Chapitre 3 Structure électronique dans les cristaux

1. Mouvement des électrons dans un cristal :

On se propose d’expliquer le phénomène de la conductivité électrique dans un solide, pour cela, on
considère les électrons de la couche périphérique, responsables de la conduction dans un cristal.
a. Modèle de Drude (modèle des boules de billard) :
C’est le modèle le plus ancien et le plus élémentaire insuffisant pour expliquer l’état solide (structure
de bande, fonction d’onde,…).
La trajectoire d’un électron entre les points A et B a schématiquement l’allure suivante :

Chaque changement de direction correspond à un choc.

On suppose que l’électron est une particule classique. L’interaction de l’électron avec le milieu peut être
décrite comme suit :
• L’électron entre en collision avec les atomes du cristal en agitation thermique et avec les impuretés.
• Les interactions avec les électrons sont négligeables.
Les ions attirent l’électron et l’empêchent de quitter le matériau (mais leur action locale est
négligeable).
Conclusions :
- Le défaut principal du modèle Boules de Billard (ou modèle de Drude) est de considérer l’électron
comme une particule classique.
- Ces difficultés s’effacent en grande partie avec le modèle de l’électron libre dans un puits de potentiel
imaginé par Sommerfeld.
b. Modèle de Sommerfeld :
Le modèle précédent est imparfait pour les métaux, car l’électron n’est pas une particule classique.
On abandonne les collisions classiques et nous supposerons que la barrière de potentiel est :
-Très élevée (de hauteur infinie).
- abrupte (varie fortement sur une courte distance).
Dans le modèle de Sommerfeld, le puits de potentiel dont les dimensions sont celles du cristal, est de
la forme :
▪ Rectangulaire (en unidimensionnel 1D).
* Parallélépipède rectangle (en tridimensionnel 3D).
 c. Modèle du puits de potentiel périodique (modèle de Kronig Penney):
Les deux modèles précédents ne permettent pas d’expliquer :
•La distinction des matériaux semi-conducteurs, conducteurs ou isolants
•Le fonctionnement des semi-conducteurs (création des porteurs de charges et population des porteurs…).
* La solution est de tenir compte des états d’énergies des électrons périphériques des atomes.
Ox

l
On considère un cristal unidimensionnel de direction ox et de très grandes dimensions
Vp (x )

L’énergie potentielle Vp (x) du cristal est périodique de période l (distance séparant 2 ions dans le
cristal).
Cas particulier : On présente le résultat du modèle de Kronig Penney

Représentation schématique du potentiel de Kronig Penney.

Cas particulier : On présente le résultat du modèle de Kronig Penney

Représentation schématique
du potentiel de Kronig Penney.

On a deux situations :

• Electron lié ( E inférieur à V0 ) appartient à l’ion correspondant.

• Electron délocalisé dans tout le cristal ( E supérieure ou égale à V0 ). Ces électrons ont une énergie
cinétique EK = E – Vp (x), ce sont des électrons quasi libres.
Selon le théorème de Bloch, la fonction d'onde ψ(x) solution de l'équation
de Schrödinger dans un tel système périodique satisfait la condition :

et peut donc s'écrire sous la forme :

Où u(x) est la fonction périodique du cristal qui satisfait la condition :

Pour éviter les problèmes de bord, on considère que le réseau est périodique aux limites c'est-
à-dire qu'on considère qu'il forme une chaîne qui se boucle sur elle-même.
Modèle d’étude du comportement des électrons dans un cristal.
****************************************
2. Particule dans un potentiel statique :
On va étudier dans cette partie, le comportement d’une particule sous l’action d’un potentiel
indépendant du temps.
a. Méthode d’étude :
• Modèle unidimensionnel.
• Vp (x) est un saut, une marche, un puits ou une barrière de potentiel.
La fonction d’onde reste finie, continue et sa dérivée continue. La résolution de l’équation de
Schrödinger se fait en simplifiant le problème de manière à diviser une barrière de potentiel en 3
parties (à gauche, à droite et la barrière elle-même), on calcule ensuite les fonctions d’ondes, les
probabilités de présence et les valeurs propres de dans ces trois régions.
b. Modèle du puits de potentiel infiniment profond (Sommerfeld) :
* Modèle unidimensionnel :
On considère une particule dans un puit de potentiel unidimensionnel de largeur a, selon la direction ox:
L’énergie est quantifiée. Pour n = 1, on a l’état fondamental. Les états d’énergie supérieurs sont appelés
états excités.

