L2 Électronique fondamentale section Automatique

Chapitre III
les Semiconducteurs et les diodes à jonction

Chargée de cours: Mme A.Lacheb

 Les Semiconducteurs et les diodes à jonction

Les matériaux solides peuvent être classés en trois groupes :

les isolants, les semi-conducteurs et les conducteurs.

On considère comme isolants les matériaux de conductivité (diamant 10-14S/cm),

comme semi-conducteurs les matériaux tels que silicium 10-5S/cm à 103S/cm

et comme conducteurs les matériaux tels que 𝛔>1000 S/cm exemple(argent 63.01 × 106S/cm)
meilleure conductivité thermique et électrique de tous les métaux
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 Tous les corps sont constitués d’atomes. Un atome comprend un noyau très dense constitué
de protons de charge électrique positive et de neutrons neutres électriquement.
Un nombre d’électron égal au nombre de protons du noyau tourne autour de celui-ci.

 La charge électrique de l’électron est négative et opposée à celle du proton. L’atome est donc
électriquement neutre. Ces électrons sont disposés en couches concentriques et seuls ceux de
la couche externe interviennent dans les phénomènes électriques et chimiques. Cette couche
comprend de 1 à 8 électrons dont le nombre correspond à la valence.
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Couche de valence ou
couche périphérique

Electron de
Des orbites associées à des état énergétiques La valence
couche périphérique est appelée Couche de valence
oElle intervient dans l'établissement des liaisons
chimiques entre différents atomes pour former des
molécules
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Bandes d’énergies
Répartition énergétiques en bandes discontinues :
◦ Orbitales associées à des états énergétiques
◦ Bandes interdites
Deux bandes sont impliquées dans la conduction
Électrique: La bande de conduction et bande de valence
D ’après le schéma des bandes d’énergie Un semi-conducteur est un matériau qui a les
caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à
un courant électrique, est suffisamment importante. En d'autres termes, la conductivité électrique d'un
semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants.
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 Constitution d’un semi conducteur
 Les semi conducteurs sont de valence 4. Leurs atomes sont disposés régulièrement selon les
sommets d’un cube (comme le diamant). Chacun des 4 électrons d’un atome est lié à un électron
d’un des 4 atomes qui l’entoure ce qui fait que tous les électrons sont liés entre eux et qu’aucun
n’est disponible pour assurer le passage d’un courant. C’est pourquoi un semi conducteur
parfaitement pur (on dit intrinsèque) n’est pas conducteur de l’électricité.
Structure cristalline du silicium non dopé (intrinsèque) Electrons de valence

 Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur :

le matériau est parfaitement régulier et ne contient aucune impureté.
Son comportement électrique ne dépend Atomes de
S-C
alors que de sa structure et de l'excitation thermique :
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à 0 K, le matériau est isolant ;
plus on chauffe, plus le nombre d'électrons arraché à la bande
de valence augmente et plus le matériau est conducteur.
Electron libre

T=300 K
L’électron qui s’est libéré sous l’agitation T=0 K
thermique a laissé derrière lui un trou le
nombre de trou pi est égale au nombre
d’éléctron ni
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 Dans un matériau pur, on introduit des impuretés par dopage. Pour que celui-ci soit
contrôlable, il faut que le degré de pureté initial global soit supérieur au taux du dopage.
 Les taux de dopage utilisés sont de l’ordre de 10E–8 à 10E(–11). Une mole de silicium (28 g)
correspond à 6,023.10E(23) atomes et la densité du silicium est voisine de 7 : 1 cm3 de
silicium contient donc environ 1,5.10E(23) atomes. Avec un taux de dopage de l’ordre 10E(–
10), il y a environ 1,5.10E(13) atomes d’impureté par cm3.

 Les impuretés modifient considérablement les propriétés du semi-conducteur.

il est dit dopé et les impuretés sont appelées dopants
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 Semi conducteurs type N
Si par contre on remplace dans cette structure quelques atomes de silicium par des atomes d’un
corps pentavalent (avec 5 électrons sur sa couche externe) par exemple de l’antimoine, de
l’arsenic ou du phosphore, un de ces électrons ne trouvera pas dans le réseau cristallin
d’autre électron à qui se lier et sera libre pour participer à un courant électrique. On a ainsi
constitué du silicium de type N (pour négatif) qui conduira d’autant mieux le courant que le
taux d’atomes pentavalents sera élevé.

