Chap 1 Composant Électrinuqe

MODULE : Electronique
Fonctions fondamentales
de l’électronique
Pr. Mohamed LAMHAMDI

Ecole nationale des sciences appliquées Berrechid
DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

MODULE : Electronique Description du module
Contenu Elément du module

• Structure de base à éléments discrets,
• Circuits à diodes (redressement simple alternance et double alternance…)
• Composants intégrés pour l’amplification,
• Amplification de puissance,
• AOP en mode non linéaire,
• Comparateurs, triggers,
• Astable à AOP et à portes logiques,
• Générateurs de signaux triangulaires.

MODULE : Electronique Description du module
Contrôle 1 40% , Contrôle 2 40% , TP 20%.
Note minimale requise pour la validation du module :
J Moyenne de validation de module 12/20
N Note du module supérieure ou égale à 07/20

MODULE : Electronique Organisation de la formation
Chapitre 1 : Composants électroniques
Chapitre 2 : Les quadripôles ;
Chapitre 3 : Circuits à amplificateurs;
Chapitre 4 : Amplificateurs de puissance ;
Chapitre 5: Amplificateur opérationnel
Chapitre 6 : Contre réaction;
Chapitre 7 : Oscillateurs sinusoïdaux;
Chapitre 8 : Oscillateurs non sinusoïdaux

Chap. 1 : Composants électroniques
Chapitre 1 : Composants électroniques
Pr. Mohamed LAMHAMDI

Ecole nationale des sciences appliquées Berrechid

Chap. 1 : Composants électroniques
q Composants discrets
- Quelques définitions élémentaires
- Résistance électrique
- Condensateur
- Inductance
- Diode
q Les transistors
- Le transistor bipolaire
- Le transistor a ̀effet de champs
q Composants d’ électroniques de puissances
- Diode
- Thyristor
- Triac
q Composants numériques
- Électronique analogique contre électronique numérique
- Les circuits intègres logiques
- La technologie TTL
- La technologie MOS
- Principe de fonctionnement

Chap. 1 : Composants électroniques Composants discrets
Quelques définitions élémentaires : Analyse fréquentielle
La plus part des signaux manipules en électronique analogique sont de nature

variable : variation en fonction du temps. Ainsi, on considère alors les différents
circuits électroniques comme étant principalement en régime dynamique.
En effet, classiquement, on peut distinguer deux types d’analyse :

• Étude statique : analyse des composantes continues ou en valeur moyenne ;
• Étude en régime dynamique : où on s’intéresse aux variations, eg. en fonction
du temps.
Pour l’analyse dynamique des circuits l’étude des grandeurs variables dans leurs
expression temporelles est souvent assez peu pratique.
Différents “outils” de l’électronique analogique permettent d’étudier, analyser,

manipuler des grandeurs variables, dont notamment :
• Notations temporelle : v(t) = f (i(t)) (souvent peu pratique) ;
• Notations complexe : v = z ·i ;
• Notations fréquentielle : v(jω) = Z(jω)i(jω) ou v(p) = Z(p)i(p)

Quelques définitions élémentaires : Le régime harmonique
Dans le cadre des régimes variables, on s’intéresse aux signaux électriques

périodiques, et plus particulièrement aux grandeurs sinusoïdales. Un signal sinusoïdal
se définit par :
il est caractérisé́ par :
• Pulsation w liée a la fréquence
• Phase à l’origine
• Amplitude
• Valeur moyenne
• Valeur efficace
Quelques définitions élémentaires : Représentation d’une grandeur sinusoïdale
La forme temporelle des grandeurs alternatives sinusoïdales est souvent peu pratique
à manipuler. Il existe d’autres représentation plus “simple” pour les manipuler
La représentation de Fresnel
La représentation de Fresnel permet, à l’aide d’une
construction géométrique simple, de soustraire, de
dériver et d’intégrer plusieurs fonctions alternatives
sinusoïdales de même pulsation ω.
À toute grandeur alternatives sinusoïdale fonction du temps :
on associe le vecteur de Fresnel :

dans le plan de Fresnel tournant à la pulsation ω.
La représentation complexe
À tous signaux alternatifs sinusoïdaux on peut associés l’amplitude complexe :
Cette notation contient uniquement les renseignements sur la phase et le module

