Cours d’Electronique Analogique

ENSPS - 1ière année. Année universitaire : 2004/2005

Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr

(http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/)

 http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA/

1
Introduction
• Qu’est-ce que l’électronique ?

Domaine de la physique appliquée qui

exploite les variations de grandeurs électriques pour

capter, transmettre ou analyser des informations.

Le traitement de l’information est généralement assuré par des

circuits électroniques.

2
• Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?

Un ensemble de composants (résistances, condensateurs, diodes,

transistors, circuits intégrés: AOP, microprocesseurs, …)

qui agissent sur les courants et tensions éléctriques

ils engendrent, modifient et utilisent des signaux électriques.

stockage et traitement de
l’information, commande et
contrôle d’appareillage,...

amplificateur, redressement, modulateur ,…

générateur, capteur, compteur,….
3
• L’hierarchie de l’Electronique
Technologie des composants semiconducteurs
- Conception et modélisation des composants
 physique des semiconducteurs (transport de charge, interfaces,…)
- Fabrication des composants
physique de la matière condensée (croissance cristalline, dopage, …)

Conception de circuits électroniques et microélectroniques

- Conception de circuits fonctionnels
- Conception assistée par ordinateur
 Traitement du signal, algèbre de Boole

Réalisation de systèmes complets

- Architecture des systèmes
- Interfaces avec l’environnement
- Systèmes asservis
4
• Electronique « Analogique » ou « Numérique »

Electronique analogique

- Variation continue des grandeurs électriques

Information  valeurs instantanées I(t) et V(t)

Electronique numérique

- Variation binaire des grandeurs électriques

Codage de l’Information  Niveau d’abstraction supplémentaire

5
• Pourquoi quelles applications ?

Instrumentation

Robotique

Communications

Multimédia

Systèmes informatiques

Cartes mémoires

6
• Pourquoi quels métiers ?

R&D sur les composants électroniques

– réduction des dimensions, introduction de nouveaux matériaux,
nouveaux types de composants: optoélectronique, de puissance,
mémoires, ...

Simulation et programmation
–R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I.

Conception de circuits électroniques

–conception, simulation et réalisation de circuits pour toute application

7
• L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…

En 1947 : le premier transistor

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

8
En 1971 : le premier Processeur

4004 d’INTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)

9
Hier : le Pentium IV

42.106 TMOS
(taille d’un transistor: ~0,18m)

10
La « loi » empirique de Moore…

Taille des transistor  Taux d’intégration  Vitesse de calcul 

11
et demain…

Transistor
La nano-électronique 25nm
(10nm possible)

Couplage avec la micro-mécanique et l’optique (MEMS, MOEMS)…

12
Les technologies émergentes

Electronique sur plastique

Electronique moléculaire
Une molécule comme composant

13
Mais ça ne se fait pas tout seul...

14
• L’ Electronique à l’ENSPS…

1A: Les bases :

- Electronique Analogique
- Electronique Numérique
- Complément d’électronique

2A: Notions avancées :

- Electronique Numérique et Analogique II
- Simulation et modélisation en microélectronique
- Microcontrôleurs

En option :
- Physique des dispositifs semiconducteurs
- Technologie des composants numériques

3A: La spécialisation :
- ENSPS: OPTION ELEC
- MASTER Micro- et Nano- Electronique: Composants et Systèmes
15
 • Le lien avec les autres enseignements (1A) :

Physique de la matière
 semiconducteurs, théorie des bandes, transport de charges

Emetteurs capteurs
 physique des composants semiconducteurs

Systèmes asservis
 systèmes linéaires, circuits à contre-réaction

Traitement du signal
 filtrage, systèmes linéaires, modulation...

16
 Contenu du cours d ’électronique analogique
1. Quelques rappels utiles

2. Les Diodes

3. Applications des diodes

4. Le Transistor bipolaire

5. Les Transistors à effet de champ

6. Rétroaction et amplificateur opérationnel

Bibliographie
 Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
 Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
 Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
17
 1. Les bases
I
1.1 Composants linéaires et loi d’Ohm … :

I
• Résistance électrique = composant linéaire :
V V R
V=RI loi d’Ohm

 Le ”modèle linéaire” ne décrit le comportement réel du composant que dans un “domaine de

fonctionnement (linéaire)” fini.

• Généralisation aux circuits en “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et courants) :

V    Z    I  

C L
composant linéaire :
1 Z     jL
“impédance” : Z   
jC

18
1.2 Source de tension, source de courant :

1.2.1 Sources idéales :

I
I
source de courant Io
Io V charge
idéale :
V

 le courant fourni par la source est indépendant de la charge

I
source de V
Vo
tension idéale : Vo V charge

I
 la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge

19
 1.2.2 Sources réelles : domaine de fonctionnement linéaire
ou “domaine de linéarité”
I
source de courant Io  schéma
réelle : équivalent

 Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant en tant que source de

courant

Schéma équivalent: hyp : Vdomaine de linéarité

I
V
 I  Io 
Ri
Io Ri V charge
 I  cst  I o
V 
tant que I >> courant dans la résistance interne  
Ri = “résistance interne”  Ri 
(Gi = 1/Ri = conductance interne)

source de “courant” Ri >> V/I = Ze = “impédance d’entrée” de la charge.

20
 domaine de linéarité
source de tension I
réelle : V
Vo  schéma
Vo V charge
équivalent

Schéma équivalent:

hyp : Vdomaine de linéarité

I  V  Vo  Ri I
Ri
V charge  V  cst  Vo
Vo
tant que la chute de potentiel aux bornes de R i est faible
devant V  Ri I  V 

source de “tension”  Ri << Ze

21
Transformation de schéma :

“vu” de
en fait... Ri la avec
charge
V
 I o  o = “courant de court-circuit”

charge

charge
Vo Io Ri
(charge remplacée par un
Ri court-circuit)

[Vo = tension en “circuit ouvert” du dipôle]

V Vo V
puisque I  Io     V  Vo  Ri I
Ri Ri Ri

 selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri)

Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source dépend de la
tension aux bornes d’un des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite “liée”. Vous verrez des exemples de sources
liées dans le cas des transistors.

22
1.3 Théorème de Thévenin :
 Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire, constitué de résistances, de sources de tension et
de sources de courant est équivalent à une résistance unique RTh en série avec une source de tension
idéale Vth.

A
I Rth
I A

V  Vth
V
= “générateur de Thévenin”

B
B

!
Calcul de Vth: Vth  V  circuit ouvert 

! Vth V  circuit ouvert

Calcul de Rth: Rth  
I  court - circuit  I  court - circuit 

ou Rth  R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées.
[remplacement des sources de tension non-liées par un fil (V o=0), et
des sources de courant non-liées par un circuit ouvert (I o=0)]
23
Mesure de Rth :

Au multimètre : exceptionnel… puisqu’il faut remplacer toutes sources non-liées par des court-
circuits ou des circuits ouverts tout en s’assurant que le domaine de linéarité s’étend jusqu’à
V=0V.

A partir de la mesure de V(I) :
V
Vth
pente = - Rth
Vth mesures
2
générateur équivalent de Thévenin

V !
 Rcharge  Rth  méthode de “division moitié”
I V Vth
2

 En régime harmonique le théorème de Thévenin se généralise aux impédances complexes.

 “Générateur de Norton” = source de courant équivalente au générateur de Thévenin

 Rth= “impédance de sortie” du montage.

24
2. Les Diodes

2.1 Définition Id Id

 Caractéristique courant- Vd
tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe”
(“Vd0”), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation “inverse” (Vd<0)
la diode = circuit ouvert

 Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).

La diode (même idéale) est un composant non-linéaire

 Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semiconducteurs

(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
électrique 2A)
25
2.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime statique
(tension et courant Id
indépendants du
140
temps) comportement linéaire
100

60

20
Is
Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd

 Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1µA ,

 la diode est dite “bloquée”
 dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
 le courant “inverse”, Is , augmente avec la température

 Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
 la diode est dite “passante”
 mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo)

26
 Id
140

100

60

20

Vo
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 Vd

 Zone « du coude » : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

  V   avec 1 2 (facteur “d’idéalité”)

I d  I s exp d   1
   VT   VT = k • T/e
k = 1,38 10-23 J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10-19Coulomb, T la température en °Kelvin
Is = courant inverse

 le comportement est fortement non-linéaire

 forte variation avec la température

 VT (300K) = 26 mV
27
Limites de fonctionnement :

 Zone de claquage inverse Id

Ordre de grandeur :
VdId=Pmax
Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax

Vo Vd
 peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.

 Vmax = « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet Zener

« P.R.V » (Peak Reverse Voltage) ou Avalanche
 Limitation en puissance

Il faut que VdId=Pmax

 Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si)

diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C

28
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge

2.3.1 Point de fonctionnement

 Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
Id
Val Vd Id , Vd, ?
RL VR

 Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

 Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant

 Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

29
2.3.2 Droite de charge
V  Vd
 Loi de Kirchoff :   I d  al = Droite de charge de la diode dans le circuit
RL

Caractéristique I(V)

Id
Val/RL
Q
IQ Q= Point de fonctionnement

« Droite de charge »

Vd
VQ Val

 Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement

 procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !

 On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.

