Eléctronique de Base

ONEE-BE Electronique de base
Formation NR (2022)
Electronique
Préparé par: Mr. Said BAGHLAL
Présentation de l’animateur :
✓ Nom et Prénom : Said BAGHLAL
✓ Fonction: Contremaitre régulation et automatisme
✓ Affectation : Service Electrique et contrôle commande de

la centrale thermique de Mohammedia
Formation NR 2022 1
Objectif de cette session de formation :
 Introduire la notion de l ’électronique

 Définir les notions de base des semi conducteurs
 Etude des différentes composantes d’un réseau électrique.
 Etude des principaux lois fondamentaux
 Etude des quadripôles électrique
 Etude des jonction PN/Diode
 Etude des transistors
 Etude des amplificateurs AOP
1.Introduction:
Qu’est-ce que l’électronique ?
Domaine de la physique appliquée qui exploite les variations de grandeurs électriques

pour capter, transmettre ou analyser des informations.
NB: Le traitement de l’information est généralement assuré par des circuits

électroniques.
Formation NR 2022 2
1.Introduction:
Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?
Un ensemble de composants (résistances, condensateurs, diodes, transistors, circuits

intégrés: AOP, microprocesseurs, …) qui agissent sur les courants et tensions électriques
→ ils engendrent, modifient et utilisent des signaux électriques.
1.Introduction:
Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?
Engendrent : générateur, capteur, compteur,….
Modifient : amplification , redressement, modulation ,…
Utilisent : stockage et traitement de l’information, commande et contrôle

d’appareillage,... .
Formation NR 2022 3
1.Introduction:
Electronique « Analogique » ou « Numérique »
Electronique analogique
- Variation continue des grandeurs électriques
→ Information en valeurs instantanées I(t) et V(t)
Electronique numérique
- Variation binaire des grandeurs électriques
→ Codage numérique de l’Information

7
1.Introduction:
Quelles applications ?
Formation NR 2022 4
1.Introduction:
L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…
En 1947 : le premier transistor
En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)
1.Introduction:
En 1971 : le premier Processeur
4004 d’INTEL : 15/11/1971 (2250 Transistors Bipolaires, 108 KHz, 4bits, 604 mots)
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Formation NR 2022 5
1.Introduction:
Hier : le Pentium IV
42.10 6 TMOS (taille d’un transistor: ~0,18 m)

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1.Introduction:
Et demain………….
12
Formation NR 2022 6
1.Introduction:
Et demain………..
Couplage avec la micro-mécanique et l’optique (MEMS, MOEMS)
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2.Généralités sur les semi-conducteurs:

Matériau isolant:
Un matériau est dit isolant si les liaisons inter-atomes de sa structure sont trop fortes pour
autoriser la libération d’électrons dans la structure.
Comme il n’y a pas d’électrons libres dans la structure, il n’y circule donc pas de courant..
14
Formation NR 2022 7

Matériau conducteur
Un matériau est dit conducteur si les atomes de son cristal libèrent facilement un électron de
leurs couches périphériques.
L’ensemble des électrons libérés autorise alors la circulation d’un courant dans le cristal.
15

Matériau semi conducteur
Du point de vue conduction, les semi-conducteurs sont des corps qui présentent les
propriétés suivantes:
• à très basses températures, ils se comportent comme des isolants parfaits;
• pour des températures assez élevées , les semi-conducteurs conduisent le

courant électrique.
Ils présentent ainsi une résistivité intermédiaire entre celles des conducteurs et celles
des isolants )
16
Formation NR 2022 8
17

Semi conducteur intrinsèque :
Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsque il est parfaitement pure (ne contenant
aucun élément étranger).
Pour les semi-conducteurs intrinsèques usuels tels que le silicium ou le germanium, les
structures cristallines sont identiques et chaque atome est entouré tétraédriquement par
quatre autres atomes avec lesquelles il assure des liaisons covalentes.
Pour des températures assez élevées (de l'ordre de l'ambiante), certains électrons
assurant les liaisons covalentes sont arrachés du fait de l'agitation thermique devenant
ainsi libres de se mouvoir sous l'action d'un champ électrique comme dans métal.
18
Formation NR 2022 9

Notion de trou:
Lorsqu'une liaison covalente entre deux atomes se rompt sous l'effet de l'agitation
thermique, l'électron libéré laisse à sa place un vide appelé trou qui correspond à la
charge positive du noyau non compensée (figure a)
19

Notion de trou:
Un électron d'une liaison voisine peut venir combler ce trou (figure b); il laisse à son
tours un trou derrière lui qui peut aussi être comblé (figure c) etc…
On assiste alors à un déplacement des électrons de valence de trou en trou
(figure d).
20
Formation NR 2022 10

Notion de trou:
On peut assimiler les déplacements de ces électrons à un déplacement de trous de charges
positives +e en sens inverse.
Ces électrons et ces trous sont appelés porteurs libres.
On désigne par :
• ni la concentration en porteurs négatifs (les électrons),

• pi la concentration en porteurs positifs (les trous).
Pour les semi-conducteurs intrinsèques, on a bien ni = pi
21

Notion de trou:
Lorsqu'on applique un champ électrique à l'intérieur du semi-conducteur, les porteurs libres
prennent un mouvement d'ensemble:
• les trous dans le sens du champ

• les électrons en sens opposé du champ.
Ce double déplacement constitue le courant électrique
22

Semi conducteur extrinsèque :
L'introduction en quantité très faible de certaines impuretés (appelées aussi dopants)
dans un semi-conducteur intrinsèque peut augmenter considérablement le nombre de
porteurs libres (électrons ou trous) réduisant ainsi la résistivité du matériau du départ.
Le cristal ainsi dopé est dit semi-conducteur extrinsèque.
Les impuretés utilisées sont de valence trois ou cinq et conduisent à deux types de semi-
conducteurs:
• semi-conducteurs de type N
• semi-conducteurs de type P
23

Semi conducteur extrinsèque :
les principaux dopants utilisés sont :
24

Semi conducteur extrinsèque : Type N
Pour le silicium chaque atome à une couche externe avec quatre électrons qu'il met en
commun avec quatre atomes voisins pour constituer une couche de valence saturée.
Si on introduit dans le réseau cristallin du silicium des impuretés d'arsenic dont les atomes
ont une couche externe comprenant cinq électrons.
25

