Chapitre 2 Structure cristalline des solides

Les matériaux solides auxquels nous nous intéressons sont mécaniquement rigides (incompressible).
1. définitions : Il existe deux types de matériaux solides :
• L’état amorphe où l’arrangement des atomes est aléatoire (ne présente aucun ordre). L’exemple le plus
courant des matériaux amorphes est le verre.
• L’état cristallin est formé d’atomes présentant un arrangement périodique. On obtient ainsi des
réseaux périodiques.
Remarque : Nous allons nous limiter à l’étude des monocristaux.
➢ Un monocristal ou matériau monocristallin est un matériau solide constitué d’un seul et unique cristal
(motif). Par contre un polycristal ou matériau polycristallin est constitué d’une multitude de petits
cristaux de taille variées.
➢ Une structure cristalline est caractérisé par :
o Une organisation spatiale de points de type périodique appelée réseau.
o Un motif constitué d’atome ou d’un groupement d’atome s’associé à chaque nœuds.
Ainsi, un cristal résulte du remplissage du réseau par les motifs.

Structure cristalline à 2
dimensions.
Le réseau peut être généré par translation à partir d’une maille. Cette maille est décrite par trois
vecteurs fondamentaux : a, b et c, construits sur trois arrêtes (voir figure ci-dessous). Une maille et par
la suite un système cristallin, sont caractérisé par la donnée des six paramètres suivants :
→ Les longueurs a, b et c des trois vecteurs.
→ Les angles α, β, et γ qu’ils font entre eux

Maille cristalline
La maille élémentaire est la maille pour laquelle
les longueurs a, b, et c sont minimales.
Elle contient un seul nœud commun à 8 mailles
adjacentes.

On définit sept systèmes cristallins

consignés dans le tableau suivant :
 2. Plan et direction du cristal :
a. Plan réticulaire :
Les nœuds d’un réseau peuvent être regroupés sur des ensembles de plans parallèles et équidistants
a , b, c

appelés plans réticulaires.

Considérons un plan π dont les intersections avec le système d’axes sont A, B et C et de coordonnées
x1, x2, x3 (voir figure).
Il est commode de caractériser la famille des plans π par les indices de Miller h, k, l qui sont les
a b c
trois plus petits entiers proportionnels respectivement à , ,
x1 x2 x3
h, k , l

Où a, b, c sont les normes respectives des vecteurs a , b, c

a , b, c

a , b, c

a , b, c
Exemple :
Soit un plan π dont les intersections avec le système d’axes
sont A, B et C et de coordonnées x1, x2, x3, tel que :

Remarque :
- D’une façon générale, une famille de plan est noté par (hkl).
- Si l’intersection du plan avec un axe x est à l’infini, l’indice correspondant est nul.
Si un point possède une coordonnées négative, l’indice de Miller correspondant est négatif et le signe moins est
placé au dessus de l’indice.
b. Direction cristalline :
Toute droite passant par 2 nœuds distincts définit une rangée cristalline. La direction
commune à des rangées parallèles est une direction cristalline. Cette direction peut être
caractérisée par des indices qui sont les plus petits entier hkl ayant le même rapport entre eux
que les composantes d’un vecteur colinéaire à la direction considérée. Elle est noté par [hkl].
1 1 1
La diagonale du cube a pour coordonnées , , . Elle correspond à la direction
3 3 3

cristalline [111], qui est la perpendiculaire au plan réticulaire (111). Les axes Ox1, Ox2, Ox3
sont notés respectivement [100], [010], [001].
c. Le système cubique :
La majorité des matériaux utilisés en électronique cristallisent dans le système cubique. On distingue :
Le réseau cubique simple : les nœuds sont aux sommets du cube (ne contient qu’un nœud par maille).
Le réseau cubique centré : les nœuds sont aux sommets et au centre du cube (2 nœuds par maille).
Le réseau cubique à faces centrés : les nœuds sont aux sommets du cube et aux centres de chaque
face (4 nœuds par maille).
II.3. Le réseau réciproque :
a. Définition :
Le réseau réciproque est construit à partir du réseau direct et il est rapporté à trois
vecteurs de base dénommés, par convention et et satisfaisant aux conditions

Soit encore :

, sont les vecteurs de base du réseau direct.