30
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires  hyp: Id, Vd constants

2.4.1. “Première” approximation: Diode « idéale »

 On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale

Id

pas de tension seuil Id

conducteur parfait sous polarisation directe Vd
 V <0: circuit ouvert
Vd
d

 Schémas équivalents :
Id Ri
pente=1/Ri diode “passante”
Val  Id  0
Val >0 Vd
V
Ri Val I d  al , Vd  0
Ri

Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val< 0 Vd Val  Vd  0

Val I d  0, Vd  Val
31
2.4.2 Seconde approximation

tension seuil Vo non nulle Id

Id



caractéristique directe verticale
Vd
(pas de “résistance série”) Vd
 V <0: circuit ouvert
d
Vo
 Pour une diode en Si: Vo  0,6-0,7 V

schémas équivalents :
 Schémas équivalents Ri
Id diode “passante”
pente=1/Ri
Val
V  Id  0
o

Val >Vo Vd
V  Vo
Ri Vo Val I d  al , Vd  Vo
Ri
Val Id
Ri
diode “bloquée”
Val  Vd  Vo
Val<Vo Vd
Val I d  0, Vd  Val

32
2.4.3 3ième Approximation
Caractéristique réelle
pente = 1/Rf
 tension seuil Vo non nulle Id
 résistance directe R non nulle
f Vd
 V <0: résistance R finie
pente = 1/Rr~0 Modélisation
d r

 Pour une diode en silicium, Vd

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10Rr -2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
>> M

 Schémas équivalents

schémas équivalents :
Id
Val >Vo : pente=1/Ri
Ri Vo
diode passante
Vd Id
Val Vd  I d  0 et Vd  Vo
Vo Val Rf  Vd  Vo  R f I d
Id
Ri
Val <Vo :
Vd diode bloquée
Val  Vd  Vo
Val Rr
33
Remarques :

V
 Rf  d
Id

 Le choix du modèle dépend de la précision requise.

 Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la

caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus évolués
(modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

34
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :

Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode.

Démarche (pour débutant...):

a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge

b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode

c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ

S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.

Recommencer le calcul avec l’autre schéma.

Démarche pour étudiants confirmés...

Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...

35
 Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.

hypothèse initiale :  diode passante [Vd >Vo , (Id>0)]

>
Val = 5V R L= Vd OK!
1k
Id Vo Rf V  Vo
  I d  al  4,33mA
Informations sur la diode: > R f  RL
Vo = 0.6V ( Si) 5V 1k et Vd  Vo  R f I d  0,66V
Rf = 15
Rr =1M

En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée:  Vd  5V  Vo 

En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0, Rr = )   I d  4,4mA et Vd  0,6V

 La 2ième approx. est souvent suffisante pour une étude qualitative du fonctionnement d’un circuit

36
 Autres exemples :
Caractéristiques des diodes :
1) Rf = 30, Vo=0.6V, Is=0 et RR infinie
50 Calcul de Id et Vd

Val 1M pour :

a)Val = -5V
b) Val = 5V

Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs

2) R1 = 1k Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée :

• à fréquence nulle : ventrée = Ve (constant)

ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste
Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode pas
d’effet “capacitif” ou )

37
3) D1 D2

Diodes au Si
2V
100 

50
4)

1V

Diodes au Si

38
2.5 Comportement dynamique d ’une diode

2.5.1 Préambule : Analyse statique / dynamique d’un circuit

L’ Analyse statique

… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques

(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

 = Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes

L’ Analyse dynamique

… ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )

 n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!

Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables

39
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.

R1
hypothèses: ve = signal sinusoïdal, à valeur moyenne nulle
ve VE = source statique
R2 V(t)=V+v(t)
VE

Calcul complet

R2
V t  VE  ve  t    R2 VE  R2 ve  t 
R1  R2 R1  R2 R1  R2

V v(t)
Principe de superposition :
 Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
 la source statique VE est à l’origine de V , et ve est à l’origine de v

40
 R1
Analyse statique :
R2
ve  0 VE V V  VE
R2 R1  R2

“schéma statique” du circuit

 En statique, une source de tension variable à valeur moyenne nulle correspond à un court-circuit

R1
Analyse dynamique : VE = 0
R2
ve v t   ve  t 
R2 v R1  R2

“schéma dynamique”

 Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”

41
Autres exemples:
R1 R2
1)
ve Io R3 V(t)=V+v(t)

Schéma statique R1 R2
R1R3
V Io
V R1  R2  R3
Io R3

Schéma dynamique
R1 R2
R3ve  t 
v t  
ve R3 v R1  R2  R3

 Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
42
2)  C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
Val dépend de la fréquence du signal

R1
C

Rg
vg R2 V (t)


Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert

Val R2
R1 V  Val
R1  R2

R2 V

43
 Schéma dynamique :
1
Zc 
iC

R2 // R1
v  vg avec Z g  Rg  1
R1 R2 // R1  Z g iC
ZC

vg Rg
 R2 v

schéma équivalent dynamique

R2 // R1
pour  suffisamment élevée : Z g  Rg et v vg
R2 // R1  Rg

 A “très hautes” fréquences (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par
un court-circuit.

44
 Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !

Extrapolations possibles:

 le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du composant non-

linéaire

 l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant reste
approximativement linéaire.

 “modèle linéaire petits signaux” de la diode

45
2.5.2 Modèle petits signaux (basses fréquences)

hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.

 Variation de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :

 la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q

pente : dI d
 id   vd
dI d dVd Q
Id dVd Q
 schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :

I dQ 2|id| Q
1
Vd dI d
 = “résistance dynamique”
dVd Q
Vo de la diode
v|

VdQ

 Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !
46
 Notation :
1
dI d
rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0
dVd V  0
d

1
dI d
rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0
dVd V  0
d

 Pour Vd >> Vo, rf  Rf

1
1   Vd 
dI d d  VT  VT
 Pour Vd  [0, ~Vo] , r f   I
 s e  I s  
dVd  dVd   Id
Vd
  
 Pour Vd < 0 , rr  Rr

25
 à température ambiante : r f     1
I d  mA

 proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle

 rf ne devient jamais inférieure à Rf (voir courbe expérimentale, p27)
47
Exemple :
diode: Si, Rf = 10, Vo = 0,6V ,
Rb
1k C 2k Température : 300K

5V Ve
Ra 10µF D 
ve  0,1  sin 103  2  t 
ve Vd(t)

5  0,6
Analyse statique : ID   2,2mA, VD  0,62V
2000

26
Analyse dynamique : rf   12, Z c  16  Ra
2,2

Schéma dynamique :

2k

 vd  1,2  103 sin 103  2  t 
1k
 Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
vd
ve ~ 12

48
2.5.3 Réponse fréquentielle des diodes

 Limitation à haute fréquence :

Pour des raisons physiques, le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd
au delà d’une certaine fréquence.

 apparition d’un déphasage entre Id et Vd

 le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable

 Le temps de réponse de la diode dépend :

 du sens de variation (passant bloqué, bloqué passant) (signaux de grande amplitude)

 du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)

49
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

 une petite variation de Vd induit une grande variation Id, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode

 A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre
les variations de Vd)

 ~ Comportement d’un condensateur, dont la valeur augmente avec Id

(cf physique des dispositifs semiconducteurs)

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd >0) :

rc

 I dQ  Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA, 300K.

rsc Cd 
T
= “capacité de diffusion”

 à basse fréquence : rc + rs = rf

 la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
50
suite de l’exemple précédent…: A quelle fréquence la capacité dynamique commence-t-elle à
5V influencer la tension vd ?
Rb
1k C 2k Id = 2,2mA  Cdiff ~100nF
Ra 10µF D
ve Vd(t)

Schéma dynamique en tenant compte de C diff : (hyp simplificatrice: rc ~0)

1k rth ~11

v v
~ 12
ve Cdiff vth Cdiff = « filtre » passe-bas

 v 
log 
-3dB
 vth 

log f
f  1  130kHz 51
2rthCdiff
 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

 une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son
tour déplace les charges électriques.

 à haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieur à Is.

 Ce comportement peut encore être modélisé par une capacité électrique :

Modèle petits signaux haute fréquence (Vd < 0) :

rr 1
Ct  = capacité de “transition” ou “déplétion”
Vd  Vo

 Ordre de grandeur : ~pF

52
 Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse

Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque la diode
bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
VQ Vg
Vo t
R -VR
Vo Vd
Vd
Vg
-VR
temps de réponse
Id
(VQ-Vo)/R

-VR/R

 le temps de réponse dépend du courant avant commutation.

 ordre de grandeur : ps  ns
53
2.6 Quelques diodes spéciales

2.6.1 Diode Zener

 Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une tension
seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

 Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax  régime de fonctionnement

54
 schémas équivalents
 Modèle statique :
hyp : Q  domaine Zener

Rz
Vd 
Id Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q  Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
1
 dI 
-Imax rz   d   Rz pour |Id| >Imin
 d Q
dV
 

55
2.6.2 Diode électroluminescente (ou LED)

 Principe : La circulation du courant provoque la luminescence

 Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo)

 L’intensité lumineuse  courant électriqueId

 Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

 Vo  0.7V ! (AsGa: ~1.3V)

56
3. Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP.

3.1 Limiteur de crête (clipping)

 Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.

Clipping parallèle
(diode // charge) droite de charge Id
Rg Vg
circuit à Rg // Z e Q
Vg Ve Ze protéger Vd=Ve
Vo
Vg
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode.

Clipping série :
Rg

circuit à
Vg Ve(t) Ze protéger
57
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture d’un relais)

+20V  ouverture de l’interrupteur : +20V  Protection par diode :

dI
 V L    Vmax<0 ~ - 0.7V
V L dt
V
 VA  +  VA  ~20,7V
I
I
A risque de décharge électrique à  la conduction de la diode
travers l’interrupteur ouvert engendre un courant
transitoire et diminue la
 L’interrupteur pourrait être un
tension inductive.
transistor...