En tenant compte des conditions aux limites la fonction d’onde associée à En:

la condition de normalisation de la probabilité de présence

****************************************
États d’Énergie des Électrons : Atome isolé

Approche « classique »

Atome H
E
r

1/r

2p E 1 = Ry = 13,6 eV
n=2
2s

n=1
1s
Approche « quantique »
 États d’Énergie des Électrons : Molécule

Dédoublement des niveaux

La largeur de l’éclatement liant / anti-liant

augmente si la distance inter-atomique diminue
 États d’Énergie des Électrons : vers le Solide Cristallin

Arrangement périodique de N atomes

N ==> dE
 Cristal : Structure de « Bandes »
etc...
Solide : N → 
(Si : N = 5x1022 cm-3)
dE → 0
Continuum d’énergie

Alternance de bandes
permises et interdites

• Les bandes d’énergie indiquent les états possibles d’énergie potentielle des e- dans le cristal.
• Pour minimiser l’énergie totale du système, à l’équilibre, les bandes permises (B.P.) sont
occupées par les e- du solide en commençant le « remplissage » par les bandes les plus
« profondes ».
 Métal / Isolant / Semi-conducteur
La conduction électrique implique que les e- puissent avoir accès à des états infiniment
proches du dernier état occupé à l’équilibre

Définitions :
 Bande de valence (B.V.) : dernière B.P. (presque) entièrement pleine
 Bande de conduction (B.C.) : première B.P. (presque) entièrement vide
 « Gap » : B.I. séparant la bande de valence et la bande de conduction, largeur Eg
 Niveaux d ’Impuretés (Défauts)

• Toute rupture de périodicité (surface, défauts cristallins,

impuretés) entraîne une perturbation dans la structure de bandes.
• Apparition de niveaux d’énergie possibles à l’intérieur de la bande
interdite
• Confinés dans l’espace au voisinage du défaut
• Niveaux discrets si les concentrations de défauts sont faibles
• Mini-bande possible si grande concentration de défauts
Gap Direct / Gap Indirect

La périodicité apparente dépend de la

direction de déplacement des e-
• Structure de bandes dépend de k
• Relations de dispersion Ec(k), Ev(k)
 Masse effective - Trous
• Masse effective des électrons:
Influence du réseau cristallin ==> les électrons « libres » de la bande
de conduction se comportent comme des particules de masse me*
différente de m0 (masse des e- dans le vide), et bien sûr de charge - q
• Trous :

Dans la B.V. tout se passe comme si on avait le déplacement d’une quasi-particule de

charge positive + q , de masse effective m*
h
Conduction par « Trous »
3. Masse effective d’une particule :
Le concept de masse effective introduit, permet de traiter les électrons (et les trous) qui sont
dans le cristal des particules quasi-libres, comme des quasi-particules libres. Le semi-
conducteur devient alors un gaz d'électrons et de trous spécifiques de par leur masse effective
parfois très différente de celle de la particule libre. A titre d'exemple pour le GaAs
mc/m0=0,066 avec m0=0,911.10-30kg la masse de l'électron libre.

On considère un cristal de dimension finie, celui-ci exerce des forces sur les électrons.
On introduit la notion de masse effective à l’électron pour simplifier le problème.
a. Concept de masse effective :
Considérons une particule de masse m évoluant dans un cristal de dimensions finies.
Elle est soumise à de deux types des forces :
 Les forces dues à la structure cristalline (forces intérieures) 𝑭𝒊𝒏𝒕 (n'est pas connue).

Les forces d’origine extérieure au cristal (champ 𝑬 ) 𝑭𝒆𝒙𝒕 .

