Université Ibn Tofail

Faculté des Sciences de Kénitra

Département de Physique

Cours

Electronique Analogique

SMP – S5

Pr. Omar MOUHIB

Laboratoire Génie électrique et Système énergétique
 Chapitre 0 : Introduction

Qu’est-ce que l’électronique ?

Domaine de la physique appliquée qui exploite les variations de

grandeurs électriques pour capter, transmettre ou analyser des
informations.

Le traitement de l’information est généralement assuré par des

circuits électroniques.

O. Mouhib Electronique Analogique I 2

 Chapitre 0 : Introduction

Qu’est-ce qu’un circuit électronique ?

Un ensemble de composants (résistances, condensateurs, diodes, transistors,

circuits intégrés: AOP, microprocesseurs, …) qui agissent sur les courants et
tensions électriques

ils engendrent, modifient et utilisent des signaux électriques.

stockage et traitement de l’information,

commande et contrôle d’appareillage,...

amplificateur, redressement, modulateur ,…

générateur, capteur, compteur,….

O. Mouhib Electronique Analogique I 3

 Chapitre 0 : Introduction
Electronique « Analogique » ou « Numérique »

Electronique analogique

- Variation continue des grandeurs électriques

Information valeurs instantanées I(t) et V(t)

Electronique numérique

- Variation binaire des grandeurs électriques

Codage de l’Information Niveau d’abstraction supplémentaire

O. Mouhib Electronique Analogique I 4

 Chapitre 0 : Introduction

Électronique dans la vie quotidienne

O. Mouhib Electronique Analogique I 5

 Chapitre 0 : Introduction

Électronique dans l'industrie

O. Mouhib Electronique Analogique I 6

 Chapitre 0 : Introduction
L’électronique : Un domaine en évolution exponentielle…

En 1947 : le premier transistor

(Shockley, Brattain, Bardeen)

En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)

O. Mouhib Electronique Analogique I 7

 Chapitre 0 : Introduction
En 1971 : le premier Processeur (Hoff, Faggin, prix 200$)

4004 d’INTEL : 15/11/1971

(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)

O. Mouhib Electronique Analogique I 8

 Chapitre 0 : Introduction
Évolution du nombre de transistors intégrés dans un microprocesseur

Finesse de Fréquence
Date Nom Transistors
gravure (µm) de l'horloge

1971 4004 2 300 108 Khz

1979 8088 29 000 3 5 MHz

1993 Pentium 3 100 000 0,8 60 MHz
1997 Pentium II 7 500 000 0,35 233 MHz
1999 Pentium III 9 500 000 0,25 450 MHz
2006 Core 2™ Duo 291 000 000 0,065 2,4 GHz
2008 Core 2™ Quad 2*410 000 000 0,045 3,2 GHz

Taille des transistors Taux d’intégration Vitesse de calcul

O. Mouhib Electronique Analogique I 9

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire

O. Mouhib Electronique Analogique I 10

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Introduction
Le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
De nombreuses utilisations :
Amplifier un signal : amplificateur de tension, de courant, de puissance
Etre utilisé comme une source de courant
Agir comme un interrupteur commandé : essentiel pour l’électronique
numérique.
Ses formes :
Composant discret.
Circuit intégré : de quelques unités (ex : AO)
à quelques millions de transistors par circuit microprocesseurs).

O. Mouhib Electronique Analogique I 11

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Classification du différentes familles de transistors
Transistors

Bipolaires Unipolaires à grille bipolaire

BJT à effet de champ IGBT

Type NPN Type PNP

à jonction à grille isolée

JFET MOSFET
Transistors
Darlington

à canal N à canal P à canal N à canal P

O. Mouhib Electronique Analogique I 12

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire

■ On distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ

Ils agissent, en 1ière approx., comme une source de courant commandé

Transistor bipolaire : Transistor à effet de champ:

Commandé par un courant Commandé par une tension

Icontrôle I commandé = β ⋅ I contrôle I commandé = gm ⋅Vcontrôle

Vcontrôle

source de courant source de courant

commandée par un courant commandée par une tension
β = “gain” en courant g m = transconductance.

