Physique des semi-conducteurs

Notions de base
 Notions de base

Classification des matériaux selon leur résistivité électrique

Selon la résistivité électrique, les matériaux peuvent être classés en trois

catégories :

 Les métaux : 10-8 .m ;

 Les semi-conducteurs : 10-5105 .m ;

 Les isolants : 106 .m.

Résistivité de quelques matériaux
Métal Résistivité à 300 K (Ω⋅m)
Argent 16 × 10−9
Cuivre 17 × 10−9
Or 22 × 10−9
Aluminium 28 × 10−9
Platine 111 × 10−9
Etain 120 × 10−9
Non métal Résistivité à 300 K (Ω⋅m)
Carbone 40 × 10−6
Résistivité (Ω⋅m)
Isolant

Eau pure 1,8 × 105

Verre 1017
Polystyrène 1020
 Courbes d’évolution de la résistivité en
fonction de la température

Pour un métal,
la résistivité croît
linéairement avec
la température

N.B.: Pour un alliage, 

est plus forte que celle
des métaux qui
le constituent
 Courbes d’évolution de la résistivité en
fonction de la température

Pour un semi-
conducteur,
la résistivité décroît
avec
la température
 Courbes d’évolution de la résistivité en
fonction de la température

Modèle linéaire en
Ln ()= a + b/T
Pour un semi-conducteur
 Notions de base
Différents types de semi-conducteurs
 2.1. Semi-conducteur intrinsèque: C’est le semi-conducteur non dopé i.e. sans
impuretés et sans défauts.
 2.2. Semi-conducteur extrinsèque: C’est le semi-conducteur dopé i.e. avec
impuretés et défauts.
 2.3. Semi-conducteur homogène: C’est le semi-conducteur dont le matériau est
intrinsèque (cristal parfait sans impuretés ni défauts) ou extrinsèque homogène
(dopé uniformément).
 2.4. Semi-conducteur inhomogène: C’est le semi-conducteur qui contient des
impuretés ou des défauts ou le semi-conducteur dont le dopage est non
uniforme.
 2.5. Semi-conducteur simple: C’est le semi-conducteur constitué d’un seul
type d’atomes (Si, Ge, C,…)
 2.6. Semi-conducteur composé: C’est le semi-conducteur constitué de
plusieurs types d’atomes et on peut avoir des composés :Binaires (GaAs, GaP,
InSb,…,);
Ternaires (AlxGa1-xAs,…); Quaternaires (AlxGa1-xAsyP1-y,… .).
 Notions de base
Densité d’états
Cette grandeur est définie comme étant le nombre de micro-états par unité de volume (pour un système 3D) et
par unité d’énergie (états.cm-3.eV-1) et elle est notée (E).
Selon que l'on considère un problème à 1, 2 ou 3 dimensions, on a:
1. Système à 3 D. 3
3

2m 2
 2m  2

 ( E ) == E = 4  2  E
 23 h 
2. Système à 2 D.
m
 (E) = = cst.
3. Système à 1 D.
 2

2m 1
(E ) =
 E
Remarque : Pour les électrons dans un cristal, il faut remplacer dans les expressions précédentes E par (Emax-
E) au voisinage d’un maximum (EV) et par (E-Emin) au voisinage d’un minimum (EC).
 Notions de base

Atome H: modèle quantique

Rayon des E0=-13.6 eV=109737 cm-1

Orbites de Bohr
 Notions de base
Atome H: modèle quantique (suite)
Fonctions d’onde (orbitales atomiques) Niveaux d’énergie)
 Notions de base

Atome H (suite)
Niveaux d’énergie Energies de transition
(origine à n=) (origine à n=1)
 Notions de base
1 atome, 1 niveau Deux atomes éloignés 1 atome, 1 niveau
même niveau d’énergie
Pour cet électron.