58
3.2 Alimentation
 Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)

Les fonctions effectuée par une alimentation :

Redressement Filtrage passe-bas Régulation

V>0

V<0

59
Redressement simple alternance
Vs  Vm  0.7
220V
50Hz Vs Rc
(cf avant)
t
Ri =résistance de sortie du transformateur
Vm =amplitude du signal du secondaire

Redressement double alternance (pont de Graetz)

R
D1 Vs V
,i ~1.4V
D2

Vi Vs Rc
t
D3 D4 Vi  1.4V

60
avec filtrage : 50 
R
D1 D2

Rc=10k
Vi Vs
200µF
D3 D4

ondulation résiduelle

Charge du condensateur à travers R

et décharge à travers Rc
 RC << RcC

sans condensateur
avec condensateur

Régulation: utilisation d’une diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors) 61
Autres configurations possibles :
 Utilisation d’un transformateur à point milieu :

 mauvais rendement, puisqu’à

secteur
chaque instant seule la moitié du
~
bobinage secondaire est utilisé

transformateur à
point milieu

 Alimentation symétrique :

+Val

secteur
~ masse

-Val
62
3.3 Restitution d’une composante continue (clamping) ou « circuit élévateur de tension »
 Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
 reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle

Exemple : Rg C

Vg(t) Vc Vd
D

Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)

 Lorsque Vg - Vc > ~0.7V , la diode est passante  Lorsque Vg - Vc < 0.7, la diode est bloquée
Rg C Rg C
I

Vc Vc
Vg Vd ~0.7V Vg Vd

 C se charge et Vc tend vers Vg – 0.7 Vc = constant (C ne peut se décharger!)

 Vd ~ 0.7  Vd = Vg +Vc 
~ composante continue
63
  Cas particulier :
Rg C
Vg  Vm sin    t  pour t  0
Vg(t) Vc Vd
Vc  0 pour t  0 (C déchargé) D
 Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge

C=1µF
Simulation Rg =1k
Vg f= 100hz
Vc Vm =5V
charge du condensateur

Vd 0.7V

Vd
t (s)

64
Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante

Décharge de C avec une constante de temps RrC

 le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/RrC (105hz dans l’exemple) :

 en régime permanent: Vd  Vg - Vm

composante continue

Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.

65
3.4 Multiplieur de tension
 Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
Rg C Vg  Vm sin  2f  t  pour t  0

Vm=10V, f=50Hz, C=10µF

Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg
Cl
Rc=100k.

clamping redresseur monoalternance avec filtre RC

VD1 ,VRc  En régime établi, le courant d’entrée du
redresseur est faible (~ impédance d’entrée
élevée)

 VRc  2  Vm  1,4  2  Vm

t  Il ne s’agit pas d’une bonne source de

tension, puisque le courant de sortie (dans Rc)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
régime transitoire / permanent 66
Autre exemples : Doubleur de tension

source
AC
charge

 l’impédance d’entrée de la charge doit être >> Rf + Rtransformateur+Rprotection

 source “flottante”  nécessité du transformateur

67
4. Transistor bipolaire

4.1 Introduction
 le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique

il peut :
 amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...

 être utilisé comme une source de courant

 agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire)

 essentiel pour l’électronique numérique

 ...

il existe :
 soit comme composant discret

 soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)

68
 on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ

 différents mécanismes physiques

 Ils agissent, en 1ière approx., comme une source de courant commandé

 transistor bipolaire : commandé par un courant

 transistor à effet de champ: commandé par une tension

Icontrôle I commandé  A  I contrôle I commandé  G  Vcontrôle

Vcontrôle

source de courant source de courant

commandée par un commandée par une
courant tension

A = “gain” en courant G = transconductance.

 Idéalement : l’étage d’entrée ne dépend pas de l’étage de sortie.

69
4.2 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
 Structure simplifiée

Transistor PNP Transistor NPN

E E
diode « EB » diode « EB »

émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes
P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C

 Deux « jonctions PN ou diodes » couplées  « effet transistor »

 Symétrie NPN/PNP

70
  Effet transistor  Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
Exemple: Transisor NPN

RE
E N+ P N C
RC

IE 
e - E IC

VEE IB VCC
B

 si VEE > ~ 0.7V , jonction EB passante  VBE ~ 0.7V, IE >> 0

 La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E)

 courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E)

 VCC > 0, jonction BC “bloquée” => champ électrique intense à l’interface Base/Collecteur

 La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
 IC ~IE et IB = IE -IC << IE

 En mode actif, IC est contrôlé par IE , et non vice versa…

71
 Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale...

 Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V

.

 Symboles
C C  IE >0 en mode actif

B B

E E
PNP NPN

Conventions des courants :

IC IC
IB IB

IE IE

NPN
PNP
 IE = IB+IC 72
4.3 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
 Choix des paramètres :

 Les différentes grandeurs électriques (IE, IB, RE IE IC RC

VBE,VCE,…) sont liées: VEE
VBE IB VCB VCC
 différentes repésentations équivalentes des
caractéristiques électriques existent
 Configuration “Base Commune”
( base = électrode commune)

 Caractéristiques : IE (VBE,VBC), IC (VBC ,IE)

 Configuration “Emetteur Commun”

(émetteur= électrode commune)

 Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

 La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.

73
Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN

« caractéristique d’entrée »
IE (VBE, VCB) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

 ~ caractéristique d’une jonction PN

IE (mA)
 V  
I E  I s exp BE   1
VCB=0 , -15
  VT  
2
 très peu d’influence de IC (resp. VCB)
1

VBE (V)
0.1 0.5

Jonction BE bloqué Jonction BE passante

IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE  0.6-0.7V= « Vo »

74
 mode actif
IC (VCB, IE) :
Ic (mA) IE (mA) VBE 
2.0

1.5 1.5
1.0 1 IC  I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
 jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC

 pour VCB > ~-0.5V, on a IC =FIE , avec Fproche de 1.

 En mode actif, I B  I E  I C  I E 1   F 

 pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0

 Transistor en “mode bloqué”

 pour VCB  -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
 Transistor en “mode saturé”

Ordre de grandeur : F ~0.95 - 0.99 F = “gain en courant continue en BC”

75
Caractéristiques en configuration EC :
« caractéristique d’entrée »
IB (VBE, VCE) :
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

IB (µA) IC
IE

VCE= 0.1V N P E
N
3 IB

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

 VBE > 0.6V, jonction PN passante

 IB <<IE  charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC
I B  1   F  I E

 Influence non-négligeable de VCE sur F  “Effet Early”

76
IC (VCE, IB) :
Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA

10µA
1
5µA
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”

 Mode actif : BE passant, BC bloquée  VBE  0.7V et VCB >~ -0.5 V

 VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V

F
IC   F I E   F  IC  I B   IC  I B " hFE " I B hFE = “gain en courant
1F
continue en EC” = “F”
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250
 Grande dispersion de fabrication sur hFE.

 Effet Early : F tend vers 1 lorsque VCE augmente  hFE augmente avec VCE

 Mode saturé : Diode BC passante -> IC ~ indépendant de IB

 hFE diminue lorsque VCE  0 77
  Modes actif / bloqué / saturé
Transistor NPN
Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC I c  hFE I B

Mode bloqué : IB  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé : VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C B
B IB C B C C

B
 ~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V

E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

 VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 78
VCE ne peut pas dépasser cette valeur!
 Transistor PNP
Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC ( 0) I c  hFE I B

Mode bloqué : IB  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé :VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C B
B IB C B C C

B
 ~0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

79
 Valeurs limites des transistors

 Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

 Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC

 Courants de saturations inverses :

IC , IB et IE 0 en mode bloqué

ICVCE =Pmax

fiches techniques :
80
 Influence de la température

 La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température

 les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T

 VBE, à IB,E constant, diminue avec T

 ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T

 Risque d’emballement thermique : T  I C   Puissance dissipée   T  

81
4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit  Point de fonctionnement

 Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.

Exemple :  Comment déterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Droites de charges :

Rc V  VBE
Vth  Rth I B  VBE  I B  th
Rth
Rth
V  VCE
VCC  RC I C  VCE  I C  CC
Vth RC

82
  Point de fonctionnement

IB  VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V

V  VBE (diode passante
 I B  th
Rth transistor actif ou saturé)

Q
IBQ

VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ

Ic(mA)  VCE sat  VCEQ  VCC

Q VCC  VCE sat VCC

I CO  I c  
ICQ  IBQ Rc Rc
V  VCE
I C  CC
RC
 Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
ICO

VCEsat VCEQ VCE (V)

83
Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3k Vcc
Rc
Rth=30k Rth IB

hFE =100
Vth 0.7V hFE IB
Vth =1V

 I BQ  10 µA
 I C Q  1mA  On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

 VCE Q  7V Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.

84
 Remplacement de Rth par 3k +VCC=10V
Rc=3k
  I BQ  100µA
Rth=3k
  I C Q  10mA
hFE =100
  VCE Q  20V !!
Vth =1V
 Résultat incompatible avec le mode actif

le modèle donne des valeurs erronnées

Cause :
Ic(mA)  IBQ
En ayant augmenté IBQ,(réduction de Rth) Q
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
 VCE Q ~ 0.3V

et I CQ  3.2mA

VCEQ VCE (V)

85
 Quelques circuits élémentaires :
t<0 : VBE < 0.7V  Mode bloqué
Transistor interrupteur: +VCC

RC
+VCC RB

Rc “Interrupteur
VBB
ouvert”
0.7V I RC  0
RB
t

t>0 : VBE > ~0.8V, telque RcIc ~VCC

VCE ~qq. 100mV

IC Interrupteur fermé VCC

Vcc
“Interrupteur
Rc
RC fermé”
RB

Interrupteur ouvert
~0.8V ~0.2V <<VCC

VCE V  0.2 VCC

VCC I RC  CC 
VBEmin  0.7 RC RC
Vcc
I Bmin   86
( interrupteur fermé)
Rc hFE RB
Transistor source de courant :

VCC

charge V  0.7V
Rc  I  BB
RE
I “quelque soit” Rc …
tant que le transistor est en mode actif

•E
VBB RE
Domaine de fonctionnement : VBB  0.7V 
 0  VCE  VCC   RC  RE  I C  VCC

Source de courant Vcc

 Rc
max
  RE
I
pour Rc supérieure à Rcmax  transitor saturé

 Rc
min
0

87
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension

10V
15V

charge 560
10k I

Vz =5,6V
4,7k I
10k charge

88
Transistor, amplificateur de tension : hypothèses :
Point de fonctionnement “au repos” :
+VCC
Transistor en mode actif lorsque vB = 0
(amplificateur “classe A”)
RC
 Amplitude du signal vB suffisamment faible
IC
B pourque le transistor soit à chaque instant actif
•
 En 1ière approximation :
vB •E
VB  0.7
VSortie  IE   I C  I C  ic (IB <<IC)
RE
VBB RE
v
En négligeant la variation de VBE :  ic  B
RE

Enfin : VSortie  Vcc  Rc I C  VS  vs : S  Vcc  R  I C

avec V

R R
et vs   Rcic   c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av   c
RE RE

 Av = “” pour RE =0 ?? voir plus loin pour la réponse...

 Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manière optimale? 89
4.5 Circuits de polarisation du transistor

 Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

 Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.

 Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)

 Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

 sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE ,… )

 stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).

90
 Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2

VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V  VBE Vcc  0.7
I B  cc 
RB RB

Q : I c  hFE I B et VCE  Vcc  Rc I c

Conséquence : hFE  Ic  VCE

Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur

 Circuit de polarisation peu utilisé.

Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé  RB tel que I B  I Bsat 
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur. 91
 Polarisation par réaction de collecteur

+VCC VCC  0.7

 IC 
R
RC  B
hFE
RC
RB
Le point de fonctionnement reste sensible à hFE

Propriété intéressante du montage :

Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut être inférieur à 0.7V

V  0.7
Cas particulier : RB=0  I C  CC VCE  0.7V
RC
 Le transistor se comporte comme un diode.

92
 Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »

+VCC
+VCC Vth  Vo
IC  I E  (Vo~0.7V)
RE  Rth / hFE
R1 RC Rc

Rth VCE  VCC   RC  RE  I C

R2 R2
Vth avec Vth  VCC et
R1  R2
RE
Rth  R1 // R2

Rth V  Vo
 Peu sensible à hFE : si  RE  I C  th
hFE RE
 Bonne stabilité thermique de IC à condition que Vth >>Vo <~> VB >>Vo

Règles « d’or » pour la conception du montage :

• Rth/RE  0.1 hFEmin ou encore R2 < 0.1 hFEmin RE  IR2 10 Ib

• VE ~VCC/3
93
 Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1
 +VCC
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
R1 RC
RE introduit une contre-réaction
R2
RE

Augmentation de T IE augmente VE augmente VBE et IE diminuent

contre-réaction
VBE I diminue de 2mV/°C
E
VB ~Vth

94
4.6 Modèle dynamique
 Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
 Comportement approximativement linéaire
 Modèles équivalents

 Caractéristique d’entrée :  V  
I B  I s exp BE   1 hFE
+VCC   VT  
IB
dr
RC oit
ed
ec
IC ha iB
B rg
e
• IBQ Q t
vB
vB •E
VSortie VBEQ VBE
0
0.2 0.4 0.6
VBB RE

vBE
t

Pour vB petit:
I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du
ib   vbe  vbe  be transistor en EC
VBE Q hFE  VT " hie "
95
Notation :
h V
" hie "  FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
IE

B ib C

hie
vbe

 hie « i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire)

 Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin).

 A température ambiante (300K) on a : 26  hFE

hie   
I E  mA

96
 Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge
Ic

ic=hfe ib
En première approximation :
t IBQ+ib
Q IBQ
ic " h fe "ib

B ib ic C
VCE
hie hfeib VCEQ
vce
hfe = gain en courant dynamique
E
 hFE en Q (*)
I c
En tenant compte de l’effet Early: ic  h feib  hoevce où hoe 
VCE Q

B ib ic C
hoe 1 = impédance de sortie du transistor en EC
hfeib
hie
hoe-1
Ordre de grandeur : 100k - 1M
E

97
 Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
 Note sur hFE et hfe :

droite de charge tangente en Q

Ic
Ic
IB (µA) ic  h feib
20
Q Q
15
droite passant par l’origine
10
1 IC  hFE I B
5
VCE
IB (µA)

on a généralement :
h fe  hFE

sauf à proximité du domaine saturé

98
 Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
VCC VCC
A.N.:
Vcc=15V R1 Rc
R1 Rc
R1=47k
R2=27k statique
Rc=2.4k
RE=2.2k C
vg Vs=VS+vs VS
hFE=100 R2
RE R2
signal RE

composante
continue
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
 C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
 Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
 R2 
 VCC  VBE  mode actif A. N
R  R2
I EQ   1   ICQ  2.2mA
RE
A.N
99
 VS  VCC  Rc I CQ  10V
Analyse dynamique :
Hypothèses : transistor en mode actif  schéma équivalent du transistor

Schéma dynamique du circuit :

R1 Rc
ib
1 (circuit ouvert)
iC hie
R2 hoe-1
hfeib
vg vs
transistor
RE

en négligeant hoe...

ib
1
iC hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
Rc

RE

100
 Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :

ib

hie
R1 // R2 hfeib
vg vs
i RE Rc

RE

Calcul de la fonction de transfert vs/vg :

 
v g  hieib  RE iRE  hie  h fe RE ib vs

Rc  h fe

Rc
vg hie  RE  h fe h
RE  ie
vs   Rc  h fe  ib h fe

 Pour RE >> hie/hfe on retrouve le résultat de la page 94.

101
Autre exemple :
.
R1=10
C DZ = diode Zener avec |VZ|=9,4V
Régulateur de tension IDz Imin = 1 mA
IC
Transistor de puissance DZ
charge: RL  25
hFE  h fe  50
hoe 1
~
Ve = B . IR2
T RL
Vs =VS + vs
15 ± 2V
R2
ondulation résiduelle
= 500
composante
continue

En  statique : Ve = 15V
0.6
VD  VZ et VBE 0.6V  VS  10 V I R2   1,2mA I C  I R1  I DZ  I RL  0.1  I Dz
500
et
10 I
V  VS I RL   0 .4 A I Dz  I R2  I B  0.0012  C
 I R1  e  0 .5 A RL h fe
R1

I
 I DZ  3mA , IC  97 mA et I B  C  2mA
hFE

102
Efficacité de régulation  ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de Vs ?

Etude dynamique du montage : h fe  25mV

I c  100mA  hie   13
I E  mA
R1
.
C

Rz
ib
ve RL vs
hie hfeib
R2

 
i  h fe  1  ib vs Rz  hie Rz  hie

hie <<R2
R1
.
C
i vs   Rz  hie   ib
i

h fe  1

h fe
 0.4

Rz
ve ib RL
vs
hie hfeib

103
 R1
.
C
i

0 .4 
ve RL
vs

Rz  hie
v h fe Rz  hie
 s    0,03  1
ve Rz  hie  R Rz  hie  h fe R1
1
h fe

 Le même montage sans transistor aurait donnée une ondulation résiduelle de

vs

 Rz  R2  // RL  0.7
ve  Rz  R2  // RL  R1

104
 Modèle dynamique hautes fréquences

 Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.

 En mode actif :
 la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd
 la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .

Schéma équivalent dynamique hautes fréquences

B Ct
rce iC C
iB’
Cd hfe iB’ ro
hFE rse

 Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences élevées et sont

responsable d ’une bande passante limitée des amplificateurs à transistor bipolaire (cf plus loin).

105
4.7 Amplificateurs à transistors bipolaires

4.7.1 Caractéristiques d’un amplificateur

amplificateur
+VCC
Rg
ie

Ze il
ve Zs
vg vs

source -VEE vL
RL
charge

 Fonction: amplifier la puissance du “signal”

 tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: VCC et (ou) VEE)
v
 L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Z e  e
ie
 La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs

 Zs = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL

106
 Gain en tension :
Rg +VCC
Comme Zs  0 le gain en tension dépend de la charge ie
Ze iL
Définitions ve Zs
vg vs
vL v
Gain “en circuit ouvert” : Av   s source vL
ve R   ve -VEE RL
L
charge

v RL
Gain “sur charge”   : AvL  L  Av
ve RL  Z s

v Ze
Gain “composite”: Avc  L  AvL  Comme Ze   , Avc diffère de AvL
(tient compte de la v g Ri  Z e
résistance de sortie
de la source)

i A Z
 Gain en courant : Ai  L  vL e
ie RL

v i
 Gain en puissance : A p  L L  Avc  Ai
v g ie

107
 L’amplificateur “idéal” :

 Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée

 Impédance d’entrée élevée  peu de perturbation sur la source

 Impédance de sortie faible  peu d’influence de la charge

 La réalité...

 Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées

 Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
 la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation

 Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal

 capacités internes des composants
 condensateurs de liaison
 Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence

108
4.7.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)

 Particularités des amplificateurs EC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Emetteur commun”

 Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).

109
Exemple :
VCC
R1 RC
 Polarisation par diviseur de tension

CB  Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.

CC
RL vs
vg
hypothèses :
R2
RE
 Point de repos du transistor: mode actif
( choix des résistances)

 A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables :

1 1
  R1 // R2 ;  RL
C B CC

 CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par la
présence du générateur de signaux.