Semi conducteur extrinsèque : Type N
Les atomes d'impureté vont établir des liaisons covalentes avec les atomes de silicium, mais
le cinquième électron non engagé dans une liaison covalente sera faiblement lié
à l'atome d'arsenic (énergie de l'ordre de 10 meV).
Une agitation thermique permettra la libération de cet électron qui va devenir libre de
se déplacer dans le réseau cristallin du silicium
On dit que l'on a introduit dans le silicium des centres donneurs et que le semi-conducteur est de
type N.
La conduction est dite de type N car il se fait grâce à un déplacement de charge négative
26

Semi conducteur extrinsèque : Type P
Si on introduit cette fois-ci dans le réseau cristallin du silicium une impureté d’indium par
exemple, Cet élément se substituent à un atome de silicium et n'assure que trois liaisons
covalentes avec les atomes du silicium voisins.
27

Semi conducteur extrinsèque : Type P
On obtient ainsi dans l'ensemble du cristal un trou (déficit en charge négative) par impureté.
Une faible énergie sera suffisante pour qu'un électron d'une liaison voisine puisse compenser
ce trou avec apparition d'un nouveau trou …etc.
Le semi-conducteur dopé ainsi que la conduction sont dits de type P car la conduction se fait
grâce au déplacement de charges positives.
28
3.Réseau électrique :
Préambule
Cette partie consiste à donner quelques notions fondamentales et nécessaires pour
l’analyse des réseaux électriques à savoir :
✓ La loi d’Ohm,
✓ L’association des dipôles (série et parallèle),
✓ Les lois de Kirchhoff
✓ Les règles de division de courant et de tension.
Ces notions sont exploitées dans les méthodes et les théorèmes utilisées pour analyser les
circuits électriques.
29
Qu’est qu’un dipôle :
Le dipôle est défini comme étant un élément de circuit doté de deux bornes utilisées pour le
relier avec les autres éléments du circuit.
Un dipôle est un système accessible par deux bornes dans lequel peut circuler un courant
électrique.
On spécifie deux catégories :

✓ Les dipôles passifs (exemple résistance)
✓ Les dipôles actifs (exemple générateur)
30
Dipôle passif :
Si on branche ensemble deux dipôles identiques et qu'aucun courant permanent ne passe
entre les deux dipôles quel que soit le sens du branchement, ces dipôles sont passifs. Ex :
résistances, thermistances, selfs, condensateurs
Il va circuler du courant dans un dipôle passif si on applique une différence de potentiel entre
ses bornes.
Réciproquement, si on fait circuler un courant dans ce dipôle, il va apparaître une

tension à ses bornes.
31
Dipôle actif :
Si on branche un dipôle sur une résistance et qu'un courant permanent circule, alors ce dipôle
est actif. ex : pile, accumulateur, alternateur
Bien qu'ils ne répondent pas intrinsèquement à la définition ci-dessus, on classera également

dans cette catégorie les semi-conducteurs et circuits intégrés ayant des caractéristiques de
générateurs : diodes, zéners, transistors
32
Règles d’association des dipôles :
On dit les dipôles sont :
✓ En séries : si ils sont parcourus par la même intensité de courant électrique.
✓ En parallèles : si ils ont une même différence de potentiel à leurs bornes.
33
Règles d’association des dipôles :
On dit les dipôles sont :
✓ En séries : si ils sont parcourus par la même intensité de courant électrique.
✓ En parallèles : si ils ont une même différence de potentiel à leurs bornes.
34
Association des dipôles : passif/actif
Ce cas justifie la différence de conventions entre générateur et récepteur : la tension aux
bornes des deux dipôles étant la même, il y en aura forcément un avec le courant dans le
même sens que la tension et l'autre avec le courant en sens inverse ! L'un délivre de l'énergie
que l'autre absorbe.
35
Association des dipôles : actif/actif
Dans le cas où l'on branche deux dipôles actifs ensemble, on ne peut pas toujours dire à
priori si un des deux sera récepteur, et si oui, lequel. Dans ce cas, on fixe arbitrairement le sens
du courant dans la boucle.
Après le calcul, si le courant est positif, l'hypothèse était justifiée, sinon, le sens du
courant réel est l'inverse de celui qui a été fixé.
36
Convention récepteur et générateur :
Pour déterminer la tension aux bornes d’un dipôle il faut choisir d’abord la convention, soit
la convention “récepteur”, soit la convention “générateur” :
✓Convention générateur : les flèches du courant et de la tension sont dans le même

sens.
✓Convention récepteur : les flèches du courant et de la tension sont en sens inverse
37
Loi d’ohm pour une résistance :
L’énergie électrique produite par le passage d’un courant I dans une résistance est convertie
en chaleur par effet Joule, elle est exprimée par la relation :
𝑃= 𝑅∙ 𝐼 2
D’autre part la puissance consommée est égale à :
𝑃= 𝑈∙ 𝐼
38
Loi d’ohm pour une résistance :
U désigne la différence de potentiel “d.d.p” aux bornes de la résistance ; ces deux
puissances sont égales, nous obtenons l’égalité suivante :
𝑈∙ 𝐼= 𝑅. 𝐼²
En divisant par I on obtient :

U = R. I
39
Association en série des résistances :
Soit n résistances branchées en série et parcourues par le même courant I :
En appliquant la loi d’Ohm à chacune de ces résistances nous pouvons écrire les
relations suivantes :
𝑈𝐴𝐵 = 𝑅1 𝐼 ; 𝑈𝐵𝐶 = 𝑅2 𝐼 ; 𝑈𝐶𝐷 = 𝑅3 𝐼 ; 𝑈𝐷𝐸 = 𝑅4 𝐼; … 𝑈𝑌𝑁 = 𝑅𝑛 𝐼
La d.d.p entre les extrémités A et N du circuit est égale à la somme des d.d.p aux bornes de
chaque résistances Ri
40
Association en série des résistances :
La d.d.p entre les extrémités A et N du circuit est égale à la somme des d.d.p aux bornes de
chaque résistances Ri
✓𝑈𝐴𝑁 = 𝑅1 𝐼+ 𝑅2 𝐼+ 𝑅3 𝐼+ ⋯ + 𝑅𝑛 𝐼
✓𝑈𝐴𝑁 = (𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + ⋯ + 𝑅𝑛 ) 𝐼
Donc tout se passe comme si une seule résistance R était branchée entre A et N, et égale à :
✓ 𝑅= 𝑅 1 + 𝑅 2 + 𝑅 3 + ⋯ + 𝑅 𝑛
Nous adoptons la règle suivante :
Des résistances branchées en série sont équivalentes à une résistance unique égale à la
somme de ces résistances.
41
Association en dérivation des résistances :
Mettons entre deux points N et M plusieurs résistances (par exemple quatre
résistances. Le courant I dans le circuit créé plusieurs courants dérivés, dont son intensité est
égale à la somme des intensités de ces courants dérivés.
𝐼= 𝐼 1 + 𝐼 2 + 𝐼 3 + 𝐼 4
42
La loi d’Ohm appliquée à chacune résistances, nous donne les relations suivantes :
𝑈 𝑁𝑀 = 𝑅1 𝐼= 𝑅2 𝐼= 𝑅3 𝐼= 𝑅4
Nous pouvons donc écrire les égalités suivantes :
43
Au point de vue de loi de d’Ohm, tout se passe comme si la somme del’inverse des
résistances 𝑅1 ,𝑅2, 𝑅3 et 𝑅4 était remplacée par l’inverse d’une résistance unique R donnée par
la relation suivante :
La règle générale des résistances en dérivées est la suivante :
La conductance d’un ensemble de résistance en dérivation est égale à la somme des

