Électronique/Les

transistors
bipolaires
< Élect ronique

Après avoir vu la diode, il est t emps de passer à un composant bien plus connu : le transistor .
Les t ransist ors sont surt out ut ilisés pour fabriquer des circuit s élect roniques, comme des
ordinat eurs, des t éléphones et bien d'aut res objet s numériques du quot idien. Pour donner un
exemple, sachez que les derniers modèles de processeurs peuvent ut iliser près d'un milliard
de t ransist ors. Ils sont ut ilisés dans de nombreux circuit s, qu'il s'agisse de filt res, de
st abilisat eurs de t ension, et bien d'aut res fonct ions. Il s'agit de composant s à t rois broches,
sur lesquelles peut appliquer une t ension élect rique.

Un transistor est un morceau de

conducteur, dont la conductivité est
contrôlée par une troisième
broche/borne.
Ils sont ut ilisés de deux manières différent es : soit comme int errupt eurs, soit comme
amplificat eurs.

Le plus souvent, ils servent

d'interrupteurs commandables, à
savoir des interrupteurs commandés
par leur troisième broche. Ils se
comportent comme un interrupteur
fermé ou ouvert selon ce qu'on met sur
la troisième broche.
Ils servent aussi d'amplificateurs. Ils
amplifient une tension ou un courant
qui les traverse. Le coefficient
d'amplification est déterminé par la
tension et le courant placé sur la
troisième broche. Plus précisément, les
transistors bipolaires sont des
amplificateurs de courant. Ils reçoivent
 un courant sur la broche d'entrée, et en
fournissent une version multipliée sur
leur sortie. Le coefficient multiplicateur
dépend du courant ou de la tension sur
la broche de contrôle.

Un transistor sert Un transistor bipolaire fonctionne comme un

d'interrupteur amplificateur de courant/tension : il amplifie le
commandable. courant envoyé sur sa base.

Il exist e différent s t ypes de t ransist ors, les deux classes principales ét ant les transistors
bipolaires et à effet de champ. Les t ransist ors bipolaires sont souvent abréviés t ransist ors
BJT (Bipolar Junct ion Transist or) alors que les t ransist ors à effet de champ sont abréviés
FET (Field-Effect Transist or). Nous réut iliserons ces abréviat ions dans le rest e du cours. Dans
cet t e sect ion, nous allons nous limit er aux t ransist ors BJT, les t ransist ors FET seront vus
dans la sect ion suivant e.

Les transistors NPN et PNP

Il exist e deux t ypes de t ransist ors BJT : les transistors NPN et les transistors PNP . Ils se
dist inguent sur de nombreux point s, que nous verrons dans ce qui suit . Leurs symboles sont
illust rés ci-dessous. Remarquez que la différence ent re les deux t ient dans le sens de la
flèche : elle sort de la base pour les NPN et elle va vers la base pour les PNP. Comme leurs
symboles l'indiquent , les t ransist ors BJT possèdent t rois bornes, appelées broches , sur
lesquelles on peut appliquer une t ension élect rique. Les t rois broches port ent les noms
suivant s : Collect eur, Base et Émet t eur. Le fait qu'il exist e t rois broches au lieu de deux a
plusieurs conséquences. Déjà, il exist e une t ension ent re chaque paire de broche, ainsi qu'un
courant qui passe dans chaque broche. Cela fait en t out t rois t ensions not ées , et
et t rois courant s not és , et . Ceux-ci sont reliés par l'équat ion suivant e, que
nous démont rerons bient ôt :

et

Transistor NPN. Transistor PNP.

Tensions et courants des

Tensions et courants des transistors PNP (! les sens
transistors NPN. des courants devraient être
inversés sur ce schéma !).
L'intérieur d'un transistor bipolaire

Diodes internes d'un transistor de

type BJT.

Vous aurez remarqué que les t ermes NPN et PNP font penser aux jonct ions PN. Ce n'est pas
un hasard : t out BJT est const it ué de deux jonct ions PN mises en série. Vu qu'une jonct ion PN
est une diode, on peut considérer, à quelques dét ails près, qu'un t ransist or est composé de
deux diodes mises en série dans des sens opposés.

L'ensemble donne un groupe de t rois morceaux de semi-conduct eurs mis côt e-à-côt e. Pour
les t ransist ors NPN, on t rouve une port ion dopée P ent re deux port ions dopées N. Pour les
t ransist ors PNP, c'est l'inverse : on a une part dopée N ent re deux port ions dopées P. Chaque
broche est connect ée direct ement sur des port ions de semi-conduct eur : celle de gauche
est connect ée à l'émet t eur, celle du milieu est connect ée à la base et celle de droit e au
collect eur. Un t ransist or a donc deux jonct ions : une ent re l'émet t eur et la base, et une aut re
ent re la base et le collect eur.
Transistor NPN. Transistor PNP.

Transistor NPN. Transistor PNP.