2 atomes rapprochés
2 niveaux proches

4 atomes rapprochés
4 niveaux plus proches

Conclusion: Plus il y a d’atomes très proches, plus il y a de niveaux très

proches  Formation d’une ’’bande d’énergie’’
 Notions de base
Molécule H2 modèle quantique

Niveau d’énergie
de l’électron dans Niveaux d’énergie
l’atome H isolé des 2 électrons dans
la molécule H2
Orbitales
moléculaires Orbitales
atomiques
Un amas d’atomes
 Notions de base
De l’atome de Carbone (C) aux atomes de Carbone dans le cristal

6C

Atomes de C distants Atomes de C couplés

(isolés) (cristal)
 Notions de base
1) Différences du point de vue énergétique
Entre atomes isolés et solides (atomes très rapprochés)

Solide Atomes
(Atomes très isolés
rapprochés)
 Notions de base

2) Différences du point de vue énergétique

Entre matériaux conducteurs, semi-conducteurs et isolants
 Notions de base

Bandes essentielles
1. Bande de valence
La dernière bande d’énergie remplie est appelée la bande de valence, car les
électrons de cette bande jouent un rôle important dans les phénomènes électriques,
chimiques et optiques.
2. Bande de conduction
La première bande inoccupée située juste au dessus de la bande de valence est
appelée bande de conduction.
3. Bande interdite
La différence d’énergie entre le sommet de la bande de valence et le bas de la bande
de conduction est appelée la bande interdite ou le gap (mot anglais). Ce dernier
paramètre, le gap, est très important, car il conditionne les propriétés électriques et
optiques du cristal.
 Notions de base

Nature du gap
 Si le maximum d’énergie de
la bande de valence et le
minimum d’énergie de la
bande de conduction
correspondent pour la même
valeur de k, cas de GaAs, On
a un gap direct.

 Dans le cas contraire (pour

différentes valeurs de k), cas
de Si, on a un gap indirect
 Notions de base
Effet de la température et de la composition sur le gap
 Le gap varie avec la température et la composition chimique (pour
les matériaux composés).

 La variation due à la température a deux origines :

 La dilatation thermique du réseau cristallin qui modifie le
potentiel périodique donc la structure de bande et ainsi la
valeur de la bande interdite ;
 Les vibrations du réseau qui dépendent de la température donc
affectation de la structure de bande.
Matériau
Ge SI GaAs
T (K) 0 300 0 300 0 300

Eg (eV) 0.75 0.66 1.16 1.12 1.52 1.43

 Notions de base

Importance du gap
La valeur du gap et sa nature gouvernent les performances électroniques et
optiques d’un dispositif électronique à base de matériaux semi-conducteur.

La valeur du gap fixe la température maximale de fonctionnement.

La nature du gap fixe l’efficacité des transitions radiatives, donc la

performance pour les applications optoélectroniques.
 Notions de base

Structure cristalline
Cristal: Un cristal idéal est constitué par la répétition régulière, dans tout
l’espace, d’atomes ou de groupements d’atomes.
 Réseau: C’est l’ensemble des points (ou nœuds) à partir desquels
l’environnement atomique (nature chimique des atomes et leur orientation)
observé est le même qu’à l’origine.
 Base (ou motif): C’est l’atome ou le groupement d’atomes constituant l’unité
structurale affectée à un nœud du réseau.
 Notions de base

Systèmes et réseaux cristallins

Selon les relations qui s’établissent entre les trois vecteurs de base et
les trois angles ,  et , on peut distinguer sept systèmes à savoir :

❑ Triclinique ;

❑ Monoclinique ;

❑ Orthorhombique ;

❑ Rhomboédrique ;

❑ Hexagonal ;

❑ Quadratique ;

❑ Cubique.
 Notions de base

Les 7 systèmes cristallins

 Notions de base
Les 14 Réseaux de Bravais
 Notions de base
Repérage des directions et des plans
 Le système d’axes utilisé pour le repérage des directions et
des plans est toujours celui qui correspond aux trois vecteurs
de translation du réseau

 Le choix de l’origine, situé à un nœud du réseau, est arbitraire car tous les nœuds sont
géométriquement équivalents.

 En outre, les longueurs mesurées selon les trois directions Ox, Oy, Oz qui portent les
trois vecteurs le sont en fonction de ces trois vecteurs dont le module de chacun est
pris comme unité de mesure.

 La direction d’une droite passant par l’origine et le point de coordonnés u, v, et w est

désignée par trois indices u, v et w qu’on représente en pratique par le symbole
[uvw].

 Conséquence : Les coordonnées d’un point au sommet d’une maille sont toujours des
multiples entiers des vecteurs fondamentaux.