conductances de ces résistances.
44
Eléments d’un circuit électrique :
Les constituants d’un circuit électrique sont les suivantes :
✓ Un réseau de Kirchhoff est constitué d’un ensemble d’éléments (R, L, C) connectés entre
eux à l’aide de bornes caractérisées par les deux grandeurs : potentiel (V) et intensité
de courant (I).
✓ Une maille (M) est un ensemble de branches toute en partant d’un nœud pour y revenir
sans passer deux fois par la même branche.
✓ Un nœud (N) est un point où se connectent au moins 3 conducteurs.
✓ Une branche (B) regroupe les éléments situés entre 2 nœuds et traversés par un
même courant.
45
4.Lois fondamentaux :
Lois de KIRCHOFF:
Les lois de Kirchoff sont les lois fondamentales qui régissent le fonctionnement de tout
circuit électrique.
Néanmoins, en pratique, elles sont peu appliquées telles quelles en électronique ; on leur
préférera souvent les propriétés du diviseur de tension, et les théorèmes de Thévenin
et de superposition pour faire les calculs.
A noter qu'on a besoin des lois de Kirchoff pour démontrer ces théorèmes.
46
Lois de KIRCHOFF: lois de mailles
Une maille est une boucle fermée composée d'éléments réels ou virtuels présentant une
différence de potentiel entre leurs bornes.
La somme des tensions rencontrées lorsqu'on parcourt une boucle fermée est nulle.
Pratiquement, on impose d'abord le sens des courant dans chaque élément de la maille.
Ensuite, on représente les tensions par des flèches en respectant les règles suivantes :
✓ convention récepteur pour les dipôles passifs avec le sens du courant qu'on a
imposé.
✓ respect de la polarité des générateurs
✓ une tension rencontrée sur la boucle peut correspondre à un élément immatériel
47
Lois de KIRCHOFF: lois de mailles
Boucle 1 : +E1 – 𝑅1 𝐼 – U = 0
Boucle 2 : +U – 𝑅2 𝐼 – E2 = 0
Boucle complète : +E1 – 𝑅1 𝐼 – 𝑅2 𝐼 – E2 = 0
48
4.Loi fondamentaux :
Lois de KIRCHOFF: lois de nœud
Un nœud est la jonction d'au moins trois conducteurs.
La somme des courants entrant dans le nœud est égale à la somme des courants en sortant.
Ici, pour cet exemple:
𝐼1 + 𝐼4 = 𝐼2 + 𝐼3
49
Diviseur de tension
Le diviseur de tension est un montage électronique simple qui permet de diviser
une tension d'entrée, constitué par exemple de deux résistances (parcouru par le même
coutant). Il est couramment utilisé pour créer une tension de référence ou comme
un atténuateur de signal à basse fréquence.
50
Diviseur de courant :
Un diviseur de courant est un montage électronique simple permettant d'obtenir un courant
proportionnel à un autre courant. Le circuit est constitué de branches parallèles et s'étudie
grâce aux lois de Kirchhoff et notamment à la loi des nœuds.
51
Théorème de superposition
Ce théorème est fondamental. Il va permettre d'étudier des circuits comportant plusieurs
générateurs (de tension ou de courant) en considérant l'influence de chaque générateur
indépendamment des autres, ce qui va beaucoup simplifier la plupart des problèmes.
Dans un circuit comportant plusieurs générateurs, la solution du problème (les tensions et

courants inconnus) est la somme des solutions trouvées en ne considérant qu'un générateur à
la fois.
Pour ce faire, on remplace chaque source de tension parfaite par un court circuit, et chaque
source de courant par un circuit ouvert, à l'exception de la source dont on veut connaître
l'influence.
52
Théorème de superposition : Exemple
Pour l’exemple suivant,
On va commencer par supprimer E2 et faire le calcul de la tension U avec E1 seul.
53
Pour avoir la contribution de E2, on fait ensuite la même chose en supprimant E1:
54
La solution totale U est égale à la somme des deux solutions précédemment trouvées :
55
Théorème de Millman :
Dans un réseau électrique de branches en parallèle, comprenant chacune un générateur de
tension parfait en série avec un élément linéaire, la tension aux bornes des branches est égale
à la somme des forces électromotrices respectivement multipliées par l'admittance de la
branche, le tout divisé par la somme des admittances
56
Théorème de Thevenin :
Un circuit électrique plus ou moins complexe (composé de sources de tension ou de courant
et de résistance) et possédant deux bornes A et B entre lesquelles est raccordée une charge Rc
: peut être remplacer par:
• une source de tension de Thévenin « Eth » dont la tension est calculée entre ses bornes A
et B lorsque la charge « Rc » est déconnectée (tension à vide).
• une résistance de Thévenin « Rth » dont sa valeur de résistance calculée, entre ses bornes A
et B lorsque la charge est déconnectée et que les sources sont éteintes: en respectant les
deux règles ci-dessous:
→ les sources de tension (indépendantes) sont remplacées par un court-circuit
→ les sources de courant (indépendantes) par un circuit ouvert
57
Théorème de Thevenin : Exemple (source de tension)
On désire simplifier le montage suivant en utilisant le théorème de Thévenin.
58
En appliquant les règles citées ci-avant :
La tension Eth La Résistance Rth
59
Le modèle de Thevenin équivalent est le suivant :
60
Théorème de Thevenin : Exemple (source de courant)
On désire simplifier le montage suivant en utilisant le théorème de Thévenin.
61
En appliquant les règles citées ci-avant : La tension Eth
62
En appliquant les règles citées ci-avant : La Résitance Rth
63
Le modèle de Thevenin équivalent est le suivant :
64
Théorème de Norton :
Un circuit électrique plus ou moins complexe (composé de sources de tension ou de courant
et de résistors) et possédant deux bornes A et B entre lesquelles est raccordée
une charge Rc : peut être remplacer par:
● une source de courant de Norton « In » dont le courant est calculé entre ses bornes A et B
lorsque la charge « Rc » est court-circuitée (courant de court-circuit In).
● un résistor de Norton « Rn » dont sa valeur de résistance calculée, entre ses bornes A et B

