1 Electronique Analogique - 1 - 1ere Année - UTM

UNIVERSITE DE TECHNOLOGIES ET DE
MANAGEMENT
UTM
Option : 1ère année EII, ELT, MI, RT
SUPPORT DE COURS
UE : Electronique analogique 1 (L1)
Enseignant : COULIBALY Souleymane, tel : 70 75 88 39 ou 68 76 42 77
Année académique : 20…-20…

FICHE DE DESCRIPTION DE L’UE
TITRE DE L’UE : ELECTRONIQUE ANALOGIQUE 1
SEMESTRE : S1-S2 COEFFICIENT : NOMBRE DE CREDITS :
ENSEIGNANT : Mr Souleymane COULIBALY
VOLUME CM TD TP TPE
HORAIRE : 60H 30 15 15 -
Objectifs :
- Connaître les paramètres et le fonctionnement des composants électroniques de base.
- Déterminer les paramètres statiques et dynamiques des circuits à diodes et à
transistors bipolaire.
- Connaître les paramètres et le fonctionnement des transistors à effet de champ.
- Déterminer les paramètres statiques et dynamiques des circuits à transistors à effet de
champ.
- TP (Etude de l’oscilloscope, Etude du générateur de fonction, Etude de la diode,
Etude statique du transistor bipolaire et à effet de champ, Amplificateurs de signaux :
à Transistor bipolaire et à transistors à effet de champ)
CONTENU GENERAL :
1. Composants de l’électronique
 Composants à semi-conducteur
 Principe de fonctionnement
 Applications
 Recherches et exploitation de données constructeur, lecture d’un catalogue de
composants intégrés.
2. Sources de références
 Sources de tension :
- Rôles et caractéristiques ;
- Montages à diodes Zener, diode Zener et transistor, régulateurs intégrés
de tension.
 Sources de courant :
- Miroirs de courant à transistors bipolaires, à MOSFET.
3. Amplification
 Amplification à transistor à un et à plusieurs étages
 Classes d’amplification
- Technologie et modélisation des transistors de puissance ;
- Technologie des amplificateurs de puissance intégrés, caractéristiques,
critères de choix, mise en œuvre ;
- Le dimensionnement des composants.
CONTENU DETAILLE :
I. Rappel : Structure de la matière et composants passifs

II. Les semi-conducteurs
 Semi-conducteurs intrinsèques
 Semi-conducteurs extrinsèques
 Jonction P-N
III. Diode à jonction
 Constitution et fonctionnement
 Modèles de la diode
 Montages redresseurs à diode
IV. Transistor bipolaire
 Modèles statiques du transistor
 Polarisation
 Modèles dynamiques du transistor
 Amplificateur : paramètres
 Montages amplificateurs fondamentaux à transistor (classe A, classe B et classe AB)
V. Transistor à Effet de Champ à Jonction (JFET)
 Modèles statiques
 Polarisation
 Modèle dynamique
 Montages amplificateurs fondamentaux à JFET
VI. Transistor à Effet de Champ à grille isolée (MOSFET)
 Modèles statiques
PREREQUIS :
Electricité générale, théorie des circuits électriques
BILBLIOGRAPHIE
[1] J-M Pointevin : "Composants discrets et méthode de calculs, Tome 1", Ed.
Dunod, Paris 1995
[2] Thomas L. Floyd : "Electronique, composants et systèmes d’application", Ed.
Dunod, Paris 2000.
[3] Malvino Albert Paul, Bates David J. : '' Principes d'électronique''. Ed. Dunod,
Paris, Mars 2008.
I. Rappel : Structure de la matière et composants passifs
1) Structure de la matière:
La molécule est la plus petite partie (particule) d’un corps qui puis exister tout en
possédant les mêmes propriétées que ce corps (corps simple ou composé).
Le corps simple: Est formé de 1 ou plusieurs atomes semblables.
Le corps composé: Est formé d’atomes différents.
exemple: Une molécule d’eau est composée de 2 atomes d’hydrogène et d’un atome
d’oxygène (H2O ).
2) Constitution de l’atome:
L’atome est constitué d’un noyau central autour duquel gravitent des électrons sur
des orbites bien définis. Le noyau est composé de protons et de neutrons.
Il est analogue à un minuscule système solaire.
Le soleil =======> Le noyau.
Les planètes ======> Les électrons qui tournent sur l’orbite en couches.
exemple: Un atome d’oxygène: Un noyau et 8 électrons sur 2 couches.
Electrons: Particules chargées négativement.
Protons: Particules chargées positivement.
Neutrons: Particules non chargées.
nota: Le noyau renferme les protons

Le nombre de protons est éga l au nombre d’électrons.
La couche périphérique la plus éloignée du noyau donne à l’atome ses propriétés

électriques (conducteur, isolant, semi-conducteur).
3) Classement des corps :
On classe les atomes à partir du nombre d’électrons sur la couche périphérique

la plus éloignée.
Les atomes ayant 1, 2 ou 3 électrons ont tendance à les perdre.
Ces atomes deviennent des “ ions positifs ” car électriquement ils deviennent
positifs . Ce sont de bons conducteurs électriques ( Cuivre, argent, or…).
Les atomes ayant 5, 6 ou 7 électrons deviennent des “ ions négatifs ” car

électriquement ils deviennent négatifs. Ce sont des isolants (Plastique,
caoutchou, Soufre, chlore…).
Les atomes ayant 4 électrons périphériques sont des semi-conducteurs (Silicium

Germanium, Carbone).
4) Définition du courant électrique:
Si un conducteur est plaçé entre 2 bornes d’une battérie chargées,

l’une positivement, l’autre négativement,
les électrons libres du conducteur sont attirés par la
borne positive.
C’est la migration d’électrons entre les atomes du conducteur

qui est appelé COURANT ELECTRIQUE.
5) Sens conventionnel du courant:
Le sens conventionnel du courant est l’inverse du sens

réel de déplacement des électrons.
Le sens conventionnel a été adopté arbitrairement et

antérieurement à la découverte du sens réel de passage.
6) Quantite d’électricité :
Si une quantité Q traverse une section d’un conducteur pendant le temps T ,

on définira l’intensité du courant par le rapport:
+
A
Q
I = R I
T
-
L’unité d’intensité est l’ampère ( A ). B
Définition :
Un courant de 1 ampère correspond au passage d’une quantité d’électricité
égale à un coulomb (C) par seconde.
7) Notions de résistance:
La résistance électrique d’un conducteur est sa propriété de réduire l’intensité du

courant qui la traverse. L’unité est l’OHM.
Définition: L’OHM est la résistance qui existe entre deux points d’un fil
conducteur lorsqu’une différence de potentiel de 1 volt entre ces
deux points produit dans ce conducteur un courant de 1 ampère.
R R
Symbole :
- Code couleurs de résistances - Séries de valeurs normalisées
Résistances à bandes de couleurs
R R
Symbole :
Résistances réglables (Potentiomètres)
Symbole : R R
Résistances montées en surface (mini-résistance)

8) Les composants électroniques
 Les composants passifs consomment de l’énergie. Ils fonctionnent comme récepteur.
Résistance Condensateur Inductance Relais
 Les composants actifs produisent de l’énergie. Ils fonctionnent comme générateur.
Transistor Batterie
Diodes Circuit intégré (IC)
LED
NB: les types de composants et leurs formes ou boitiers.

9) Différence de potentiel (DDP) ou tension:
C’est la différence de charge électrique entre deux points A et B.
Elle s’exprime en volts : V
Définition: Une différence de potentiel est égale à un volt lorsqu’elle produit un courant
de 1 ampère à travers une résistance de 1 Ohm.
10) Loi d’ohm généralisée :
La différence de potentiel ou tension est égale à la résistance multipliée par l’intensité.
U = R*I ===> I = U /R ======> R = U/ I
U en Volts (V), R en Ohms (Ω), I en Ampères (A)
exemples:
I = 5 Ampères I = 0,2 Ampères U = 12 Volts

R = 15 Ohms U = 0,6 Volts R= 3 Ohms
U= 75 Volts R= 3 Ohms I = 4 Ampères
11) Unités de mesure électriques et équivalences:
A) Tension en Volts
1 MV (mégavolts) = 1 000 000 Volts

1 KV (Kilovolts ) = 1000 Volts
1 V (Volt) = 1 Volt
1 mV (millivolt) = 1/1000 = 0,001 Volt
B) Intensité en Ampères
1 A (ampère) = 1A
1 mA (milliampère) = 1/1000 ou 0,001 A
1 μA ( microampère) = 1/1 000 000 ou 0,000 001 A
C) Résistance en ohms
1 M (mégaohms) = 1 000 000 Ohms

1 K (Kiloohmes ) = 1000 Ohms
1 (Ohms) = 1000 milliOhms
D) Puissance en Watts
1 MW ( mégawatt) = 1 000 000 Watts

1 KW ( Kilowatt ) = 1000 Watts
1 W ( Watt) = 1 Watt
1 mW ( milliwatt) = 1/1000 = 0,001 Watt
0,047 V = 47 mV ( millivolts).
647 mV = 647 mV ( millivolts).
647 mV = 0,647 V
6500 V = 6,5 KV
33 mA = 0,033 A
0,27 A = 270 mA
101 mA = 0,101 A
0,126 K = 126 Ω
400 m = 0,4
630 mW = 0,63 W
0,036 mA = 36 μA (microAmpères)
0,156 A = 156 mA
1200 W = 1,2 KW
E) Montage de résistances:
+
Circuit série: A
Dans un ciruit série,la résistance totale est égale à la somme des résistances: R1
RTotale = R1 + R2.
L’intensité est identique en tous points d’un circuit série.
La D.D.P est variable suivant les points de mesure. C
exercice :
R2
UAB = 12 V, IR1 = IR2 = 2 A, R1 = 2 Ω
Calculez R2, UAC, UCB.
B
-
Solution :
Rtotale = U/I ====> Rtotale = 12/2 = 6 Ohms
R2 = Rtotale - R1 = R2 = 6 - 2 = 4 Ohms.
Calcul des tensions correspondantes:

UAC = R1 x I = 2 x 2 = 4 volts. UCB = R2 x I = 4 x 2 = 8 volts.
Circuit parallèle :
Le courant principal est égal à la somme des courants dérivés.
Les courants dérivés sont inversement proportionnels aux résistances

correspondantes. La D.D.P est constante entre les points A et B quelle
que soit la dérivation considérée.
R1
UAB = R1*I1 A B
UAB = R2*I2
R2
F) Montage de résistances:
Résistances equivalentes:
La résistance équivalente est toujours inférieure à la plus faible

des résistances montées.
I = U/R , I1 = U/R1 , I2 = U/R2
1/R = 1/R1 + 1/R2 d’où R = R1*R2/(R1+R2)
exercice: UAB = 12 Volts ; Itotal = I = 6 Ampères ; R1 = 3 Ohms.
Calculez I1; I2 ; R2; R équivalente.
Solution:
Calcul de I1: UAB = R1 x I1 ===> 12 volts = 3 x I 1 ====> I1 = 4 Ampères

Calcul de I2 : It=I1+I2 ====> I 2 = I t - I 1 ====> I 2 = 2 ampères
Calcul de R2 : Uab = R2 x I2 ===> 12 volts = R2 x 2 A ====> R2 = 6 Ohms
Résistance équivalente:
1/R = 1/R1 + 1/R2 = 1/3 + 1/6 d’où R = 3 Ω
Récapitulatif:
Circuit série Circuit Parallèle

La tension est identique en tous points du circuit: NON OUI
La tension est différente pour chaque composant: OUI NON
L’intensité est identique en tous points du circuit: OUI NON
L’intensité est différente pour chaque composant: NON OUI
G) Montage de résistances:
R1 = 3 Ω, R2 = 4Ω , R3 = 5 Ω, Ubat = 12 V
Calculez Itotal, Calculez UR1 , Calculez UR2//R3 , Calculez IR1 , Calculez IR2
électronique analogique
II- Semi-conducteurs et jonction PN
1- STRUCTURE DE LA MATIERE
Un atome est composé d’un noyau central autour duquel gravitent des électrons.
Le noyau est composé de 2 sortes de particules de masse égale : les protons et les neutrons.
Les protons portent des charges électriques positives électron
noyau
(le proton est chargé positivement et l’électron est chargé
négativement. Le neutron ne porte pas de charge. orbite
La charge de l’électron et du proton est la plus faible
eee
charge électrique que l’on connaisse : e = 1.6 * 10-19 C
Un atome étant initialement neutre, il comporte autant
d’électrons que de protons. Si on arrache un ou
plusieurs électrons à un atome il devient un ion
positif ou cation. Si au contraire on lui apporte un
supplément d’électrons il devient un ion négatif ou anion.
Les divers corps se diffèrent par le nombre de protons de leur noyau
donc par le nombre d’électrons.
Les électrons tournent autour du noyau sur des orbites correspondantes à des niveaux d’énergie bien
déterminés qu’on appelle niveaux permis. Cette énergie est d’autant plus grande que l’orbite est
éloignée du noyau. Tout niveau intermédiaire entre 2 niveaux permis est un niveau interdit.
Les électrons peuvent occuper les niveaux permis en suivant les règles suivantes :
-Les niveaux les plus bas sont occupés en priorité,
-Un électron recevant une énergie insuffisante pour le hisser à un niveau supérieur refuse cette
énergie et reste sur son orbite,
-Un électron qui quitte son orbite pour un niveau plus bas restitue la différence des énergies entre
les 2 niveaux sous forme d’un rayonnement qui peut être visible ou thermique.
a) Les niveaux d’énergie
* Bande de valence Bande de conduction