de y(t).
En effet
Les résistances électriques
Définition: Une résistance R est un dipôle (composant à deux bornes) linéaire passif.
La tension u(t) à ses bornes est proportionnelle au courant i(t) qui le traverse (loi d’Ohm).
La résistance dépend à la fois des dimensions du conducteur et de sa nature.
Caractéristiques technologiques
Les principales caractéristiques des résistances :
• Valeurs ohmiques les plus utilisées entre ∼ qqs. 10 Ω à qqs. 1 MΩ
• La tolérance et précision, exprimée en % ;
• Valeurs normalisées : les séries Exx ;
• Dissipation de puissance;
• Coefficient de température, α :
Technologies
Les différentes technologies de base des résistances sont les suivantes :
• Résistances bobinées : enroulement d’un fil conducteur autour d’un noyau
• Résistance à couche de carbone : couche de carbone déposée.
• Résistances à couche métallique : évaporation sous vide d’un métal qui se dépose
sur un support en céramique.
• Résistances CMS (marquées d'un code numérique de trois ou quatre caractères).
• Les potentiomètres
Comportement réel
Une résistance n’est jamais pure : elle est légèrement capacitive, ou inductive, ou les deux à
la fois. La fréquence, la résistance voire l’inductance devront être choisies pour que
l’impédance de la résistance réelle soit proche de la valeur R souhaitée.
Les résistances électriques
Effet Joule
Un conducteur parcouru par un courant consomme une énergie électrique et la
transforme en chaleur. La puissance correspondante (qui correspond à un débit
d’énergie) s’exprime par l’une des trois formules, équivalentes grâce à la loi d’Ohm :
Tolérance et séries normalisées

La valeur des résistances à couche standard
est habituellement indiquée sur le composant
sous forme d’anneaux de couleurs. Le code en
est défini par la norme 1 CEI 60757
tolérances (en %) de fabrication: la résistance réelle est un peu différente. Les

constructeurs donnent une fourchette dans laquelle peut se trouver cette valeur.
L’intervalle est défini par un pourcentage de la résistance nominale qui indique l’ écart
maximal, en plus ou en moins, qu’il peut y avoir entre la valeur réelle et la valeur
nominale.
Condensateur
Définition:
Un condensateur est un dipôle linéaire passif constitué de
deux armatures séparées par un diélectrique( isolant).
Sous l’action d’une tension u(t) des charges vont
s’accumuler les unes en face des autres.
La capacité́ C dépend à la fois de la géométrie
des armatures et de la nature du diélectrique.
Énergie emmagasinée
De point de vue énergétique, le comportement du condensateur est bien diffèrent de
celui de la résistance. Alors que cette dernière dissipe l’énergie électrique en la
transformant en chaleur, le condensateur emmagasine l’énergie électrique quand il se
charge et la restitue lorsqu’il se décharge.
Comportement réel
Un condensateur ne présente jamais une capacité́ pure. En particulier, il y a toujours
des pertes dans le diélectrique. Ces pertes sont modélisées en première approximation
par une résistance R placé soit en série, soit en parallèle de la capacité́ C.

Condensateur
Tolérance et séries normalisées
• Lorsqu’un code couleur est affiché sur un condensateur, comme pour les résistances, le
code couleur suit la norme CEI 60757 (unité pF ou μF)
• Les condensateurs électrolytiques ou tantales, la valeur ainsi que la tension d’utilisation
est souvent marquée en clair,
• La tolérance des condensateurs est indiquée par une lettre entre B et Z
Caractéristiques technologiques
• La valeur de la capacité́ ;
• La tension d’utilisation/nominale ;
• La tolérance (en %)
• Coefficient de température, α
• Pour les condensateurs polarisés : leur polarité́ ;
• Type de diélectrique, les pertes, etc.
Différentes catégories
enroulés ou a film plastique
céramiques
électrolytiques
Condensateurs CMS

Inductance
Définition
Une bobine est formée d’un fil enroulé soit dans l’air, soit sur un
noyau magnétique. Un conducteur parcouru par un courant i(t)
crée un champ magnétique, de flux Φ, tel que :
L est l’inductance de la bobine dépend de la géométrie, du nombre de

spires N, du circuit magnétique .
La loi de Lenz-Faraday relie le flux Φ à la f.é.m. u :

La caractéristique électrique d’une bobine est alors donnée par :
Energie emmagasinée
Une bobine emmagasine de l’énergie sous forme électromagnétique lorsqu’elle est parcourue
par un courant. L’énergie emmagasinée dans une bobine traversée par un courant i à
l’instant t:
La puissance fournie à l’inductance
Comportement réel
• Une bobine idéale n’aurait aucune perte d’énergie, mais en réalité́, le conducteur employé́ pour
l’enroulement a aussi une résistance qui entraine des pertes par effet Joule.
• L’utilisation d’un noyau magnétique permet de réduire le nombre de spires pour une
inductance donnée, donc les pertes par effet Joule.

