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Thomas Heiser
Institut d’Electronique du Solide et des Systèmes (InESS)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
email: heiser@iness.c-strasbourg.fr
1
Introduction
• Qu’est-ce que l’électronique ?
2
• Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?
stockage et traitement de
l’information, commande et
contrôle d’appareillage,...
Electronique analogique
Electronique numérique
5
• Pour quelles applications ?
Instrumentation
Robotique
Communications
Multimédia
Systèmes informatiques
Cartes mémoires
6
• Pourquoi quels ingénieurs ?
Simulation et programmation
–R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I.
7
• L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…
8
En 1971 : le premier Processeur (Hoff, Faggin, prix 200$)
9
Aujourd’hui: ATHLON 64 X2 Dual-core => deux processeurs sur un seul chip
Mémoire cache
(SRAM)
Transistor
La nano-électronique 25nm
(10nm possible)
12
Les technologies émergentes
Electronique moléculaire
Une molécule comme composant
13
Mais ça ne se fait pas tout seul...
14
• L’ Electronique à l’ENSPS…
1A: Les bases :
- Electronique Analogique
- Electronique Numérique
- Complément d’électronique
- Physique et technologie des semiconducteurs (ancien « Capteurs »)
En option :
- Physique des dispositifs électroniques à base de semiconducteurs
- Electronique programmable
- CAO
3A: La spécialisation :
- ENSPS: OPTION ELEC / OPTION PHYSIQUE
- MASTER: micro- et nanoélectronique: du composant au système sur15puce
• Le lien avec les autres enseignements (1A) :
Physique de la matière
semiconducteurs, théorie des bandes, transport de charges
Systèmes asservis
systèmes linéaires, circuits à contre-réaction
Traitement du signal
filtrage, systèmes linéaires, modulation...
16
Contenu du cours d ’électronique analogique
Bibliographie
Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Traité de l’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
17
Logiciel de simulation gratuit: ICAP/4, version demo (www.intusoft.com)
Contenu du cours d ’électronique analogique
et pour s’entraîner
et après …
Compléments d’électronique (C. Lallement) :
• Electronique et température, composants de puissance
• Amplificateurs opérationnels:
- parfaits et réels
- applications
• Autres composants intégrés (N555):
- interface A/N
- autres applications
18
Rappels utiles
I
Composants linéaires et loi d’Ohm
I
• Résistance électrique = composant linéaire :
V V R
V=RI loi d’Ohm
V Z I
C L
composant linéaire :
1 Z jL
“impédance” : Z
jC
19
Source de tension, source de courant
Sources idéales :
I
I
source de courant Io
Io V charge
idéale :
V
I
V
source de Vo
tension idéale : Vo V charge
I
la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge
20
Sources réelles : domaine de fonctionnement linéaire
ou “domaine de linéarité”
I
source de courant Io schéma
réelle : équivalent
I cst I o
V
Ri = “résistance interne” tant que I >> courant dans la résistance interne
Ri
(Gi = 1/Ri = conductance interne)
Schéma équivalent:
I V Vo Ri I
Ri
V charge V cst Vo
Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de R i est
faible devant V Ri I V
“vu”
en fait... Ri de la avec
I I
charge V
I o o = “courant de court-circuit”
charge
charge
Vo V
Io Ri
V (charge remplacée par un
Ri court-circuit)
[Vo = tension en “circuit ouvert” du dipôle]
V Vo V
puisque I Io V Vo Ri I
Ri Ri Ri
selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)
Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source
dépend de la tension aux bornes d’un des composants du circuit
ou du courant le parcourant, la source est dite “liée”. Vous verrez
des exemples de sources liées dans le cas des transistors.
23
Théorème de Thévenin
Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire, constitué de résistances, de sources de
tension et de sources de courant est équivalent à une résistance unique RTh en série avec
une source de tension idéale Vth.
A
I Rth I
A
V Vth
V
= “générateur de Thévenin”
B
B
!
Calcul de Vth: Vth V circuit ouvert
ou Rth R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées.
[remplacement des sources de tension non-liées par un fil
(Vo=0), et des sources de courant non-liées par un circuit
24
ouvert (Io=0)]
Théorème de Millmann
R2
Vi
R1 Ri
V1 Vi
i Ri
V
V 1
i Ri
25
Principe de superposition
! Le circuit peut inclure des composants non-linéaires (diodes ou transistors …), qui
opèrent dans un domaine restreint où leur comportement est approximativement
linéaire.