C’est la bande autour du noyau où un certain nombre
bande interdite
d’électrons d’un atome sont amené à assurer les
liaisons entre les atomes environnants. Il est appelé
Bande de valence
électrons de valence. L’ensemble de niveaux d’énergie
permis pour les électrons de valence s’appelle la bande
noyau
de valence.
* Bande de conduction
Il existe des niveaux d’énergie pour lesquels l’électron quitte la bande de valence pour un niveau
permis supérieur appelé niveau de conduction ; Leur ensemble s’appelle la bande de conduction.
* Bande interdite : c’est la bande ou aucun électron ne peut se trouver.
___________________________________________________________________________ 13
Université de Technologies 1ère année EII, MI, ELT, RT Enseignant
et de Management (UTM) COULIBALY Souleymane (70758839)
b) Les conducteurs
Dans les corps conducteurs de l’électricité la bande de
valence et la bande de conduction sont très proches et Niveau
s’interpénètrent. Chaque atome libère alors au moins un d’énergie Bande de
électron qui voyage dans le cristal : c’est un atome libre. conduction
Si on relie les 2 bornes d’un générateur avec un
conducteur, les électrons sont attirés par le pole + et
Bande de
repoussés par le pole -. Le déplacement d’électrons qui
valence
en résulte constitue le courant électrique.
c) Les isolants
Niveau
Les corps isolant sont caractérisés par : Bande de
d’énergie
-Une bande de valence complète, conduction
-Une bande de conduction vide, Bande
-Une bande interdite large représentant une énergie interdite
de plusieurs électron – volts.
Bande de
Aucun électron de la bande de valence ne peut
valence
recevoir une énergie suffisante pour passer dans la
bande de conduction.
2- LES SEMI–CONDUCTEURS
Niveau
Les semi–conducteurs sont des corps dont la résistance d’énergie Bande de
est intermédiaire entre celle des conducteurs et des conduction
isolants. Il est caractérisé par une bande interdite
Bande interdite
ayant une faible largeur.
Bande de
valence
a) Semi–conducteurs intrinsèques
On nomme semi–conducteur intrinsèque un semi–conducteurs pur (sans impuretés).
b) Les semi–conducteurs extrinsèques

On appelle ainsi les semi–conducteurs intrinsèques dans lequel on introduit certaines impuretés qui
modifient leurs résistances dans de grandes proportions. Cette opération s’appelle le dopage.
Une impureté augmente la conductivité en libérant selon sa nature :
des électrons : on obtient des semi–conducteurs extrinsèques de type N
des trous : on obtient des semi–conducteurs extrinsèques de type P
Les semi–conducteurs usuels sont le germanium (Ge) et le silicium (Si) ; ils ont 4 électrons
périphériques.
Les dopeurs possèdent 3 ou 5 électrons périphériques.
___________________________________________________________________________ 14
Tableau des principaux semi–conducteurs dopeurs
III IV V
Bore (B) Azote(N)
Aluminium (Al) Silicium (Si) Phosphore (P)
Gallium (Ga) Germanium (Ge) Arsenic (AS)
Indium (In) Antimoine (Sb)
b1) Les semi–conducteurs extrinsèques de type N
Si on introduit dans un réseau de silicium, une impureté pentavalente (5 électrons périphériques, ex :
Phosphore (P)), les atomes d’impureté établiront des liaisons covalentes avec les atomes du silicium
mais le 5ème électron reste libre et que seul l’agitation thermique va le hisser sur la bande de
conduction. Le phosphore devient donc un ion positif (+).
Finalement dans un semi – conducteur de type N il y a beaucoup d’électrons libres provenant des
dopeurs et très peu de trous.
Les électrons sont porteurs majoritaires et le semi–conducteur est de type N. Les atomes
pentavalents sont appelés atomes donNeur.
Electron libre chassé de

Si l’atome du phosphore
+4
Si
Si P +4
+4 +5
Si
Covalence
+4
+ +
+ Ions positifs
+ Trous (minoritaires)
+
Electrons (majoritaires)
Semi–conducteur est Déplacement des électrons

de type N
___________________________________________________________________________ 15
b2) Les semi–conducteurs extrinsèques de type P

Si on introduit dans un réseau de silicium, une impureté trivalente (3 électrons périphériques, ex :
Bore (B)), les atomes d’impureté établiront 3 liaisons covalentes avec les atomes du silicium.
L’agitation thermique sera nécessaire pour qu’un électron d’une liaison voisine vienne combler le trou,
avec l’apparition d’un nouveau trou. Le Bore devient donc un ion négatif.
Finalement dans un semi – conducteur il y a beaucoup de trous et peu d’électrons.
Les trous sont ici porteurs majoritaires et le semi – conducteur est de type P. Les atomes trivalents
sont appelés atomes accePteurs.
Trou laissé par

l’électron, il est libre
de circuler
Si
+4
Si B Si
+4 +3 +4
Covalence
incomplète Si
Covalence
+4
–
–
- Ions négatifs
–
Déplacement
Trous (majoritaires)
des trous
– –
Electrons (minoritaires)
Semi–conducteur est de
Déplacement des trous
type P
___________________________________________________________________________ 16
3- LA JONCTION PN
a) Introduction
De par leurs propriétés électriques, les semi-conducteurs peuvent être assemblés pour constituer
des composants qui entrent dans la réalisation des fonctions électroniques.
Parmi les applications de base de l’électronique, l’assemblage de deux semi-conducteurs de type P et
de type N permet de créer la diode à jonction PN. Mais en observant les propriétés de ce composant,
passif, on remarque que plusieurs phénomènes peuvent être mis à profit pour constituer des diodes
disposant de fonctions particulières. De même l’assemblage des deux types de semi-conducteurs
avec plus de deux jonctions permet de créer d’autres composants tels que le transistor…
b) La Jonction PN
Si on réalise une liaison entre un semi–conducteur extrinsèque de type P et un semi–conducteur

extrinsèque de type N, la zone de séparation entre les 2 parties s’appelle « jonction PN ».
Dans la région P :
-Les trous sont porteurs majoritaires
-les atomes accepteurs forment un réseau d’ions Ions négatifs Ions positifs
négatifs
Dans la région N : P N
-Les électrons sont porteurs majoritaires
-les atomes donneurs forment un réseau d’ions
positifs
Trous majoritaires Electrons
majoritaires
 Jonction PN non polarisée
Jonction PN
Sous l’action de l’agitation thermique :
-Les trous de la région P diffusent vers la région N
-Les électrons de la région N diffusent vers la région P
Il en résulte au voisinage de la jonction une disparition complète des porteurs libres. Un déséquilibre
de charge due aux ions apparaît : négatif du côté P et positif du côté N.
Cette double charge crée dans la zone vide de porteurs libres un champ électrique E dit champ
électrique interne.
Diffusion des trous
Ei
Diffusion des électrons Zone de transition
___________________________________________________________________________ 17
La zone vide de porteurs libres est appelée zone de transition ou zone de déplétion. La ddp U N – UP
est appelée barrière de potentiel UB.
 Jonction PN polarisée
 Polarisation directe
Une jonction est dite polarisée en directe si par l’intermédiaire d’un générateur extérieur, on porte
l’extrémité de la région P à un potentiel supérieur à celui de la région N soit UP > UN. Cela revient à
superposer au champ électrique interne Ei un champ électrique E de sens inverse de Ei.
Le champ résultant Er est plus faible que Ei et peut même être de sens contraire à Ei. La barrière de
potentiel est donc abaissée ou annulée. Les porteurs majoritaires peuvent donc franchir la barrière
de potentielle. Un courant électrique appelé courant direct Id traverse les jonctions.
Ei
P Er N
Id
E
 Polarisation inverse
Une jonction est dite polarisée en inverse si UN > UP. Le champ E électrique appliqué est de même
sens que Ei. Le champ résultant Er = Ei + E ; la barrière de potentiel est donc surélevée interdisant
tout affranchissement des porteurs majoritaires. Aucun courant ne peut circuler à travers les
jonctions sauf un courant inverse ou courant de fuite négligeable
Ei
P Er N Ii
___________________________________________________________________________ 18
 Caractéristique courant-tension
Le courant est une fonction de la tension lorsque celle-ci est positive et atteint Ei.
Le courant inverse Iinv (courant de fuite) garde une intensité très faible (négligeable) et
pratiquement constante lorsque la tension est négative et inférieure à U Z (tension de Zener).
Quand la tension inverse atteint UZ le courant commence à croître : c’est le claquage ou l’effet
Zener. Après le claquage suit l’avalanche : Le courant croit rapidement entraînant la destruction de
la jonction si un élément extérieur ne limite pas le courant.
La destruction est due à l’échauffement provoqué par le passage du courant. Le seuil de la tension
pour lequel se produit le claquage dépend du dopage en impureté du semi – conducteur.
UZ
Iinv Ei U
Claquage
Avalanche
___________________________________________________________________________ 19
III. Diode à jonction PN

A K
1 N 4002
1. Constitution et Symbole
Une diode à jonction est un composant

constitué d’une jonction PN (Figure 1)
rendue accessible par deux contacts A K
électriques (obtenus par métallisation).
Son symbole et les notations sont
représentés à la Figure 2 (pour le
retenir, noter que le sens du courant est
celui du triangle). Elle ne conduit le
courant que dans le sens Anode-Cathode à condition que sa tension de seuil soit atteinte (elle est
passante). Dans le sens Cathode-Anode, le courant est nul (elle est bloquée).
Diodes ordinaires (faible et moyenne Pont de Diodes

puissance)
Diodes ordinaires (forte puissance)
___________________________________________________________________________ 20
2. Caractéristique statique Courant-Tension
Le fonctionnement est traduit par le lien entre la tension et le

courant : la caractéristique tension – courant. Elle est relevée dans les
quatre quadrants en polarisant la diode en suivant le schéma de la
Figure 3. Le résultat est décrit à la Figure 4.
Attention : ce relevé est obligatoirement attaché aux notations des
sens des tensions et courants.
L’observation de cette caractéristique permet de distinguer deux
régimes de fonctionnement :
Polarisation direct
• Dans le sens direct (iD et uD positifs), la diode est passante ; la tension uD est faible (≈0,6V à
0,7V) et le courant croît très rapidement avec la tension E.
E – UD – URP = 0 ; (UD = 0,7V)
Polarisation inverse
• Dans le sens inverse (iD et uD négatifs), la diode est bloquée ; le courant est faible quelque soit la
tension (courant de saturation). ID = 0 et UDinv = E = tension inverse. (Diode bloquée………circuit
ouvert)
3. Influence de la température
La loi d’évolution du courant dans la diode est :
Si VD »VT
___________________________________________________________________________ 21
Le courant de saturation IS traduit l’existence des porteurs

minoritaires et croît avec la température.
La conséquence est que le courant direct croît plus vite : Pour une
diode au silicium, il double environ tous les 10 °C. La tension directe
(donc de seuil) diminue pour une diode au silicium, elle décroît
linéairement de 2 mV par °C.
En inverse, le courant augmente avec T.
La modification résultante de la caractéristique apparaît à la Figure 5.
___________________________________________________________________________ 22
figure I-5
Résistance différentielle (ou dynamique)
___________________________________________________________________________ 23
figure I-6
4. Caractéristiques statiques idéalisées
L’usage du modèle complet est rarement nécessaire. On simplifie la caractéristique par étapes
successives comme l’indique le Tableau 1.
Le premier modèle montre la conduction au-delà de la tension de seuil VD0 (source de tension
associée) et linéarise le fonctionnement en conduction par une résistance en série rD. Puis, peu à peu,
chacun des éléments est éliminé. On obtient finalement le modèle « deux segments » de la diode.
Modèle Diode parfaite Diode idéale