Inductance
Caractéristiques principales des inductances
Les symboles
• La valeur de l’inductance ;
• La résistance des pertes ;
• Le courant admissible;
• Coefficient de température, α
Différentes catégories
Bobines à air
• Faible inductance
• Saturation magnétique limitée
• Utilisée pour les hautes fréquences
Bobines à noyau de ferrite

Diode
Définition:
La diode est un dipôle passif non linéaire et polarisé : il ne
laisse circuler le courant électrique que dans un sens.
Les diodes sont simplement constituées d’une “jonction PN”.
Diode suivant son sens par rapport à un courant électrique se présente sous deux aspects
• Direct (ou passant) : sens qui laisse passer le courant
• Inverse : sens qui bloque le passage du courant
Caractéristiques électriques
Caractéristique courant/tension d’une jonction PN
“classique” obéit selon la loi exponentielle suivante :
• Courant de fuite : Ir < 1μA (Ir augmente avec la température)

• Tension thermodynamique (ou thermique) :
VT = kT /q
q = 1.6·10−19 C charge de l’électron
k = 1.38·10−23 J/K constante de Boltzmann •
T : la température en Kelvin (K)
Diode
Comportement réel
• Zone de claquage inverse par effet Zener ou
Avalanche.
• Elle est définie par la tension inverse Vr, souvent
dénotée “P.I.V.” (Peak Inverse Voltage) ou
“P.R.V.” (Peak Reverse Voltage).
• Risque de destruction pour une diode non conçue
pour fonctionner dans cette zone !
• Comme tout composants, les diodes peuvent dissiper qu’une certaine quantité́ de
puissance :
• Tous les composants à base de matériaux semi-conducteurs sont très sensibles aux
variations de température
• La diode est un composant passif non-linéaire, à ce titre, il existe différents modelés
linéarisant le comportement de la diode selon son état.
Caractéristiques principales
• Courant admissible (Ifxx);
• La tension inverse maximale (Vrxx) ;
• Puissance de dissipation;
• Rapidité́ : temps de recouvrement inverse, temps de commutation ;
• Capacité́;

Diode
Les différentes types de diodes
La diode Schottky
• La jonction PN est remplacée par un contact métal-semi-
conducteur.
• Les caractéristiques obtenues sont voisines de celles d’une diode,
avec tension de seuil beaucoup plus faible.
• Il n’y a pratiquement pas de charges stockées, d’où leur réponse
rapide.
La photodiode
• En l’absence de photon, la photodiode fonctionne comme une
diode classique.
• L’absorption de photons d’énergie suffisante augmente le
courant dû aux p.c.m
La diode électroluminescente (light-emitting diode – LED )

Principe inverse des photodiodes : par recombinaison d’un électron et d’un trou dans un semi-
conducteur un photon est émis.
• Une LED est une jonction PN qui lorsqu’elle est polarisée en sens direct va émettre de la
lumière.
• L’intensité́ lumineuse, Iv, est proportionnel au courant circulant dans la LED : Iv = k.Id

Diode
Les différentes types de diodes
La diode Zener
Semblable aux diodes classiques, en rajoutant un nouvel état :
passant inverse,
∀ Id < 0, alors Vd = −|Vz|
Vz : tension à laquelle apparait l’effet Zener.
Les diodes Zener sont employées :
• Comme référence de tension, (Ex: alimentations stabilisée)
• Pour réguler la tension dans un circuit.
La diode varicap
Polarisée en inverse, elle fonctionne comme un condensateur
dont la capacité́ est ajustable en fonction de la tension
(négative) appliquée.
La diode à effet tunel

• Dans la diode tunnel, le dopage des couches P et N est si
important que la tension de claquage est égale à 0 V.
• Elle conduit en inverse, mais lors de son utilisation en
direct, l’effet tunnel se produit : il apparait une résistance
différentielle négative rdiff.
Chap. 1 : Composants électroniques Les transistors
Définition
Le transistor est le composant clé́ de l’électronique, composant a trois bornes
c’est aussi un composant électronique actif non-linéaire.
Utilisations:
• Comme interrupteur dans les circuits logiques
• Comme amplificateur de signal ;
• Pour stabiliser une tension, moduler un signal
• Nombreuses autres utilisations.
Différentes formes :
• Soit comme composant discret ;
• Soit sous forme de circuit intégré (CI),
• Soit faisant partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques unités (ex.,
AOP) à quelques millions de transistors par circuit (ex., microprocesseurs)