O. Mouhib Electronique Analogique I 13

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Structure d’un transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est constitué généralement de trois régions différemment dopées NPN ou
PNP

Le transistor NPN est constitué par :

Une couche N fortement dopée constituant l’émetteur.

Une couche P très mince et faiblement dopée constituant la base.
Une couche N faiblement dopée constituant le collecteur.

O. Mouhib Electronique Analogique I 14

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Symbole du transistor

VCB IC IC

IB IB

IE

Le terme bipolaire est dû au fait que le passage du courant électrique dans le transistor
vient de la circulation de charges positives (trous) et de charges négatives (électrons)
contrairement à un matériau conducteur électrique, comme le cuivre, où seuls le
déplacement des électrons crée le courant

O. Mouhib Electronique Analogique I 15

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Symbole du transistor

VCB IC IC

IB IB

IE

Les transistors NPN sont plus utilisés que les transistors PNP. Ceci est essentiellement
dû au fait que le courant principal est un courant d’électrons. Ils seront donc ”plus
rapides”, c’est-à-dire qu’ils possèderont des fréquences de travail plus élevées.

O. Mouhib Electronique Analogique I 15

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Symbole du transistor

VCB IC IC

IB IB

IE

1- Equation des tensions : VCE = VCB + VBE

2- Equation des courants : I E = I B + IC

O. Mouhib Electronique Analogique I 15

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Illustration de l’Effet transistor

• Le transistor bipolaire est une vanne de courant, qui contrôle le courant de collecteur IC.

Un courant IB assez faible permet l’ouverture du "robinet"

(B), ce qui provoque l’écoulement d’un fort courant Ic en
provenance du réservoir collecteur (C): IC = β IB

Notez que lorsque le "robinet" est complètement ouvert, le

courant Ic est maximal : il existe donc une limite physique
au gain en courant.

O. Mouhib Electronique Analogique I 16

 Chapitre 1 : Introduction
Modes de fonctionnement du transistor
En fonction du courant IB injecté sur la base, le régime de fonctionnement du transistor sera
différent:
Si IB = 0 → IC = 0 : transistor bloqué, Les trois bornes équivalentes à des circuits ouverts
Si IB > 0 et IC = β IB : transistor en régime linéaire ou en mode actif normal (effet
transistor).
Si IB > ICsat/β → IC = ICsat : transistor saturé. Les trois bornes équivalentes à des court
circuits
IC
ICsat

IB

Fonctionnement Fonctionnement Fonctionnement

bloqué linéaire saturé

O. Mouhib Electronique Analogique I 17

 Chapitre 1 : Introduction
Montages de base des transistors

Le nom du circuit indique quelle borne du transistor est commune à l’entrée et à la sortie du
montage.

Montage émetteur commun Montage base commune Montage collecteur commun

O. Mouhib Electronique Analogique I 18

 Chapitre 1 : Introduction
Montages de base des transistors

Montage émetteur commun Montage base commune Montage collecteur commun

Les trois montages peuvent être distingués par les paramètres suivants :
ve
• Résistance d’entrée : Re =
ie
• Résistance de sortie : RS = vS
iS iS
• Facteur d’amplification de courant : Ai =
ie
v
• Facteur d’amplification de tension : Au = S
ve
O. Mouhib Electronique Analogique I 18
 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Réseaux de caractéristique du transistor NPN
En fonction du courant Ib injecté sur la base, le régime de fonctionnement du transistor sera
différent ; Les caractéristiques statiques des transistors bipolaires sont constituées par les
relations entre les courants et tensions à l'entrée et à la sortie du transistor
IC
IB

VCE
VBE

L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs IB et VBE et la sortie par les grandeurs IC et
VCE soit 4 variables. Et ils sont données par le système d'équations:

VBE = f (I B , VCE )
I C = f (I B , VCE )

O. Mouhib Electronique Analogique I 19

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Réseaux de caractéristique du transistor NPN

