Chapitre 9

Les propriétés physiques

des matériaux:
électriques et magnétiques

Partie 1 : Propriétés électriques

Plan
Résistivité et conductivité électriques
Effet de la température et impuretés
Théorie des bandes
Semi-conducteurs
Piézoélectricité
 Conductivité, Résistivité et Résistance:
L
Va  Vb  ( )I
 S
L
 ( )I
S
: Résistivité (.m)
 : Conductivité (.m-1)

 L   L  est appelée la résistance R

La quantité    
  S   S  du conducteur
 
On peut écrire en définitive :

V  V  R I avec R   L  L Unité : Ohm (

a b S S
La résistivité des matériaux dépend du matériau considéré mais
aussi de la température

Résistivités à 20 °C en .m

• Conducteurs Argent 1, 59.10-8

Cuivre 1 ,7 . 10-8
Aluminium 2,82. 10-8

• Semicon. Germanium 0,46

Silicium 640

• Isolants Soufre 1015

Verre 1010-1014

résistance d’un fil de

cuivre de 100 m et 2 mm de  0,55 
Variation de la résistivité avec la température

 Pour la plupart des métaux, la résistivité croît avec la température

 à plus haute température, les atomes constituant le métal vibrent autour

de leurs positions avec des amplitudes de plus en plus grandes à mesure
que T augmente.

 les électrons ont de plus en plus de mal à circuler entre les atomes
(collisions)

 pour la plupart des métaux la résistivité croît à peu près linéairement

avec T dans une large gamme de température.

ρ  ρo [1  α (T  To )]
0 est la résistivité à une température de référence T0

 T0 est généralement fixée à 20°C

  est le coefficient de température de la résistivité

[unité: 1/(C)]
Variation de la résistance avec la température

Comme la résistance d’un conducteur de section uniforme est

proportionnelle à la résistivité, on peut écrire :

R  Ro [1  α (T  To )]
 Fil chauffant

Exemple :

Boitier
métallique

 Le fil constituant la résistance possède une résistivité de

0=6.810-5 m à T0=320C, un coefficient de température de
=2.010-3 (1/C) et L=1,1 m.

 Déterminer la résistance du fil chauffant à la température de

travail de T=420°C
Solution
 =0[1+0)]
 =[6.810-5 m][1+(2.010-3 (C)-1) 
• (420C-320C)]=8.210-5 m
• R=L/A
• R=(8.210-5 m)(1.1 m)/(3.110-6 m2)
• R=29 
Supraconducteurs

aux très basses températures,

pour certains matériaux, la
résistance peut devenir nulle.
Ces matériaux sont connus
sous le nom de
supraconducteurs.

La température à laquelle
leur résistance s’effondre
rapidement est dite
température critique Tc.(4,1K
sur la courbe)
• La valeur de TC est sensible à
– Composition chimique
– Pression
– Structure cristalline

• Une fois qu’un courant est établi dans un

supraconducteur, il persiste sans tension
appliquée
– Puisque R = 0
 Effet des défauts et des impuretés

La présence de défauts et d'impuretés contribue aussi à la

diminution de la mobilité des électrons et de la conductibilité.
Ainsi nous avons:

 d  b(1  x) x
Où d est l’augmentation de la résistivité associée aux défauts, b
est le coefficient de variation de la résistivité due aux défauts et x
est la fraction atomique d'impuretés présentes. La résistivité
résultante est donnée par:

  T   d
La présence d'irrégularité dans la maille est ce qui explique la
résistivité plus élevée des alliages par rapport aux métaux. Tant
que la teneur d’élément d’alliage est faible, soit inférieure à 0,1%,
le gain de résistivité est assimilable à celui apporté par des
défauts ou impuretés.
La conductibilité électrique peut être aussi exprimée par la
relation suivante:
  ne e e
(nombre d’é libre/
volume) v
où e  (mobilité des é)
E
La vitesse de dérive, contrairement à la vitesse instantanée, est
une vitesse moyenne de parcours. Suite à de multiples collisions,
Les électrons perdent leur énergie cinétique qui est transformée
en phonons. Sous l’effet de l’agitation thermique, les électrons
retrouvent une énergie cinétique mais la direction qu’ils
poursuivent est aléatoire et le chemin parcouru est finalement
nul.
Pour contrôler la conductibilité électrique : On contrôle le nombre
d’électrons libres ou encore on contrôle la mobilité de ces électrons.
La mobilité des électrons libres est un facteur important chez les
métaux
Le nombre d’électrons libres est un facteur plus déterminant chez les
semi-conducteurs.
La mobilité dépend du type de liaison, des défauts et de la
microstructure.
 Théorie des bandes
Principe d’exclusion de Pauli : seulement deux électrons occupent un
même orbitale ou niveau d’énergie.
Lorsque N atomes sont réunis dans un solide, le principe de Pauli
conduit à une bande d’énergie au niveau de chaque orbitale.
• Dans les solides, électrons proches du noyau  bande étroite appelé
bande interne.
• électrons de valence  bandes plus larges : bandes de valence.
• électrons excités : occupent la bande de conduction.
• L’énergie supérieure de la bande de valence Ev
• L’énergie inférieure de la bande de conduction E c.