Transistor : élément clé de l’électronique
Il peut :
Amplifier un signal (amplificateur de tension, de courant, de puissance,...)
Etre utilisé comme une source de courant
Agir comme un interrupteur commandé (essentiel pour l’électronique
numérique)
On distingue :
Transistor bipolaire (source de courant commandé par un courant)
Transistor à effet de champ (source de courant commandé par une tension)

Transistor bipolaire
Transistor Bipolaire = Deux jonctions PN en tête-bêche qui se partagent la région centrale
Structure simplifiée
• Composant actif non-linéaire à 3 bornes (Emetteur, Base et Collecteur)

• Deux jonctions : base-émetteur (BE), base-collecteur (BC).
• Régime de mode actif normal : BE est polarisée en direct et BC est polarisée en
inverse. Le courant inverse de la jonction BC (courant de collecteur) est alors contrôlé
par l’état électrique de la jonction BE.
• NPN, qui sont les plus utilisés que les PNP. (le courant principal est un courant d’
électrons donc “plus rapides”, (fréquences de travail plus enlevées).

Transistor bipolaire: Mode de fonctionnement
• Pour étudier un circuit électronique comprenant des BJT, il est nécessaire de
déterminer dans quel mode de fonctionnement ils se trouvent.
• Il s’agit ainsi de déterminer les grandeurs électriques du transistor, soit
l’ensemble des 6 grandeurs (IE,IB,IC,VBE,VCE,VBC)Q au point de fonctionnement Q.
• Q est déterminé par les caractéristiques électrique du transistor et par les lois
de Kirchhoff appliquées au transistor intégré́ dans le circuit
établir en configuration EC :
• le point de fonctionnement sur la caractéristique d’entrée IB = fa(VBE) → droite d’attaque
• le point de fonctionnement sur la caractéristique de sortie, IC = fc(VCE) →droite de charge
Méthode analytique Méthode graphique
droite d’attaque
droite de charge
Connaissant Q on peut alors conclure sur le régime de fonctionnement du transistor

Transistor bipolaire : Modelés petits signaux
Lorsque le signal d’entrée est de faible amplitude, le comportement électrique du
montage peut-être décrit par un schéma électrique linéaire équivalent, appelé́
schéma équivalent petit-signal. Ainsi un faible signal se caractérise par :
1ère approximation En tenant compte de l’effet d’Early
• Le modelé dynamique ne dépend pas du type

(NPN ou PNP) du transistor !
• La seule différence réside dans le sens de
circulation des courants !
Transistor bipolaire: Paramètres dynamiques du BJT

Transistor bipolaire: Modelés hautes fréquences
Modelés hautes fréquences

• Aux fréquences enlevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions
BE et BC.
• En mode actif :
• La jonction BE introduit une capacité́ de diffusion Cd
• La jonction BC introduit une capacité́ de transition Ct
Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences enlevées

et sont responsable d’une bande passante limitée des amplificateurs à transistor
bipolaire.

Transistor à effet de champs
• Un Transistor à Effet de Champ est un composant semi-conducteur de la famille
des transistors. Il s’agit donc d’un composant actif non-linéaire à trois bornes,
Source (S), Grille (G) et Drain (D).
• Un transistor unipolaire : son fonctionnement est basé sur l’action d’un champ
électrique sur un “canal” composé d’un seul type de porteurs de charges mobiles.
• Ce canal est un semi-conducteur avec un excèdent d’électrons (dopage de type N),
ou de trous (dopage de type P).
• La présence d’un champ électrique peut autoriser la conduction électrique dans ce
canal (transistor à enrichissement) ou la réduire (transistor à appauvrissement).
• Le courant ID circule du Drain vers la Source via le canal N

• La conductivité́ électrique du canal semi-conducteur est modulée par la
différence de potentiel (canal/grille)
• Le courant circulant dans la grille (IG) est négligeable

Transistor à effet de champs
• La grille (G) permet de contrôler le courant entre les deux électrodes source (S)
et drain (D).
• Le contrôle se fait via le potentiel appliqué entre grille et source. Ce système
constitué par une capacité MOS permet une commande avec de très faibles
courants consommés. On parle de transistors à grille isolée.
• On peut assimiler le système drain – source à une résistance dont la valeur varie
entre (valeur min) lorsque le transistor est saturé et (valeur max) lorsque le
transistor est bloqué.
§ Modifier la section: JFET: la tension de
grille contrôle l’extension de la région de
déplétion d’unejonction pn,
Modifier la densité de porteurs: MOSFET: la jonction pn est

remplacée par une jonction métal-semi-conducteur, la grille est
séparée du semi-conducteur par un oxyde, jouant le rôle d’un isolant.