 Remarque:
 La famille des directions équivalentes est notée par le symbole <uvw>
 Notions de base

Repérage des directions et des plans

Indices de Miller des plans
 Par définition, les indices de Miller, notés (hkl), sont les inverses des
intersections du plan avec les trois axes du cristal considéré mesurés en
fonction des longueurs a, b et c avec la condition : l’origine des axes ne
doit pas appartenir au plan à repérer.
 En pratique, on procède de la façon suivante :
 On détermine les coordonnées des intersections du plan avec les
axes Ox, Oy et Oz en fonction des longueurs a, b et c ;

 On prend les inverses de ces intersections ;

 On réduit les trois fractions au plus petit commun dénominateur ;

 On prend les trois numérateurs ainsi obtenus représentant les trois

indices h, k et l par rapport aux trois axes Ox, Oy et Oz.

 Remarque: La famille des plans équivalents est notée par le symbole

{hkl}
Notions de base

Repérage des directions et des plans

Exemple d’application
 Notions de base
Première zone de Brilloin (espace 2D)
En physique du solide, la première zone de Brillouin est définie de
manière unique comme la maille primitive dans l'espace réciproque.
Elle est définie par la même méthode que la maille de Wigner-Seitz
dans le réseau de Bravais, et s'identifie à celle-ci dans l'espace
réciproque.
 Notions de base

Première zone de Brillouin (espace 3D)

On choisit un nœud du réseau réciproque comme
origine.

Ensuite, on trace les plans médians par rapport

aux nœuds premiers plus proches voisins,
deuxièmes plus proches voisins etc.

Le nœud d'origine se trouve entouré de polyèdres

fermés.

Le polyèdre avec le plus petit volume est la 1ère

zone de Brillouin

Le volume entre ce polyèdre et le 2ème plus petit

polyèdre est la 2ème zone de Brillouin etc.
 Notions de base
Points et directions importants
Pour tirer profit de la symétrie du cristal, on définit:
❑ les points X, , et L
❑ les lignes ,  et  qui apparaissent dans la Figure et
sont résumés dans le tableau ci-dessous.
 Notions de base

Distribution de Boltzmann
Elle indique que la probabilité qu'une molécule
soit trouvée avec de l'énergie E diminue de façon
exponentielle avec l'énergie.
Mathématiquement, la distribution de Boltzmann
peut être écrite sous la forme.
 Notions de base
Distribution de Fermi-Dirac
La probabilité d’occupation d’un niveau
d’énergie E par un électron vaut:

1
f (E) =
 (E − EF ) 
1 + exp  
 k B T 
EF est appelé le niveau de Fermi. La signification physique de l'énergie de Fermi
est qu'elle est la plus grande énergie
d'électrons à la température de zéro.

Il ya une frontière entre les états occupés et

libres.

.
 Notions de base

A des températures non nulles, les électrons

peuvent également occuper les états au-dessus de
l'énergie de Fermi comme représenté sur la figure
 Notions de base

Niveau de Fermi
1. Dans un métal
C’est le niveau le plus élevé de la bande de conduction occupé par les
électrons.
Son énergie a pour expression :
2
  3N 
2 3 2 2
2

E F ( 0) =  
2m  V 
=
2m
(3n  )3
2

2. Dans un solide (autre que le métal)

C’est un niveau d’énergie électronique quantifié dont la probabilité
d’occupation par un électron, calculée par la statistique de fermi
Dirac, est égale à ½.
Notions de base
 Notions de base

Notion de masse effective

Dans le vide, un électron a une masse m. Si on lui applique un champ électrique
ou un champ magnétique, les équations du mouvement feront intervenir la
masse de l’électron m qui est une grandeur scalaire.
Dans le cristal, un électron est soumis à l’influence d’un potentiel périodique
créé par les ions occupant les nœuds du réseau cristallin. Si on lui applique, dans
ce cas, un champ électrique ou magnétique, il sera accéléré par rapport au
réseau comme s’il a une masse m*, appelée masse effective, dont la valeur est
différente de celle de l’électron libre m.
Cette masse peut être très différente de m et peut être positive ou négative et
elle peut être une grandeur tensorielle et non une grandeur scalaire.
 Notions de base
Définition de la masse effective
La masse effective est définie par la relation :
1 d 2 E(k )
1
=
*
me 2 d k2
me*>>