• La bande interdite, Eg, est la largeur de bande qui sépare la bande de

valence et la bande de conduction (Ec - Ev).
• À zéro degré Kelvin,

• Les solides à liaisons covalentes et ioniques (Eg>4eV ).

• Les matériaux à liaisons ioniques ont leur couche de valence

complète  l’énergie nécessaire pour qu’un électron puisse passer
de la Bv à la Bc. Les matériaux à liaisons ioniques sont donc
d’excellents isolants électriques.
• Métaux : bande interdite inexistante. Les métaux sont donc des
conducteurs électriques.
Isolants: Conducteurs:
Liaison covalente et ionique Liaison métallique
Puisque les atomes des matériaux à liaisons covalentes contiennent des
orbitales de valence à demi remplies on pourrait s’attendre à ce qu’ils
possèdent une bonne conductibilité électrique. Ce comportement n’est
toutefois pas observé puisque l’intensité des liaisons covalentes conduit à une
hybridation de la bande de valence. Si nous reprenons l’exemple du diamant,
les niveaux 2s + 2p peuvent contenir jusqu’à huit électrons alors que
l’hybridation de ces orbitales n’accepte que quatre électrons. La couche de
valence est ainsi complète augmentant le fossé qui sépare la bande de valence
de la bande de conduction.
 Semi-conducteurs
Si on élève la température d’un matériau, les atomes vibrent de plus en
plus intensément autour de leurs positions d’équilibre. Suivant
l’intensité des liaisons covalentes, certains électrons acquièrent
suffisamment d’énergie de vibration pour se libérer de la liaison et pour
circuler librement dans le cristal. Ces électrons participent alors à la
conductibilité ce qui explique la diminution de la résistivité électrique
des semi-conducteurs intrinsèques au fur et à mesure que la
température augmente.
Le départ d’un électron laisse un trou dans la bande de valence
maintenant incomplètement remplie. Ce trou équivaut à un ion positif
de charge +e et joue le rôle de porteur du fait qu’un électron de valence
d’une liaison voisine peut venir s’y incorporer sans pour autant devenir
un électron libre. Un cristal pur contient un nombre égal d’électrons de
conduction et de trous appelé paires d'électron-trou. En présence d’un
champ électrique, le mouvement des trous s’effectue dans le sens du
champ, alors que les électrons circulent en sens inverse.
• L’action d’incorporer des impuretés dans un semi-conducteur s'appelle
dopage.
• Lorsqu ’on substitut dans une liaison covalente un atome d’une valence de
4 par un atome d’une valence de 5 (atome donneur), l’électron
excédentaire possède un niveau d’énergie se situant dans la bande interdite.
Il suffit alors que d’un simple apport thermique pour que cet électron passe
à la bande de conduction. Ce type de dopage conduit à des semi-
conducteurs extrinsèque de type n (porteurs de charge majoritairement
négatifs - électrons).
• Si par contre on procède au dopage en utilisant des atomes avec seulement
3 électrons de valence, il se forme un trou. Les niveaux d’énergie de ces
solides de substitution se situent également dans la bande interdite. À
température ambiante, les électrons de la bande de valence ont
suffisamment d’énergie thermique pour remplir ces niveaux d’impuretés,
laissant ainsi des trous dans la bande de valence. On désigne ce type
d’impureté par le terme accepteur et le semi-conducteur résultant est dit
extrinsèque de type p.
semi-conducteurs extrinsèque de type n : ajout d’élément
de valence + élevée (électrons en trop...)

semi-conducteur extrinsèque de type p:

ajout d’élément de valence - élevée (déficit en
électrons)
Semi-conducteurs intrinsèques
- éléments de la colonne IVA (tabl. périodique) qui ne sont pas
fortement liés; l’intensité des liaisons diminue avec l ’augmentation
du numéro atomique

III IV V Structure
4 é- de valence
B C N partage des é-

Al Si P
Ga Ge As
In Sn Sb

- éléments combinés des colonnes IIIA-VA et IIB-VIA (ex.:

GaAs, AlSb, etc..)