dynamique
___________________________________________________________________________ 24
5. Notes sur le comportement dynamique
L’étude précédente met l’accent sur le fonctionnement statique, c’est à dire lorsque les grandeurs
tension et courant sont établies. Quand ces grandeurs évoluent dans le temps, la diode peut passer
d'un état à l'autre (par exemple de l’état bloqué, en inverse, à l’état passant, en direct). C’est le
fonctionnement en commutation.
Lors de la mise en conduction, le courant s’établit dans le circuit en apportant des charges qui sont
stockées au niveau de la jonction. Ceci procure une faible chute de tension en conduction. Mais en
contrepartie, leur évacuation ralentit la commutation lors de la phase de blocage. Ceci est
caractérisé par le temps de recouvrement trr.
6 fiche technique
Les fabricants de semi-conducteurs préparent des fiches techniques regroupées dans un manuel. Ces
fiches indiquent l’ensemble des caractéristiques des composants et comprennent généralement :
-une identification du composant (ex : diode 1N4002) ;
-une description du composant à l’aide d’un dessin coté ou d’une photographie ;
-les différentes caractéristiques électriques, thermiques et mécaniques présentées sous
forme de tableaux ou de courbes ;
-des schémas de quelques exemples typiques.
Les trois catégories de paramètres suivants sont bien définies :
-les limites absolues d’utilisation (maximum ratings)
-les caractéristiques électriques (electrical characteristics)
-les caractéristiques mécaniques (mechanical characteristics)
6.1 limites absolues d’utilisation
Ces paramètres difficilement mesurables par l’utilisateur doivent être considérés comme des
contraintes maximales d’utilisation dans un circuit.
-La tension inverse de crête répétitive VRRM : tension que peut supporter la diode à l’état
bloquée sans limitation de durée.
-La tension inverse de crête non répétitive VRSM : tension que peut supporter la diode à
l’état bloquée pendant un temps très court.
-Le courant direct moyen I0 : courant qui peut traverser la diode en permanence sans
limitation de durée.
-le courant direct de surcharge non répétitive IFSM : courant accidentel de très courte
durée qui peut traverser la diode.
-La température maximale de la jonction TJmax : température à laquelle une diode peut
fonctionner sans risque d’être détériorée.
6.2 Caractéristiques électriques
Les caractéristiques électriques peuvent être mesurées par l’utilisateur. Le fabricant peut donner :
-Les caractéristiques maximales ou minimales qui sont des limites garanties ;
___________________________________________________________________________ 25
-la caractéristique typique qui est une moyenne pour l’ensemble d’une même pièce.
En général on y trouve :
-la chute de tension directe VF aux bornes de la diode lorsqu’elle est à l’état passant ;
-le courant direct maximum IF supporté par la diode en continu.
-la tension inverse maximale VRRM
-la résistance interne de la diode RD
-la puissance maximale Pmax
-le temps de recouvrement inverse (trr) et direct (tdt) : temps que met la diode pour passer
de l’état passant à l’état bloqué ou de l’état bloqué à l’état passant.
6.3 caractéristiques mécaniques

Les fabricants indiquent les dimensions de composants, la masse approximative, la température
maximale permise dans le cas de composants soudés, le couple maximum de serrage dans le cas de
composants vissés, les dissipateurs appropriés…
7. Applications des diodes à jonction PN
La première fonction de la diode est le redressement pour rendre une tension unidirectionnelle en
électronique « petits signaux », comme en électronique de puissance dans les convertisseurs
d’énergie. Elle est utilisée aussi pour la :
- protection des circuits
- commutation
- stabilisation
- démodulation
- optoélectronique
8 Diodes spéciales
A côté du principe redresseur des propriétés secondaires sont mises à profit pour donner lieu à
d’autres types de diodes.
8.1 Contrôle de l’avalanche en inverse : Diode Zéner
La diode ZENER est une diode à jonction pour laquelle la tension de claquage (d’avalanche) est connue
avec précision et l’effet d’avalanche est contrôlé et est non destructeur. Après le claquage, la
tension à ses bornes reste constante. Cette tension s’appelle <<tension de ZENER>> notée U Z.
Celle-ci est destructive pour la plupart des diodes. Mais l’effet Zéner permet le contrôle des
porteurs pour limiter le courant et assurer la réversibilité du processus (fig.6).
Sens direct
A K
Iz
Sens
inverse
___________________________________________________________________________ 26
Une diode Zener se polarise en inverse et présente à ses bornes, quel que soit le courant qui la
traverse, une tension quasiment constante appelée tension zener. Cette tension zener est toujours
marquée en clair sur son boîtier ( ex. BZX85C5V6). On y trouve des valeurs allant de quelques
dixièmes de volt à plusieurs dizaines voir centaines de volts.
URp
Iz
Rp
E
Dz Vz
Applications :
Les diodes Zener sont appréciées pour leur tension zener très stable. Ainsi, on les retrouve souvent
associées aux fonctions : référence de tension ; écrêtage de tension ; stabilisation (alimentation
continue de faible puissance).
Cette propriété est très utilisée dans des montages régulateurs de tension où l’on l’exploite comme
référence de tension.
Caractéristiques limites
.Le courant IZ : Courant qui peut traverser la diode sans dommage.
.La tension UZ : tension aux bornes de la diode quand elle est traversée par I Z.
.La puissance PZ : puissance maximale que peut dissiper la diode ZENER : PZ = UZ*IZ
8.2 Création d’une jonction rapide : Diode Schottky
Plutôt que de réaliser la jonction avec

des semi-conducteurs de types
différents, on substitue une
couche métallique au semi-conducteur A K
P ou N. La caractéristique de la diode Id
obtenue est similaire à celle d’une
diode de redressement, mais avec une
tension directe plus faible (diminution
de la tension de seuil, (≈ 0,3 V)).
L’avantage essentiel provient de l’absence de charges stockées durant la conduction. Le temps de
recouvrement est diminué (trr < 500 ns) : la diode est plus rapide.
Ces diodes s’emploient dans les redresseurs rapides petits signaux (haute fréquence) et dans les
composants logiques rapides. Critère de choix : fréquence limite d’utilisation.
___________________________________________________________________________ 27
8.3 Contrôle de la capacité inverse : Diode varicap
Quand la jonction de la diode est polarisée en inverse, la barrière de potentiel est renforcée. La
zone de charge d’espace apparaît comme un isolant entre les deux parties semi-conductrices : La
jonction se comporte comme un condensateur dont la capacité est fonction de la tension inverse.
Les diodes varicap sont des diodes à capacité variable. Cette diode se comporte comme un
condensateur dont la capacité varie suivant la tension inverse. La capacité diminue quand la tension
inverse augmente.
Application : modulation de fréquence (MF ou FM).
Ce type de diode est employé en haute

fréquence dans les circuits oscillants
accordés qui prennent place dans les
oscillateurs commandés en tension
pour la radio.
8.4 Effet quantique : Diode tunnel
L'effet tunnel est une conséquence de la mécanique quantique. Son principe repose sur la probabilité
non nulle pour un électron en mouvement de franchir une barrière de potentiel d’énergie supérieure à
son énergie cinétique.
Cet effet est obtenu avec une
jonction créée avec des semi-
conducteurs fortement dopés.
La conséquence s’apparente à un
effet d’avalanche en direct. Le
courant qui augmente
rapidement puis décroît et
reprend sa croissance
exponentielle (comme pour une
diode classique).
Il en résulte la caractéristique représentée à la Figure 12. La portion où le courant décroît en
fonction de la tension est la partie utile (entre la tension de pic Vp et la tension de vallée Vv). On y
observe une conductance négative, linéarisée autour du point de repos (Vr, Ir). L’utilisation de la
zone autour de ce point nécessite une polarisation particulière qui permet de travailler en variations.
Cette résistance (ou conductance) dynamique est mise à profit dans les oscillateurs hautes
fréquences pour compenser la résistance d’un circuit LC due aux imperfections des éléments.
___________________________________________________________________________ 28
9 Optoélectronique
9.1 Diodes électroluminescentes (DEL)
On utilise souvent l’abréviation LED (Light Emitting Diode) pour cet élément. Polarisées en direct,
ces diodes ont la propriété d’émettre un rayonnement visible (ou proche de cette bande) dont la
couleur dépend du matériau semi-conducteur utilisé (infra rouge pour l’arséniure de gallium –GaAs,
rouge, verte ou jaune pour le phosphure de gallium –GaP et bleue pour le nitrure de gallium –GaN). Si
la caractéristique tension-courant reste identique, on observe une tension de seuil plus élevée
(jusqu’à 2 V). Elles ne supportent pas les tensions inverses très élevées (jusqu’à 5 V).
DEL Tension de A
Méplat identifiant
polarisation
la cathode
Rouge 1.6V
jaune 2.2V Borne courte
K
vert 2.4V identifiant la cathode
bleu 3.0V symbole
Model physique
Caractéristiques
► Tension inverse maximale : 3V à 5V.
► I0 = 20 à 200 mA selon les models ; l’énergie lumineuse augmente linéairement avec l’intensité du
courant, à monter toujours avec une résistance de protection.
► Temps d’allumage et d’extinction presque instantanés, de 5ns à 1μs.
► Ne résiste pas aux choques, une chute d’un mètre peut être fatale.
► Tension de polarisation directe de la diode
Applications
o Voyants ou témoins lumineux
e
o Afficheurs 7 segments a
o Afficheurs alphanumériques a
f
Dans ce type d’afficheur chacun des segments f b
est associé à un DEL simple. Une combinaison de g b
g
ces segments permet d’obtenir un affichage
numérique ou alphanumérique. c
e c
d cathode
d
9.2 les diodes infrarouges
Les diodes à infrarouge ont la même présentation que les diodes électroluminescentes de couleur.
Elles se distinguent par leur boîtier transparent et incolore, souvent teinté en gris foncé.
Comme l’œil humain ne perçoit pas son rayonnement, seul une photodiode ou un phototransistor peut
témoigner de leur fonctionnement. La tension de polarisation en sens directe se situe à environ
1.35V. Tout comme les LED, une tension inverse supérieur à 4V provoque sa destruction. Comme son
___________________________________________________________________________ 29
coût est assez élevé, on recommande fortement l’utilisation en série d’une diode de redressement
pour éliminer les courants inverses.
Les diodes à infrarouge servent non pas comme voyants, mais plutôt comme sources d’infrarouge
pour les dispositifs photo – électriques, de détection, de télécommande et même de transmission
de signaux.
Certains models haut de gamme sont pourvus d’une lentille de focalisation afin d’obtenir un faisceau
étroit de longue portée. L’avantage des commandes à infrarouge provient surtout de leur
indépendance vis-à-vis de la lumière ambiante.
Elles assurent la discrétion dans les applications comme les systèmes d’alarme.
9.3 les diodes laser
L’appellation provient des initiales de l’expression anglaise <<Light Amplification by Stimulated

Emission of Radiations>>.
Une diode laser est un dispositif amplificateur qui génère des radiations lumineuses d’un type
particulier. La lumière émise sous forme de photons possède les caractéristiques suivantes :
► monochromatique : toutes les ondes oscillent à la même longueur d’onde et ont la même couleur ;
► cohérente : les ondes ont toute la même amplitude et sont en phase l’une par rapport l’autre ;
► unidirectionnelle : les ondes se propagent dans une seule et même direction.
Comme les ondes se propagent tous dans le même temps et la même direction, le laser peut atteindre
une puissance et une précision inestimable ce qui explique son application dans de nombreux
domaines :
-mécanique de précision : percer ou découper des métaux avec une grande précision ;
-médecine ou microchirurgie ;
-l’enregistrement et lecture d’écriture de son et d’image : les mémoires optiques.
9.4 les photodiodes
La photodiode est une cellule photoconductrice à jonction. En mode de fonctionnement normal, elle
est polarisée en sens inverse. Dans l’obscurité, elle se comporte comme une diode de redressement
polarisée en sens inverse et bloque tout passage de courant. Au contraire lorsque la surface
photosensible devient éclairée, la résistance inverse de la photodiode diminue, ce qui se traduit par
le passage d’un courant appelé <<photo courant>>. Ce courant inverse réagit proportionnellement avec
l’intensité lumineuse.
i
symbole
R
DC D
En polarisation directe, la photodiode se comporte comme une diode à jonction ordinaire.

Application :
-détecteurs de fumée
-différentes sortes de capteurs : intrusion, lecteurs de barres imprimées, triage
automatique de courrier…
___________________________________________________________________________ 30
Montages redresseurs, filtrage et stabilisation de tension

1) Mono-alternance et Double alternances (transfo à point milieu, pont de Graetz)
Calcul valeur moyenne, ondulation et taux d’ondulation
2) Filtrage (valeur moyenne et taux d’ondulation)
3) Stabilisation par diode Zener
4) Réaliser le schéma d’une simple alimentation stabilisée de 9V, 200mA.
Utilisation de la Diode à Jonction en Redressement

Dans cette partie on s’intéresse au rôle de la diode dans la fonction de redressement et autre
spécificité.
On détermine en premier lieu le redressement simple alternance (le montage, le fonctionnement et sa
performance). En second lieu on détermine le redressement double alternance, que ce soit avec un
transfo à point milieu ou bien en pont de Graëtz. En fin on détaille le filtrage ; son effet et ses
performances avec les deux types de redressements.
1) But et synoptique
Le redressement consiste à convertir une tension alternative (bidirectionnelle) en une tension continue
(unidirectionnelle) destinée à alimenter les appareils et circuits électroniques qui fonctionnent en
courant continu. C’est le principe des alimentations stabilisées. Une des principales applications de la
diode est le redressement de la tension alternative du secteur.
Avant le redresseur, on a presque toujours un transformateur qui sert à abaisser la tension secteur et à
isoler les montages du secteur.
Synoptique général :
 Définir le rôle de chaque partie ou bloc.