On constate, d’après la définition de la masse

effective, que cette grandeur est reliée à la
courbure de E(k) au voisinage du minimum.
Si cette courbure, qui représente la rigidité me*<<
dans le cas d’un oscillateur harmonique, est
grande, la masse effective est petite et vice
versa.
 Notions de base

Semi-conducteurs à l’Equilibre

Définition

Un semi-conducteur à l’équilibre thermodynamique, correspond

au cas d’un semi-conducteur non soumis à aucune interaction avec
son environnement (polarisation électrique, rayonnement,…..).
 Notions de base
La concentration des électrons La concentration des trous est
est donnée par : donnée par :


p =   ( E )(1 − f ( E ))dE
n =   ( E ) f ( E )dE =   ( E ) f ( E )dE Ev
Ec Ec

( ) ( ) ( )
32
m*n k BT
32
E −E EC −E F 
p = 2
m*h k B T   E − Ev  E −E 
 = N V exp v F 
2 
n=2 exp − C F = N C exp − exp − F
2  2 k BT k BT  2    k B T   k T 
 B 

Avec: 32 Avec: 32

= 2
2 m*e k B T   2 m*h k B T 
NC  NV = 2  
  
h2

2
h

NC: la densité effective d’états au bord de NV: la densité effective d’états au bord de la
la bande de conduction. bande de valence.
 Notions de base

Densités d’états sur les niveaux EC et EV

Il est à noter que ces relations sont toutefois des relations approchées, mais qui sont bien suffisantes pour décrire le comportement des
dispositifs à semi-conducteurs.

En toute rigueur, la masse affectée aux porteurs (électrons et trous) n’est pas leur masse au repos (m0 = 9,1 10 –31 kg ), mais leur masse en
mouvement appelée « masse effective ». Cette dernière, qui résulte d’un calcul compliqué, est fonction de l’énergie de la particule,
c’est à dire de sa position dans la bande.

Les valeurs moyennes couramment admises pour le silicium (Si) sont:

 mn = 1,05 m0 pour les électrons;
 mh = 0,62 m0 pour les trous.

Pour Si, à T=300 K, on a:

NC=2.7 1019cm-3, NV=1.2 1019cm-3
 Notions de base
Semiconducteurs intrinsèque
Pour un semi-conducteur intrinsèque, le
nombre d’électrons n est égal au nombre de trous p.
 E − Ev   Eg 
n • p = n i2 = N C N V exp − c  = N C N V exp − 
  k T
 k B T   B 

 E − EV   E 
n = p = ni = ( N C N V ) 2 exp − C  = ( N C N V ) 2 exp − g 
1 1

 2k B T   2k B T 

Matériau Ge Si GaAs

ni(cm-3) 1013 1010 107

Eg (eV) 0.66 1.12 1.43

A 300 K, la concentration intrinsèque et le gap des

semi-conducteurs les plus utilisés sont résumés dans
le tableau suivant :
 Notions de base

Conduction intrinsèque
 Notions de base

Conduction par électrons

5ème électron presque libre

 Notions de base

Electronique des semi-conducteurs N

T
 Notions de base

Conduction par trous

électron manquant  trou

 Notions de base

Electronique des semi-conducteurs P

T
 Notions de base
Calcul de l’état d’ionisation des impuretés
 Donneurs : Les atomes de phosphore sont ionisés positivement si le niveau
ED est vide. La probabilité d’ionisation positive sera donc la probabilité de
trou sur le niveau ED donnée par :
+

f (E )= N D
=
1
D
− ED
N 1 + exp E
p
D F

k B
T
 Accepteurs : Les atomes de bore sont ionisés négativement si le niveau EA
est plein. La probabilité d’ionisation négative sera donc la probabilité de
l’électron sur le niveau EA donnée par :

N A− 1
f n (ED ) = =
NA E − EF
1 + exp A
k BT
 Notions de base
Neutralité électrique
Dans un cristal semi-conducteur, sauf au voisinage immédiat des jonctions,
des hétérojonctions ou des surfaces, il y a autant de charges positives que de
charges négatives ; le matériau est neutre.
Les charges positives consistent en :
▪ Trous libres en concentration p ;
▪ Donneurs ionisés positivement (ions P+) en concentration N+D.