lorsque la charge est déconnectée et que les sources sont éteintes: (en respectant les deux
règles suivantes) :
→ les sources de tension (indépendantes) sont remplacées par un court-circuit

→ les sources de courant (indépendantes) par un circuit ouvert
65
Théorème de Norton : Exemple (source de tension)
On désire simplifier le montage suivant en utilisant le théorème de Norton.
66
Le courant In La Résistance Rn
67
Théorème de Norton: Exemple (source de tension)
Le modèle de Norton équivalent est le suivant :
68
Théorème de Norton: Exemple (source de courant)
On désire simplifier le montage suivant en utilisant le théorème de Norton.
69
Le courant In La Résistance Rn
70
Théorème de Norton: Exemple (source de tension)
Le modèle de Norton équivalent est le suivant :
71
5.Quadripôle électrique :
Définition des quadripôles :
Un quadripôle est un circuit électrique constitué d’un certain nombre d’éléments
passifs et actifs muni de quatre bornes d’où son appellation.
Il comporte deux bornes d'entrée et deux bornes de sortie :
Le quadripôle est caractérisé par quatre paramètres électriques: tension et courant d'entrée
V e et I e , et tension et courant de sortie V s et I s .
72
Matrices représentatives des quadripôles :
les variables Ve, Vs, Ie et Is sont liées entre eux par des équations et forment plusieurs types
de matrices, qui sont utilisées pour représenter les quadripôles.
Le choix du type de matrice est déterminé par les conditions du problème étudié.
73
Matrices représentatives des quadripôles - Matrice impédance :
𝑉 𝑒 = 𝑍 11 𝐼 𝑒 + 𝑍 12 𝐼 𝑠 et 𝑉 𝑆 = 𝑍 21 𝐼 𝑒 + 𝑍 22 𝐼s
Les tensions d’entrée et de sortie son exprimées en fonction des courants d’entrée et
de sortie. Les éléments de la matrice ont la dimension des impédances. .
74
Matrices représentatives des quadripôles - Matrice Admittance :
𝐼 𝑒 = Y 11 V e + Y 12 V 𝑠 et 𝐼 𝑆 = Y 21 V 𝑒 + Y 22 Vs
Les intensités de courants sont exprimées en fonction des tensions. Les éléments de la
matrice ont la dimension des admittances..
75
Matrices représentatives des quadripôles - Matrice de transfert :
V s = T 11 V e - T 12 I e et 𝐼 𝑆 = T 21 V 𝑒 - T 22 I e
Elle relie les grandeurs de sortie aux grandeurs d’entrées. T 11 est un nombre, T 12 est une
impédance, T 21 est une admittance et T 22 est un nombre
76
Matrices représentatives des quadripôles - Matrice hybride :
V e = H 11 I e + H 12 V s et 𝐼 𝑆 = T 21 I 𝑒 + H 22 V s
Cette représentation est utilisée surtout dans l’étude des transistors. H 11 est une
impédance, H 12 est un nombre, H 21 est un nombre et H 22 est une admittance.
77
Association des quadripôles - Série
La tension du quadripôle équivalent est la somme des tensions des deux quadripôles, et les
courants sont identiques. On déduit seulement la matrice impédance équivalente.
78
Association des quadripôles - parallèle
Il y a additivité des courants et identité des tensions :La matrice admittance du quadripôle
équivalent est la somme des matrices admittance des deux quadripôles
79
6.Etude des diodes :
Voir document « Etude de la

diode Partie 1»
80
6.Etude des diodes : Suite

diode Zener
La particularité de la diode Zener réside dans le quadrant négatif de sa courbe
caractéristique.
81

diode Zener
✓ Dans le sens direct la diode Zener se comporte comme une jonction PN classique.
✓ En sens inverse, elle reste bloquée tant que la tension inverse reste inférieure à
un seuil noté Vz.
✓ A partir de ce seuil la diode Zener conduit en inverse de façon très abrupte : la

tension inverse mesurée à ses bornes est stabilisée à Vz. Elle est pratiquement
indépendante du courant.
82

diode Zener : Application à la régulation de tension
Pour être utilisée en stabilisateur de tension, la diode Zener doit être polarisée en mode
inverse. Le montage de base est représenté en figure ci-après.
83

Caractéristique de transfert V S = f(V E )
V E est ici une tension positive. Lorsque la Zener ne conduit pas, c’est à dire lorsque V E
est de valeur insuffisante, le montage se comporte comme un pont diviseur de tension.
Le montage reste dans ce mode de fonctionnement jusqu’à ce que V S atteigne V Z .