Transistor à effet de champs : Transistor MOSFET
Le transistor MOSFET est constitué de :

• Deux zones appelées : source et drain (régions semi-conductrices de même type de
dopage) reliées à leur électrode respective. Source et drain sont réalisés dans une
région (parfois directement sur le substrat) de type opposé.
• D’une électrode de commande appelée grille qui surplombe la zone de canal
• Le courant dans les transistors MOS est un courant unipolaire de porteurs

majoritaires :
- Les électrons dans le cas du transistor NMOS (source et drain sont de type N)
- Les trous dans le cas du transistor PMOS (source et drain sont de type P)
MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
La conductance entre le drain et la source

est modulée par la tension appliquée sur la
grille, laquelle engendre un champ
électrique qui module la quantité de
porteurs dans le canal.

Transistor à effet de champs: Transistor JFET
Structure (canal N)
§ Constitué d’un barreau de silicium N dans lequel on a diffusé
deux zones P de chaque côté.
§ Les deux zones P sont reliées ensemble et forment la Gate.
§ La région N constitue le canal.
§ La jonction PN entre Gate et canal est normalement polarisée en
inverse.
Principe de fonctionnement
On applique une faible tension VDS > 0 , et une tension
VGS < 0
Si VGS = 0 , il s'établit un courant dans le canal,
circulant du drain vers la source.
Si VGS < 0 , la jonction grille - canal est bloquée. La
zone de charge de cette jonction vient réduire la
section effective du canal.
La résistance du canal augmente à mesure que l'on
augmente | VGS |.
Le JFET se comporte alors comme une résistance dont la valeur est contrôlée par VGS.
Pour une tension VGS = VP , la zone de charge d'espace envahit tout le canal et le courant
ne circule plus dans le canal.
VP est la tension de seuil du JFET.
Chap. 1 : Composants électroniques Composants d’ électroniques de puissances
Diode : Déﬁni&on
Ø Composant semi conducteur élémentaire constitué par une seule jonction PN.
Ø Un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes son l’anode (A) et la cathode (K).
Ø L’anode est la zone P d’une jonction P-N, la zone de type N est la cathode.
Champ électrique
Anode A Anode
iD -- ++ iD
-- ++ P+
-- ++
Zone dopé P Zone dopé N N- vD
vD Excès de trous Excès
d’électrons N+
Cathode K Cathode
Zone d’équilibre
ü Composant non commandable (ni à la fermeture ni à l’ouverture)

ü N’est pas réversible en tension ne supporte qu’une tension anode-cathode
négative (VAK < 0)
ü N’est pas réversible en courant et ne supporte qu’un courant dans le sens
anode-cathode positif à l’état passant (IAK > 0).

Diode : Composant parfait
q La caractéristique globale courant/tension à deux segments

q Le fonctionnement d’une tel composant s’opère suivant deux modes :
• Diode passante, tension anode cathode = 0 pour IAK > 0
• Diode bloquée, courant anode cathode = 0 pour VAK < 0
dans l'état bloqué dans l'état passant
R=∞ Résistance de la diode

nulle
interrupteur ouvert interrupteur fermé

Diode : Composant réel
Ø En polarisation inverse, le courant inverse est

très faible mais il croit rapidement avec la
température de la jonction.
Ø En polarisation directe, au delà de la tension de
seuil (Vs=0,6V pour le silicium ), la diode est
conductrice.
Ø On peu définir en chaque point P de la
caractéristique une résistance statique ( trait
bleu) Rs=V/I
Ø De même une résistance dynamique ( trait
vert) rD=dv/dI
Le fonctionnement réel est toujours caractérisé par

ses deux états :
• à l’état passant : IAK , le courant direct est limité au
courant direct maximal .
• à l’état bloqué : VAK , la tension inverse est limitée

(phénomène de claquage par avalanche) à la tension
inverse maximale.