Les charges négatives consistent en :

▪ Electrons libres en concentration n ;
▪ Accepteurs ionisés négativement (ions B-) en concentration N-A

L’équation de neutralité s’écrit donc

− +
n+ NA = p+ ND
 Notions de base
Calcul de la position du niveau de Fermi
1. Matériau intrinsèque
Dans ce cas, n=p et N+D= N-A=0.
Par conséquent, l’équation de neutralité s’écrit :

n = p
Ce qui donne:
 E F − Ec   E F − Ev 
N C exp  = N V exp −
 


 k B T   k B T 

Par conséquent (comme NCNV):

Ec + E v
EF =
2
 Notions de base

Calcul de la position du niveau de Fermi

2. Matériau N (30-500K)
n = N Don
+
Pour un matériau n en régime d’épuisement N
a:
D

Par conséquent :
 E F − Ec 
N C exp  = ND

 k B T 
Ce qui donne :  Nc 
= −
E F Ec k B TLog  
 ND 
 Notions de base
Calcul de la position du niveau de Fermi
3. Matériau p (30-500K)
Pour un matériau p en régime d’épuisement on a :

p = N −A  N A
Par conséquent :

 EV − E F 
N V exp  = NA

Ce qui donne :  k BT 
 NV 
= +
E F Ev k B TLog  
 NA 
 Notions de base
Neutralité et compensation dans les semi-conducteurs

Dans le cas d’un semi-conducteurs homogène à l’équilibre thermodynamique et contenant

des impuretés de type donneurs, concentration ND, et accepteurs, concentration NA, la
condition de neutralité électrique est traduite par l’expression:

n + N −A = p + N +D
Dans le régime d’épuisement N-A= NA et N+D=ND , et la condition de neutralité devient :

n + NA = p + ND

Comme le semi-conducteur est à l’équilibre thermodynamique, la loi d’action de masse est

valable:
np = n i2
 Notions de base
Semi-conducteur compensé
Les impuretés qui restent dans un semi-conducteur sont appelées les
impuretés résiduelles.

Ces impuretés peuvent jouer le rôle de donneurs ou d’accepteurs. Si un semi-

conducteur contient des impuretés d’un type donné, on peut le doper avec
des impuretés de type opposé afin de compenser l’effet des impuretés
résiduelles.

Dans une telle situation, on a NA=ND et n=p=ni et le semi-conducteur est dit

compensé.

Le comportement d’un semi-conducteur compensé est similaire à celui d’un

semi-conducteur intrinsèque (EF est au voisinage du milieu du gap, sa
conductivité est faible).
 Notions de base
Rapport de compensation dans les Rapport de compensation
semi-conducteurs de type N
Le rapport de compensation pour un semi-conducteur
de type N est donné par :
Comme il est impossible d’avoir un semi-conducteur
pur, i.e. un semi-conducteur pour lequel ND=NA=0, on
définit des rapports de compensation.
 donneurs −  accepteurs N D − N A
Rc n = =
 donneurs ND
Dans ce cas ND>NA et p<<ND. Si on se place dans le
régime d’épuisement, la condition de neutralité
devient : Niveau de fermi

 NC 
E nF = E c − k B TLog  
donne:
n+N = p+N  N
A l’équilibre, la loi d’action de masse est valide, ce qui
A D D  ND − NA 

Remarque : Dans ce cas, les électrons sont appelés

porteurs majoritaires et les trous sont les porteurs
n i2 n i2 minoritaires.
p= =
n ND − NA
 Notions de base
Rapport de compensation dans les Rapport de compensation
semi-conducteur de type P
Le rapport de compensation pour un semi-conducteur de
type N est donné par :
Comme il est impossible d’avoir un semi-conducteur
pur, i.e. un semi-conducteur pour lequel ND=NA=0, on
définit des rapports de compensation.

Rc p =
 accepteurs −  donneurs = N A − ND
Dans ce cas NA>ND et n<<NA. Si on se place dans le
régime d’épuisement, la condition de neutralité  accepteurs NA
devient : Niveau de fermi

 NV 
E FP = EV + k B TLog  
A l’équilibre, la loi d’action de masse est valide, ce qui
 NA − ND 
donne:
NA  p + ND
Remarque : Dans ce cas, les trous sont appelés porteurs
majoritaires et les électrons sont les porteurs
minoritaires.
n i2 n i2
n= =
p NA − ND