 Donner le nom des composants utilisés pour chaque bloc.
___________________________________________________________________________ 31
2) Redressement simple alternance

a) Montage
b) Fonctionnement du montage
___________________________________________________________________________ 32
c) Formes des ondes
___________________________________________________________________________ 33
d) Performances du redressement simple alternance
___________________________________________________________________________ 34
___________________________________________________________________________ 35
3) Redressement double alternance
a) Avec transformateur à point milieu
 Montage
___________________________________________________________________________ 36
 Fonctionnement et formes d’ondes
 Performances du redresseur
___________________________________________________________________________ 37
 Caractéristiques des diodes
Les diodes sont plus sollicitées que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne
conduit pas devra supporter une tension VR double de celle requise dans le montage à simple
alternance, soit deux fois la tension crête présente sur chacun des secondaires.
___________________________________________________________________________ 38
___________________________________________________________________________ 39
b) Avec pont de Graetz
 Montage
 Fonctionnement
___________________________________________________________________________ 40
___________________________________________________________________________ 41
 Formes d’ondes
___________________________________________________________________________ 42
 Performances du redresseur
4- Filtrage
___________________________________________________________________________ 43
___________________________________________________________________________ 44
___________________________________________________________________________ 45
Exemple d’application
___________________________________________________________________________ 46
IV – LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
1- Définition
Le transistor bipolaire est un des composants fondamentaux de l’électronique. Ses caractéristiques

et ses différents types de comportement le destinent à participer à de nombreuses fonctions
élémentaires dans les dispositifs tel que l’amplification, la commutation, la stabilisation…
2- Constitution et symbole
Un transistor bipolaire est constitué par la juxtaposition de deux jonctions PN. La zone centrale aux
deux jonctions peut être du type P ou du type N. Il en résulte l’existence de deux types de
transistors bipolaires : le transistor NPN et le transistor PNP. Les trois zones sont de dopage
différent et correspondent aux trois bornes du transistor : la Base (B), le Collecteur (C) et
l’Émetteur (E).
Le collecteur et l’émetteur sont du même type de semi-conducteur mais de dopage différent.
Les deux types de transistors bipolaires et leur symbole :
___________________________________________________________________________ 47
Détermination des 3 électrodes et du type :
En l'absence d'effet transistor, le schéma équivalent d'un transistor est le suivant :
Il est possible de déterminer le type et

le brochage du transistor à l'aide d'un
ohm-mètre sur la position diode, sachant
que la paire C - E est bloquée dans les
deux sens.
3- Principe fonctionnement
Le principe fondamental du fonctionnement du transistor consiste à pouvoir contrôler la conduction

des électrons de l’émetteur vers le collecteur, par le flux d’électron issu de la base, dans le cas du
transistor NPN ou de contrôler la conduction des électrons du collecteur vers l’émetteur, par le flux
d’électron entrant dans la base, dans le cas du transistor PNP. On dit que ce type de transistor
bipolaire est commandé en courant.
4- Les grandeurs électriques
La flèche de l’émetteur indique le sens du courant et permet de différencier les deux types de
transistors. On peut associer six grandeurs électriques au transistor : trois courants (IB, IC et IE) et
trois tensions (VBE, VCE et VCB).
VCB IC -VCB IC
Avec IE = IB + IC et VCE = VCB + VBE IB IB
VCE
-VCE
VBE IE -VBE IE
5- Polarisation du transistor
Polariser un transistor, c’est l’alimenter de telle sorte à lui imposer un point de fonctionnement, en
régime continu, caractérisé par la définition des quatre grandeurs I B, IC, VBE et VCE. Le transistor
est alimenté par deux sources de courant continu :
 une source VBB alimente la jonction Base-Emetteur en direct ;

 une source VCC alimente la jonction Base-Collecteur en inverse.
___________________________________________________________________________ 48
RC
RC
VCB IC
VCB IC
RB IB
RB IB -VCE
VCE -VCC
VCC
VBB -VBE
VBE -VBB
IE IE
Le point de polarisation ainsi défini peut se trouver :
 dans la zone linéaire d’une caractéristique IC = f(VCE); on dit que le transistor est en
fonctionnement linéaire. On admettra que VBE = 0,7V.
 dans la zone de saturation de la caractéristique IC = f(VCE) ; on dit que le transistor est
saturé et on a VCEsat = 0,2 à 0,3 V (voire VCEsat = 0). Ceci est causé par un courant de base
trop important.
 Dans la zone de blocage de la caractéristique, si la tension VBE est trop faible, Ic tend vers 0. Le
transistor est alors bloqué. Et VCE=VCC
5-1 L'effet transistor :
Considérons le montage ci-dessous : Lorsqu'on applique sur la base du transistor une tension V E à
travers une résistance RB, un Courant IB circule de la base vers l'émetteur. Un courant IC circule
alors du collecteur vers l'émetteur (IE = IC + IB) en transitant la jonction BC en inverse : c’est l’effet
transistor. On dit que ce type de transistor bipolaire est commandé en courant.
Un courant IB faible (négligeable) donne lieu à un courant IC très

élevé : IC = hFE * IB
hFE = h21 = β est l'amplification en courant ou gain statique.
IC = βIB ; IC = α IE ; β = α /(1-α)
5-2 Etat du transistor
 Transistor bloqué : jonction BE en inverse ou jonction BE en direct mais V BE < 0,7V (tension
de seuil de la diode Base –Emetteur) alors IB = 0 ; IC = 0 et VCE = VCC. Le modèle équivalent
est un interrupteur ouvert.
 Transistor passant : jonction BE en direct et VBE=0,7V ; IB > 0 ; IC = βIB et VCE > 0. Le modèle
équivalent est un générateur de courant.
___________________________________________________________________________ 49
 Transistor saturé : jonction BE en direct et VBE=0,7V ; IBsat > 0 ; ICsat = βIBsat et VCE = VCEsat =
0,2V. Le modèle équivalent est un interrupteur fermé.
IC
ICsat
IC = IS*eVBE/VT ; VT = kT/q
IB
Fonctionnement Fonctionnement
bloqué Fonction. saturé
linéaire
5-3 Caractéristiques du transistor :
Le fonctionnement d’un transistor est décrit par les courbes caractéristiques qui lient les grandeurs
électriques précédemment définies.
a) Caractéristique d’entrée : IB = f(VBE) à VCE constante
La courbe IB = f(VBE) correspond au fonctionnement de la jonction

Base-Emetteur assimilable à une diode. C'est la caractéristique
d'une diode. Tension de seuil VBE = 0,7V.
b) Caractéristique de sortie IC = f(VCE) à IB constant
C'est un réseau de caractéristiques. Chaque courbe est

obtenue pour une valeur de IB.
c) Caractéristique de transfert en courant IC = f(IB) à VCE

constante.
C’est une droite définie par l’amplification β qui est la
caractéristique intrinsèque du transistor.
Courbes caractéristiques complètes
___________________________________________________________________________ 50
6- Caractéristiques techniques
 VCEmax : tension collecteur-Emetteur maximale admissible

 ICmax : courant collecteur maximal
 IBmax : courant de base maximal
 VCEsat : tension collecteur-Emetteur lorsque le transistor est saturé
 β: gain en courant du transistor (appelé HFE)
 PD : puissance maximale dissipée par le transistor, permet de dimensionner le dissipateur
thermique si besoin est.
 T° : température maximale supportable
La puissance maximale que peut supporter le transistor,

est représentée par une hyperbole de puissance selon le
graphique. On a la relation : PTmax = VCE*IC
Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie
est interdite.
___________________________________________________________________________ 51
Quelques considérations sur le transistor de puissance bipolaire...
Valeurs limites
VCE 150v
VBE 6v
IC 50A
IB 20A
PD 250W
TJ 200°C
La puissance que peut dissiper le transistor dépend de la

température de son boîtier.
La dissipation maximale est de 250 W si le boîtier est maintenu à

une température inférieure à 25°C. Elle n'est plus que de 145 W si la
température du boîtier monte à 100°C.
Pour TJ et VCE donnés,
le gain statique hFE est fonction du courant IC.
hFE = 10 pour IC = 50A
VCEsat augmente avec IC
0,4V pour 10A
1,2V pour 30A
___________________________________________________________________________ 52
Pour une température de jonction de 25°C, un VCE de 4v et un IC de 30A, le courant de base est
0,4A. Cela correspond à un gain statique de 30/0,4 = 75.
___________________________________________________________________________ 53
7- Le transistor en régime continu (statique) – polarisation
Polariser un transistor consiste à lui fixer un point de fonctionnement bien défini dans la zone
linéaire ou une région précise des courbes caractéristiques afin de l’utiliser comme amplificateur,
commutateur ou autre, grâce aux résistances de polarisation et sources d’alimentation.
Il y a différents procédés de polarisation.
RC
7-1 Point de repos
Le point de repos ou point de fonctionnement du transistor correspond à déterminer IC UA
VCE
les grandeurs IB, VBE, VCE et IC (notées aussi : IBo, VBEo, VCEo et ICo).
IB
UB RB
DC VBE
7-2 Droite d’attaque statique
La loi des mailles appliquée au circuit d’entrée donne :

VBE = UB - RB * IB
Dans le plan (IB, VBE) cette relation est l’équation d’une droite passant par les points :
IB = 0  VBE = UB
VBE = 0 IB = UB/RB
Cette droite qui représente le lieu des points de fonctionnement du circuit d’entrée est appelée
droite d’attaque statique.
7-3 Droite de charge statique
La loi des mailles appliquée au circuit de sortie donne : VCE = UC – RC * IC

Dans le plan (IC, VCE) cette relation est l’équation d’une droite passant par les points :
IC = 0  VCE = UC
VCE = 0 IC = UC/RC
Cette droite qui représente le lieu des points de fonctionnement du circuit de sortie est appelée
droite de charge statique.
IC(mA)
7-4 Détermination du point de repos

Caractéristique de UC/RC
transfert
Le point de repos E0 à l’entrée est situé à IC0 S0
T0
l’intersection de la droite d’attaque statique et du Droite de charge
réseau de la caractéristique d’entrée. Les statique
projections de E0 sur chacune des axes

UB/RB UC
fournissent les valeurs IB0 et VBE0 des courants et IB0
tension d’entrée. IB(μA) VCE0 VCE(v)

La valeur de IB0 dans le plan (IC IB) permet de
Droite d’attaque
connaître le point T0 de fonctionnement sur la statique
VBE0
E0
caractéristique de transfert en charge. UB
L’ordonnée de T0 nous donne la valeur IC0 du
VBE(v)
courant de sortie et déduit par projection le point
___________________________________________________________________________ 54
de repos S0 dans le réseau de sortie. L’abscisse de S 0 nous donne la valeur VCE0 de la tension de
sortie.
8- Montage émetteur suiveur : Transistor Darlington
C’est l’ensemble de deux transistors montés tel que ci-contre, de façon à avoir une amplification
élevée et une puissance élevée. Déterminer l’amplification de l’ensemble.
IC T2 IE
C C
E
B T1: β1 élevée et Pt1 faible T1
T1 T1 = PNP de puissance
T2: β2 faible et Pt2 élevée
T2 = NPN avec β2 élevé
T2 Ic ≈ β 1 β2 IB IB
Ic ≈ β1 β2 IB
B
E
9- Catégories de transistors
Il existe un très grand nombre de types

différents de transistors ainsi que de boîtiers. Catégories Boîtiers
On distingue cependant 3 catégories suivant la Petite signaux Plastique ou métallique de
puissance qu’ils peuvent dissiper. petite dimensions types
TO-72, X-55,…
Dans chacune des catégories de puissance on Moyenne Dimensions moyenne
trouve : puissance types TO-39, T0-126, …
- des transistors à usage général. Très forte Grandes dimensions types
Utilisables en continu ou en basse fréquence puissance TO-3, TO-220,…
(audiofréquences).
- des transistors spécialement adaptés à des conditions particulières de fonctionnement.
Exemples :
Transistors pour radiofréquences : faible capacité parasite de jonction et une amplification élevée
en haute fréquence.
Transistors de commutation : pouvant passer très rapidement de la saturation au blocage et
inversement. Utilisés dans les dispositifs d’interruption rapide.
Transistors à faible bruit : petit signaux seulement.
Par ailleurs il faut distinguer 3 catégories de qualité et de fiabilité :