26
Analyse statique / dynamique d’un circuit
L’ Analyse statique
L’ Analyse dynamique
… ne tient compte que des composantes variables des sources (ou “signaux” électriques,
ou encore composantes alternatives (AC) )
R1
Calcul complet
R2
V t VE ve t R2 VE R2 ve t
R1 R2 R1 R2 R1 R2
V v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
“schéma dynamique”
Schéma statique R1 R2
R1R3
V Io
V R1 R2 R3
Io R 3
Schéma dynamique
R1 R2
R3ve t
vt
ve R3 v R1 R2 R3
R1
C
Rg
vg R2 V (t)
Val R2
R1 V Val
R1 R2
R2 V
31
Schéma dynamique :
1
Zc
iC
R2 // R1
v vg avec Z g Rg 1
R1 R2 // R1 Z g iC
ZC
vg Rg
R2 v
R2 // R1
pour suffisamment élevée : Z g Rg et v vg
R2 // R1 Rg
32
1. Les Diodes
1.1 Définition Id Id
Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert
Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).
60
20
Is
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd
Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
la diode est dite “passante”
mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)
34
Id
140
100
60
20
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd
! VT (300K) = 26 mV / “Diode idéale” car comportement identique à celle prévue pour une jonction PN…
35
Limites de fonctionnement :
Vo Vd
! peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.
36
1.3 Diode dans un circuit et droite de charge
Point de fonctionnement
Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR
37
Droite de charge
V Vd
Loi de Kirchoff : I d al = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL
Caractéristique I(V)
Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement
« Droite de charge »
Vd
VQ Val
38
1.4 Modéles « statiques » hyp: Id, Vd constants ou à variation lente (pas d’effets transitoires).
=“modèles grands signaux, basses fréquences”
Modèle de “première” approximation: Diode « idéale »
Schémas équivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode “passante”
Val Id 0
Val >0 Vd
V
Ri Val I d al , Vd 0
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val Vd 0
Val I d 0, Vd Val
39
Modèle amélioré de « seconde approximation »
schémas équivalents :
Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
Val
V Id 0
o
Val >Vo Vd
V Vo
Ri Vo Val I d al , Vd Vo
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val Vd Vo
Val<Vo Vd
Val I d 0, Vd Val
40
Modèle de 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
tension seuil Vo non nulle Id
résistance directe R non nulle
f Vd
V <0: résistance R finie
pente = 1/Rr~0 Modélisation
d r
Schémas équivalents
schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Id
Val Vd I d 0 et Vd Vo
Vo Val Rf Vd Vo R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val Vd Vo
Val Rr
41
Remarques :
V
Rf d
Id
42
Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :
43
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 2ième approximation pour la diode.
5V 50 0,6V
50 1k ID
5V
50 1k
Diode en Si :Vo = 0.6V
OK!
I d 1,85 mA
Vd 0,6V
Rem: Refaites le calcul après avoir remplacée la résistance de 1k par 10… 44
Autres exemples :
1)
Calcul de Id et Vd
50
pour :
Val Rc
a)Val = -5V, Rc = 1k
b) Val = 5V, Rc = 1k
c) Val= 1V, Rc = 1k
Diode au Si
d) Val= 1V, Rc = 10
Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs
2) D1 D2 50
3)
2V 1V
100
Diode au Si Diodes au Si
45
1.5 Modèles dynamiques
Variation suffisamment lente pour que ID(VD) soit toujours en accord avec la
caractéristique “statique” de la diode .
VdQ
! Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit ! 46
Notation :
1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V 0
d
1
dI d
rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V 0
d
25
! à température ambiante : rf 1
I d mA
5V Ve
Ra 10µF D
ve 0,1 sin 103 2 t
ve Vd(t)
5 0,6
Analyse statique : ID 2,2mA, VD 0,62V
2000
26
Analyse dynamique : rf 12, Z c 16 Ra
2,2
Schéma dynamique :
2k
vd 1,2 103 sin 103 2 t
1k
Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12
48
Réponse fréquentielle des diodes
Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.
49
Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)
Une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode
A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre les
variations de Vd)
rc
à basse fréquence : rc + rs = rf
la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
50
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-t-elle à
5V influencer la tension vd ?
Rb
1k C 2k Id = 2,2mA Cdiff ~100nF
Ra 10µF D
ve Vd(t)
v
log
-3dB
vth
log f
f 1 130kHz 51
2rthCdiff
Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :
Une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son tour
déplace les charges électriques.
A haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieur à Is.
rr 1
Ct = capacité de “transition” ou “déplétion”
Vd Vo
52
Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse
Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque la diode
bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
temps de réponse
Id
(VQ-Vo)/R
-VR/R
Diode Zener
Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)
Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)
-Imax
Rz
Vd
Id
Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
1
dI
-Imax rz d Rz pour |Id| >Imin
d Q
dV
55
Diode électroluminescente (ou LED)
56
Diode Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension Vo très bas et un temps
de réponse très court.
Diode Varicap
Une varicap est une diode à capacité variable. Elle utilise la variation de C t avec Vd
en polarisation inverse.
Photodiode
57
1.7 Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.
Clipping parallèle
(diode // charge)
Rg
Clipping série :
Rg Ie
circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger Ie ne peut être négatif
58
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)
59
Alimentation
Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)
V>0
V<0
60
Redressement simple alternance
Vs Vm 0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire
R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2
Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi 1.4V
61
avec filtrage : 50
R
D1 D2
Rc=10k
Vi Vs
200µF
D3 D4
ondulation résiduelle
sans condensateur
avec condensateur
Régulation: utilisation d’une diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors) 62
Autres configurations possibles :
Utilisation d’un transformateur à point milieu :
transformateur à
point milieu
Alimentation symétrique :
+Val
secteur
~ masse
-Val
63
Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »
Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle
Exemple : Rg C
Vg(t) Vc Vd
D
Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée
Rg C Rg C
I
Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd
Vd ~ 0.7 Vd = Vg +Vc
~ composante continue
64
Cas particulier :
Rg C
Vg Vm sin t pour t 0
Vg(t) Vc Vd
Vc 0 pour t 0 (C déchargé) D
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
C=1µF
Simulation Rg =1k
Vg f= 100hz
Vc Vm =5V
charge du condensateur
Vd 0.7V
Vd
t (s)
65
Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante
en régime permanent: Vd Vg - Vm
composante continue
66
Multiplieur de tension
Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg Vm sin 2f t pour t 0
VRc 2 Vm 1,4 2 Vm
t
* Il ne s’agit pas d’une bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
régime transitoire / permanent 67
Autre exemples : Doubleur de tension
source
AC
charge
68
2. Transistor bipolaire
2.1 Introduction
le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
...
il existe :
soit comme composant discret
soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
69
on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ
Vcontrôle
émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C
Symétrie NPN/PNP
71
Effet transistor Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
Exemple: Transisor NPN
RE
E N+ P N C
RC
IE
e - E IC
VEE IB VCC
B
VCC > 0, jonction BC “bloquée” => champ électrique intense à l’interface Base/Collecteur
La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
IC ~IE et IB = IE -IC << IE
Symboles
C C IE >0 en mode actif
B B
E E
PNP NPN
IC IC
IB IB
IE IE
NPN
PNP
IE = IB+IC 73
2.3 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
Choix des paramètres :
74
Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN
« caractéristique d’entrée »
IE (VBE, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)
VBE (V)
0.1 0.5
75
mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE
2.0
1.5 1.5
1.0 1 IC I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC
pour VCB -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
Transistor en “mode saturé”
IB (µA) IC
IE
VCE= 0.1V N P E
N
3 IB
1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3
77
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA
10µA
1
5µA
VCE (V)
1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”
Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente hFE augmente avec VCE
C B
B IB C B C C
B
~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé
VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 79
VCE ne peut pas dépasser cette valeur!
Transistor PNP
Configuration EC :
C B
B IB C B C C
B
~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé
80
Valeurs limites des transistors
ICVCE =Pmax
fiches techniques :
81
Influence de la température
ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T
82
2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit Point de fonctionnement
Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.
Rc V VBE
Vth Rth I B VBE I B th
Rth
Rth
V VCE
VCC RC I C VCE I C CC
Vth RC
83
Point de fonctionnement
IB
VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V
V VBE (diode passante
I B th
Rth transistor actif ou saturé)
Q
IBQ
VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ
84
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+VCC=10V
Rc=3k Vcc
Rc
Rth=30k Rth IB
hFE =100
Vth 0.7V hFE IB
Vth =1V
I BQ 10 µA
I C Q 1mA On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC
85
Remplacement de Rth par 3k +VCC=10V
Rc=3k
I BQ 100µA
Rth=3k
I C Q 10mA
hFE =100
VCE Q 20V !!