 Cc évite que la charge “voit” la composante continue de V C, et qu’elle influence le point de

repos du transistor. 110
 Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
 circuit de polarisation à pont diviseur

 Analyse dynamique :
rB  R1 // R2
rc  RL // RC

RC ie ib
R1
vg rB rc
C hie hfeib
ve vL
vg RL vL
RE iRE
R2 RE 
iRE  h fe  1  ib

 Gain en tension (sur charge): A  v L   rc  h fe  Gain en circuit ouvert :

vL Remplacer rc par Rc
ve hie  RE  h fe

111
 ie
 Impédance d’entrée :
 Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” rB hie h feib
ve
l’entrée de l’amplificateur.

 Impédance d’entrée vue de la source :

Ze ' 
RE h fe  1 
v
    
Z e  e  rB // hie  h fe  1 RE  rB // h fe RE
ie
 Ze
 schéma équivalent “vu de la source” :

VRE  RE h fe  1  ib 
 Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation :

 
Z e '  hie  h fe  1 RE  h fe RE (hie ~qq. 100 à qq. 1k Ohms)

 Gain en courant : ie iL

h fe vg rB hie
i hfeib rc
Ai  L  
ie
1
 
hie  h fe  1 RE
ve

rB RE

112
 Impédance de sortie :

 Zs dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie.

hfeib Rc RL
 Impédance de sortie vue de la charge (RL): Z s  Rc

Zs’ Zs

 Zs de l’ordre de quelques k loin d’une source de tension idéale

 AvL diminue lorsque RL < ~Rc

 Parfois RC constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la polarisation du

transistor)

 Impédance de sortie vue de Rc : Z s'  " "

 ne tient pas compte de l’effet Early (hoe)

approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif

113
 ie iL
Avec l’effet Early :
vg rB hie Rc
1
hfeib hoe
ve vsortie

RE

Zs’

Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :

Zs’ = RThAB = résistance entre A et B, avec vg court-circuité

= vs / i s !

A is
ib

1 :  
vs  hoe1 is  h feib  RE  is  ib 
rB hie 1
hfeib hoe
vs  2 : 0  hieib  RE  is  ib 
RE

B
vs 1  h fe RE  RE hie
Z s   hoe 1   
 hie  RE  hie  RE
is 114
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE), passe par Qrepos

Ic

vce  vL  RE ic   rc  RE  ic
vce
vce ic
 ic   IBQ
rC  RE droite de charge statique
Q(repos) V  VCE
I C  CC
RC  RE

VCE

vce
t

 le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

115
 La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.

rc
vs   rcic  vce  vs  vce
rc  RE

VCEQ
Ic Ic
Q(repos) droite de charge
ICQ
IBQ IBQ

Q(repos)

VCE VCE

VCEQ
 rc  RE  ICQ
vce

 Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ   rc  RE  I CQ

116
 Amplificateur EC avec émetteur à la masse :

 RE est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique.

 RE diminue considérablement le gain...

“Remède” : découpler (“shunter”) RE par un condensateur en parallèle

 seul le schéma dynamique est modifié.

VCC

R1 RC pour CE ou f suffisamment* élevé :

ie ib
CB CC
vg rB rc
RL vs hie hfeib
vg ve

R2
RE
CE

h
*: RE // C E  ie 117
h fe
 Gain en tension (sur charge):
rc  h fe r  le gain dépend fortement de rf
Av L     c >> gain avec RE
hie rf (résistance interne de la fonction BE)
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)

kT rI
or rf   AvL   c C
IC kT

 Le gain dépend de IC  distorsion du signal aux amplitudes élevées

v
 Impédance d’entrée de la base : Z e  e  hie significativement réduit...
ib

 Impédance de sortie : Z  h 1 // R (vue de la charge RL)

s oe c

118
 Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :

vce  ic rc “droite de charge dynamique”

Ic
vce
ic
ICQ
Q

droite de charge statique

VCEQ VCE

rc I CQ

 Il y a déformation du signal dès que : 

vs  min VCEQ , rc I CQ 
 Le point de repos optimal correspond à VCEQ  rc I CQ

119
 L’amplicateur EC en résumé :

Emetteur à la masse :
R R
Gain en circuit ouvert : Av   C h fe   C  1 en valeur absolue
hie rf
Impédance de sortie : Z s  RC (de q.q. k )
Impédance d’entrée de la
base du transistor: Z e  hie (de q.q. k )

Avec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »):

RC R
Gain en circuit ouvert : Av    C
r f  RE RE

Impédance de sortie : Z s  RC

Impédance d’entrée de la base:  

Z e  hie  h fe  1 RE (élevée, hfe ~100-200)

 L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages

amplificateur EC en cascade (cf. plus loin). 120
4.7.3 Amplificateur à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur suiveur »

 Particularités des amplificateurs CC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor

 La sortie est “prise” sur l’émetteur

 La borne du collecteur est commune à l’entrée et à la sortie  ”Collecteur commun”

 Les différences d’un amplificateur CC à l’autre sont :

 Le circuit de polarisation

 Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

 La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”.

121
Exemple: VCC

R1  Polarisation par diviseur de tension

C  Couplage “capacitif” avec la source, vg, et la charge RL.

C
B

vg isortie
hypothèse: Mode actif
E
R2
RE vs
RL

Ze

Analyse simplifiée (« 1ière approximation ») :

Mode actif  VBE  0.7V  VE  VB  0.7V  vs  vE  v B  v g

v
 Av  s  1 L’émetteur “suit” la base.
vg

122
 Analyse dynamique : transistor
ientrée ib B C

hie hfeib
R1//R2 iL
E
vg
RE vs RL

Ze
RE RE  kT 
 Gain en tension en circuit ouvert : Av   1  RE  r f  
hie RE  r f  I E
RE 
h fe  1

 Gain en tension sur charge : A  rE

vL  1 avec rE  RE // RL
rE  r f

 
 Impédance d’entrée : Z e  rB // hie  h fe  1 rE  1  
vs
iL RL Z Ze
 Gain en courant : Ai    AvL e   1
ientrée vg RL RL
Ze
123
 Impédance de sortie
hie
ib
is
v
hfeib
vs Zs  s
rB
RE is v  0
vs g

   
vs  RE  is  h fe  1 ib 


  hvs 
  v s RE is  h fe  1

vs  hie  ib   ie 

hie
RE
RE hie h fe  1 hiehie !
Zs    RE //   rf

hie  RE h fe  1  hie
 RE h fe 1 h fe
h fe  1

124
 Dynamique de sortie

VCC
droite de charge dynamique : pente 1/rE
Ic
R1
droite de charge statique
C
C
B Q(repos) V  VCE
I C  CC
isortie RE
vg
E VE  VCC  VCE
R2
RE vs rE I CQ VCE
RL

VEmax  VCC -0.2V VEmin  0 V

 Point de repos optimal : VCE  rE I C

Q Q

 Le point optimal dépend de la charge.

125
L’amplicateur CC en résumé :
Av  1

Z e  R1 // R2 //( hie  h fe rE )  h fe RE peut être de l’ordre de quelques 100k

Rg  hie Rg  hie
Z s  RE //  inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
h fe  1 h fe

RL i Z
Av L  Av  Av Ai  L  Av L e  1  hfe si RE constitue la charge
RL  Z s ie RL
(iL = ic et ie  ib )
Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée

Applications :

« Etage - tampon »  Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
exemple : 1

Amplificateur de puissance (cf plus loin) 126

4.7.4 Amplificateur à base commune (BC)
 Particularités des amplificateurs BC :

 Le transistor en mode actif

 Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à l’émetteur du transisor

 La sortie est “prise” sur le collecteur

 La borne de la base est commune à l’entrée et à la sortie  ”Base commune”

VCC

RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B

R2 RE
vg

127
 hfeib
 Propriétés :
E C

ve RE rc
hie
h fe rc
 Gain en tension : Av L  ib B
hie

Ze Zs
h fe
 Gain en courant : Ai  1
hie
 h fe  1
RE

 Impédance d’entrée : Z e  RE // hie  hie  r f  kT quelques .

h fe  1 h fe  1 I CQ

 Impédance de sortie : Z s  "" (hoe = 0) 1

sinon Z s  hoe comportement en source
de courant

128
Exemple d’application : convertisseur courant - tension

quadripôle équivalent à l’étage BC

R
is
ie
vg
Ze Ai ie RL
Zs

vg vg
ie    vs  RL  is  RL  Ai  ie
R  Ze R tant que RL <<Zs.

~indépendant de Ze tension de sortie  courant d’entrée

 Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)

129
4.7.5 Influence de la fréquence du signal

 On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les

performances d’un amplificateur à transistor bipolaire.

Limitation à basse fréquence condensateurs de liaison et de découplage

Limitation à haute fréquence capacités internes au transistor

Basse fréquence C et Ce  court circuit

+VCC filtres passe-haut

RC Rg C ib C
R1

hie hfeib
RG dynamique R1 // R2 RC RL
RL
vg

RE CE
R2 RE

Z E  RE // C E  0
1 ZE diminue le gain
f ci  , avec r  R1 // R2 // Z e  Rg
2 rC (voir ampli stabilisé)
Ze = impédance
d ’entrée de l ’étage 1
Fréquence de coupure inférieure du f co 

montage = max f ci , f co  2  RL  RC  C 130
Hautes fréquences

Rg ib
Cbc
hie hfeib Rc // RL
R1 // R2 Cbe

qualitativement: aux fréquences élevées, Cbe court-circuite la jonction base-émetteur  ib diminue

Cbc crée une contre-réaction.

On montre que : Comportement en filtre passe-bas, avec

1
f ch 
 
 h fe

2 Cbe  Cbc 1 
hie

RL  hie // Rg // R1 / 2 
  

131
4.7.6 Couplage entre étages

 Objectif

Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...