On a alors 𝑭𝒊𝒏𝒕 + 𝑭𝒆𝒙𝒕 = 𝒎 𝒂 (1)

avec 𝒂 étant le vecteur accélération de la particule

On réécrit la relation (1) sous la forme 𝑭𝒆𝒙𝒕 = 𝒎∗ 𝒂 ou m* est la masse effective de la

particule qui tient compte de l’action de la structure cristalline sur la particule.
On introduit ainsi une particule fictive de masse m* et d’état dynamique identique à
celui de la particule réelle.
Remarque :
Cette masse effective m* peut être positive ou négative, supérieure ou inférieure à la
masse réelle de l’électron et est notamment utilisée dans l’étude des semi-conducteurs.
 𝒅𝒗 𝒅𝝎
𝒂= 𝒆𝒙 (1) ; 𝒗= (2) ; 𝑬 = ℏ 𝝎 (3) ; 𝒑= ℏ𝒌 (4)
𝒅𝒕 𝒅𝒌
𝒅𝑬
(2) et (3) → 𝒗= (5)
ℏ 𝒅𝒌

𝟏 𝒅 𝒅𝑬 𝟏 𝒅𝟐 𝑬 𝒅𝒌 𝒅𝑬 𝒅𝑬 𝒅𝒌
Ce qui donne (5) et (1) 𝒂= = (6) car =
ℏ 𝒅𝒕 𝒅𝒌 ℏ 𝒅𝒌𝟐 𝒅𝒕 𝒅𝒕 𝒅𝒌 𝒅𝒕

La puissance s’écrit de deux manières différentes :

𝒅𝑬 𝒅𝝎 𝟏 𝒅𝑬
𝑷= = 𝒗 . 𝑭𝒆𝒙𝒕 = 𝒗. 𝑭𝒆𝒙𝒕 = 𝑭𝒆𝒙𝒕 . = 𝑭𝒆𝒙𝒕
𝒅𝒕 𝒅𝒌 ℏ 𝒅𝒌

𝒅𝑬 𝒅𝑬 𝒅𝒌 𝟏 𝒅𝑬
On égalise P ce qui donne 𝑷= = = 𝑭𝒆𝒙𝒕
𝒅𝒕 𝒅𝒌 𝒅𝒕 ℏ 𝒅𝒌

𝒅𝒌 𝟏 𝒅𝟐 𝑬 𝒅𝒌
𝑭𝒆𝒙𝒕 = ℏ = 𝒎∗ 𝒂= 𝒎∗
𝒅𝒕 ℏ 𝒅𝒌𝟐 𝒅𝒕
𝒅𝒌 Rq : Dans le cas à trois dimensions,
ℏ 𝒅𝒕 ℏ𝟐 ℏ𝟐
D’où 𝒎∗ = 𝟏 𝒅𝟐 𝑬 𝒅𝒌
= 𝒅𝟐 𝑬
donc 𝒎∗ = 𝒅𝟐 𝑬
la masse effective est une grandeur
ℏ 𝒅𝒌𝟐 𝒅𝒕 𝒅𝒌𝟐 𝒅𝒌𝟐 tensorielle.
c. Cas d’une particule libre :
Elle n’est soumise à aucune force et possède une énergie potentiel V0 constante.
L’énergie de cette particule est :
𝑷𝟐 ℏ𝟐 𝒌𝟐 𝒅𝟐 𝑬 ℏ𝟐 ℏ𝟐
𝑬= + 𝑽𝟎 avec 𝒑 = ℏ 𝒌 → 𝑬 = + 𝑽𝟎 → = →𝒎= 𝒅𝟐 𝑬
= 𝒎∗
𝟐𝒎 𝟐𝒎 𝒅𝒌𝟐 𝒎
𝒅𝒌𝟐
d’où m*=m.
Pour un électron libre, la masse effective est constante et égale à la masse réelle de l’électron.
 IV.5. Caractères distinctifs des conducteurs Isolants et semi-conducteurs
a. Comportement à T nulle (T=0K) : b. Comportement à T non nulle :

T = 0 K : CONDUCTEUR T = 0 K : ISOLANT

Loi de distribution en énergie des électrons à 0 K dans un cristal.

Loi de distribution en énergie des électrons

à une température quelconque (T >0 K).
Remarque:
à T= 0K, les matériaux sont soit conducteurs soit isolants.