Vth =1V
Cause :
Ic(mA) IBQ
En ayant augmenté IBQ,(réduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
VCE Q ~ 0.3V
et I CQ 3.2mA
86
Quelques circuits élémentaires :
t<0 : VBE < 0.7V Mode bloqué
Transistor interrupteur: +VCC
RC
+VCC RB
Rc “Interrupteur
VBB
ouvert”
0.7V I RC 0
RB
t
Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC
VCC
charge V 0.7V
Rc I BB
RE
I “quelque soit” Rc …
tant que le transistor est en mode actif
•E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : VBB 0.7V
0 VCE VCC RC RE I C VCC
! Rcmin 0
88
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension
10V
15V
charge 560
10k I
Vz =5,6V
4,7k I
10k charge
89
Transistor, amplificateur de tension : hypothèses :
Point de fonctionnement “au repos” :
+VCC
Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur “classe A”)
RC
Amplitude du signal vB suffisamment faible
IC
B pourque le transistor soit à chaque instant actif
•
En 1ière approximation :
vB •E
VB 0.7
VSortie IE I C I C ic (IB <<IC)
RE
VBB RE
v
En négligeant la variation de VBE : ic B
RE
R R
et vs Rcic c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av c
RE RE
Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor
Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)
stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).
91
Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2
VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V VBE Vcc 0.7
I B cc
RB RB
Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé RB tel que I B I Bsat
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 92
Polarisation par réaction de collecteur
V 0.7
Cas particulier : RB=0 I C CC VCE 0.7V
RC
Le transistor se comporte comme un diode.
93
Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »
+VCC
+VCC Vth Vo
IC I E (Vo~0.7V)
RE Rth / hFE
R1 RC Rc
R2 R2
Vth avec Vth VCC et
R1 R2
RE
Rth R1 // R2
Rth V Vo
Peu sensible à hFE : si RE I C th
hFE RE
Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo
• VE ~VCC/3
94
Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
+VCC
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
R1 RC
RE introduit une contre-réaction
R2
RE
contre-réaction
VBE I diminue de 2mV/°C
E
VB ~Vth
95
2.6 Modèle dynamique petits signaux
Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linéaire
Modèles équivalents
Caractéristique d’entrée : V
I B I s exp BE 1 hFE
+VCC VT
IB
dr
RC oit
ed
ec
IC ha iB
B r ge
• IBQ Q t
vB
vB •E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE
vBE
t
Pour vB petit:
I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du
ib vbe vbe be transistor en EC
VBE Q hFE VT " hie "
96
Notation :
h V
" hie " FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
IE
B ib C
hie
vbe
hie « i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire)
! Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin).
97
Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic
ic=hfe ib
En première approximation :
t IBQ+ib
Q IBQ
ic " h fe "ib
B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E
hFE en Q (*)
I c
En tenant compte de l’effet Early: ic h feib hoe vce où hoe
VCE Q
B ib ic C
hoe 1 = impédance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100k - 1M
E
98
Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
Note sur hFE et hfe :
20
Q Q
15
droite passant par l’origine
10
1 I C hFE I B
5
VCE
IB (µA)
on a généralement :
h fe hFE
99
Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k C
vg Vs=VS+vs VS
hFE=100 R2
RE R2
signal RE
composante
continue
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
R2
VCC VBE mode actif A.N
R R2
I EQ 1 I CQ 2.2mA
RE
A.N
100
VS VCC Rc ICQ 10V
Analyse dynamique :
Hypothèses : transistor en mode actif schéma équivalent du transistor
en négligeant hoe...
ib
1
iC hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc
RE
101
Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :
ib
hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
iRE Rc
RE
v g hieib RE iRE hie h fe RE ib vs
Rc h fe
Rc
vg hie RE h fe h
RE ie
vs Rc h fe ib h fe
102
Autre exemple :
.
R1=10
C DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Régulateur de tension IDz Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL 25
hFE h fe 50
hoe 1
~
Ve = B . IR2
T RL
Vs =VS + vs
15 ± 2V
R2
ondulation résiduelle
= 500
composante
continue
En statique : Ve = 15V
0.6
VD VZ et VBE 0.6V VS 10 V I R2 1,2mA I C I R1 I DZ I RL 0.1 I Dz
500
et
10 I
V VS I RL 0 .4 A I Dz I R2 I B 0.0012 C
I R1 e 0.5 A RL h fe
R1
I
I DZ 3mA , IC 97 mA et I B C 2mA
hFE
103
Efficacité de régulation ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de Vs ?