Cette limite est atteinte lorsque
84

A partir de cette tension d’entrée, la tension de sortie reste stabilisée à V Z
85

Photo diode:
La photodiode est conçue pour permettre la réception du flux lumineux Φ.
Lorsque la longueur d’onde λ du rayonnement est inférieure au seuil
photoélectrique λs du matériau constituant la jonction, il se forme des paires
électrons-trous dans la zone de déplétion qui contribuent à la création d’un courant
inverse. Ainsi le courant circulant dans une photodiode polarisée en inverse est
proportionnelle au flux lumineux reçu ; il est pratiquement indépendant de la
tension de polarisation.
On améliore les performances d’une photodiode en insérant une couche de

semi-conducteur intrinsèque (non dopée) entre les couches P et N ; la structure est
appelée PIN.
86

Photo diode:
La photodiode est conçue pour permettre la réception du flux lumineux Φ.
Lorsque la longueur d’onde λ du rayonnement est inférieure au seuil
photoélectrique λs du matériau constituant la jonction, il se forme des paires
électrons-trous dans la zone de déplétion qui contribuent à la création d’un courant
inverse. Ainsi le courant circulant dans une photodiode polarisée en inverse est
proportionnelle au flux lumineux reçu ; il est pratiquement indépendant de la
tension de polarisation.
On améliore les performances d’une photodiode en insérant une couche de

semi-conducteur intrinsèque (non dopée) entre les couches P et N ; la structure est
appelée PIN.
87

Photo diode:
Les courbes caractéristiques d’une photodiode en fonction du flux sont reproduites Φ
en figure ci-après.
88

Photo diode: Mode photoconducteur
Nous pouvons considérer deux modes d’utilisation selon que l’on polarise ou non la
photodiode par une tension externe.
En mode photoconducteur une source de tension E polarise la photodiode en

inverse. Celle-ci est en mode récepteur. Le courant Ir , proportionnel au flux, est converti
en tension par la résistance R.
89

Photo diode: Mode photoconducteur
le mode photoconducteur étant linéaire et rapide, il est adapté pour réaliser la mesure
de flux lumineux .
90

Photo diode: Mode photovoltaique
En mode photovoltaïque, aucune source externe de polarisation n’est
utilisée.
La photodiode fonctionne en générateur électrique autonome.
Les cellules photovoltaïque utilisées pour produire de l’électricité sont des photodiodes
de grande surface de réception lumineuse
91

Photo diode: Mode photovoltaique
Photodiode utilisée en mode photovoltaïque
92

LED : diode électroluminescente
Dans le cas d’une diode électroluminescente (LED), il s’agit de l’émission
spontanée de lumière provoquée par l’injection des électrons à travers une jonction PN
particulière polarisée en direct.
Les semi-conducteurs utilisés pour réaliser la conversion de l'énergie électrique en

énergie lumineuse sont souvent des composés à base de gallium. La tension de seuil
d'une LED est supérieure à celle d'une diode classique (environ 1,6 V pour de
l'arséniure de gallium).
Elle est en relation directe avec l'énergie (donc la fréquence) du photon émis.
93

LED : diode électroluminescente
Dès son développement dans les années 1970 la LED a révolutionné le monde
de l’affichage lumineux. Ce succès est du à une très bonne fiabilité, une faible
consommation électrique et une grande facilité d’emploi. Les nombreuses applications
des LED concernent principalement :
✓ les voyants, témoins et indicateurs lumineux

✓ les afficheurs et les panneaux de signalisation ;
✓ les télécommandes infrarouges ;
✓ les émetteurs optiques pour transmission par fibre optique ;
✓ les optocoupleurs qui assurent une transmission avec isolation galvanique ;
✓ l’éclairage ;
✓ les fourches et capteurs optiques, les détecteurs de passage …
94

LED : Caractéristiques électriques principales
La LED a un comportement électrique sensiblement identique à celui d’une jonction PN.
Son seuil de conduction est cependant plus élevé et dépend de la longueur d’onde
lumineuse dominante.
Les autres caractéristiques électriques importantes sont :

✓ le courant direct moyen qu’elle peut supporter en permanence. Il est compris
entre 10 et 50 mA pour une LED à usage général ;
✓ le courant direct crête qu’elle peut supporter en régime implusionnel ;
✓ la tension inverse maximale V Rmax admissible sans dommage. Vis à vis de la
tension inverse, la LED est plus fragile qu’une jonction PN et la limite courante de
V Rmax est de –5 volts.
95

LED : Caractéristiques optiques
En pratique, les trois caractéristiques optiques que l’on doit prendre en compte
pour choisir une LED sont :
✓ La couleur liée à la longueur d’onde dominante du spectre d’émission lumineuse. On

trouve des LED à usage général dans les teintes bleue, verte, jaune, orange,
rouge et proche infra rouge. On construit également des LED à émission
ultraviolette et à spectre blanc.
✓ Le diagramme de directivité. Il traduit la distribution angulaire du faisceau d’émission.

Dans une application de signalisation, on préférera un cône d’émission large.
96

Diode schottky :
La diode Schottky est réalisée à partir d’un jonction métal-semiconducteur. Elle doit sa
popularité à son faible seuil de tension directe et à sa rapidité de commutation. Ces
particularités la destinent en priorité à la détection des signaux radiofréquence.
La figure ci-après établit la comparaison entre la courbe caractéristique d’une diode

Schottky et celui d’une jonction PN classique.
97

Diode schottky :
On constate les différences suivantes :
✓ La tension de seuil d’une diode Schottky (0,3 V) est plus faible que celui d’une
jonction PN (0,6 V)
✓ Le courant inverse de la jonction PN est plus faible que celui de la diode Schottky
98

Diode Varicap :
La diode varicap doit être polarisée en inverse. Elle présente dans ce cas une capacité
qui décroît avec la tension selon une loi approchée du type :
Co et Vosont des constantes.
Exemple : pour les diodes varicap de type planar-épitaxial le n= 0,5
99

Diode Varicap :
La diode varicap est utilisée dans de nombreuses applications radiofréquence. Elle sert
notamment à réaliser des oscillateurs à fréquence variable (VCO).
100

Diode Laser:
la diode laser est une LED structurée en cavité résonante. 2 cotés latéraux
parfaitement parallèles sont dotés de miroirs réfléchissants et orientés vers
l’intérieur. L’une des surfaces réfléchissante est quasiment parfaite, la seconde
transmet partiellement la lumière.
101

Diode Laser:
Comme pour la LED, la circulation d’un courant dans le sens direct produit l’émission
spontanée de lumière dans la jonction. Au dessus d’un certain seuil de courant, les
photons engendrés par électroluminescence stimulent à leur tour l’émission
cohérente d’autres photons créant ainsi une amplification laser. La longueur de la
jonction détermine la longueur d’onde du flux émis.
102

Diode tunnel:
C'est une diode dont la caractéristique présente localement une pente négative
lorsqu'elle est polarisée dans une zone médiane de sa caractéristique directe. Cette
propriété est utilisée pour la réalisation d'oscillateur LC, la résistance dynamique
négative étant ajustée pour annuler les pertes du réseau LC parallèle et garantir
l'existence d'une oscillation d'amplitude constante. .
103

