaire pour faire grimper un lectron de
de la bande de valence la bande de conduction. Ef le niveau dit de Fermi, qui est le niveau nergtique le plus lev quun lectron puisse occuper 0K.
EG est un paramtre essentiel qui permet de distinguer les matriaux isolants, semiconducteurs et conducteurs.
Conducteur
Semiconducteur
Isolant
Les semiconducteurs ont une conductivit intermdiaire entre les conducteurs et les isolants. Ils sont isolants T=0K.
Semiconducteurs
Lors de la formation du cristal un atome de silicium va gagner 4 lectrons en formant des liaisons covalentes qui correspondent la mise en commun de ses lectrons avec les atomes voisins. Ainsi un atome de silicium qui s'associe avec quatre autres atomes de silicium verra huit lectrons sur sa dernire couche.
Liaison covalente
T = 0K
T > 0K
lectrons
trous
T > 0K
T > 0K
T > 0K
T > 0K
T > 0K
T > 0K
recombinaison
Concentration des porteurs de charge dans le silicium intrinsque n = lectrons/cm3 Ec EG = Ec-Ev Ev p = trous /cm3 Pour T> 0 K, des lectrons peuvent devenir libre c'est dire passer de la bande de valence la bande de conduction, o leur concentration est note n. Ces lectrons laissent des trous dans la bande de valence (avec une concentration note p) eux aussi libres de se dplacer. Un quilibre stablit entre les phnomnes dionisation thermique et de recombinaison ; les lectrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantits gales. La concentration en lectrons libres n et en trous libres p sont gales ni la concentration intrinsque. Loi de masse : n.p = n i2 ( Ec EFi) kT
Recombinaison
Bande de conduction
Gnration de paires lectron-trou
Bande de valence
n= Nc e
p= Nv e
(EFi Ev) kT
n= p= ni= AT e
EG ) 3/2 2KT (
Il y a environ dix mille milliards de milliards datome (1022) dans un gramme de silicium, donc deux mille milliards (2x1012) dlectrons libres par gramme de silicium
Silicium dop N
Silicium dop N
Silicium dop N
Silicium dop N
Silicium dop N
Silicium dop N
Silicium dop N
EG
Ev Bande de valence
p = ni2/Nd
Les lectrons sont les porteurs majoritaires et les trous les porteurs minoritaires.
La population des lectrons libres de la bande de conduction est beaucoup plus importante que elle des trous libres dans bande de valence.
Le niveau de Fermi EFn se dplace donc du milieu de la bande interdite (EFi) vers la bande de conduction.
= ni2
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Silicium dop P
Concentration des porteurs de charge dans le silicium dop P Bande de conduction Ec n = ni2/Na
Les trous sont les porteurs majoritaires et les lectrons les porteurs minoritaires. La population des lectrons libres de la B.C. est beaucoup plus faible que celle des trous libres dans BV. Le niveau indicateur de Fermi Efp se dplace du niveau intrinsque EFi vers la bande de valence.
= ni2
Na EFi EFp= kT ln ( ) ni