Rz
ib RL vs
ve
hie hfeib
R2
i h fe 1 ib vs Rz hie Rz hie
hie <<R2
R1
.
C
i vs Rz hie ib
i
h fe 1
h fe
0.4
Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib
104
R1
.
C
i
0 .4
ve RL
vs
Rz hie
v h fe Rz hie
s 0,03 1
ve Rz hie R Rz hie h fe R1
1
h fe
105
Modèle dynamique hautes fréquences
Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd
la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .
B Ct
rce iC C
iB’
Cd hfe iB’ ro
hFE rse
106
2.7 Amplificateurs à transistors bipolaires
Ze il
ve Zs
vg vs
source -VEE vL
RL
charge
107
Gain en tension :
Rg +VCC
Comme Zs 0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av s source vL
ve R ve -VEE RL
L
charge
v RL
Gain “sur charge” : AvL L Av
ve RL Z s
v Ze
Gain “composite”: Avc L AvL Comme Ze , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri Z e
résistance de sortie
de la source)
i A Z
Gain en courant : Ai L vL e
ie RL
Gain en puissance : v i
A p L L Avc Ai
v g ie
108
L’amplificateur “idéal” :
La réalité...
109
Illustration : système audio
110
2.7.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)
Particularités des amplificateurs EC :
Le circuit de polarisation
111
Exemple :
VCC
R1 RC
Polarisation par diviseur de tension
1 1
R1 // R2 ; RL
C B CC
! CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par la
présence du générateur de signaux.
! Cc évite que la charge “voit” la composante continue de V C, et qu’elle influence le point de repos
du transistor. 112
Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
circuit de polarisation à pont diviseur
Analyse dynamique :
rB R1 // R2
rc RL // RC
RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE iRE
R2
RE
iRE h fe 1 ib
113
ie
Impédance d’entrée :
Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” l’entrée rB hie h feib
ve
de l’amplificateur.
Z e ' hie h fe 1 RE h fe RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)
Gain en courant : ie iL
h fe vg rB
i hie hfeib rc
Ai L
ie
1
hie h fe 1 RE
ve
rB RE
114
Impédance de sortie :
Zs’ Zs
'
Impédance de sortie vue de Rc : Z s " "
RE
Zs’
A is
ib
1 :
vs hoe 1 is h feib RE is ib
rB hie 1
hfeib hoe
vs 2 : 0 hieib RE is ib
RE
B
vs 1 h fe RE RE hie
Z s hoe 1
hie RE hie RE
is 116
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
VCE
vce
t
117
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.
rc
vs rcic vce vs vce
rc RE
VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
I CQ
IBQ IBQ
Q(repos)
VCE VCE
VCEQ
rc RE ICQ
vce
119
Amplificateur EC avec émetteur à la masse :
VCC
ie ib
CB CC
vg rB hie rc
RL vs hfeib
vg ve
R2
RE
CE
h
*: RE // C E ie 120
h fe
Gain en tension (sur charge):
rc h fe r le gain dépend fortement de rf
Av L c >> gain avec RE
hie rf (résistance interne de la fonction BE)
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)
kT rI
or rf AvL c C
IC kT
v
Impédance d’entrée de la base : Z e e hie significativement réduit...
ib
121
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
Ic
vce
ic
ICQ
Q
VCEQ VCE
rc I CQ
122
L’amplicateur EC en résumé :
Emetteur à la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av C h fe C 1 en valeur absolue
hie rf
Impédance de sortie : Z s RC (de q.q. k )
Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e hie (de q.q. k )
RC R
Gain en circuit ouvert : Av C
r f RE RE
Impédance de sortie : Z s RC
Le circuit de polarisation
124
Exemple: VCC
vg isortie
hypothèse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL
Ze
v
Av s 1 L’émetteur “suit” la base.
vg
125
Analyse dynamique : transistor
ientrée ib B C
hie hfeib
R1//R2 iL
E
vg
RE vs RL
Ze
RE RE kT
Gain en tension en circuit ouvert : Av 1 RE r f
hie RE r f I E
RE
h fe 1
Impédance d’entrée : Z e rB // hie h fe 1 rE 1
vs
iL RL Z Ze
Gain en courant : Ai AvL e 1
ientrée vg RL RL
Ze
126
Impédance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs s
rB RE is v 0
vs g
vs RE is h fe 1 ib
hvs
v s RE is h fe 1
vs hie ib ie
hie
RE
RE hie h fe 1 hiehie !