Séries grand publique : produits de bonne qualité mais de prix réduits permettant une large
diffusion. Leurs caractéristiques présentent une grande dispersion.
Séries professionnelles : produits de très bonne qualité et fiabilité destinés à équiper des
outils professionnels. Ils sont chers et moins disponibles.
Séries militaires : qualité et fiabilité maximales ; prix très élevé ; peuvent subir des
contraintes mécaniques, thermiques et électriques au-delà de leurs conditions de
fonctionnement normal.
___________________________________________________________________________ 55
PHOTOTRANSISTORS ET OPTO-COUPLEURS
Le comportement électrique d’un phototransistor ressemble à celui d’un transistor bipolaire

conventionnel à l’exception que le courant de base I B est remplacé par des radiations lumineuses. Une
fois la base éclairée un courant de base est généré et commande à son tour le courant de collecteur
IC en fonction du gain du transistor.
C
IC RC Les applications des
phototransistors sont les mêmes que
les photodiodes mais ces derniers
possèdent l’avantage d’avoir des
VCC
capacités amplificateurs de courant.
B
Symbole Circuit à phototransistor
Un opto-coupleur, aussi appelé coupleur optoélectronique ou coupleur optique est un dispositif
composé d’un élément photoémetteur et photo détecteur. Ces deux éléments sont réunis dans un
boîtier possédant quatre bornes, dont deux pour l’entrée et deux pour la sortie. Seule la lumière
établit le lien entre l’entrée et la sortie. Grâce à son isolation de point de vue électrique, le coupleur
optique est le seul composant idéal pour assurer la liaison entre deux circuits que leur polarisation
oblige à demeurer indépendants l’un de l’autre.
Principe de fonctionnement
Un courant électrique généré par un circuit de commande est injecté à l’entrée du coupleur optique
pour subir une transformation en énergie rayonnante par l’intermédiaire de l’élément photoémetteur.
Cette énergie rayonnante est ensuite captée par l’élément photo-détecteur qui génère à son tour un
courant électrique dont l’intensité varie proportionnellement avec la quantité rayonnante reçue.
Le photoémetteur est une diode à infrarouge. L’élément photo-détecteur peut être une photodiode
ou un phototransistor.
photo- photo
Entrée émetteur détecteur Sortie
Différents boîtiers
Il existe deux sortes de boîtiers pour les coupleurs optiques : les circuits intégrés parfaitement
hermétiques et les autres dont le rayon lumineux est obstrué ou réfléchi par un objet quelconque.
Boîtiers hermétiques
sortie
entrée entrée
sortie
___________________________________________________________________________ 56
Boîtiers ouverts
diode
électrolumescente
fibre optique
phototransistor
émetteur récepteur
exemple de transmission de donées par fibbre optique
10- Exercices RC
Exemple 1 : IC
UB = 5V
UC = 10V RB IB
VBE = 0,7V VCE
ß = 80 UC
RB = 1,2K VBE
UB IE
RC = 22
Calculer IB , Ic , VCE et la puissance
dissipée dans le transistor
Exemple 2 : type de l’utilisation des schémas équivalents

Soit le montage ci – dessus :
UCC = tension d'alimentation = 12V

B = h21 = 200
RB RC r = h11 = 1K
h22 = 0 --> = infini
DC
UBE0 = 0,7V
UCC
1- calculer RB pour que UCE = 8V avec RC = 2,2K

2- calculer UCE pour RB = 1M (les autres valeurs
UCE
restent inchangées)
3- tirer une conclusion
___________________________________________________________________________ 57
11- Le transistor en commutation
Le transistor fonctionne en commutation si les deux seuls états de fonctionnement sont l’état saturé
et l’état bloqué. Il fonctionne comme un interrupteur. On dit que le transistor fonctionne en « tout
ou rien». Ce mode de fonctionnement est aussi appelé digital ou binaire. Par sa capacité
d’amplification le transistor peut commander une puissance importante en ayant recours seulement à
une faible quantité d’énergie de commande (dissiper moins de puissance).
Le générateur de commande délivre des signaux en créneaux qui saturent et bloquent
périodiquement le transistor.
IC
Transistor bloqué : IC = 0, VCE = UA RC
Transistor saturé : IC = ICsat, = (UA-VCesat)/RC UA

ICsat = ß IBsat
R IB
B
Bilan des puissances VCE
Etat bloqué : Pe = VBE * IB = 0 VB
Ps = RC * IC2 = 0 U E
Etat saturé PE = VBE * IB E
Ps = RC * IC2 UE
= RC (UA / RC)2
= UA2 / RC VBE
La puissance dissipée dans le transistor :
Pt =VCesat * ICsat ≈ 0 car VCesat ≈ 0
VCE = UA
Le transistor en commutation est appelé
interrupteur commandé.
URC = UA
C
C
IB= IBsat Exemple 1
IB=0
B B
E E R1
Transistor bloqué Transistor saturé
VCC
18V
Exemple 2 : bascule Astable R2
R3
UA US
Ue
RB1
Les transistors sont supposés parfaits (VCesat = 0V) et
RC1 RB2 RC2
fonctionnent en commutation.
CI C2 Déduire US si Ue = 0v et Ue= 5v
Une bascule Astable (multivibrateur) est un dispositif qui

UC1 T1 T2 UC2
change d’état spontanément sans qu’il soit nécessaire de lui
0,7V 0,7V
appliquer une impulsion de commande. Il est généralement utilisé
en générateur de signaux rectangulaires.
___________________________________________________________________________ 58
12- Le transistor en régime variable (dynamique) : amplification
12-1 Définition
Un système amplificateur est un montage électronique qui délivre à sa sortie le même signal qu’à
l’entrée avec une puissance plus élevée.
Le signal de sortie Vs a même fréquence que le signal
Système
Ve Vs d’entrée Ve ; Vs ne doit pas être déformée (distorsion)
amplificateur
Le transistor est un amplificateur car le courant d’entrée Ib est amplifié en un courant Ic, β fois.
L’un des principaux intérêts du transistor bipolaire consiste à faire varier ses différents paramètres
électriques autour du point de fonctionnement ; on parle alors de fonctionnement dynamique.
12-2 schéma de principe

Source d’énergie externe
Le dipôle actif :
Il peut être une source quelconque de
signaux constants ou variables : tête de
magnétophone, microphone, antenne… Dipôle actif Amplificateur Charge
La charge :
C’est un dipôle passif c’est à dire un
dipôle qui absorbe de l’énergie électrique. Il peut être une ampoule, un moteur, un relais, un haut-
parleur, un autre amplificateur…
12-3 le régime de petits signaux

Considérons un transistor bipolaire polarisé en un point correspondant aux grandeurs I Bo, VBEo, VCEo
et ICo. Si on fait varier le courant de base autour de la valeur IBo on peut écrire :
iB(t) = IBo + i(t).
Une variation du courant de base induit inévitablement une variation du courant collecteur i C, de la
tension base-émetteur et de la tension VCE. De petites variations de iB engendrent de grandes
variations de iC.
Ainsi une variation sinusoïdale de VBE se traduit par des variations sinusoïdales des autres grandeurs.
NB : voir les classes

d’amplification
___________________________________________________________________________ 59
12-4 Modélisation du transistor bipolaire
a. Modèle petits signaux, basses fréquences

 Modèle π hybride
C’est le modèle le plus utilisé en basses fréquences, petits signaux car la réalisation est plus facile.
iB iC
iC
iB C h11
B
vCE + h21.ib 1/h22 vCE
vBE vBE
 h12.vCE
-
E
 v BE   h11e h12e   i B  v  h11e  i B  h12e  vCE

          BE
 iC   h21e h22e   vCE  iC  h21e  i B  h22e  vCE
v
h11e  BE vCE  0 ; h11e = VT/IB = βVT/IC ; IC = IS*eVBE/VT ; VT = kT/q ; à 25oC, VT = 26mV
iB
iC 1 I I C
h22e  i B  0 ; h22e   E  I B  cste
vCE rCE VE VCE
h21e  
v BE
h12e  iB  0 ;
vCE
Sur les fiches signalétiques, les chiffres sont remplacés par des lettres :
11  I (input); 21  f (forward)
 hie hre 
22  o (output); 12  r (reverse) D’où hije      .
e: common emitter  h fe hoe 
h11= r : résistance d’entrée
h12 : très faible (= 0)
h21= β : gain en courant
h22= 1/ρ très faible d’où ρ (résistance de
sortie) très élevée
Si l’on néglige h12 et h22 on obtient le schéma équivalent simple
ib ic
B βib C
r
vbe
vce
E
___________________________________________________________________________ 60
b- Modèle petits signaux hautes fréquences

 Modèle Giacolleto-Johnson
CB’C
B rBB’ B’ C iC
C
’
VB ' E
ic = ib    g mVB 'E ;
rB’C rB 'E
rB’E CB’E
gmVB’E rCE   I  I
gm    C  ; gm  C
rB 'E  VBE VCE cons tan te VT
E
rBB’ = résistance intrinsèque de la base. gm = transconductance.
c- Autres modèles du transistor bipolaire

 Modèle d’Ebers-Moll
Ce modèle récapitule tous les régimes de fonctionnement possible du transistor.
 Les paramètres Y
Ce modèle est aussi bien utilisé en basse fréquence comme en haute fréquence.
12-5 Schéma équivalent et paramètres dynamiques d’un amplificateur :

a- Description :
La figure (VI-1) représente le schéma synoptique d’un amplificateur. C’est un circuit
électronique à transistors destiné à amplifier la puissance d’un signal. Le signal est appliqué à
l’entrée d’un amplificateur par une source représentée par un générateur de tension eg ayant une
résistance interne Rg. La source peut être, par exemple, une antenne, un capteur ou un circuit
électronique qui fournit un signal analogique. Le générateur d’entrée (eg, Rg) est appelé
générateur de commande ou générateur d’attaque.
La charge est représentée par la résistance Ru (résistance de charge ou d’utilisation). Elle peut
être, par exemple, un haut-parleur, un système de déviation du faisceau d’électrons d’un
oscilloscope ou un circuit électronique.
L’amplification est nécessaire quand la puissance du générateur d’entrée n’est pas suffisante pour
inciter la charge. Elle peut être réalisée en amplifiant la tension d’entrée Ve ou le courant d’entrée
ie ou les deux.
L’amplification est une fonction linéaire. En augmentant l’amplitude du signal, il faut conserver
sa forme, si non, il y a distorsion de l’information portée par le signal. La distorsion est due à la
non linéarité des caractéristiques des transistors. Pour la réduire à un niveau raisonnable, il faut
utiliser les parties linéaires des caractéristiques des transistors.
b- Schéma équivalent :
L’amplificateur est donc un circuit linéaire qui fonctionne en régime de petits signaux. C’est un
quadripôle linéaire qui, par analogie avec le transistor, peut être substitué par un schéma
équivalent. Figure VI-2 et figure VI-3.
___________________________________________________________________________ 61
___________________________________________________________________________ 62
___________________________________________________________________________ 63
___________________________________________________________________________ 64
12-6 Types de montages amplificateurs à transistors

On distingue trois types de configuration : l’émetteur commun, le collecteur commun et la
base commune.
___________________________________________________________________________ 65
a- Configuration émetteur commun

Schéma + VCC
R1 RC
C2
C1
RL
Rg
R2 CE
eg RE
Schémas en dynamique
Rg Rg ib ic
RC io
RL 1/hoe
eg RB hie β.ib RC RL vo
eg vi
R2//R1
Circuit en dynamique Circuit électrique équivalent en modèle π-hybride
Caractéristiques de l’amplificateur à émetteur commun

- Gain en tension :
; ; avec
Gain en tension composite :
;
- Gain en courant :
;
Gain en courant composite:

- Impédance d’entrée : ; si
- Impédance de sortie : .
___________________________________________________________________________ 66
b- configuration en collecteur commun

+ VCC
R1
C1
C2
Rg Rg
vi R2 RE RL vi RB RE RL
eg vo eg vo
Schéma électrique équivalent en dynamique
ib Caractéristiques de l’amplificateur à colleur commun

- Gain en tension :
Rg hie
RB ; .
eg vi
βib
RE RL
vo .
Gain en courant :
; ;
.
- Impédance d’entrée : ;
c- Configuration base commune

+ VCC
R1 RC C2
En dynamique, la base est reliée à la
masseR
g
C1 Rg
RL
vo eg RE RC RL
CB
R2 RE
eg vi
___________________________________________________________________________ 67

βib
Rg
Caractéristiques de l’amplificateur à base
eg RE RC commune
vi hie 1/hoe RL vo
- Gain en tension :
ib
; avec .
Remarque : Le gain en tension est au signe près celui de l’émetteur commun.