Thyristor : Déﬁni&on
L’ancêtre des thyristors était un tube à gaz : le thyratron. Le terme thyristor est la
contraction de THYRatron et de transISTOR
Un thyristor est un dispositif à 4 couches et 3 jonctions qui possède 3 connexions
externes : l’anode, la cathode et la gâchette. C’est un composant bistable (passant
bloqué).
Cathode (K) A
P+
Gate (G)
N+ T2
P
N-
N-
P
G T1
P+
Anode (A) N+
K

Thyristor : Présentation
Le thyristor est un élément semi-conducteur qui

possèdent trois électrodes:
• ANODE
• CATHODE
• GÂCHETTE ou électrode de déblocage .
le thyristor laisse passer le courant électrique dans un seul sens, de l’anode à la

cathode.
• Composant commandé à la fermeture, mais pas à l’ouverture.

• Il est réversible en tension supporte des tensions VAK aussi bien positives que
négatives lorsqu’il est bloqué.
• Il n’est pas réversible en courant et ne permet que des courants IAK positifs,
c'est-à-dire dans le sens anode cathode, à l’état passant

Diode : Composant parfait
L’état bloqué: si le courant IAK est nul tandis que la tension VAK est quelconque.
L’état passant: est caractérisé par une tension VAK nulle et un courant IAK positif.
L’amorçage (A): est obtenu par un courant de gâchette IG positif d’amplitude
suffisante alors que la tension VAK est positive.
Le blocage: apparaît dès annulation du courant iAK (commutation naturelle) ou
inversion de la tension vAK (commutation forcée).

Les thyristor : Composant réel
Le fonctionnement réel est, comme pour une diode, caractérisé par ses deux états:
• à l’état passant, vAK ≈ 0, le courant direct est limité par le courant direct
maximal. (il se comporte comme une diode)
• à l’état bloqué, iAK ≈ 0, la tension inverse est limitée (phénomène de claquage par
avalanche) par la tension inverse maximale.

Triacs
d'un composant de la même famille que le thyristor.
Le TRIAC est un dispositif semi-conducteur à trois

électrodes (anode 1, anode 2, gâchette)
pouvant passer de l'état bloqué à l'état de
conduction dans ses deux sens de polarisation.
BIDIRECTIONNEL (le thyristor étant
unidirectionnel).

Triacs
Amorçage
ü Le triac s’amorce par injection ou extraction d’un

courant de gâchette suffisant.
üIl reste à l’état d’interrupteur fermé tant que le
courant A1 A2 reste supérieur au courant de maintien Ih.
ü Dès que le courant A1 A2 est inférieur à Ih le triac
redevient un interrupteur ouvert
ü Il existe 4 façons d'amorcer un triac, caractérisés par
les signes des potentiels de gâchette et d'anode 2.
L'anode 1 est considérée comme référence des
potentiels.
+ : le courant "rentre",
- : le courant il "sort".
Applications
un composant permettant la réalisation de gradateurs pour les puissances jusqu’à 30
kW environ (limite maximum : 50 A et 800 V).
On le trouve surtout dans les réalisations domestiques : réglage de luminosité des
lampes, réglage de la puissance des radiateurs électriques, réglage de la vitesse des
moteurs universels…

Chap. 1 : Composants électroniques Composants numériques
Les circuits intègres logiques : électronique analogique
Information physique est représentée par

une grandeur électrique, tension ou intensité qui
est connue de manière continue, c'est-à-dire à
tout instant. Cette information peut prendre
une infinité de valeurs, dont la connaissance
sera cependant limitée par le bruit des
composants et fonctions analogiques utilisées.
Les composants : les résistances R, les condensateurs C et inductances L

(stockage d'énergie), les diodes, les transistors bipolaires ou à effet de champ
(amplification)...
Les fonctions réalisées : amplificateurs opérationnels, multiplieurs analogiques,
déphaseurs, amplis H.F., mixer, changement de fréquence, modulateurs, filtres
analogiques... , le tout permettant la réalisation de systèmes simples ou complexes
Circuit intégré analogique : Les circuits les plus simples peuvent être de simples
transistors encapsulés les uns à côté des autres sans liaison entre eux, jusqu'à
des assemblages réunissant l'ensemble des fonctions requises pour le
fonctionnement d'un appareil dont il est l'unique composant.
Les amplificateus opérationnels: sont des représentants de moyenne complexité
de cette grande famille.