Zs RE // rf
hie RE h fe 1 hie
RE h fe 1 h fe
h fe 1
127
Dynamique de sortie
VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V VCE
I C CC
isortie RE
vg
E VE VCC VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL
128
L’amplicateur CC en résumé :
Av 1
Rg hie Rg hie
Z s RE // inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
h fe 1 h fe
RL i Z
Av L Av Av Ai L Av L e 1 hfe si RE constitue la charge
RL Z s ie RL
(iL = ic et ie ib )
Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée
Applications :
« Etage - tampon » Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1
VCC
RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B
R2 RE
vg
130
hfeib
Propriétés :
E C
ve RE rc
hie
h fe rc
Gain en tension : Av L ib B
hie
Ze Zs
h fe
Gain en courant : Ai 1
hie
h fe 1
RE
131
Exemple d’application : convertisseur courant - tension
vg vg
ie vs RL is RL Ai ie
R Ze R tant que RL <<Zs.
! Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)
132
2.7.5 Influence de la fréquence du signal
RC Rg C ib C
R1
hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg
RE CE
R2 RE
Z E RE // C E 0
1 ZE diminue le gain
fci , avec r R1 // R2 // Z e Rg
2 rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co
montage ~ max f ci , f co 2 RL RC C 133
Hautes fréquences
Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe
1
f ch
h fe
2 Cbe Cbc 1
hie
RL hie // Rg // R1 / 2
134
2.7.6 Couplage entre étages
Objectif
R1 RC R1
R1
CL CL
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE
* Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)
R1 RC R1
R1
CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE
C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
AvL montage AvL 1 ét. AvL 2 ét. AvL 3 ét.
Rc h feT2
AvCC 1 AvL montage Av E.C
hieT2
137loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
Couplage direct
Un exemple : 30V
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T1 ,T2=PNP!! T2 2.4k
T1 680
vg
Av -10
Ze élevée :
T T
T
Z e h fe1 Z eT2 h fe1 h fe2 5000 50 M Zs 24 k 138
Analyse statique :
VCC= 30V
24k
VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
En statique, vg = 0 0.7V T3
T1 vs
VCE 0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
T1 en mode actif 680
T1
T
VCE2 1.4V
T2 en mode actif
T T T T
VE3 0.7V I C3 I E3 1mA VCE
3 2.3V T en mode actif
3
T T T T
VE 4 2.3V I C4 I E4 1mA VCE4 3.6V T4 en mode actif
I E2
T I E 2 5.7 mA et I E1
VC 4 6V hFET2 139
Mais attention…. VCC= 30V
refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 24k
5k 27k
T2
VCE 1.2V 3V T4
T4
VCE 18V T4 en mode saturé !!
140
Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
Av Z c
r f
condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)
polarisation par
diviseur de
tension
141
2.7.7 Amplificateurs de puissance
Impédance de sortie et amplicateur de puissance
1
cos 2 t , vL amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale:
dRL
0 RL Z s Pmax s
8 Zs
(“adaptation” d’impédance)
Gain en courant :
T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai h fe1 h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
143
Impédance de sortie du Darlington :
hieT2
hieT1
Vcc Z sT2 hieT1 h fe
2 hieT2
Zs 2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1
kT h fe1 kT h T2
T2 T ie
puisque hie 1
R2 I E T1 e I E1 e I E2 h fe2
vg 2
I E1 vs
RE I E2 I B1
I E1
h fe hFE
h fe1
h
Etage CC unique : Z s ie
h fe
Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)
Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)
Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Z s très faible)
145
Amplificateur Push-Pull
Amplificateur classe A / classe B
Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque instant
en mode actif
Amplificateur de “classe A”
Avantages:
faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
simplicité
Inconvénients :
Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<V CE<Vcc vCEmax~Vcc/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
+VCC
R1 RC
Palimentation Vcc I CQ I p
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…
R1 ICNPN
VBE NPN ~ 0.6 et VEB PNP ~ 0.6V
B
NPN Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE VEC VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE VEC
vg ICNPN ICPNP Q 2 Q
R2 RL
vsortie
PNP ICNPN ICPNP
B’
R1 ICPNP VP
IB~0 IB~0
IC VCENPN
IB=0
VCC/2 VCE
148
Formation du signal de sortie
IC IC
vg
ib NPN NPN PNP
h fe RL
VCE
VEC
t
ibPNP
Signal de sortie:
vsortie
NPN actif
t
PNP actif
Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.