On utilise les paramètres hybrides : VBE   h11 h12   I B 

 I  = h h  V 
 C   21 22   CE 
Le réseau de caractéristique permet donc une détermination expérimentale des
paramètres hybrides hij

On trace les courbes caractéristiques du transistor

- Réseau de sortie : IC=f(VCE) à IB constant
- Réseau de transfert en courant : IC=f(IB) à VCE constant
- Réseau d’entrée: VBE=f(IB) à VCE constant

O. Mouhib Electronique Analogique I 19

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Réseaux de caractéristique du transistor NPN

Caractéristique de Caractéristique
Transfert de sortie

Caractéristique
d’entrée

O. Mouhib Electronique Analogique I 20

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Caractéristique de sortie IC= f (VCE)

Claquage
Régime linéaire: le courant IC est
indépendant de VCE : (IC = β.IB)

Régime bloqué: lorsque IB=0→IC=0

Régime saturé: Si VCE < VCEsat : le

courant IC n’est pas proportionnel à IB.

Région du claquage: lorsque VCE

devient importante, le courant Ic croît Bloqué IB0
très rapidement → destruction du
transistor

O. Mouhib Electronique Analogique I 21

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Effet Early

I C Dépend légèrement de VCE

L’effet Early peut donc être modélisé par une résistance mise en parallèle entre le collecteur et
l’émetteur

O. Mouhib Electronique Analogique I 22

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation du transistor

But: Déterminer le point de fonctionnement en régime continu, appelé point de repos, d’un
montage à transistor, à l’aide des réseaux de caractéristiques.

Il faut maintenant imposer le mode de fonctionnement du transistor (bloqué, saturé ou linéaire).

C'est à dire qu'il faut se fixer les grandeurs I B , I C , VBE et VCE . Ces grandeurs vont être imposées
par les éléments extérieurs au transistor (les résistances et les source de tension) .
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans une zone où
ses caractéristiques sont linéaires
Polariser un transistor correctement consiste donc à choisir les éléments du circuit
d’encadrement (les résistances et les source de tension ou de courant) de telle façon que le
transistor fonctionne à tout instant dans le mode actif normal, car ce mode correspond au régime
linéaire.

O. Mouhib Electronique Analogique I 35

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation du transistor
On définit la droite de charge statique VCE = VCC − RC I C

Droite de charge

- Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor fonctionne dans la zone linéaire.

- Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est bloqué.
- Si le point de fonctionnement est en P3 alors le transistor est saturé.

O. Mouhib Electronique Analogique I 36

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation par résistance de base

Analyse du point de polarisation

V − VBE
– Maille base-émetteur : I B = CC
RB
 VCC − VBE 
– De la relation IC = β I B I
On déduit C 0 = β  
 RB 
– Maille collecteur-émetteur (droite de charge statique) :
 V − VBE 
VCE = VCC − RC I C ⇒ VCE 0 = VCC −. RC β  CC 
 RB 
Le point de repos Q (I C 0 ; VCE 0 ) dépend beaucoup de β
Or, ce gain en courant varie d’un transistor à l’autre bien
que la référence soit la même et varie fortement en
fonction de la température

O. Mouhib Electronique Analogique I 37

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation par réaction d’émetteur
Analyse du point de polarisation
-Maille base-émetteur : RB I B + VBE + RE I E = VEE
VEE − VBE 0
comme I E = (1 + β )I B on peut écrire I B 0 =
RB + (β + 1)RE

-De la relation I C 0 = β I B 0 , on déduit

VEE − VBE 0 V − VBE 0
IC0 = β ≈ EE
RB + (β + 1)RE 1 R + R
β B E

-Maille collecteur-émetteur : VCE 0 = VCC + VEE − RC I C 0 − RE I E 0

Ainsi, le courant I C peut être rendu peu sensible aux variations de β si RB << β RE , et à
celles de VBE si VEE >> VBE ≈ 0,7V
V
Dans ces conditions on a : I C 0 ≈ EE
RE