Exemple : Amplificateur avec

- gain en tension élevé
- faible distorsion
- bonne stabilité (thermique, dispersion)
- impédance d’entrée élevée
- impédance de sortie faible

Solution possible :  stabilité et faible distorsion  EC stabilisé (RE)

 gain élevé  plusieurs étages en cascades

 Ze élevée  étage C.C en entrée

 Zs faible  étage C.C en sortie

Difficultés du couplage :  Polarisation de chaque étage

 Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent
 Réponse en fréquence de l’ensemble (cf. couplage capacitif)
132
 Couplage capacitif
 Utilisation de condensateurs de liaison, CL
Exemple: amplificateur à trois étages CC - EC - CC
+VCC

R1 RC R1
R1

CL CL

CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE

C.C. E.C. C.C.

 Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…)

 Les paramètres dynamiques (gains, impédances) ne sont pas indépendants

 ex: l’impédance d’entrée du 3ième étage (= charge de l’étage E.C.) détermine le
gain sur charge du 2ième étage, etc.
133
 +VCC

R1 RC R1
R1

CL CL
T1 T2 T3
CL CL
ventrée charge
RE
R2 RE
R2 R2
RE’ CE

C.C. C.C.
E.C.
ier ier ier
Av L montage  AvL 1 ét.  AvL 2 ét.  AvL 3 ét.

comme Z e E.C  Z sCC et Z eC.C  Z s EC  AvL  étages  Av

Rc h feT2
AvCC  1  AvL montage  Av E.C  
hieT2

134loin)
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus
Couplage direct

 Pas de fréquence de coupure basse

 Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.

30V
Un exemple :
24k
hfe ~100
5k 27k
T4
T3
vs
T1 ,T2=PNP!! T2 2.4k
T1 680
vg
Av  -10

AvL ~1 2 suiveurs E.C. E.C.

“Darlington” AvL  -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x hfe>> 27k)

 Amplificateur de tension stabilisé : Av  AvEC #1  AvEC #2  AvEC #1  AvEC #2

L L

T T T
 
 Ze élevée : Z e  h 1 Z eT2  h 1 h 2  5000  50M
fe fe fe
 Zs  24 k 135
 Analyse statique :
VCC= 30V
24k
 VCC polarise en directe les deux
jonctions EB de T1 et T2 5k 27k
(transistors PNP) 3V T4
 En statique, vg = 0
0.7V T3
T1 vs
 VCE  0.7V T
0.7V T2 I E3 2.4k
 T1 en mode actif 680
T1

T
 VCE2  1.4V

 T2 en mode actif

T T T T
 VE 3  0.7V  I C3  I E3  1mA  VCE
3  2.3V  T en mode actif
3

T T T T
 VE 4  2.3V  I C4  I E4  1mA  VCE4  3.6V  T4 en mode actif

I E2
T I E 2  5.7 mA et I E1 
 VC 4  6V hFET2 136
 Mais attention….
VCC= 30V
refaisons le calcul avec VBE=0.6V : 24k

5k 27k
T2
 VCE  1.2V 3V T4

 VET3  0.6V 0.6V T3

vs
T
0.6V T2 I E3 2.4k
 I CT3  I ET3  0,88mA  0,9mA
T1 680
T3 vg
 VCE  5.7V au lieu de 3V…

 VET4  5.1V  I CT4  I ET4  2,1mA  2mA

T4
 VCE  18V  T4 en mode saturé !!

Amplification des dérives des composantes statiques

137
 Couplage par transformateur : condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
étage EC transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
 
 Av   Z c 
 r f 


condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)

polarisation par
diviseur de
tension

transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur

Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz)

exemple: syntonisation d ’une station radiophonique ou d ’un canal de télévision

138
4.7.7 Amplificateurs de puissance
 Impédance de sortie et amplicateur de puissance

Puissance moyenne fournie par l’amplificateur :

Zs
2
 RL 
iL  vs 
vL 2  RL  Z s  RL  vs 2
vs
vL RL P  v L  t   iL  t    
charge 2 RL 2 RL 2 RL  Z s  2

1
cos 2 t  , vL  amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale: 
dRL
 0   RL  Z s  Pmax  s
8  Zs
(“adaptation” d’impédance)

 Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue

A.N. vs=1V : Zs=10kPmax=0.012mW | Zs=10Pmax=12mW
Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs d’adaptation d’impédance avec et
vg Ze vg charge sans étage amplificateur = Zs /Rg
139
 Amplificateur de Darlington
 Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade
 Gain en tension :
Vcc
“Darlington”  L’impédance d’entrée de T1 est très élevée et ne
“charge” pas beaucoup T2
R1
 Av  1
T2
R2  Impédance d’entrée du Darlington :
vg T1
(après les résistances du pont diviseur)
vs
 L’impédance d’entrée élevée de T1 constitue la
RE résistance d’émetteur (RE) de T2

Ze  Z e  h fe2  Z eT1  h fe2  h fe1  RE  1

T1: hfe1 T2:hfe2
 Ib (T2) très faible  choix de R1 et R2

 Gain en courant :

T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai     h fe1  h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
140
 Impédance de sortie du Darlington :

hieT2
 hieT1
Vcc Z sT2  hieT1 h fe
2 hieT2
 Zs   2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1

T2 T1 kT  h fe1 kT hieT2
puisque hie   
R2 I E T1 e  I E1 e  I E2 h fe2
vg 2

I E1 vs
RE I E2  I B1 
I E1
h fe  hFE 
h fe1

h
Etage CC unique : Z s  ie
h fe

Pmax  étage CC avec Darlington   Pmax  simple étage CC 

141
  Darlington = “supertransistor” bipolaire….

 Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: hfe=2000-20000.)

 Existe aussi avec des transistors PNP.

 Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée, Zs très faible)

 Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Z s très faible)

142
 Amplificateur Push-Pull
 Amplificateur classe A / classe B
 Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
 Amplificateur de “classe A”
Avantages:
 faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
simplicité

Inconvénients :
 Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc  vCEmax~Vcc/2)
 Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls

+VCC

R1 RC

Palimentation  Vcc  I CQ  I p 
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…

Amplificateur classe B: transistor bloqué en absence de signal d’entrée. (ex: Push-Pull)

Avantages: Inconvénients :
 faible consommation, dynamique de sortie élevée  Distorsion du signal 143
 Push Pull
Principe de fonctionnement
Exemple :
 Transistors bloqués au point de repos
(amplificateur « classe B »).

+Vcc R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

R1 ICNPN
VBE NPN  ~ 0.6 et VEB PNP  ~ 0.6V
B
NPN  Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE  VEC  VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE   VEC
vg ICNPN  ICPNP Q 2 Q
R2 RL
vsortie
PNP ICNPN ICPNP
B’
R1 ICPNP VP

IB~0 IB~0
IC VCENPN

0 PNP VCC VCEPNP

NPN VCE
VCE Q
-VCC Q 0 144
 émetteur suiveur  En présence d’un signal d’entrée chaque transistor
est alternativement actif ou bloqué ( « Push-Pull »)
+Vcc
R1  Si v g>0  NPN actif, PNP bloqué
B V p  VB  0.7V
NPN
 V p  VB  v g
R2
P
~1.2V
vg
R2 RL Droite de charge dynamique
vsortie
IC v
B’
PNP ic   CE droite de charge statique
RL VCEQ ~VCC/2
R1
 Amplitude max : VCC/2

IB=0
VCC/2 VCE

 si vg<0  NPN bloqué, PNP actif …

145
Formation du signal de sortie

IC IC
vg
ib NPN  NPN PNP
h fe RL
VCE
VEC
t

ibPNP

Signal de sortie:
vsortie
NPN actif

t
PNP actif

 Plus grand domaine de fonctionnement 146

Difficultés de cet exemple
 positionnement du point de repos

VBEQ trop faible

IC
ICsat
t
t
VCE
transistors bloqués

 Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.

 Risque d’emballement thermique (pas de contre-réaction)

147
Polarisation par diodes
Point de repos
+Vcc choix de R1 : ID ~0
R1 comme VD =Vbe IE ~ID ~0

NPN
 Idéalement D1, D2 = diodes de caractéristiques
D1 appariés aux transistors
ID 2  VBE

vg D2 RL
PNP vsortie

R1

Remarques:
 L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
 Zs plus faible  puissance maximale supérieure 148
4.7.8 Amplificateur différentiel
 Deux signaux d’entrée, V+, V- +Vcc
 Sortie = collecteur d ’un transistor
Rc Rc

hypothèse : T1 et T2 appariés (circuit intégré) Vs

RB
 Régime statique :  V  V  0  T1 T2
V IE E RB
IE V
 Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE
-VEE

 Pour RB <<hfeRE : VRB  RB I B  2 RE I E  VEE  0.7  2 RE I E

V  0.7
I E  EE
2 RE

 Tension continue en sortie : Vs  VCC  Rc I E

149
 Régime dynamique: +Vcc
 Mode différentiel:
Rc Rc
hyp: V  V " ve " Vs
 I E1  I E  ie 1 et I E2  I E  ie RB
2 T1 T2 RB
avec IE la composante continue du courant émetteur. V E V
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie  ie RE
1 2
Par conséquent : I RE  I E1  I E2  2 I E -VEE
 Le courant dans RE n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
 E constitue une masse dynamique !

d ’où le « gain en mode différentiel » :

Rc Rc
v Rc h fe
vs Ad  s   1
ve hie
RB

E RB
ve  ve  V+ = entrée non-inverseuse
 V- = entrée inverseuse
étage EC
Rc h fe Rc h fe
vs     ve   ve 150
hie hie
 Mode commun:
+Vcc
hyp: V  V  ve  I E1  I E  ie
Rc Rc
et I E2  I E  ie
Vs
 I RE  I E1  I E2  2 I E  ie  RB
T1 T2
 VE  2 RE   I E  ie   2 RE I E  2 RE ie V E RB
V

RE
La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE
schéma équivalent :

Rc Rc

vs
Rc
RB RB vs   ve
2 RE
E E’
ve ve d’où le «gain en mode commun »:

2RE 2RE Rc
Ac    1 pour RE  RC
2 RE

2 étages EC stabilisés indépendants 151

 Signaux d’entrée quelconques :

On peut toujours écrire : V  V V  V

V     Vmc  Vmd
2 2
V  V V  V
V     Vmc  Vmd
2 2

V  V V  V
avec Vmc   et Vmd  
2 2

 v 
D’où, par le principe de superposition : vs  Ad vmd  Ac vmc  Ad  vmd  mc 
 CMRR 

Ad 2h fe RE
où CMMR   = « taux de réjection en mode commun »
Ac hie (common mode rejection ratio)

 Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée)

 Ampli. différentielle = étage d’entrée des Amplificateur opérationnel.