 En associant les trois vecteurs à un triplet d’entiers relatifs on construit donc un
réseau triplement périodique dans lequel on peut regrouper les nœuds en rangées et en plans
comme dans le réseau direct. Un vecteur du réseau réciproque est désigné par :

Considérons une rangée [h k l]* du réseau réciproque :

Elle est parallèle à la normale commune d’une famille de plans réticulaires (du réseau direct).
Les indices h,k,l de la rangée (premier nœud à partir de l’origine) désignent la famille de
plans réticulaires concernée.
Le module est l’inverse de la distance dhkl entre plan de la famille h,k,l
L'intérêt du réseau réciproque : c'est que, à toute direction [h k l]* du réseau réciproque
correspond un plan du réseau direct qui lui est perpendiculaire et qui est de mêmes paramètres
(h,k,l) .
 Réseaux direct RX Réseaux réciproque
(Réseau réel) (dans l'espace de Fourier)
(dans l'espace réel)

Transformée de Fourier (TF)

II.4. Les défauts dans les cristaux :
Les cristaux présentent toujours des défauts (toute cause d’écart avec la périodicité).
a. Vibration thermique :
Les atomes ou les ions n’occupent pas toujours leurs positions dans le cristal, ils sont en
vibration continuelle (agitation thermique due à la température ambiante).
L’état vibratoire du cristal peut être représenté comme une somme d’ondes élastiques de
fréquences différentes.
b. Défauts locaux :
Ce sont des défauts localisés dans le cristal et ils sont classés en 2 catégories :
b-1. Défauts propres du cristal:
• Les lacunes : Absence d’atomes dans les sites qui devraient normalement les contenir.
• Les interstitiels : Présence d’atomes en des lieux normalement vides.
• Les antisites : Dans un matériau contenant des atomes différents A et B, A peut occuper
la place de B et vice-versa.
Remarque : Lacune et interstitiel sont en général couplés. Leur concentration augmente
avec la température.
b-2. Impureté du cristal (dopage):
C’est un atome étranger introduit volontairement ou pas dans le cristal. Ceci s’accompagne
d’une déformation locale de la structure.
c. Défaut répartis :
* Les dislocations : ce sont des défauts rectilignes, ils sont provoqués par un décalage du
réseau dans une direction donnée ou une variation de la pente des plans cristallins.
• Les joints de grains : Ce sont les zones de transition entre deux grains d’un polycristal.

d. Rôle des défauts : La notion d’impureté n’a pas toujours une connotation péjorative.
L’introduction d’une impureté contrôlée dans un semi-conducteur peut améliorer les
propriétés de conduction.
II.5. Diffraction des rayons X :
a. Loi de Bragg :
Dans un cristal les atomes sont disposés régulièrement, l’espacement entre les plans
réticulaires des atomes étant d. Supposons que les faisceaux de rayons X tombent sur la
surface selon un angle thêta et que les 2 rayons illustrés soient réfléchis par 2 plans
successifs d’atomes. Les rayons interfèrent constructivement si la distance supplémentaire
parcourue par le rayon 1, par rapport au rayon 2, est égale à un nombre entier de longueur
d’onde. Cette distance supplémentaire est de 2d sin . Par conséquence il y a interférence
constructive quand : 2d sin = p avec p=1,2,3….
Cette partie est facultative
b. Principe de la technique de la diffraction des RX :
La diffractométrie de rayons X est une méthode d'analyse physico-chimique qui ne fonctionne
que sur la matière cristallisée, mais pas sur la matière amorphe. Cette technique permet
d’identifier les phases cristallines existantes dans un matériau ainsi que la structure cristalline.
Le principe de cette méthode consiste à irradier l’échantillon par un faisceau de rayon X
monochromatique de longueur d’onde λ qui est diffusé selon l'orientation dans l'espace. Les
rayons X diffusés interfèrent entre eux, l'intensité présente donc des maxima dans certaines
directions.
La source de rayons X est un tube sous vide, muni d'un dispositif permettant de ne sélectionner
qu'une seule longueur d'onde (filtre monochromateur).
On enregistre l'intensité détectée en fonction de l'angle de déviation 2θ du faisceau, la courbe
obtenue s'appelle le "diffractogramme ".
Le faisceau incident est diffracté par chaque famille de plan réticulaire, caractérisée par les
indices de Miller (hkl) selon la loi de Bragg :
2d sin = p
Où λ est la longueur d’onde du rayonnement incident, p l’ordre de la réflexion et dhkl
représente la distance réticulaire (distance entre deux plans parallèles consécutifs de la même
famille (hkl)) et θ l’angle de diffraction correspondant.
Lorsque les plans réticulaires (hkl) de l’échantillon se trouvent sous une incidence θ vérifiant
la loi de Bragg, il y a diffraction sous un angle 2 θ par rapport au faisceau incident.
Chaque diagramme de diffraction est défini par des positions angulaires θhkl et par des
intensités diffractées Ihkl. Il est caractéristique des espèces cristallines et des phases présentes
dans l’échantillon.
L’ensemble du rayonnement diffracté est enregistré à l’aide d’un détecteur associé à une unité
d’acquisition placée derrière L’échantillon.
L’identification des raies obtenues sur les spectres se fait par comparaison avec celles des
fichiers de références établis par le JOINT COMMITE FOR POWER DIFFRACTION FILE
(JCPDF).