O. Mouhib Electronique Analogique I 38

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation par pont diviseur

RTh

ETh

O. Mouhib Electronique Analogique I 39

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation par pont diviseur

VTh − RTh I B = RE (I B + I C ) + VBE

RB 2 R R
Avec VTh = VCC et RTh = B1 B 2
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2 RTh
En prenant : β + 1 ≈ β , De la relation I C = β I B
VTh − VBE 0 ETh
On déduit I C 0
≈
1
RE + RTh si
β
et VCE 0 = VCC − (RC + RE )I C 0
IC est peu sensible aux variations de β si RTh << βRE. Il est également peu sensible aux
variations de VBE si VBE<<VTh → I C 0 ≈ VTh RE
Le point de repos est donc stable en température et l’interchangeabilité des transistors est possible.

O. Mouhib Electronique Analogique I 40

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Polarisation par réaction de collecteur

Analyse du point de polarisation

V − VBE
-Maille base-émetteur : I B = C
RB
- De la relation I C = β I B et en remplaçant
VC = VCC − RC (I C + I B ) on déduit :
VCC − VBE 0 V − VBE 0
IC0 = β ≈ CC
RB + (β + 1)RC 1 R + R
βB C

-Maille collecteur-émetteur : VCE 0 = VCC − RC I C 0

IC est peu sensible aux variations de β si RB << βRC. Il est également peu sensible aux variations
de VBE si VBE<<VCC → I C 0 ≈ VCC RC

O. Mouhib Electronique Analogique I 41

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

Nous avons vu comment calculer la polarisation c-à-d le point de fonctionnement statique

Nous allons voir maintenant ce qui se passe si on fait varier légèrement le courant IB autour
de sa position de repos IB0
Si IB varie sinusoïdalement autour de IB0 avec une amplitude ΔIB , alors IC varie
sinusoïdalement autour de IC0 avec une amplitude ΔIC = β ΔIB

O. Mouhib Electronique Analogique I 42

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

O. Mouhib Electronique Analogique I 43

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

Pour injecter la tension alternative vE sans que cela n'altère la

polarisation du transistor en modifiant le point de
fonctionnement statique, on utilise des capacités de liaison VCC

La tension sur la base du transistor est la

somme de la tension continue VB et de la RB1 RC C2
tension d'entrée (variable) vE
C1
La variation de VB provoque la variation du
courant IB et par conséquent celle de IC, VCE
et vS
vS
vE RB 2 CE
RE

O. Mouhib Electronique Analogique I 44

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

 v1   h11 h12  i1 
  =   
 i2   h21 h22  v2 

v BE = h11 ⋅ iB + h12 ⋅ vCE


 iC = h21 ⋅ iB + h21 ⋅ vCE

O. Mouhib Electronique Analogique I 45

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

Modèle équivalent basse fréquence du transistor bipolaire

dvBE β
h11 = = rBE =
diB v CE = cte
gm

dvBE rBE
h12 = = →0
dvCE i B = cte
rCB

diC
h21 = =β
diB v CE =cte
v BE = h11 ⋅ iB + h12 ⋅ vCE

h22 =
diC
=
1  iC = h21 ⋅ iB + h21 ⋅ vCE
dvCE i B = cte
rCE

O. Mouhib Electronique Analogique I 46

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

Modèle équivalent basse fréquence du transistor bipolaire

dvBE β
h11 = = rBE =
diB v CE = cte
gm IB IC
B C

h12 =
dvBE
=
rBE
→0 β ib = g m vBE
1
dvCE i B = cte
rCB rCE =
rBE = h11 h22
diC
h21 = =β E
diB v CE =cte
E

diC 1
h22 = =
dvCE i B = cte
rCE

O. Mouhib Electronique Analogique I 46

 Chapitre 1 : Transistor Bipolaire
Transistor Bipolaire en régime dynamique

L'interprétation graphique des différents paramètres peut être lue sur la courbe des
caractéristiques:

O. Mouhib Electronique Analogique I 47