 Impédance d’entrée et CMRR très élevés

152
 Polarisation par miroir de courant

2h fe RE
Il faut CMRR   1
hie
+Vcc
Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes:
 nécessite une augmentation de l’alimentation Rc Rc
pour maintenir Ic (donc le gain) constant Vs

 incompatible avec la technologie des circuits RB

T1 T2
intégrés. RB
V V

IEE
 il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R
 Solution = source de courant ( R,D,T3) T3
D IE3
hyp: D et T3 = appariés -VEE
V  VEE  0.7
 I EE  I E3  cc
R

153
« Miroir » de courant
Hyp: la caractéristique I(V) de la diode est identique (appariée) à celle de la jonction PN du transistor

V  0 .7
Val I D  al
R

comme VBE = VD
R
IC = ID

A IC est le « miroir » de ID…

ID IC
 I ne dépend pas du circuit en pointillé
vu de A, le circuit se comporte comme une source de
courant idéal (tant que le transistor est actif)

VD
 en tenant compte de l’effet Early, IC dépend
légèrement de VCE

154
 Schémas équivalents du circuit vu de A :

Val schéma statique schéma dynamique

« grands signaux » petits signaux

IC=ID +VCE . hoe iC=vCE . hoe

A
ID IC

ID R ~hoe-1 R ~hoe-1

VD

 R > 100 k

155
Schéma équivalent de l’ampli différentiel:
en dynamique
+Vcc

Vs vs

IEE hoe-1 hoe-1

-VEE

 hoe-1 (effet Early de T3) est de l’ordre de quelques 100k

En dynamique, hoe-1 joue le même rôle que RE et augmente considérablement CMRR.

156
Exemple d’application

Thermostat

157
Exemple d’application

Thermostat

« charge active »

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

158
Exemple d’application

Thermostat
Si VA> VB

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

159
Exemple d’application

Thermostat
0.6V 0.6
Si VA> VB I  6A
0.1

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

160
Exemple d’application

Thermostat
Si VA< VB 0V I  0A

R
0.5mA

B
A

Figure 2.76
paire différentielle

source de courant

161
5. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
5.1 Introduction
 Caractéristiques de base

 Composant à trois bornes : S, D et G, (parfois quatre: substrat)

 Un courant (ID) peut circuler de VGS

VDS
la source S au drain D via le
“canal” (zone dans le G
S D
semiconducteur, proche de
l’interface avec la grille): ID
canal
 Le courant circulant dans la grille (IG) est négligeable. substrat (Si)
=> IS = ID !

 ID , à VDS constant, est commandé par la tension

de grille – source (VGS) ”effet du champ”
électrique

 FET à canal N : courant porté par les électrons, de S vers D

(sens positif de ID: de D vers S)
 FET à canal P : courant porté par les trous, de S vers D
(sens positif de ID: de S vers D) 162
 Allure générale des caractéristiques “de sortie” : I D  VDS  V
DS

ID

Régime
Mode actif
linéaire
VGS = cst

~résistance
~ source de
modulée par
courant
VGS
commandée par
VGS

VDS
163
limite de zones
 Différences entre FET et transistor bipolaire :

 IG << IB
 Impédance d’entrée très grande (parfois > 10 14)
 Montages de polarisation plus simples

 Régime linéaire
 pente = f(VGS)  résistance variable (pas d’équivalent pour le bipolaire)
 VDSsat > VCEsat : tension résiduelle du transistor en mode saturé plus élevée.

 Régime de saturation (mode actif)

 ID commandé par une tension
dI
 transconductance g m  d (au lieu de hfe)
dVgs
Dispersion de fabrication plus élevée sur gm que sur hfe

 Caractéristiques « transverses » en mode actif :

 Bipolaire : à VCE cst, IC =IB ou IC = IE

 FET: à VDS cst, ID = f(VGS) = relation non-linéaire

 dépend du type de FET….

164
 Différences entre FET et transistor bipolaire :

figure 3.2 p 115

165
 Différents types de FET

 JFET : FET à jonction : La grille et le canal forme une jonction PN

S D S D

G G

JFET à canal P JFET à canal N

 Transistor « normalement passant »

 ID est maximal pour VGS = 0, et diminue lorsqu’on augmente V GS (en valeur absolue).
ID est nulle lorsque VGS dépasse une valeur limite VGSoff.

 Canal P : VGS > 0  la charge positive sur la grille repousse les trous

 Canal N : VGS < 0  la charge négative sur la grille repousse les électrons

166
 MOSFET (Métal Oxyde Semiconducteur – FET) à enrichissement :

La grille et le canal forment un condensateur à “plaques //”, l’isolant étant l’oxyde du silicium.

substrat G substrat
G

S S

MOSFET : canal N canal P

 transistor « normalement bloqué ».

 ID est nul lorsque VGS = 0 et augmente dès que VGS dépasse une valeur seuil Vs

Canal P : Vs < 0  la charge négative sur la grille attire les trous

Canal N: Vs > 0  la charge positive sur la grille attire les électrons

167
 La ligne pointillée indique que le canal est inexistant tant que V GS < Vseuil

 Le substrat est généralement relié à la source.

 Les transistors MOSFET à appauvrissement :

• comportement similaire au JFET, mais VGS >0 (canal N) autorisé

• très peu utilisés
• non traités en cours.
 D’autres symboles sont parfois utilisés pour les mêmes composants
Exemples:

168
  Caractéristiques d’un JFET à canal N : Conditions de fonctionnement : VGS  0 , VDS  0

VDS sat  VGS  VP

ID (mA) VGS=0
VDS  VDS sat 16 I DSS
12
transistor 8
VGS=-1V
bloqué
4
0
VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5 2V 4 6 8 VDS (V)
P
VGSoff
2
Régime de saturation Pour VDS  VDS sat :

 VGS
V
I D  I DSS 1  GS



  k V V
GS GS off 
2 k
I DSS
VGS off 2
 off 

Régime « linéaire » Pour VDS  VDS sat : 

 
V 
I D  2k  VGS  VGSoff  DS   VDS
 2 

 pour VGS < VGSoff, ID  0, transistor bloqué.

 pour VGS >0, le courant IG augmente rapidement (zone non utilisée).

169
 tension de « pincement » VP ~ - VGSoff
 Caractéristiques d’un MOSFET à canal N :

VDS sat  VGS  VS

VDS  VDS sat
ID ID

transistor
bloqué
VGS(V)
Vs VDS (V)

Régime de saturation Pour VDS  VDS sat : I D  k  VGS  Vs  2

Pour VDS  VDS sat : I D  2k  VGS  Vs   DS   VDS

V
Régime « linéaire »
 2 

 pour VGS < VS, ID  0, transistor bloqué

 VGS-VS = « tension d’attaque de grille ». 170

En résumé : VDS  VDS sat

VGSoff Vs Vs VGSoff

171
5.2 Schémas équivalents petits signaux
 Régime linéaire : VDS  VGS  VP
ID

VDS
G D

= RDS

S
résistance fonction de VGS


Pour VGS > VP , et VDS <VGS +VP : RDS  avec k = constante
 V 
k  VGS  VP   DS  dépendant du composant
 2 
 Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ), souvent inférieure à 0.5V.
 Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.

JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS  0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V).

ordre de grandeur: RDS on  0.05  10k  

RDS off  RDS VGS  VGS off (canal N)  M 172
 Régime de saturation :
ID
Pour VDS  VDS sat , ID est commandée par VGS Q  VGS

I D  k VGS  VS  2
VDS
ID est commandé par VGS

id  g m v gs avec g m   I D =“transconductance”
 VGS V ID (mA)
DS
16
12
 schéma linéaire équivalent: Q 8
G id D 4

v gs g m v gs vds 0
 VGS(V) -2 -1.5 -1 -0.5
VGSoff
S
tient compte de l’augmentation de vds avec id
(équivalent de l’effet Early)

 caractéristique ID(VGS) non-linéaire : gm (VDS) 173

JFET

 V 
g m  g mo 1  GS , avec g  2 I DSS
 VGS  mo = pente pour VGS=0
 off  V GS off

 gm varie linéairement avec VGS .

MOSFET à enrichissement

g m  2k VGS  Vs 


Ordre de grandeur : gm=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) g m 1  0.1  1k 

174
5.3 Quelques circuits de polarisation

 Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

 Polarisation automatique par résistance de source d’un JFET:

+VDD

RD 1 ID ID V  VDS
ID   VGS I D  DD
ID RS RD  RS
IG  0 G D
S
RG ID Q  VGS
Q
Q’
RS Q’

VGS VP VDS
VGSQ VDSQ
Dipersion de fabrication
2
 V 
I D  I DSS 1  GS  
 VGS  
 off    ID , VGS , VDS .
V 
I D   GS  175
RS 
 Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)

+VDD
V  VDS I G  0  VGS  VDS
I D  DD
RD RD
RG
ID ID
Q
D . VGS 
S
VGS(V) VDS (V)
VDD

I G  0  VGS  VDS

176
5.4 Applications des FET

 Sources de courant à JFET

+VDD

VGS  0  I D  I DSS
charge

 Avantage du JFET: polarisation de la grille inutile.