- Gain en courant :
; ; ; ;
- Impédance d’entrée :
- Impédance de sortie :
Analyse graphique de l’amplification
Montage amplificateur à émetteur commun
On s’intéresse aux tensions sinusoïdales
___________________________________________________________________________ 68
___________________________________________________________________________ 69
12-7 Amplificateurs de puissance : Classes d’amplification

- Technologie et modélisation des transistors de puissance ;
- Technologie des amplificateurs de puissance intégrés, caractéristiques,
critères de choix, mise en œuvre ;
- Le dimensionnement des composants.
La finalité des amplificateurs est la commande des actionneurs (haut-parleurs, moteurs,

inductance, résistance, …)
Dans une chaîne d'appareils ou de circuits électroniques, toutes les modifications que doit
subir un signal sont effectuées dans les étages intermédiaires.
Les amplificateurs situés en milieu de chaîne, appelés les amplificateurs petits signaux ont
souvent pour tâche d'augmenter l'amplitude du signal ; ce qui explique pourquoi c'est le
gain en tension Av qui est déterminant et qui permet le suivi de signal à l'oscilloscope.
Les étages de puissance situés à la fin de la chaîne, apportent le gain supplémentaire en
courant. En d'autres termes, ce sont les amplificateurs de puissance qui produisent la
puissance désirée sur la résistance de charge. Cette puissance sera tirée de l'alimentation.
Généralement, un amplificateur de puissance amplifie le courant au lieu de la tension.
A- Caractéristiques d’un amplificateur de puissance

Bilan des puissances
___________________________________________________________________________ 70
Alimentation
Pf
Pe Ps
Entrée Ampli. de puissance Sortie
Pd
Pf : puissance fournie par l’alimentation,
Pe : puissance reçue à l’entrée de l’ampli.,
Ps : puissance restituée en sortie de l’amplificateur,
Pd : puissance perdue par échauffement dans les composants.
 Amplification en puissance :
 Gain en puissance :
 Conservation de puissance :
 Rendement : .
Le rendement est une caractéristique très importante de l’amplificateur de puissance. Les
puissances Ps et Pf ne doivent être trop différente.
Par convention le 0 dB correspond à une tension de 0,774V appliquée à une résistance de 600Ω
pour y développer une puissance de 1mW . (0 dB  1mW/600Ω)
___________________________________________________________________________ 71
B. les classes d’amplifications

B.1. Principe
La polarisation permet de fixer le point de repos de l’amplificateur. Le choix de position de ce
point de repos sur la droite de charge influence beaucoup le comportement du transistor lors de
son fonctionnement en amplificateur.
Les classes d'amplification sont définies par la façon dont il a été polarisé et donc d'avoir des
informations sur les caractéristiques de l'amplificateur global.
La classe de fonctionnement d'un étage amplificateur est déterminée par l'emplacement du point
de repos Q sur la droite de charge du transistor.
Soit un transistor et sa droite de charge. Selon la position du point de repos, on définit des classes
de fonctionnement différentes.
B.2. Représentation de la droite de charge, point de repos et classes
A : classe A
B : classe B
AB : classe AB
B.3. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur

De nombreux critères peuvent être pris en compte lors de la sélection d'un amplificateur. Les points
importants étant :
− La puissance de sortie ;
− Le rendement ;
− La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif ;
___________________________________________________________________________ 72
− Le gain (en tension, en puissance) ;

− La distorsion (très faible);
− La fréquence maximale de travail.
B.4. Les classes d’amplification
B.4.1 Amplificateurs de puissance classe A

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie ne comportant qu'un seul transistor. Le point de
repos se situe approximativement au milieu de la droite de charge. En fonction du signal à
amplifier, il peut donc se déplacer de part et d'autre de ce point le long de la droite de charge.
Les composants actifs conduisent pendant toute la période du signal d’entrée.
B.4.2 Amplificateurs de puissance classe B

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie comportant deux transistors complémentaires.
Le point de repos se situe à la limite du blocage de chaque transistor. Pour pouvoir amplifier les
deux alternances d'un signal sinusoïdal, il faut que l'un des transistors amplifie les alternances
positives et le second les alternances négatives. Les composants actifs conduisent durant une
demi-période du signal d’entrée.
B.4.3 : Amplificateurs de puissance classe AB

L'amplificateur est constitué d'un étage de sortie comportant deux transistors complémentaires.
C’est la structure de base de la sortie d’un amplificateur classe B, modifiée au niveau de la
polarisation.
Le point de repos se situe alors très proche de la limite du blocage des transistors. C'est-à-dire
entre la classe A est la classe B, mais plus proche de la classe B.
B.4.4 Amplificateurs de puissance classe C
L'étage de sortie est constitué d'un seul transistor. Le point de repos se situe largement dans la
région bloquée des caractéristiques de ce dernier. Seules les crêtes des alternances positives du
signal d'entrée feront apparaître un signal de sortie.
Les composants actifs conduisent durant moins d’une demi-période du signal d’entrée.
B.4.5 Amplificateurs de puissance classe D

L'étage de sortie fonctionne en commutation, c'est-à-dire entre deux niveaux de tension. La
fréquence de commutation est fixe mais le rapport cyclique de commutation est variable. Le
signal basse fréquence (BF) à amplifier est donc codé en modulation de largeurs d'impulsions
(MLI ou PWM). La fréquence de commutation est au moins d'un ordre de grandeur supérieur à la
fréquence maximum du signal BF. Ce signal est reconstitué par filtrage passe bas à la sortie.
B.5 STRUCTURE DE BASE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE
B.5.1 La classe A avec une charge résistive

On considère le cas d’un montage émetteur commun et une charge purement ohmique. Lorsque le
fonctionnement est idéal, le point de repos se situe au milieu de la droite de charge, on aura :
Le courant de repos est IC = E/2.RC et la tension de repos est VCE = E/2.
___________________________________________________________________________ 73
___________________________________________________________________________ 74
___________________________________________________________________________ 75
___________________________________________________________________________ 76
Autre montage en classe A
Fig. 3 : Fonctionnement en classe A

___________________________________________________________________________ 77
Rendement : .
Pu = puissance utile de sortie
Pf = puissance fournie par la source continue
(ηmax = 0,5 en cas de couplage par transfo)

Puissance dissipée dans le transistor au repos : .
B.5.2 La classe B
B.5.2.1 principe de la classe B
___________________________________________________________________________ 78
___________________________________________________________________________ 79
B.5.2.2 Fonctionnement du push-pull
___________________________________________________________________________ 80
B.5.2.3 Rendement en classe B
___________________________________________________________________________ 81
B.5.2.4 Distorsion de croisement

B.5.2.4.1 Phénomène de distorsion
___________________________________________________________________________ 82
B.5.2.4.2 Correction de distorsion
___________________________________________________________________________ 83
___________________________________________________________________________ 84
B.5.2.4.3. Amplificateurs intégrés
___________________________________________________________________________ 85
___________________________________________________________________________ 86
Autres raisonnements
Fig. 6.14 : Fonctionnement en classe B
 Puissance maximale du signal de sortie :

 Puissance moyenne délivrée par la source :
 Rendement :
Calcul de la puissance dissipée dans un transistor :
si
Note : au repos.
___________________________________________________________________________ 87
B.5.3. Amplificateur de classe AB

La classe AB est un compromis entre la classe A et la classe B : le point de repos de
l'amplificateur se situe entre celui d'un amplificateur de classe A et celui d'un amplificateur
de classe B.
Fig. 6.17 : Fonctionnement en classe AB pour un seul transistor
Une telle méthode de polarisation permet à la classe AB de fonctionner en classe A pour les
signaux de faible amplitude puis de se comporter comme un amplificateur de classe B pour
les signaux de forte amplitude.
Tout comme pour les amplificateurs de classe B, les amplificateurs de classe AB sont
souvent utilisés en configuration push-pull afin de diminuer le taux de distorsion lors de
l'amplification de signaux de forte amplitude.
Le principal inconvénient des push-pull de classe AB survient lorsque l'on amplifie des
signaux de forte amplitude : une partie du signal est amplifiée par deux transistors (zone de
fonctionnement en classe A) tandis que le reste du signal est amplifié par un seul transistor
(zone de fonctionnement en classe B).
Ainsi, le gain en courant du montage n'est pas constant au cours d'un « cycle »
d'amplification. Cette variation du gain en courant engendre des distorsions hautes
fréquences lors du passage entre la zone où deux composants amplifient le signal et celle où
un seul composant l'amplifie.
___________________________________________________________________________ 88
B.5.4. Amplificateur de classe C

Les amplificateurs de classe C amplifient moins de 50 % du signal d’entrée. Le taux de
distorsion est important, mais leur rendement maximum théorique est compris entre
78,5 % et 100 % suivant l'angle de conduction de l'amplificateur.
Fig. 8 : Fonctionnement en classe C pour un transistor
Pour un montage à émetteur commun, une polarisation en classe C signifie que la tension de
repos a été choisie inférieure à la tension seuil de conduction du transistor. Ainsi, le signal
ne sera pas amplifié tant qu'il ne porte pas la tension base-émetteur du transistor au-dessus
de sa tension limite de conduction (voir figure ci-dessus).
Les amplificateurs de classe C sont plus couramment utilisés dans les émetteurs radio, où le
taux de distorsion peut être réduit grâce à l’utilisation d’une charge accordée dans
l’amplificateur. Le signal d’entrée est utilisé pour faire commuter le composant actif de
passant à bloqué. Cette tension pulsée crée un courant à travers un circuit accordé. Le
circuit accordé ne résonne que pour une gamme de fréquences, éliminant ainsi les
fréquences non désirées. Le signal désiré (une sinusoïde) est alors transmis à la charge
accordée. Si la gamme de fréquences à amplifier n’est pas très importante, ce genre de
système fonctionne correctement. Les derniers harmoniques résiduels peuvent être
éliminés à l’aide d’un filtre.
Les amplificateurs de classe C sont utilisés pour réaliser des amplificateurs ultrasoniques,
hautes fréquences sélectifs et micro-ondes ainsi que des oscillateurs hautes fréquences. Les
amplificateurs de classe C sont aussi utilisés pour réaliser des multiplicateurs de fréquence.
___________________________________________________________________________ 89
Tableau comparatif des différentes classes
Classe A B ou AB C D
Avantages - un seul transistor - 2 transistors - un seul - 2 ou 4 transistors
- distorsion quasi - rendement transistor fonctionnant en
nulle compris entre 0,6 - rendement > tout ou rien,
et 0,7 0,7 - rendement élevé >
0,9
Inconvénients - rendement très montage push utilisation bande - nécessite un filtre
faible pull avec étroite de sortie passif
- consommation distorsion et point élaboré
permanente de repos difficile à - distorsion non
stabiliser optimale
Applications ampli de faible - ampli audio, - ampli sélectif - ampli audio,
puissance (<1W) - étage de sortie - multiplieur de - pilotage de moteur
d'AOP fréquence
___________________________________________________________________________ 90
V- LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP : TEC

FIELD EFFECT TRANSISTOR: FET
1- Introduction
Les transistors bipolaires, bien que toujours très utiles, sont malgré tout caractérisés par un certain
nombre de défauts :
 impédance d’entrée moyenne,
 bruit de fond important,
 amplification en puissance limitée.
 Par ailleurs, leur principal comportement, qui fait d ‘eux des sources de courant commandés
par un courant, est parfois problématique.
Les transistors à effet de champ faisant partie des transistors unipolaires sont caractérisés par :
 une très grande impédance d’entrée,
 un faible bruit de fond,
 une amplification en puissance élevée
 un comportement que l’on peut assimiler à celui d’une source de courant contrôlée en tension.
Le TEC est essentiellement un barreau semi-conducteur dont la conductance est commandée par un
champ électrique. Le TEC utilise le principe de l’action d’un champ électrique sur un canal (N ou P)
semi-conducteur. On distingue deux types :
* les transistors à effet de champ à jonction (Junction Field Effect Transistor : JFET ou FET),
* les transistors à effet de champ à grille isolée (Metal Oxyd Semi-conducteur : MOSFET)
2- Le transistor à Effet de champ à jonctions (JFET).
2-1. Constitution
Un TEC à jonction est constitué d’un ‘’canal’’ de silicium, dopé N ou P et de deux zones dopées
différemment qui l’entourent. Les deux zones entourant le canal sont reliées ensemble et forment la
grille du TEC. On a deux types : TEC à canal N et TEC à canal P.
Le transistor à effet de champ à jonctions comporte trois électrode :
 une électrode qui injecte les porteurs dans la structure : la source (source).
 une électrode qui recueille les porteurs : le drain (drain).
 une électrode ou est appliquée la tension de commande : la grille (gate).
JFET symétrique : à partir d'une épitaxie P+ N (la zone N sert de canal) et d'une diffusion P+, on
réalise un JFET symétrique à 2 grilles reliées électriquement.
2-2 Fonctionnement et symbole
___________________________________________________________________________ 91
TEC à canal N TEC à canal P
Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC) le courant est :
* créé par le déplacement d'un seul type de porteurs : les majoritaires (composant unipolaire)
* modifié par un champ électrique appliqué transversalement au sens de déplacement des porteurs.
La commande s'effectue par une tension et le courant traverse un canal 'N' ou 'P' du drain
vers la source.
JFET CANAL ' N ' : la grille de type P+. Les porteurs : électrons majoritaires d'un Semi-
conducteur 'N' traversent le canal de la source vers le drain. Le sens du courant : drain --->
source, donc le drain est à un potentiel positif par rapport à la source.
La jonction grille canal polarisée en inverse donc la grille doit être à un potentiel négatif par
rapport à la source.
JFET CANAL ' P ' : la grille de type N+. Les porteurs : trous majoritaires d'un Semi-conducteur 'P'
traversent le canal de la source vers le drain. Le sens du courant : source ---> drain, donc le drain
est à un potentiel négatif par rapport à la source.
La jonction grille canal polarisée en inverse donc la grille doit être à un potentiel positif par
rapport à la source.
Dans beaucoup de semi-conducteurs, la mobilité des électrons est plus grande que la mobilité des trous, le JFET 'N'
possède une meilleure conductance et une fréquence de coupure plus grande que le JFET 'P' de mêmes
caractéristiques. C'est pour cela, qu'en pratique, le JFET 'N' est le plus utilisé.
___________________________________________________________________________ 92
Le principe de fonctionnement du TEC canal N est le suivant : un courant de Drain ID est susceptible
de traverser le canal s’il est polarisé correctement. La jonction Grille-Source est polarisée
négativement (VGS < 0), cela crée un effet électrostatique dans le canal. Ainsi :
 Si VT ≤ VGS ≤ 0 le canal drain-source est conducteur et 0 ≤ VDS ≤ VP le canal se comporte