Figure 5
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Semi conducteurs extrinséque P
Si par contre on procède de même avec un corps trivalent (par exemple du bore ou du gallium) il restera
dans chaque atome de bore une place disponible pour un électron. Cette place s'appelle un trou, et
correspond à une charge positive. On a du silicium de type p.

Trou

T=0 K T=300 K Figure 6

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 La figure 5 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé N a une densité d'électrons n plus
élevée et une densité de trous p plus faible que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs
majoritaires et les trous, les porteurs minoritaires.
 Par analogie avec les semi-conducteurs de type P et en notant ND la densité de donneurs,
les densités de porteurs pour un semi-conducteur de type N sont :
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 La figure 6 met en évidence qu'un semi-conducteur dopé P à une densité d'électrons n plus
faible et une densité de trous p plus élevée que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs
minoritaires et les trous, les porteurs majoritaires.
 Pour les semi-conducteurs extrinsèques, la densité de dopant est toujours très supérieure à
densité de porteurs intrinsèques NA>>ni. Dans le cas d'un type P, la densité de trous est
donc proche de celle du dopant accepteur NA.
La relation étant toujours vérifiée, nous obtenons pour les densités de porteurs :
Formation de la jonction PN

1 2

5
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 Constitution d’une Jonction P-N
Un bloc de silicium est dopé sur une moitié avec des atomes trivalents (accepteurs) et sur
l’autre moitié avec des atomes pentavalents (donneurs) → jonction pn. Fig 1
• Frontière entre les régions p et n : jonction métallurgique.
• Région p : ions négatifs, trous majoritaires et électrons minoritaires.
• Région n : ions positifs, électrons majoritaires et trous minoritaires.
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Formation de la région de déplétion (ou zone de charge d’espace)
 Les trous, majoritaires dans la région p, diffusent dans la région n. Figure 2
 Les électrons, majoritaires dans la région n, diffusent dans la région p.
 Au voisinage de la jonction métallurgique, les électrons et les trous subissent des
recombinaisons.
 • Dans cette région, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas compensées
par celles des porteurs libres. Les ions sont découverts. Ils sont ancrés au réseau.
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• Il en résulte une charge d’espace ou une région de déplétion et un champ électrique interne.
•Ce champ s’oppose à la diffusion des porteurs libres. ⇒ équilibre entre la diffusion et l’entrainement
par le champ électrique.
• Valeurs typiques de la largeur de la région de déplétion : de 0.1 à10 µm.
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 Courants à l’équilibre
 • Courant dû aux porteurs majoritaires :
les trous diffusent de p vers n : ip-diff > 0 ;
les électrons diffusent de n vers p : in-diff > 0.
 Au total, idiff(v = 0) = ip−diff + in−diff > 0. Figure 2

 Courant dû aux porteurs minoritaires figure 6:

 Certains porteurs générés thermiquement dans les régions neutres au voisinage de la
région de déplétion parviennent à franchir la barrière de potentiel V0 sans subir de
recombinaison. Ces porteurs sont entraînés par le champ électrique de la région de
déplétion vers la région opposée. Ainsi, un trou généré dans la région n et atteignant la
région de déplétion est entraîné vers la région p, ce qui engendre un courant négatif.
 Le courant total des porteurs minoritaires est le courant de saturation inverse ou courant
de fuite iinv = -IS < 0.
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 Jonction pn à l’équilibre (jonction non polarisé):
 A l’équilibre, le courant total est nul : i = idiff + iinv = 0 ⇒ idiff = −iinv.
 En écrivant iinv = −IS, on a

 I0 représente l’intensité que l’on a s’il n’y avait pas de barrière de potentiel V0=0
 V0 barrière de potentiel
 K :constante de Boltzman K= 1,38064852 × 10-23 m2 kg s-2 K-1
T température de la jonction

 IS dépend de la concentration des porteurs minoritaires et dépend donc fortement de la

température et des concentrations des impuretés de dopage.
 La tension de diffusion V0 ( barrière de potentiel) dépend de la température, de la concentration
de dopage et du gap du matériau.
 Pour le Silicium,V0 ≃ 0.6 `a 0.8 V `a T = 300 K.