Chap. 1 : Composants électroniques Les circuits intégrés
Les circuits intègres logiques : électronique numérique ou digitale
les signaux appartiennent à un espace de valeurs

discrètes. L'information est quantifiée et représentée
au moyen d'un nombre limité de valeurs, grâce à une ou
plusieurs grandeurs binaires appelées bits. Ces bits
véhiculent les notions binaires de "faux" = non vrai et
de "vrai" = non faux, qui sont codées (0 et 1)
Les composants: les portes logiques ET, OU, NON, une combinaison de ces portes
(NAND, NOR, XOR...) et des structures de mémorisation (bascules, latches, flip-
flops) qui peuvent être fabriquées à partir de ces portes... ,
Les fonctions réalisées : multiplexeurs, démultiplexeurs, décodeurs, additionneurs,

multiplieurs, unités arithmétiques et logiques, registres, mémoires... , PLA, FPGA,
microcontrôleurs... , le tout permettant la réalisation de systèmes simples ou
complexes.
Circuit intégré numérique: Les circuits intègres numériques les plus simples sont
des les portes logiques (et, ou, non), les plus complexes sont les microprocesseurs
et les plus denses sont les mémoires.

Les circuits intègres logiques : Électronique analogique contre électronique numérique
• L’étude des montages utilisant des circuits logiques est tout à fait
différente de celle des circuits analogiques.
• Chaque fonction logique (ET, OU, XOR, etc.) se réalise à partir de
composants de l’ électronique analogiques.
• La constitution interne d’un circuit intègré logique est identique à celle d’un
circuit analogique : un grand nombre de transistors (BJT ou FET) et de
résistances
• L’information traitée par ces deux types de circuits ne se présente pas sous
la même forme. Pour les montages analogiques, l’information est portée par
la valeur instantanée d’un signaĺ. Les circuits logiques utilisent un signal
binaire valeur exacte du niveau de tension n’a aucune importance.
• Dans un montage analogique, il faut étudier dans chaque cas l’adaptation d’un
circuit à un autre. Pour les circuits logiques d’une même famille, aucun
problème d’adaptation ne se pose.
• La conception d’un système logique se révèle alors simple car il suffit de
réaliser la fonction souhaitée à l’aide d’un certain nombre de boitiers sans se
préoccuper des problèmes électriques

Les circuits intègres logiques: Familles de technologies
Il existe principalement deux grandes familles de technologies :
La famille TTL (Transistor-Transistor-Logic), basée sur des BJTs
• Composants rapides
• Consommation en courant important
La famille MOS, basée sur des MOSFET
• Composants lents
• Consommation en courant faible
Il existe d’autres familles de CI logiques, telles que :
• Logique à éléments discrets (eg. diodes, transistors), utilisée lorsque

l’implantation d’un circuit intègré n’est pas justifié,
• Logique à émetteurs couplés (ECL), plus récente, très grande rapidité́, mais
très grosse consommation en courant

Technologie TTL : Définition
• Famille logique très ancienne (1964)
• Elle se base principalement sur l’utilisation de BJT de type NPN. Elle se décline
en différentes séries :
• TTL : série standard (74XX)
• TTL-L (low power) : série à faible consommation (74LXX)
• TTL-S (Shottky) : série rapide utilisant des diodes Schottky(74SXX)
• TTL-LS (low power Shottky) : combinaison des technologies L et S, (74LSXX)
• TTL-AS (advanced Shottky) : version améliorée de la série S (74ASXX)
• TL-ALS (advanced low power Shottky) : version améliorée de la série LS ⋄ (74ALSXX)
• TTL-F (FAST : Fairchild Advanced Schottky Technology) (74FXX)
• Ces différentes séries fonctionnent avec une tension d’alimentation de Vcc = 5
V ± 5%
Principe de fonction
• La tension d’alimentation nominal pour la famille TTL : Vcc = 5 V ± 5%
• Les niveaux logiques en entrée et en sortie
En entrée de 0.8 V à 2 V, et en sortie de 0.5 V à 2.7 V : niveau logique indéterminé́

Technologie MOS : Définition
• Famille logique très ancienne (1970)
• Elle se base principalement sur l’utilisation de MOSFET .
• Elle se décline en 2 sous-familles :
• la série 4XXX des CMOS classiques ;
• la série 74CXX même technologie que la série 4000, mais brochage et
fonctions de la série 74 des TTL
• On peut classer les CI MOS en différentes formes de logique :
• Logique nMOS : constituée uniquement de E-MOSFET à canal N ;
• Logique pMOS : constituée uniquement de E-MOSFET à canal P ;
• Logique CMOS : constituée de E-MOSFET à canal N et P
Principe de fonctionnement