150
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
R1 comme VD =Vbe IE ~ID ~0
NPN
Idéalement D1, D2 = diodes de caractéristiques
D1 appariés aux transistors
ID 2 VBE
vg D2 RL
PNP vsortie
R1
Remarques:
L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Zs plus faible puissance maximale supérieure 151
2.7.8 Amplificateur différentiel
! Deux signaux d’entrée, V+, V- +Vcc
! Sortie = collecteur d ’un transistor
Rc Rc
RB
Régime statique : V V 0 T1 T2
V IE E RB
IE V
Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE
V 0.7
I E EE
2 RE
152
Régime dynamique: +Vcc
Mode différentiel:
Rc Rc
hyp: V V " ve " Vs
I E1 I E ie 1 et I E2 I E ie RB
2 T1 T2 RB
avec IE la composante continue du courant émetteur. V E V
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie ie RE
1 2
Par conséquent : I RE I E1 I E2 2 I E -VEE
Le courant dans RE n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
E constitue une masse dynamique !
E RB
ve ve ! V+ = entrée non-inverseuse
! V- = entrée inverseuse
étage EC
Rc h fe Rc h fe
vs ve ve 153
hie hie
Mode commun:
+Vcc
hyp: V V ve I E1 I E ie
Rc Rc
et I E2 I E ie
Vs
I RE I E1 I E2 2I E ie RB
T1 T2
VE 2 RE I E ie 2 RE I E 2 RE ie V E RB
V
RE
La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE
schéma équivalent :
Rc Rc
vs
Rc
RB RB vs ve
2 RE
E E’
ve ve d’où le «gain en mode commun »:
2RE 2RE Rc
Ac 1 pour RE RC
2 RE
V V V V
avec Vmc et Vmd
2 2
v
D’où, par le principe de superposition : vs Ad vmd Ac vmc Ad vmd mc
CMRR
Ad 2h fe RE
où CMMR = « taux de réjection en mode commun »
Ac hie (common mode rejection ratio)
Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée)
155
Polarisation par miroir de courant
2h fe RE
Il faut CMRR 1
hie
+Vcc
Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes:
IEE
! il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R
Solution = source de courant ( R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = appariés -VEE
V VEE 0.7
I EE I E3 cc
R
156
« Miroir » de courant
Hyp: la caractéristique I(V) de la diode est identique (appariée) à celle de la jonction BE du transistor
V 0.7
Val I D al
R
comme VBE = VD
R
IC = ID
VD
en tenant compte de l’effet Early, IC dépend
légèrement de VCE
157
Schémas équivalents du circuit vu de A :
ID R ~hoe-1 R ~hoe-1
VD
R > 100 k
158
Schéma équivalent de l’ampli différentiel:
en dynamique
+Vcc
Vs vs
-VEE
159
Exemple d’application
Thermostat
160
Exemple d’application
Thermostat
« charge active »
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
161
Exemple d’application
Thermostat
Si VA> VB
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
162
Exemple d’application
Thermostat
0.6V 0.6
Si VA> VB I 6A
0.1
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
163
Exemple d’application
Thermostat
Si VA< VB 0V I 0A
R
0.5mA
B
A
Figure 2.76
paire différentielle
source de courant
164
3. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
3.1 Introduction
Caractéristiques de base
ID
Régime
Mode actif
linéaire
VGS = cst
~résistance
~ source de
modulée par
courant
VGS
commandée par
VGS
VDS
166
limite de zones
Différences entre FET et transistor bipolaire :
IG << IB
Impédance d’entrée très grande (parfois > 10 14)
Montages de polarisation plus simples
Régime linéaire
pente = f(VGS) résistance variable (pas d’équivalent pour le bipolaire)
VDSsat > VCEsat : tension résiduelle du transistor en mode saturé plus élevée.
167
Différences entre FET et transistor bipolaire :
168
Différents types de FET
S D S D
G G
ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsqu’on augmente V GS (en valeur absolue).
ID est nulle lorsque VGS dépasse une valeur limite VGSoff.