Diode tunnel:
le dopage des couches P et N est si important que la tension de claquage est égale à
zéro volt (contre une tension qui peut atteindre plusieurs centaines de volts pour une
diode classique).
Cette diode conduit donc en inverse (polarisée négativement), mais lors de son
utilisation en direct (sens positif), l'effet tunnel se produit donnant à la caractéristique
de cette diode une zone où l’augmentation de la tension aux bornes de la diode entraîne
une diminution du courant la traversant.
Cela correspondant à une résistance négative. Cette résistance dynamique négative peut
être employée pour réaliser une version semi-conducteur de l'oscillateur dynatron qui
utilise normalement une tétrode, un type de tube électronique.
104

Diode tunnel:
Cela correspondant à une résistance négative. Cette résistance dynamique négative
peut être employée pour réaliser une version semi-conducteur de l'oscillateur
dynatron.
105
7.Thyristor Triac et Diac:

Thyristor:
Le thyristor est un élément semi-conducteur assez similaire à la diode à
jonction, utilisée pour le redressement du courant alternatif. Comme la diode, il
laisse passer le courant électrique dans un seul sens, de l’anode (A) à la cathode (K).
Cependant, le thyristor possède une troisième électrode: la gâchette (G, en anglais
gate).
Le thyristor ne conduira que si un courant minimum et positif est fourni à la gâchette.

On pourrait résumer en disant que le thyristor est une diode de
redressement commandée. En anglais, il est désigné par SCR, pour Silicon Controlled
Rectifier (redresseur commandé au silicium).
106

Thyristor:
107

Thyristor : Constitution et fonctionnement du thyristor
Le thyristor est un semi-conducteur constitué d'un sandwich de quatre
couches de silicium, alternativement P et N. Il existe en modèles de faible,
moyenne ou forte puissance.
Le thyristor ne conduit, que lorsqu'il est "amorcé". L’ amorçage, par le courant

de gâchette, peut se faire en courant continu. Il suffit de fermer l’interrupteur
de commande pendant un court instant pour obtenir un courant de gâchette de
faible valeur.
A partir de ce moment le thyristor s’amorce (on dit en anglais qu'il est on

state) et reste amorcé, même après ouverture de l’interrupteur. Dans la pratique,
l'interrupteur est souvent un générateur d’impulsions.
108

Thyristor : Constitution et fonctionnement du thyristor
On désamorce le thyristor en faisant chuter la tension anode -cathode: dès que le
courant descend en dessous du courant de maintien, le thyristor ne conduit
plus (on dit en anglais qu'il est off state).
109

Thyristor : Caractéristique d’un thyristor
Pour le rendre conducteur (on state), on doit d'abord lui injecter un courant
de gâchette suffisant. Ensuite, tant que le courant dans la charge reste supérieur
à I L (L pour latch, verrou), et même en l'absence de courant de gâchette, le
thyristor continue de conduire.
Pour le bloquer, le courant dans la charge doit descendre sous une valeur I H (H
pour hold, maintien) pendant un temps suffisant.
110

Thyristor : Contrôle d’un thyristor au multimètre
Les deux mesures fournissent une faible résistance entre les bornes G et K
111

Thyristor : Contrôle d’un thyristor au multimètre
Entre Anode et Cathode, on vérifie qu’un court-circuit n’est pas installé entre
ces deux électrodes. Une au moins des diodes est bloquée. La mesure au
diodemètre doit donner une résistance infinie quel que soit le sens de connexion.
112

Triac :
Le triac (TRIode Alternating Current, en anglais) est un dispositif semiconducteur à trois
électrodes qui autorise la mise en conduction et le blocage des deux alternances
d'une tension alternative.
Le triac peut passer d'un état bloqué à un régime conducteur dans les deux sens de
polarisation, et repasser à l'état bloqué par inversion de tension (passage par le "zéro
secteur", zero crossing en anglais) ou par diminution de la valeur du courant de maintien.
Par analogie (et d'ailleurs le symbole le suggère), on pourrait dire qu'un triac est constitué
de deux thyristors montés "tête-bêche", en antiparallèle.
113

Triac : Principe
Les trois électrodes du triac sont dénommées gâchette (électrode de commande),
et A1 et A2 (pour Anodes 1 et 2). Ces deux dernières électrodes assurent la conduction
principale.
Le principe de fonctionnement du triac est (très schématiquement) le suivant: un courant de

commande très faible (environ 50 mA) déclenche le triac, qui reste amorcé jusqu'au passage
par zéro de la sinusoïde secteur. La puissance fournie à la charge est maximale lorsque
le déclenchement a lieu juste après le passage par zéro de la tension alternative, mais
en retardant l'impulsion de déclenchement, on peut faire varier à volonté l'intensité appliquée
à la charge.
114

Triac : caractéristiques
115

Triac : utilisation
Contrairement au thyristor, on voit que le triac peut conduire dans les deux sens de
polarisation.
Le triac est avant tout destiné à piloter des charges raccordées au secteur 230 V, par
exemple une ampoule (charge non-inductive) ou un moteur électrique (charge
inductive).
Il permet de réaliser des gradateurs (variateurs) de lumière, des variateurs de vitesse pour
les moteurs des appareils électro-ménagers ou de bricolage; il permet aussi, associé à un
capteur (photorésistance...) de commander un dispositif de commutation ou de régulation
(chauffage, électrovanne...) par ouverture ou fermeture du circuit.
116

Diac :
Le diac (DIode Alternating Current, en anglais) est une diode bidirectionnelle: elle peut être
bloquée ou passante dans les deux sens, selon le sens du courant alternatif. Son rôle essentiel
est de servir au déclenchement d'un triac.
Le diac ne conduit pas le courant (à l'exception d'un courant de fuite négligeable) tant que sa
tension nominale n'est pas atteinte. Cette tension (breakover voltage, en anglais) se
situe, suivant le modèle, vers 32 ou 40 V. Lorsque cette tension est atteinte, il se
produit un phénomène de conduction en avalanche et la tension de seuil du composant
chute aux alentours de 5 V (valeur typique). Le courant qui traverse le diac est alors
suffisant pour déclencher un triac
117

Diac :
Caractéristique d'un diac. Le diac bloque les tensions dans les deux sens, jusqu'à ce que sa
tension nominale (breakover Voltage) V(Bo) soit atteinte. La tension de sortie Vo chute alors à
une valeur bien moindre..
118