En général, à température ambiante, les semi-conducteurs intrinsèques

ont une très faible conductivité.
La conductibilité d’un semi-conducteur intrinsèque est donnée
par l’équation suivante:
  ne e e  nt e t
où ne et nt sont respectivement le nombre d’électrons libres et de
trous et  leur mobilité respective.
Dans un semi-conducteur intrinsèque, le nombre d’électrons
libres et le nombre de trous sont égaux.
ni  ne  nt
Le nombre de porteurs générés est fonction de la température:
  Eg 
ni  n0 exp 
 2kT 
où n0 est une constante qui est fonction du matériau.
 Isolants (diélectriques)
Contrairement aux semi-conducteurs, l’écart énergétique entre la bande
de valence et la bande de conduction des isolants est très élevé  10
eV. Par conséquent, très peu d’électrons peuvent franchir la barrière
énergétique.
Notons aussi que la majorité des solides sont cristallins et qu’à
l’intérieur d’un même grain les propriétés physiques tout comme les
propriétés mécaniques sont fonctions de la direction de mesure.

Énergie d’un Énergie d’un Énergie d’un

électron électron électron

bande de conduction
(vide)

{
bande de conduction
bande de conduction
bande Es = plusieurs eV
interdite Es ~ 1 eV
bande de valence
bande de valence

bande de valence
(remplie)

ISOLANT SEMI-CONDUCTEUR CONDUCTEUR

La conductibilité chez les matériaux ioniques est souvent réalisé par un
déplacement de l’ion au complet puisque la largeur de la bande interdite est
trop élevée pour permettre à un électron de passer à la bande de conduction.
La mobilité des ions est donnée par l’équation suivante:
ZeD

kT
où D est la constante de diffusion, Z est le nombre d’électrons perdus ou
acceptés, e est la charge d’un électron, k est la constante de Boltzmann
(8,63E-5 eV/K) et T est la température absolue. La conductibilité est donnée
par l ’équation suivante:
  nZq
Les lacunes et les impuretés augmentent la conductibilité des solides ioniques.
Les lacunes sont nécessaires pour la diffusion et leur nombre augmente avec
la température. Quant aux impuretés, elle peuvent aussi diffuser à travers le
matériaux et aider ainsi au transport du courant. Les matériaux ioniques
restent en général de mauvais conducteurs.
 Diélectriques
La plupart des condensateurs possèdent un isolant entre leurs
armatures.

Ce matériau isolant appelé , diélectrique, réalise 3 fonctions :

1) Résoudre le problème mécanique de maintenir les

plaques écartées.
2) augmenter la tension maximum applicable entre les
armatures.
3) augmenter la capacité au delà de la valeur qu’elle
atteint sans le diélectrique.
Supposons qu’on charge un condensateur de valeur C0 sous
une ddp V0 et qu’on l’isole de la source de tension.

On constate qu’il possède une charge : Q=C0V0

On insère alors le diélectrique entre les armatures.

On constate que la différence de potentiel aux bornes du

condensateur décroît d’un facteur r V
V 0

r

Ou de manière équivalente que la capacité a augmenté d’un

facteur r
C   r C0
Cette constante r est connue sous le nom de
constante diélectrique relative et dépend du matériau
utilisé c’est un nombre plus grand que 1.
On définit la permittivité du diélectrique par :    r  0

D’où pour un condensateur plan avec diélectrique :

A A
C   r C0   r 0 
d d
Piézoélectricité
Pour certains cristaux, le centre de gravité des
charges + et - ne coïncident plus lorsqu’on les
déforme selon certaines orientations
cristallographiques...
Il résulte une différence de potentiel électrique aux
faces opposées du cristal...
Phénomène réversible...
 Partie 2: Les propriétés
magnétiques

Plan
Magnétisation et perméabilité magnétique
Induction magnétique
Boucle d’hystérésis
 Propriétés magnétiques
Une magnétisation se produit lorsque des dipôles magnétiques
permanents ou induits sont orientés suite à une interaction entre
un matériau magnétique et un champ magnétique. Chaque
électron d’un atome possède deux moments magnétiques ( force
du champ magnétique associée aux électrons): un premier
provenant du mouvement de l’électron autour du noyau (orbitale)
et un deuxième relié à la rotation de l’électron sur lui même
(spin). Ce moment, appelé magnéton de Bohr est donné par la
relation suivante:
eh
B   9,27  10  24 A  m
4me

où h est la constante de Plank (6,63x10-34J·s)

Pour qu’un électron contribue au moment magnétique, il doit
occuper une orbitale dont la couche n’est pas complète.