Canal P : VGS > 0 la charge positive sur la grille repousse les trous
Canal N : VGS < 0 la charge négative sur la grille repousse les électrons
169
MOSFET (Métal Oxyde Semiconducteur – FET) à enrichissement :
La grille et le canal forment un condensateur à “plaques //”, l’isolant étant l’oxyde du silicium.
substrat G substrat
G
S S
ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente dès que VGS dépasse une valeur seuil Vs
170
La ligne pointillée indique que le canal est inexistant tant que V GS < Vseuil
171
Caractéristiques d’un JFET à canal N : Conditions de fonctionnement : VGS 0 , VDS 0
transistor
bloqué
VGS(V)
Vs VDS (V)
VGSoff Vs Vs VGSoff
174
3.2 Schémas équivalents petits signaux
Régime linéaire : VDS VGS VP
ID
VDS
G D
= RDS
S
résistance fonction de VGS
Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP : RDS avec k = constante
V
k VGS VP DS dépendant du composant
2
Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent inférieure à 0.5V.
Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.
JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS 0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V).
I D k VGS VS 2
VDS
ID est commandé par VGS
id g m v gs avec g m I D =“transconductance”
VGS V ID (mA)
DS
16
12
schéma linéaire équivalent: Q 8
G id D 4
v gs g m v gs vds 0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de l’augmentation de vds avec id
(équivalent de l’effet Early)
V
g m g mo 1 GS , avec g 2 I DSS
VGS mo = pente pour VGS=0
off V GS off
MOSFET à enrichissement
g m 2k VGS Vs
Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1 0.1 1k
177
3.3 Quelques circuits de polarisation
Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos
+VDD
RD 1 ID ID V VDS
ID VGS I D DD
ID RS RD RS
IG 0 G D
S VGS
RG ID Q
Q
Q’
RS Q’
VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2
V
I D I DSS 1 GS
VGS
off ID , VGS , VDS .
V
I D GS 178
RS
Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)
+VDD
V VDS I G 0 VGS VDS
I D DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS
S
VGS(V) VDS (V)
VDD
I G 0 VGS VDS
179
3.4 Applications des FET
Sources de courant à JFET
+VDD
VGS 0 I D I DSS
charge
I
Source de courant ajustable par la résistance variable.
2
V
I D I DSS 1 GS
VGS
off ID
R V
I D GS
R
180
Source de courant à plus grande impédance de sortie
+VDD
T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)
charge
T2 T1 I = IDSS (T1 )
181
Amplificateur source commune
RD JFET
C C vg vgs
D vs RD vs
RG gmvgs
S
vg
RG
RS C Ze Zs
Impédance d’entrée : Z e RG (RG peut être prise très grande, de l’ordre du M ou plus)
Impédance de sortie : Z S RD
VCC
JFET
RD
vg vgs gmvgs RD
D RG vs
S vs
vg
RG rS
rS
RS
Gain en tension : v g v gs rs g m v gs et vs g m v gs RD
v g R RD
d’où : Av s m D
vg 1 rs g m 1
rs
gm
L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.
ve G JFET D
VCC
vg vGS
RG gmvGS
D S
vg S
RS vs
RG
RS vs Ze
Zs
g m RS RS
Gain en tension (circuit ouvert) : Av 1
1 g m RS g m 1 RS
Impédance d’entrée : Z e RG
vsc.o. Rs Rs g m 1
Impédance de sortie : Zs Rs // g m 1
isc.c g m Rs 1 Rs g m 1
184
Résistance commandée
Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS
V
k VGS VP DS
2
ex:
R
vsortie RDS
vsortie ventrée
ventrée RDS R
185
Amélioration possible:
RDS
V
k VGS VP DS
2
R
vsortie
ventrée
VDS Vcom
VGS I G 0
R1 2 2
1
R1 RDS
k Vcom VP
Vcom
186
Application: Commande électronique de gain
5k
75k
50k
5.6k
R 5k
Av c
rE RDS Vcom // 5,6k
1µF
100k Av
5k
RDS Vcom
Vcom V p
Vcom
100k
il faut RDS< 5.6k
amélioration possible: charge active pour R E.
187
Interrupteur à FET
Exemple d’application:
(Convertisseur N-A
cf Morgan)
188
Inverseur logique
189
Fonction logique de base : la porte NAND
A B C InA InB Q1 Q2 Q3 Q4 Out
0 0 1 0V 0V O O F F 5V
0 1 1 0V 5V O F O F 5V
1 0 1 5V 0V F O F O 5V
1 1 0 5V 5V F F O O 0V
190
191
192