Technologie MOS : Inverseur CMOS
La structure CMOS permet de construire l’élément de base de la logique à effet de
champ : l’inverseur composé d’un seul transistor NMOS et d’un seul transistor PMOS
Interconnexions des Deux transistors N et P tête-
bêche entre la masse et l'alim :
Les deux transistors fonctionnent de manière
symétrique
§ Source du PMOS reliée à Vdd
§ Source du NMOS reliée à la masse
§ Les deux grilles reçoivent l'entrée
§ Drains connectés à la sortie
Inverseur CMOS : Sortie = Entrée
Du point de vue « logique », un inverseur CMOS est vu comme un double
interrupteur en série
In Out
ENTREE = 0
PMOS : Conducteur / Bloqué 0 1
NMOS : Conducteur / Bloqué
SORTIE = 1 1 0
ENTREE = 1
PMOS : Conducteur / Bloqué
NMOS : Conducteur / Bloqué
DUT Génie Electrique – S3 - SORTIE = 0 Pr: Mohamed LAMHAMDI
Technologie MOS : Circuits combinatoire CMOS
Structure générale
Un circuit combinatoire CMOS est constitué d’un réseau de transistors nMOS et
d’un réseau de transistors pMOS.
Principe
•Le réseau de transistors pMOS :
• Relier à VDD les sorties qui doivent être à 1L
• Isoler de VDD les sorties qui doivent être à 0L
•Le réseau de transistors nMOS :
• Relier à VSS les sorties qui doivent être à 0L
• Isoler de VSS les sorties qui doivent être à 1L
•Réalisation
•les fonctions "OU" sont réalisées avec des blocs de transistors en parallèle
•les fonctions "ET" sont réalisées avec des blocs de transistors en cascade

Chap 1 Composant Électrinuqe

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Chap 1 Composant Électrinuqe

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MODULE : Electronique

Pr. Mohamed LAMHAMDI

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Contenu Elément du module

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Contrôle 1 40% , Contrôle 2 40% , TP 20%.

Note minimale requise pour la validation du module :

J Moyenne de validation de module 12/20

N Note du module supérieure ou égale à 07/20

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Chapitre 1 : Composants électroniques

Chapitre 2 : Les quadripôles ;

Chapitre 3 : Circuits à amplificateurs;

Chapitre 4 : Amplificateurs de puissance ;

Chapitre 5: Amplificateur opérationnel

Chapitre 6 : Contre réaction;

Chapitre 7 : Oscillateurs sinusoïdaux;

Chapitre 8 : Oscillateurs non sinusoïdaux

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Chapitre 1 : Composants électroniques

Pr. Mohamed LAMHAMDI

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

La plus part des signaux manipules en électronique analogique sont de nature

En effet, classiquement, on peut distinguer deux types d’analyse :

Différents “outils” de l’électronique analogique permettent d’étudier, analyser,

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Dans le cadre des régimes variables, on s’intéresse aux signaux électriques

il est caractérisé́ par :

• Pulsation w liée a la fréquence

on associe le vecteur de Fresnel :

À tous signaux alternatifs sinusoïdaux on peut associés l’amplitude complexe :

Cette notation contient uniquement les renseignements sur la phase et le module

Tolérance et séries normalisées

tolérances (en %) de fabrication: la résistance réelle est un peu différente. Les

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

L est l’inductance de la bobine dépend de la géométrie, du nombre de

La loi de Lenz-Faraday relie le flux Φ à la f.é.m. u :

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Bobines à noyau de ferrite

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

• Courant de fuite : Ir < 1μA (Ir augmente avec la température)

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

La diode électroluminescente (light-emitting diode – LED )

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

La diode à effet tunel

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Transistor : élément clé de l’électronique

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

• Composant actif non-linéaire à 3 bornes (Emetteur, Base et Collecteur)

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Méthode analytique Méthode graphique

Connaissant Q on peut alors conclure sur le régime de fonctionnement du transistor

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

1ère approximation En tenant compte de l’effet d’Early

• Le modelé dynamique ne dépend pas du type

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

Modelés hautes fréquences

Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences enlevées

DUT Génie Electrique – S3 - Pr: Mohamed LAMHAMDI

• Le courant ID circule du Drain vers la Source via le canal N

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