 Inconvénient : dispersion de fabrication sur I DSS.

 IDSS= augmente avec VDS  résistance de sortie non infinie

I
Source de courant ajustable par la résistance variable.
2
 V 
I D  I DSS 1  GS  
 VGS  
 off    ID
R V 
I D   GS 
R 
177
Source de courant à plus grande impédance de sortie

+VDD
 T2 et T1 tel que IDSS(T2) > IDSS(T1)

charge

T2 T1 I = IDSS (T1 )

 VGS (T2) est telle que ID(T2) = IDSS(T1)

VDS(T1) =VGS(T2)
T1

influence de le charge sur VDS(T1) atténuée

source de courant ordinaire I varie moins avec la charge

 impédance de sortie plus grande.

178
 Amplificateur source commune

Exemple : VCC  hypothèse: Mode actif , C très élevées

RD JFET

C C vg vgs
D vs RD vs
RG gmvgs
S
vg
RG
RS C Ze Zs

 Gain en tension (circuit ouvert) : Av   g m RD

Impédance d’entrée : Z e  RG (RG peut être prise très grande, de l’ordre du M ou plus)

Impédance de sortie : Z S  RD

 gm = fonction de VGS  distorsion “quadratique”

179
Stabilisation par une résistance de source :

VCC
JFET
RD
vg vgs gmvgs RD
D RG vs
S vs
vg
RG rS
rS

RS

Gain en tension : v g  v gs  rs g m v gs et vs   g m v gs RD
v g R RD
d’où : Av  s   m D  
vg 1  rs g m 1
 rs
gm

 L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible.

 rs introduit une contre-réaction: v gs  v g  rs vs

(vs et vg en opposition de phase, Av <0) 180

 Amplificateur drain commun (ou « source suiveuse »)

ve G JFET D
VCC
vg vGS
RG gmvGS
D S
vg S
RS vs
RG
RS vs Ze

Zs

g m RS RS
 Gain en tension (circuit ouvert) : Av   1
1  g m RS g m 1  RS

Impédance d’entrée : Z e  RG
vsc.o. Rs Rs g m 1
Impédance de sortie : Zs     Rs // g m 1
isc.c g m Rs  1 Rs  g m 1

181
 Résistance commandée

 Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS 
 V 
k  VGS  VP   DS 
 2 

ex:

R
vsortie RDS
 vsortie  ventrée
ventrée RDS  R

= atténuateur variable, commandé par Vcom

 En choississant R  RDS , vsortie varie entre ~0 et ventrée

on
Vcom
 Imperfection:
RDS dépend de VDS  réponse non-linéaire

182
Amélioration possible: 
RDS 
 V 
k   VGS  VP   DS 
 2 

R
vsortie
ventrée
VDS Vcom
 VGS    I G  0
R1 2 2

1
R1  RDS 
k Vcom  VP 
Vcom

 Linéarité presque parfaite

183
Application: Commande électronique de gain

Etage EC avec rE =RDS (//200k)

exemple: 15V

5k
75k

1µF signal de sortie

signal
d’entrée

50k
5.6k
R 5k
Av   c  
rE RDS  Vcom  // 5,6k
1µF
100k  Av  
5k
RDS Vcom 

 Vcom  V p 
Vcom
100k
 il faut RDS< 5.6k
 amélioration possible: charge active pour R E.

184
 Interrupteur à FET

Exemple d’application:

185
 Inverseur logique

CMOS=« Complementary MOS) »

aucun courant drain circule,

quelque soit le niveau de sortie

186
6. Contre-réaction et amplificateur opérationnel

 Circuit bouclé et rétroaction

Circuit bouclé : ve e A vs
La sortie agit sur l’entrée

vs  A  e  A ve  B  vs  B.vs
B
? A
 vs  ve
1  AB

Rétroaction positive : l’action de la sortie sur l’entrée renforce la variation du signal de sortie

ex: A>0, B < 0 vs  Bvs  e  vs  

(sans déphasage)
 la sortie diverge les composants sortent du domaine linéaire
 par exemple : transistor sature

A
vs  ve comportement non-linéaire  A,B modifiés
1  AB

 Montage transistor avec rétroaction positive: transistor en saturé/bloqué 187

Rétroaction négative ou « contre-réaction » : ve e A vs
L’action de la sortie sur l’entrée atténue la
variation du signal de sortie
B.vs
B
ex: A>0, B >0 (sans déphasage)

vs  Bvs  e  vs  

 la sortie converge vers : A

vs  ve  G  ve
1  AB
• G = gain en boucle fermée :

• G<A

1
• Si AB >>1 , G  la variation ou toute incertitude sur A n’affecte pas G.
B  Amélioration de la linéarité

 B = “taux de réinjection”
188
Exemple: VCC ic
R1 RC
hie i
e hfeib
CB E
CC vg Rc vs
RL RE ie
ve vs

R2 R
E

vs  i   ic  ie   vE  RE ie   e   ib   ic   vs 

RE  contre-réaction

 v  R Rc ! 1
v E  RE ie  RE   s    E vs  B  vs  Av   
 Rc  Rc RE B
e  v g  B  vs
indépendant de hie et hfe!
189
 Montage “Série - parallèle” (contre réaction en tension):
 Entrée en série avec le circuit de
ie
rétroaction
Av.vi Ri  Sortie en parallèle avec B
ve vi Ze vs RL Gain en “boucle fermé”:
Ampli. vs A
 G  
ve 1  AB

retour: A= Gain en “boucle ouverte” :

vr B Ze B = vs/vi avec boucle de réaction ouverte, et
même charge RL // ZeB
vr  B  v s
rL
A Av  Av si Ri  rL  RL // Z eB
rL  Ri
Court-circuit virtuel :
vs ve
vi    ve pour AB>>1
A 1  AB
v
vi  0 pour A   avec ie  i  0 = court-circuit “virtuel”, puisque i~0
Ze

“Explication qualitative ”:
si vi “tentait” d’augmenter, l’augmentation importante de vs (A fois plus élevée… ) s’opposera, via B,
190
à cette variation.
 ie
Impédance d’entrée
Ri
Av.vi
v v  B  vs vi 1  AB  ve vi vs RL
Z e B.F .  e  i   Z e 1  A  B   Z e Ze
ie ie ie

vr B
 B.F.=“boucle fermée”

 L’impédance d’entrée est augmentée par la rétroaction :

Qualitativement : la contre-réaction maintient vi proche de 0  ie0  ZeB.F. 

Impédance de sortie

Qualitativement :  En présence de l’impédance de sortie ZsB.F., une diminution

de RL fera chuter la tension vs.

 la diminution de vs induit, via la contre-réaction, une

augmentation de vi , laquelle s’oppose à la diminution de vs…

 l’impédance de sortie est réduite (0 si A)

 L’impédance de sortie est diminuée par la rétroaction 191
 Ri
Calcul de ZsB.F: vi Av.vi
ve vs RL

v  R   
Lorsque RL  Z s B.F on a vs  RL   s L
2
vr B Ze B
Zs

A RL  RL
v s  RL   ve avec A RL  
B B
Av et ri  Ri // Z E  Ri si Z E  Ri
1  A RL   B RL  ri

Av
 vs  ve
ri
 1  Av B 
RL

v  R   ri
 vs  s L  RL   Z s B.F .  Ri
2 1  Av B

Conclusion

 Si A  : Gain stable, linéarité parfaite, Ze infinie, Zs nulle !!

 utilisation d’un amplificateur opérationnel (A~104 - 106, Ri très faible, Ze très élevée)
192
 Amplificateur opérationnel

Architecture d’un amplificateur opérationnel:

+ Amplificateur Etage Ajustement Emetteur

amplificateur composante suiveur sortie
- différentiel
(EC, Darlington) continue

amplification de v+-v- (gain élevé en « mode différentiel »)

Amplificateur atténuation de v  v (gain <<1 en « mode commun »)
différentiel 2
Ze élevée  Darlington, MOSFET,...

augmente le gain total (Av>>1)

Etage amplificateur ex: montage émetteur commun avec transistor composite
(Darlington, hfe >>1) et RC élevée  charge active

Ajustement DC pas de composante continue en sortie

Emetteur suiveur impédance de sortie faible

Configuration Push-Pull : domaine de linéarité

193
  Le schéma simplifié (!) du LM741 :

1.12V

Paire différentielle
avec “Darlington”

sources (mirroirs) de courant EC Darlington Push-Pull

194
 Exemples de circuits avec rétroaction négative :

Sources de courant

VCC
 Par contre-réaction : vi0
R Vcc  Ve
R1  I sortie  (hyp: hFE élevé , AO parfait)
VCC R

vi A.O.  Isortie  indépendant de la charge,

Ve (à l’effet Early près)
Isortie
VEE
R2
charge  tension de commande = Vcc-Ve

Vcc
Version avec tensionde commande
reférencée par rapport à la masse : R3
R1

Ve
Isortie

R1
  I sortie  Ve
R2 R3
R2
195
Régulateur

transistor Contre réaction :

de puissance (ex: 2N3055),  V  V  V A  5.6V
avec radiateur
entrée sortie : 10V
12V à 30V (régulé) 0 à 10 A  I1  1mA  Vsortie  10V
(non régulée)
 Si VA diminuait V+>V-
Darlington
 VB augmenterait
10k 4.3k
 Vs= VB -1.4 augmenterait

A  VA augmenterait
741
B I1 max 10
I sortie 
Z s Darlington
5.6k
DZ:5.6V

196
197
198