Exemple d’utilisation:
Pour une utilisation du triac en gradateur, on recourt souvent à un réseau RC, le cas échéant
associé à un Diac, diode bidirectionnelle permettant d'obtenir un déphasage encore plus
important. On fait varier l'intensité dans la charge par l'intermédiaire de la résistance
variable.
119

Pour une utilisation du triac en gradateur, on recourt souvent à un réseau RC, le cas échéant
associé à un Diac, diode bidirectionnelle permettant d'obtenir un déphasage encore plus
important. On fait varier l'intensité dans la charge par l'intermédiaire de la résistance
variable.
120

Schéma de principe d'un triac utilisé en gradateur, ici associé à un Diac.
Le potentiomètre de réglage permet de faire varier l'intensité lumineuse de l'ampoule.
Deux points importants: dans le cas d'une charge inductive (moteur...), il est nécessaire de
rajouter un circuit de protection du triac, en branchant en parallèle une résistance et
un condensateur, et un circuit d'antiparasitage, comportant une self accompagnée ou
non de condensateurs.
De plus, dès que la puissance dépasse 100 W, le triac doit être équipé d'un dissipateur
(radiateur).
121
8.Etude des Transistor:

Transistor Bipolaire :
Voir document « Etude des

transistor Partie 1»
122
8.Etude des Transistor: Suite

Transistor à effet de champ TEC : Structure
Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types
de porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un
seul type de charges, les trous ou les électrons.
Le transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor

unipolaire.
123

Sur un substrat (P+) très fortement dopé, on diffuse une zone dopée N : le canal.
Au centre du dispositif, on diffuse une grille nommée aussi porte ou gate, dopée P+ reliée
au substrat et de part et d'autre de cette grille, deux îlots très fortement dopées N+ : la source
(zone d’entrée des électrons dans le dispositif) et le drain (zone de sortie des charges)
124

Il existe aussi des JFET (acronyme pour Junction Field Effect Transistor) ayant un canal P
qui sont complémentaires des transistors canal N.
Pour ces transistors canal P, toutes les tensions et les courants sont à inverser.
Le symbole utilisé pour les représenter est donné ci-dessous. Le trait qui correspond au canal
est continu. La grille et le canal forment une jonction PN ; la flèche correspondante est orientée
dans le sens passant de cette jonction. Sur les schémas, elle est parfois décalée du côté de la
source.
125

Transistor à effet de champ TEC : fonctionnement
On procède au relevé des caractéristiques en utilisant le montage ci-après. En fonctionnement
normal la jonction grille canal est polarisée en inverse : le courant d’entrée I G est très faible et
les courants drain et source sont identiques.
Dans le réseau des caractéristiques de sortie I D = f(V DS ), on observe quatre zones différentes.
Une zone linéaire dite résistive, un coude, une zone de saturation (I D ≈constant) et une
zone d’avalanche.
126

Transistor à effet de champ TEC : Zone résistive
Dans une jonction polarisée en inverse existe une zone isolante (sans porteurs libres)
dont l'épaisseur e est fonction de la tension inverse.
Cette zone isolante qui correspond aux jonctions grille canal et substrat-canal diminue la
largeur effective du canal.
127

Transistor à effet de champ TEC : Zone résistive
Pour les tensions V DS faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique
dont la valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et la source.
Le JFET est alors équivalent à une résistance commandée par une tension.
Pour une valeur VP suffisamment négative de V GS , la conduction s’annule. On dit que le canal
est « pincé » et que VP est la tension de pincement.
128

Transistor à effet de champ TEC : Zone du coude
La largeur de la zone isolante est également influencée par la tension entre le drain et la
source. Du côté de la source sa largeur est : e1= k√V GS . Du côté du drain, elle est : e2= k√V GD.
Quand V DS augmente, la valeur du courant drain résulte de deux phénomènes

compétitifs : une croissance liée au caractère ohmique du canal et une diminution liée au
pincement progressif de ce canal.
129

Transistor à effet de champ TEC : Zone de saturation
Dans cette zone tout accroissement de V DS qui augmenterait le courant I D augmente aussi le
pincement.
Quand le canal se pince, la densité du courant augmente jusqu'à ce que les porteurs
atteignent leur vitesse limite : le courant drain reste constant et le transistor est dit
saturé.
La valeur maximum de I D pour V GS = 0, qui correspond au pincement du canal est notée I DSS
130

Transistor à effet de champ TEC : Zone d’avalanche
Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille.
Ce claquage est destructeur du dispositif si rien ne limite le courant drain.
131

Transistor à effet de champ TEC : comparaison avec Tr bipolaire
Il existe beaucoup d’analogies entre les montages amplificateurs réalisés soit avec des
FET soit avec des transistors à jonction.
Les montages source commune se comportent comme les montages à émetteur commun
et les montages drain commun comme les montages à collecteur commun.
132

Transistor à effet de champ TEC : comparaison avec Tr bipolaire
Les avantages des FET sont :
✓ une grande résistance d’entrée

✓ le faible niveau de bruit lié au fait qu’il n’y a qu’un seul type de porteurs et donc pas
de recombinaisons.
Les inconvénients des FET sont :
✓ une faible pente

✓ le manque de linéarité
✓ la grande dispersion des caractéristiques
✓ la polarité opposée des tensions V DS et V GS qui interdit les liaisons directes entre
étages. 133
9.Etude des Amplificateurs opérationnel

Introduction :
Un amplificateur opérationnel (aussi dénommé ampli-op ou ampli op, AO, AOPest un
amplificateur différentiel : c'est un amplificateur électronique qui amplifie une différence de
potentiel électrique présente à ses entrées.
Il a été initialement conçu pour effectuer des opérations mathématiques dans les
calculateurs analogiques.
il permettait de modéliser les opérations mathématiques de base comme l'addition, la

soustraction, l'intégration, la dérivation et d'autres. Par la suite, l'amplificateur opérationnel
est utilisé dans bien d'autres applications comme la commande de moteurs, la régulation de
tension, les sources de courants ou encore les oscillateurs.
134

Introduction :
Dans "amplificateur opérationnel", il y a deux mots :
Amplificateur : c'est la fonction de base de ce composant ; on va étudier plusieurs

montages amplificateurs de base.
Opérationnel : les caractéristiques de cet ampli nous donnent la possibilité de créer des
fonctions mathématiques telles que dérivée, intégrale, Log... Ces fonctions ont autrefois (il y
a 25 ans !) été utilisées dans des calculateurs analogiques, et permettaient notamment de
résoudre des équations différentielles, et ainsi de simuler des réponses de systèmes
physiques divers (mécaniques, acoustiques...). D'où le nom "opérationnel".
135