comme une résistance. Le courant ID est proportionnel à VDS. La valeur de cette résistance
dépend de VGS :
VT
VGS 2 RDS =
ID= IDss 1- VGS
VT -2Idss 1 -
VT
Pour VDS > VP le courant ID devient constant et indépendant de VDS. On dit qu’il y a pincement du
canal. C’est la zone linéaire du TEC. Les variations de ID sont proportionnelles à VGS.
La tension VP est appelée tension de pincement et vaut 2 à 3 V pour un JFET canal N.
 Si VGS =VT , le courant ID = 0. On dit que le canal est pincé. Cette tension VT aussi appelée
VGSoff est la tension du TEC pour laquelle aucun courant ID ne circule dans le canal.
 Si VGS ≤ VT le canal drain-source est bloqué.
Courbes
caractéristiques
Fonctionnement avec polarisation de grille.
La jonction grille-canal doit toujours être polarisée en inverse, donc pour un JFET canal 'N', la grille
doit être négative (VG < 0) par rapport à la source donc au drain (VD > VS ).
___________________________________________________________________________ 93
Le courant grille est toujours insignifiant (courant

traversant une jonction polarisée en inverse).
Pour les faibles valeurs de la tension drain source, la

zone désertée a la même épaisseur tout le long du canal,
ce dernier est de plus en plus étroit quand la tension
grille devient de plus en plus négative.
Les caractéristiques I(V) sont linéaires. La résistance

présentée par le composant devient de plus en plus
grande quand la grille est de plus en plus négative par
rapport à la source. Elle est égale à l'infini quand VG = - Vp .
Dans toute la gamme des tensions : VD faibles et 0 < VG <Vp

le JFET se comporte comme une résistance commandée
en tension.
Pour les tensions drain source plus importantes;

la jonction grille canal est de plus en plus
polarisée en inverse au fur et à mesure que l'on
se rapproche du drain. Les porteurs circulent
dans un canal de plus en plus étroit.
Dans ces conditions, le courant drain ID ne varie

plus linéairement en fonction de la tension VD.
Pour une tension VDS (tension de saturation) le
phénomène de pincement apparaît et le courant
atteint sa valeur de saturation IDS. Mais cette
valeur est inférieure à celle obtenue pour VG = 0
que l'on notera IDSS : courant de saturation
maximum.
Pour des tensions drain source notables, la

caractéristique I(V) n'est plus linéaire. Le phénomène
de saturation est obtenu de plus en plus rapidement
quand la tension grille est de plus en plus négative
___________________________________________________________________________ 94
Enfin pour VG = - Vp ou pour des valeurs plus

négatives, les deux ZCE se rejoignent sur toute la
partie du canal située sous la grille. Il n'y a plus aucun
courant : on dit que le JFET est bloqué.
La résistance entre la source et le drain est infinie et

le composant peut être considéré comme un circuit
ouvert.
En pratique, on utilise le JFET dans deux modes bien

distincts :
* en zone linéaire où il sert de résistance commandée en

tension.
* en zone de saturation où nous allons voir qu'il peut être

considéré comme un générateur de courant commandé par
une tension.
Caractéristique ID(VDS) et valeurs limites.
VG = -0,5 V
Caractéristique statique du JFET classique.

___________________________________________________________________________ 95
Valeurs limites :
Pour un fonctionnement fiable, les JFET ne doivent pas supporter des valeurs supérieures aux
limites fournies par le constructeur qui sont :
 ± VDmax : tension maximale drain-source (45 V.).

 IGmax : courant grille maximal en cas d'une polarisation directe de la jonction grille canal (très
exceptionnel : 10 mA).
 VGmax : tension maximale de grille (- 30 V).
 PMax : puissance maximale dissipable = V D ID (qq. 100 mW)
Zones linéaires de la caractéristique statique.
 ID varie linéairement en fonction de VD (région linéaire).

 ID = f(VG ), plus la tension grille devient négative, plus la conductance diminue. Le composant
se comporte comme une résistance commandée en tension.
 Quand Vp - VG = Vp0, la résistance drain-source est devenue infinie, le canal est fermé.
2-3 Polarisation d’un TEC à jonction
Polariser un TEC revient à l’inclure dans un montage de telle sorte que son point de fonctionnement,
en régime continu, soit situé dans sa zone de fonctionnement linéaire. Il faut avoir V DS>VP. Si la
tension VGS est donnée, la caractéristique ID = f(VDS) est déterminée parmi toutes les courbes du
réseau.
ID
VDD VDD/RD zonelinéair
e
ID
VGS
IG = 0
VDS
VGS<0 VDS
0 Vp VDD
___________________________________________________________________________ 96
2-4 Modélisation des transistors à effet de champ

a- Petits signaux basse fréquence D
D G
G
vGS gmvGS
vGS gmvGS rDS
S
S
Modèle élaboré Modèle simplifié

I DSS  VGS 
Pente gm = 2 1  '  ; V P' = - VP
VP  VP 
b- Modèle petits signaux Haute fréquence

CGD
D
G
CGD
G D
CGS’ gmvGS rDS

vGS CGS gmvGS rDS
S’
vGS
S
rSS’
Modèle simplifié
S
Modèle élaboré
c- Ordres de grandeur de TEC à jonction

Paramètres gm rDS CGS, CGD CDS rDD’, rSS’
J-FET 0,1 à 10 mA/V 100 KΩ à 1 MΩ 1 pF à 10 pF < 1 pF 10 Ω
MOS - FET 0,1 à 20 mA/V 10 KΩ à 50 KΩ 1 pF à 10 pF < 1 pF 10 Ω
3- Le transistor à Effet de champ à grille isolée (MOSFET).
3-1 Définition
Le transistor MOS est le composant le plus employé de nos jours. La première description du
transistor IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transistor ) a été réalisée en 1926.
Le Transistor à Effet de Champ à Métal Oxyde Semi-conducteur (MOSFET : Metal Oxyde Semi-
conducteur Field Effect Transistor) a sa grille isolée du canal par une couche de dioxyde de silicium
(SiO2).
___________________________________________________________________________ 97
3-2 constitution et symbole
Le transistor MOS possède 4 électrodes : la Source (Source) S: point de départ des porteurs, le
Drain (Drain) D : point de collecte des porteurs, la Grille (Gate) G et le Substrat (Body) B sont les
électrodes de la capacité MOS qui contrôle le nombre de porteurs présents dans le canal.
Très souvent les électrodes de source et de substrat sont électriquement reliées, on retrouve un
composant à 3 électrodes dans lequel le courant entre le Drain et la source I DS est commandé par
une tension entre la grille et la source (potentiel de source = potentiel de substrat) : V GS.
Les deux types fondamentaux de MOSFET sont les MOSFET à appauvrissement (Depletion) D-
MOSFET (leur canal est conducteur si VGS=0), et les MOSFET à enrichissement (Enhancement)
E-MOSFET (leur canal est bloqué si VGS=0).
Dans chaque type de MOSFET, on peut distinguer le MOSFET canal N (le courant provient du
déplacement d'électrons) et le MOSFET canal P (le courant provient du déplacement de trous).
MOSFET à appauvrissement canal N (D-MOSFET)
Dans le cas du D-MOSFET canal N, si on applique une tension négative sur la grille par rapport au
substrat, les électrons sont repoussés et la conductivité du canal diminue.
MOSFET à appauvrissement canal P
Dans le cas du D-MOSFET canal P, si on applique une tension positive sur la grille par rapport au
substrat, les trous sont repoussés et la conductivité du canal diminue.
___________________________________________________________________________ 98
3-3 Fonctionnement
Les transistors MOS à appauvrissement sont passants sans tension de commande sur la grille
(NORMALLY ON), ils deviennent de moins en moins conducteurs au fur et à mesure que la tension de
commande augmente pour finalement se bloquer au-delà d'une tension de blocage VGSoff .
Canal N
canal P
___________________________________________________________________________ 99
Régime d'appauvrissement : Canal N : VGS < 0 ; Canal P : VGS >0
Peut travailler en régime d'enrichissement.
VGS commande IDS (courant commandé par une tension).
Blocage (IDS = 0) pour VGS = VGSoff .
IDSS est obtenu pour VGS = 0
Caractéristiques statiques assez semblables à celles du JFET sauf que l'on peut avoir I DS > IDSS .
Relations usuelles :
; transconductance
avec
4- Transistor à effet de champ en commutation
Les TEC peuvent fonctionner en commutation. Ils sont ainsi à la base de la réalisation de circuits
logiques, notamment les circuits CMOS et présentent un grand avantage par rapport aux transistors
bipolaires. Car ils ont une très grande impédance d’entrée et sont commandés en tension.
 En ce qui concerne le JFET canal N, on considérera que le transistor est bloqué si V GS = -5V
et qu’il est conducteur (court-circuit entre drain et source) si on a VGS = 0V.
 Pour le JFET canal P, on considérera que le transistor est bloqué si V GS = 5V et qu’il est
conducteur (court-circuit entre drain et source) si on a VGS = 0V.
 Le MOSFET canal N est bloqué pour VGS = 0V et conducteur pour VGS = 5V.
 Le MOSFET canal P est bloqué pour VGS = 0V et conducteur pour VGS = -5V.
Les TEC sont, par ailleurs, réputés plus lents, en terme de commutation que les transistors
bipolaires.
5- Modèle équivalent
D S
TEC bloqué interrupteur ouvert
D S
TEC Pincement Source de courant ID = gmVGS
D S
TEC saturé interrupteur fermé
D S
TEC résistif Résistance RDS RDS
___________________________________________________________________________ 100
6- Caractéristiques techniques
VT : tension de pincement du transistor (parfois notée VGSth).

RDSon : Résistance minimale entre Drain et Source lorsque le TEC est saturé.
IDSS : Courant entre Drain et Source lorsque VGS = 0V.
VDSon : tension entre Drain et Source lorsque le TEC est saturé.
gm : Transconductance du TEC en siemens (S).
β : gain en courant du transistor TEC (aussi appelé HFE).
ton/toff : Temps de commutation (passage de bloqué à saturé et saturé à bloqué).
PD : Puissance maximale dissipée par le TEC (permet de dimensionner le dissipateur thermique si
besoin est).
VGSbr : Tension maximale entre Grille et Source.
Applications des TEC : Préamplificateur, Amplificateur de petits signaux, Modulateur tout ou rien, Commutateur
7- AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS UNIPOLAIRES

a- Montage à source commune
+ VDD
RD C2
Rg C1 Rg G D
iin
RL vo eg RF RD
RL vout
eg vi RF RS vgs r ds
CS iL
S
- gain en tension :
; ;
- gain composite en courant :
; . .
- Impédance d’entrée : .
b- Montage drain commun
___________________________________________________________________________ 101
+ VDD Circuit équivalent en dynamique

Rg G
Rg C1
C2 iin
vin vgs S
eg eg RF iL
vin RF RS RL
vout RS RL vout
rds
Caractéristiques de l’amplificateur drain commun

- Gain en tension :
, avec .
; . .
- Gain en courant :
; . .
_ Impédance d’entrée : .
- Impédance de sortie :
c- Montage grille commune

+ VDD
RD C1 Circuit équivalent en dynamique

gmvgs
Rg S D
C2 Rg
RL vout eg RS vin vgs rds RL vout
RF RS
RD
CG eg
G
Caractéristiques de l’amplificateur à grille commune

- Gain en tension :
; .
.
- Gain en courant : .;
;
- Impédance d’entrée : . - Impédance de sortie : .
___________________________________________________________________________ 102
Sources de références
V-1 Sources de tension :
- Montages à diodes Zener, diode Zener et transistor, régulateurs intégrés de
tension.
1- Principe
Un générateur de tension constante débite une tension constante quel que soit la charge.
L’application la plus courante des circuits à diodes est l’alimentation.
Tout montage électronique nécessite une alimentation continue. Lorsque la puissance
nécessaire est faible, on peut utiliser des piles ou des accumulateurs. Au-delà de quelques
watts, il faut prélever l’énergie du secteur à l’aide d’un convertisseur alternatif-continu.
On distingue deux types d’alimentation :
- les alimentations à régulation linéaire,
- les alimentations à découpage.
Dans la suite, nous nous intéresserons aux alimentations à régulation linéaires.
a- Alimentation à régulation linéaire

La conversion de l’énergie électrique d’une forme sinusoïdale en une forme continue se
décompose en plusieurs étapes.
- Abaisser : permet de passer d'une tension sinusoïdale de valeur élevée à une tension de
même forme mais de valeur plus faible.
- Redresser : ne garde que la partie positive (ou négative) de la sinusoïde d'entrée.
- Lisser : cette fonction a pour rôle de maintenir la tension de sortie supérieure à une
certaine valeur.
- Réguler : La tension de sortie de cette fonction doit être constante quel que soit le courant
demandé.
b- Régulateur de tension fixe