Basé sur ce raisonnement, on serait porté à croire que tous les

éléments ayant un numéro atomique impaire possède un moment
magnétique. Ceci n’est cependant pas le cas puisque les électrons
de valence de chaque atome interagissent donnant un moment
magnétique moyen nul.
Toutefois, certains éléments, comme les métaux de transition,
possèdent une ou plusieurs orbitales internes non remplis. Il en
résulte donc un moment magnétique permanent.
Analogie entre la conductibilité électrique et la perméabilité
magnétique
Lorsqu’un champ magnétique est appliqué dans le vide, des lignes de flux
magnétique sont induites. Le nombre de lignes engendrées est caractérisée par
l’induction magnétique B.
B  0 H
où 0 est la perméabilité magnétique du vide. Lorsqu’un matériau est soumis à
un champ magnétique l’induction est déterminée par la façon par laquelle les
dipôles induits ou permanents interagissent avec le champ.
B H

où  est la perméabilité magnétique du matériau. Si le moment magnétique

interne renforce le champ magnétique alors 0, et un plus grand nombre de
lignes de flux apparaît conduisant à un champ magnétique amplifié. Si par
contre le moment magnétique interne s’oppose au champ, <  0. La
perméabilité magnétique relative est donné par l’équation suivante:

r 
0
L’induction magnétique à l’intérieur d’un matériau est donnée
par la somme du champ extérieur et du moment magnétique:

B  0 H  0 M

où M est la magnétisation du matériau. Pour de nombreux

matériaux, M est relié à H par la susceptibilité magnétique:
M

H
On regroupe les substances en trois classes:
- les diamagnétiques (r  1)
- les paramagnétiques (r  1)
- les ferromagnétiques (r  1)
Diamagnétisme
Le diamagnétisme est rencontré surtout chez les éléments ayant des spins
appariés. Sous l’action d’un champ magnétique extérieur, les orbites
électroniques sont modifiées de telle sorte à ce que le champ magnétique
intérieur s’oppose aux variations du champ extérieur. Une fois le champ
magnétique extérieur retiré, les orbites électroniques retournent à leur état
initial. Le diamagnétisme est un phénomène de faible intensité. La
composante diamagnétique de la susceptibilité est indépendante de la
température.
Exemples
Gaz inertes, diamant, cuivre, or, argent
Paramagnétisme
Le paramagnétisme est rencontré surtout chez les éléments ayant des
électrons non couplés. Sous l’action d’un champ magnétique extérieur, les
moments magnétiques internes tendent à s’orienter suivant la direction du
champ ce qui augmente légèrement la valeur du champ magnétique
appliqué. Le paramagnétisme est un phénomène de faible intensité. La
susceptibilité des matériaux paramagnétiques dépend de la température.
Exemples
Aluminium, titanium, alliages de cuivre, oxygène
Ferromagnétisme
Le ferromagnétisme est rencontré chez les éléments dont les orbitales d et
f ne sont pas complètement remplies et dont l’énergie d’échange est
positive. Les dipôles permanents non couplés s’alignent facilement avec le
champ magnétique extérieur. Ces matériaux présentent une magnétisation
spontanée et une susceptibilité magnétique très élevée. Le
ferromagnétisme est un phénomène de forte intensité.
Ils restent aimantés en l’absence de champ extérieur. Ce sont
des aimants permanents.

Exemples
Fer, cobalt, nickel, certains alliages de cuivre
Antiferromagnétisme
Les moments magnétiques des dipôles voisins
s’enligne dans une direction opposée les uns aux
autres suite à l’application d’un champ électrique. La
magnétisation résultante est nulle.
Exemples: Manganèse, certains oxydes et composés
de manganèse
Ferrimagnétisme
L’orientation des moments magnétiques est la même que
celle des matériaux antiferro-magnétiques toutefois
l’intensité des moments magnétique de chaque type d’atomes
ou d’ions n’est pas de la même grandeur. La résultante des
moments magnétiques est non nulle. Les ferrimagnétiques
présentent une magnétisation spontanée.
Exemples: ferrite, certains oxydes
origine du magnétisme induit
ferromagnétisme
 ferromagnétisme

Bs = induction magnétique à saturation

Br = induction magnétique rémanente
Hc = champ magnétique coercitif; champ nécessaire pour démagnétiser le matériau
Aire de la boucle = énergie dépensée sous forme de chaleur pour déplacer les parois
de Bloch
 ferromagnétisme

Influence de la
température

Effet de l’orientation cristallographique

Exercice 1
Solution de l’exercice 1
Exercice 2
Solution de l’exercice 2
Exercice 3

Solution de l’exercice 3