Principe et caractéristique:
Les bornes +V CC et –V CC permettent de polariser l’A.O., c’est à dire de fournir
l’énergie électrique continue qui permet aux transistors internes de fonctionner.
Généralement, ces tensions sont égales respectivement à +15V et –15V.
136

Comme tout amplificateur de tension, l’A.O. est représenté par le schéma
Entrées V+ et V- : respectivement appelées entrée non inverseuse et entrée inverseuse

137

Pour un AOP parfait
✓ Re : Résistance d’entrée de l’amplificateur, très élevée

✓ ε : Tension différentielle telle que : ε = V+ - V-
✓ Rs : Résistance de sortie, très faible;
✓ A : Gain de l’amplificateur, très élevé
138

Pour un AOP réel
✓ Re = ∞ : Les courants des entrées (+) et (-) sont forcément négligeables, aucun
courant n’entre dans un amplificateur opérationnel
✓ Rs : La tension de sortie V S est indépendante du courant de sortie. V S est
donc indépendante de la charge. Rs : Résistance de sortie, très faible;
✓ A = ∞ : C’est la caractéristique la plus importante pour un A.O., en effet déduit que
ε = 0 et par conséquent V+ = V-
139

Application : Montage suiveur
L’intérêt d’un tel montage (de gain unité) réside dans son utilisation comme étage
séparateur ou adaptateur d’impédance.
140

Application : Montage inverseur
Le signe (-) traduit le comportement inverseur du montage qui se manifeste en continu

par un changement de signe et en alternatif par une opposition de phase.
141

Application : Montage non-inverseur
142

Application : Montage soustracteur
143

Application : Montage additionneur inverseur
144

Application : Montage integrateur
145

Application : Montage dérivateur
146

Application : Montage logarithmique
147

Application : Montage exponentiel
148

Application : Comparateur de tensions.
Le principe est simple : on compare un signal d'entrée à une tension de référence, et selon
que la valeur du signal est supérieure ou inférieure à la référence, l'ampli prendra
l'une ou l'autre des valeurs V sat+ ou V sat- en sortie.
Il existe deux configurations : le comparateur non inverseur (signal sur l'entrée +) et le

comparateur inverseur (signal sur l'entrée -). Dans le premier cas, si la référence est égale à
0, la sortie vaut V sat+ quand le signal est positif et V sat- sinon dans le deuxième
cas, on a l'inverse.
149

Application : Comparateur de tensions.
Si on met un signal sinusoïdal à l'entrée, les chronogrammes d'entrée et de sortie
sont :
150

Application : trigger
Dans cette formule, il faut garder à l'esprit que V s

ne peut prendre que les deux valeurs V sat+ et V sat-
Dans le cas particulier où V ref = 0 et V sat+ = |V sat- | = V sat , on aura
151

La figure suivante donne les signaux d'entrée, de sortie, et de l'entrée V+ de l'amplificateur
152

Le cycle relatif aux signaux de la figure précédente est illustré ainsi :
153

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ONEE-BE Electronique de base

✓ Nom et Prénom : Said BAGHLAL

✓ Fonction: Contremaitre régulation et automatisme

✓ Affectation : Service Electrique et contrôle commande de

Objectif de cette session de formation :

 Introduire la notion de l ’électronique

Domaine de la physique appliquée qui exploite les variations de grandeurs électriques

NB: Le traitement de l’information est généralement assuré par des circuits

Un ensemble de composants (résistances, condensateurs, diodes, transistors, circuits

→ ils engendrent, modifient et utilisent des signaux électriques.

Engendrent : générateur, capteur, compteur,….

Modifient : amplification , redressement, modulation ,…

Utilisent : stockage et traitement de l’information, commande et contrôle

- Variation continue des grandeurs électriques

→ Information en valeurs instantanées I(t) et V(t)

- Variation binaire des grandeurs électriques

→ Codage numérique de l’Information

En 1947 : le premier transistor

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

En 1971 : le premier Processeur

42.10 6 TMOS (taille d’un transistor: ~0,18 m)

Couplage avec la micro-mécanique et l’optique (MEMS, MOEMS)

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

• à très basses températures, ils se comportent comme des isolants parfaits;

• pour des températures assez élevées , les semi-conducteurs conduisent le

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

Ces électrons et ces trous sont appelés porteurs libres.

• ni la concentration en porteurs négatifs (les électrons),

Pour les semi-conducteurs intrinsèques, on a bien ni = pi

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

• les trous dans le sens du champ

Ce double déplacement constitue le courant électrique

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

Le cristal ainsi dopé est dit semi-conducteur extrinsèque.

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

2.Généralités sur les semi-conducteurs:

On spécifie deux catégories :

Réciproquement, si on fait circuler un courant dans ce dipôle, il va apparaître une

Bien qu'ils ne répondent pas intrinsèquement à la définition ci-dessus, on classera également

✓ En séries : si ils sont parcourus par la même intensité de courant électrique.

✓ En parallèles : si ils ont une même différence de potentiel à leurs bornes.

✓ En séries : si ils sont parcourus par la même intensité de courant électrique.

✓ En parallèles : si ils ont une même différence de potentiel à leurs bornes.

✓Convention générateur : les flèches du courant et de la tension sont dans le même

✓Convention récepteur : les flèches du courant et de la tension sont en sens inverse

D’autre part la puissance consommée est égale à :

En divisant par I on obtient :

𝑈𝐴𝐵 = 𝑅1 𝐼 ; 𝑈𝐵𝐶 = 𝑅2 𝐼 ; 𝑈𝐶𝐷 = 𝑅3 𝐼 ; 𝑈𝐷𝐸 = 𝑅4 𝐼; … 𝑈𝑌𝑁 = 𝑅𝑛 𝐼

Nous adoptons la règle suivante :

Nous pouvons donc écrire les égalités suivantes :

La règle générale des résistances en dérivées est la suivante :

La conductance d’un ensemble de résistance en dérivation est égale à la somme des

✓ Un nœud (N) est un point où se connectent au moins 3 conducteurs.

Boucle complète : +E1 – 𝑅1 𝐼 – 𝑅2 𝐼 – E2 = 0