Les régulateurs intégrés permettent de disposer d'une tension régulée à + ou - 5 % sous un
courant de 1A (en boîtier TO3), ceci en positif ou en négatif.
Elles disposent de nombreux avantages :
- limitation interne du courant de sortie, évitant la destruction par court-circuit,
- limitation en fonction de la température du circuit en cas de mauvais refroidissement,
- facilité d'emploi.
___________________________________________________________________________ 103
Il faudra prévoir en entrée du régulateur une tension UO tel que : UO supérieure ou égal à U
régulée + 2 à 3V. Les schémas de branchement sont donnés ci-dessous :
Le schéma des brochages est donné ci-dessous :
La diode branchée en parallèle inverse sur les régulateurs permet la décharge des
condensateurs à l'arrêt, sans passer par les circuits internes des régulateurs, qui pourraient
être endommagés sans cela.
c- Le LM 317
C'est un circuit intégré, régulateur de
tension positif ajustable de 1,2 V à 37
V avec un courant maximum de 1,5 A.
Il faudra simplement la tension
différentielle (entre l'entrée et la
sortie) qui devra être comprise entre
3 V mini et 40 V maxi.
Le brochage et le schéma de montage
sont donnés dans la figure ci-dessous
:
___________________________________________________________________________ 104
La tension de sortie sera donnée par la relation : ; avec Vref comprise

entre 1,2V et 1,3V. On prendra Vref typique =1,25V.
Exemple : En prenant R1=240 ohms et R2=5 kΩ, Us pourra varier entre 1,25V et 28V pour Ue
comprise entre 31 et 41V.
Le LM337 est identique au LM317 mais fournit une tension négative.
2- STABILISATION EN TENSION
Tension de sortie : US
US = UZ – VBE
UZ = constante IC IC + IB
 US = constante
IS
VBE = constante RP
VBE
IB
Courant de sortie : IS
RC
UA US
IS = IB + IC = IB + βIB = IB (1+β)
Uz
Puissance de sortie : PS
PS = US * IS
Puissance dissipée dans le transistor ballast :

VCE = UA - US
IC ≈ IS = PS /US  Pt = (UA - US)/US * PS
Pt = UCE * IC
IC IC +IB
β = 100
Application numérique IS
RP VBE
Calculer la puissance de sortie, la puissance 200 0.7V
dissipée dans le transistor et le rendement UΩA
IB
US
RC
30V 10V
Uz
10.7V
Conclusion
-La puissance dissipée dans le transistor est très élevée
-Le rendement est très faible
Pt = (US – UA) / IS  le seul moyen de diminuer la puissance Pt dissipée dans le transistor ballast est
de réduire l’écart (US – UA) mais (US – UA) doit être assez grand pour que ni les fluctuations du
secteur ni les crêtes minimales des ondulations ne puissent amener U S en dessous de la valeur
imposée.
___________________________________________________________________________ 105
MONTAGE EMETTEUR SUIVEUR : DARLINGTON
Les transistors de puissance ont un β faible et les transistors ayant un β élevé sont de faible
puissance. Or un ballast prévu pour une alimentation doit avoir à la fois un β élevé et une forte
puissance. Ces 2 conditions contradictoires sont réunies dans le montage DARLINGTON.
C IC IE E
T2 IC IE E
C
T1 IB
B
IB
B T1: β élevée et Pt faible
T2: β faible et Pt élevée
Ic = β1 β2 IB
Remarque : DARLINGTON à transistor complémentaire

Pour une alimentation négative on utilise un montage à DARLINGTON à transistor complémentaire
C IC IC
IE IE
T2 C E
E
T1 IB
T1 = PNP de puissance B
T1 = NPN avec β élevé
IB
Ic = β1 β2 IB
B
3- LIMITATION D’INTENSITE
Si la charge branchée à la sortie à une résistance inférieure à une certaine limite, P T augmente et
l’échauffement qui en résulte détruit le ballast. Cela devient évident si la sortie est court-circuitée.
PT = (UA – US)*IS
 PT =(UA – US)* √PS/RC
IS = √PS/RC
si RC √PS/RC  PT
___________________________________________________________________________ 106
Il faut alors limiter le courant I S, le schéma ci- dessus montre un moyen très simple pour limiter le
courant. r
IC IC + I B ≈ IS La résistance r est ajustée de telle
T2
IS manière que lorsque l’intensité
RP VBE2 VBE1
maximale est atteinte la tension à
IB
T1 RC
ses bornes soit juste supérieur à la
UA US
tension de seuil de la base de T1.
Uz VBE1 = ISmax * r
Si IS < Ismax , Ur = IS * r < VBE0 de T1  T1 est bloqué et T2 fonctionne normalement.

Si IS ≥ Ismax , Ur = IS * r ≥ VBE0 de T1  T1 conduit et prélève le
courant de base de T2 et IS diminue de β2 * (courant prélevé)
Exemple : avec un β2 = 800 et pour un courant prélevé de 1mA IS
US
diminue de 1mA * 800 = 800mA = 0,8A
Le système se stabilise lorsque la tension de sortie a
suffisamment baissé pour que le courant US/RC débité dans la
charge ne dépasse pas Ismax.
IL IS
Ce montage est appelé régulateur
Exemplede calcul : IS= 2A, VBE = 0.7V
Ur = 0.7V = r*Ismax  r = 0.7V/2A = 0.35Ω
Is < Ismax T1 bloqué  T2 fonctionne normalement
Is = Ismax  T1 conduit  IB  Is
4- LES REGULATEURS INTEGRES
Pour la conception des alimentations régulées simples on fait recours aux régulateurs intégrés qui
offrent une facilité de montage. Ils sont munis de trois bornes :
E = entrée, S = sortie, R = référence.
LES REGULATEURS A TENSION DE SORTIE FIXE

C’est la série 78xx, 79xx
78XX = régulateur de tension positive 78XX
79XX = régulateur de tension négative
XX = tension de sortie US
Exemple : 7812 = régulateur de tension positive
positive de 12V
R
E S
___________________________________________________________________________ 107
Exemple de montage avec les séries 78XX et 79XX

D2
78XX
-UE
-US
D1
UE
US
D1
79XX
D2
régulateur de tension régulateur de tension

positive négative
D1 = protection contre les charges inductives
D2 = protection contre les charges capacitives
Alimentation symétrique à régulateur intégré

D2
F
78XX
UE
US
D1
C1 C3 C5
INT
-UE
-US
D1
TR redresseur C2 C4 C6
79XX
D2
___________________________________________________________________________ 108
alimentation 12V avec régulateur à composants discrets

T2
12V
int fusible D1 D2 r
RP T1
C
US
220V
TR T3
D3 D4 DZ
0V
alimentation 12v avec regulateur intégré
7812
12V
int fusible D1 D2
US
220V
TR D3 D4
0V
V-2 Sources de courant :

- Miroirs de courant à transistors bipolaires, à MOSFET.
Un générateur de courant constant débite un courant constant quel que soit la charge.
Exemple 1 : source de courant constant

Supposons IB très faible donc négligeable :
UR2 = --------------------------------------
La tension aux bornes de RE est donc : RC US
URE = ------------------------------- R1
Le courant qui traverse RE est donc :
I0 = --------------------------------- UE IC = I0
IB
UE et UBE sont constantes  I0 est constant
et est indépendant de RC
Application numérique. UBE
UE = 12V ; UBE = 0,7V ; R1 = R2 = 10K ; RE = 1K. R2

RE
I0 = ---------------------------------
En réalité, lorsque RC augmente, US augmente.
___________________________________________________________________________ 109
Or UE = -----------------------------------------
avec UEM et UE constantes.
Obligatoirement UCE va diminuer et atteindre VCEsat (≈0,3V) : Le transistor est donc saturé. Si VCE
diminue au dessous de VCEsat le transistor se bloque. On peut alors écrire :
US = UE – URE - VCEsat = UE – REI0- VCEsat.
Soit pour l’exemple : US = -------------------------------------------------------------------------------
La valeur limite de RC est donc :
Rclim = US(quand T est saturé)/IO = ---------------------------------------------------------------------
Conclusion :
Exemple 2 : source de courant constant

Le schéma représente une source de courant constant ayant
une borne commune avec la masse et est construit avec un
transistor PNP. RE
URE = ---------------------------------- DZ
VBE
L’intensité régulée :
I0 =------------------------------------
La tension limite UE
IS = I0
UL = -----------------------------------
R
La charge limite
RCL =----------------------------------- RC US
Avantages de ce montage :
La diode Zéner stabilise mieux la tension de base du transistor
donc I0 est plus constant quand RC varie.
___________________________________________________________________________ 110
Exemple 3 : Miroir de courant à transistor

Les transistors T1 et T2 sont identiques et T1 joue le rôle d’une diode.
T1 et T2 sont identiques  VBE1 = VBE2 et
URE1 = URE2 donc : IS
RE1 * I1 = RE2 * I2  I2/I1 = RE2/RE1.
Les courants I1 et I2 sont dans un
rapport constant. RC
R
Le courant I2 peut être commandé par US
le courant I1 en modifiant R : on obtient

ainsi une source de courant commandé.
I1 I2
Si RE1 = RE2 alors I1 = I2 , le dispositif UE
s’appelle miroir de courant T1 T2
VBE1
VBE2
RE1 RE2
___________________________________________________________________________ 111

1 Electronique Analogique - 1 - 1ere Année - UTM

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UNIVERSITE DE TECHNOLOGIES ET DE

Option : 1ère année EII, ELT, MI, RT

UE : Electronique analogique 1 (L1)

Enseignant : COULIBALY Souleymane, tel : 70 75 88 39 ou 68 76 42 77

Année académique : 20…-20…

I. Rappel : Structure de la matière et composants passifs

Le corps simple: Est formé de 1 ou plusieurs atomes semblables.

Le corps composé: Est formé d’atomes différents.

Le soleil =======> Le noyau.

exemple: Un atome d’oxygène: Un noyau et 8 électrons sur 2 couches.

Electrons: Particules chargées négativement.

Protons: Particules chargées positivement.

Neutrons: Particules non chargées.

nota: Le noyau renferme les protons

La couche périphérique la plus éloignée du noyau donne à l’atome ses propriétés

3) Classement des corps :

On classe les atomes à partir du nombre d’électrons sur la couche périphérique

Les atomes ayant 5, 6 ou 7 électrons deviennent des “ ions négatifs ” car

Les atomes ayant 4 électrons périphériques sont des semi-conducteurs (Silicium

Si un conducteur est plaçé entre 2 bornes d’une battérie chargées,

C’est la migration d’électrons entre les atomes du conducteur

5) Sens conventionnel du courant:

Le sens conventionnel du courant est l’inverse du sens

Le sens conventionnel a été adopté arbitrairement et

Si une quantité Q traverse une section d’un conducteur pendant le temps T ,

La résistance électrique d’un conducteur est sa propriété de réduire l’intensité du

Résistances à bandes de couleurs

Résistances réglables (Potentiomètres)

Résistances montées en surface (mini-résistance)

 Les composants passifs consomment de l’énergie. Ils fonctionnent comme récepteur.

Résistance Condensateur Inductance Relais

 Les composants actifs produisent de l’énergie. Ils fonctionnent comme générateur.

NB: les types de composants et leurs formes ou boitiers.

C’est la différence de charge électrique entre deux points A et B.

Elle s’exprime en volts : V

10) Loi d’ohm généralisée :

La différence de potentiel ou tension est égale à la résistance multipliée par l’intensité.

U = R*I ===> I = U /R ======> R = U/ I

U en Volts (V), R en Ohms (Ω), I en Ampères (A)

I = 5 Ampères I = 0,2 Ampères U = 12 Volts

U= 75 Volts R= 3 Ohms I = 4 Ampères

11) Unités de mesure électriques et équivalences:

1 MV (mégavolts) = 1 000 000 Volts

1 M (mégaohms) = 1 000 000 Ohms

1 MW ( mégawatt) = 1 000 000 Watts

Rtotale = U/I ====> Rtotale = 12/2 = 6 Ohms

Calcul des tensions correspondantes:

Le courant principal est égal à la somme des courants dérivés.

Les courants dérivés sont inversement proportionnels aux résistances

La résistance équivalente est toujours inférieure à la plus faible

I = U/R , I1 = U/R1 , I2 = U/R2

1/R = 1/R1 + 1/R2 d’où R = R1*R2/(R1+R2)

exercice: UAB = 12 Volts ; Itotal = I = 6 Ampères ; R1 = 3 Ohms.

Calculez I1; I2 ; R2; R équivalente.

Calcul de I1: UAB = R1 x I1 ===> 12 volts = 3 x I 1 ====> I1 = 4 Ampères

1/R = 1/R1 + 1/R2 = 1/3 + 1/6 d’où R = 3 Ω

Circuit série Circuit Parallèle

II- Semi-conducteurs et jonction PN

a) Les niveaux d’énergie

* Bande de valence Bande de conduction

* Bande interdite : c’est la bande ou aucun électron ne peut se trouver.

b) Les semi–conducteurs extrinsèques

Tableau des principaux semi–conducteurs dopeurs