Pour comprendre le fonct ionnement du t ransist or, nous allons prendre l'exemple du t ransist or
NPN. Pour cela, met t ons l'émet t eur à la masse et met t ons une t ension sur le collect eur, ainsi
qu'une aut re t ension (plus faible) sur la base. Dans cet t e sit uat ion, la "diode" ent re base et
émet t eur est polarisée en direct , dans le sens passant : le courant va donc passer ent re la
base et l'émet t eur. Il faut préciser qu'il s'agit d'un courant de t rous, et non pas d'élect rons. Par
cont re, le courant ne passera pas dans l'aut re sens, à savoir de la base vers le collect eur, vu
que la "diode" est polarisée dans l'aut re sens, dans le sens bloqué. Les t rous ne peuvent pas
passer dans ce sens.

Par cont re, un courant d'élect rons va passer de l'émet t eur vers le collect eur, du fait de la
t ension VCE. Ce courant va t raverser t out le t ransist or, en passant par la base. On pourrait
croire que la diode base-collect eur ne laisserait pas passer le courant , mais ce n'est pas le
cas. Les élect rons ne vont pas faire comme les t rous et vont bien t raverser la base (pas
immédiat ement , mais il y arriveront ). Une part ie de ce courant d'élect ron va se recombiner
avec les t rous dans la sect ion int ermédiaire de t ype P, nat urellement riche en t rous.
 Fonctionnement interne d'un transistor NPN.

Maint enant , faisons la somme des courant s pour la base, le collect eur et l'émet t eur.

Le courant est la somme du

courant d'électrons et de trous.
Le courant de base est égal au courant
de trous auquel il faut ajouter la
recombinaison des trous avec les
électrons.
Le courant de collecteur est le courant
d'électrons qui arrive jusqu'au
collecteur, à savoir le courant
d'électrons, moins le courant de
recombinaison.
On a donc :
Le fonctionnement d'un BJT
Le fonct ionnement d'un BJT dépend du courant de base ut ilisé. Si on place une t ension ent re
émet t eur et collect eur, le circuit va se comport er différemment selon le courant de base. On
peut dist inguer t rois régimes de fonct ionnement (en réalit é seulement deux, mais passons) :

Le courant de base est nul, de

même que le courant de collecteur :
le transistor est en régime bloqué et se
comporte comme un banal interrupteur
ouvert.
Un courant de base non nul ouvre le
circuit et le transistor amplifie le
courant envoyé sur sa base : le
transistor est alors dit en régime
linéaire.

Le courant de collecteur ne peut pas

aller au-delà d'une valeur maximale. Si
 la limite est atteinte, le courant de
collecteur reste à sa valeur maximale,
quel que soit la valeur de . Le
transistor se comporte alors comme
un interrupteur fermé, dans une
certaine mesure. Le transistor est alors
en régime de saturation.

Le réseau des
caractéristiques courant-
tension
Dans cet t e sect ion, nous allons prendre un t ransist or NPN et ét udier son fonct ionnement . Le
t ransist or PNP sera ét udié just e après, son t rait ement ét ant quasiment similaire. Nous allons
prendre un t ransist or dont l'émet t eur est relié à la masse, ce qui donne un mont age appelé
"mont age à émet t eur commun". Celui-ci permet d'ét udier les relat ions ent re les courant s
et avec les t ensions VCE et VBE, qui servent de caract érist iques courant -t ension pour le
t ransist or. L'ensemble de ces relat ions port e un nom assez barbare : on l'appelle réseau des
caractéristiques du transistor . Mais derrière ce t erme se cache une simple list e de t rois
équat ions, qui servent de caract érist iques courant -t ension pour un t ransist or :

la relation entre et ;
 la relation entre et ;
et la relation entre et .

Relations entre courants : Alpha et

Bêta d'un transistor

Illustration de l'alpha et du beta d'un

BJT.

Dans le régime linéaire, le courant qui t raverse le collect eur est un mult iple du courant
d'émet t eur et du courant de base. Cela permet de définir deux coefficient s de
proport ionnalit é, appelés l'alpha et le béta du t ransist or.

Dét aillons maint enant un peu le calcul de l'alpha et du bêt a.

On a donc les équat ions suivant es :

Relations entre Vbe et courants

On a vu plus haut qu'il y a une jonct ion PN ent re la base et l'émet t eur. On devine donc que la
relat ion ent re Ib et Vbe est celle d'une jonct ion PN, celle d'une diode. Compt e t enu de la
relat ion ent re Ic et Ib, on devine qu'il en est de même pour la relat ion ent re Vbe et Ic. On a
donc les équat ions suivant es, qui sont celles d'une diode :
Relation -VBE. Relation -VBE.

Relations entre Vce et courants

La relat ion t héorique ent re Ic et Vce est illust rée dans le schéma ci-dessous. On voit bien la
différence ent re la zone linéaire et la zone de sat urat ion. Dans la zone linéaire, Ic ne dépend
que de Ib et pas de Vce : la courbe est donc "plat e", signe de l'indépendance de Ic et de Vce.
Par cont re, dans la zone de sat urat ion, le courant Ic augment e avec la t ension VCE. Cet t e
descript ion est cependant assez schémat ique, du moins pour le fonct ionnement de la zone
linéaire.

Fonctionnement d'un transistor, en régime linéaire et de saturation.

En réalit é, la t ension Vce a une influence sur le courant Ic, cert es assez mineure, mais qu'il faut
parfois prendre en compt e. Cet t e influence est cependant indirect e, la t ension Vce
influençant le courant de base. Cela vient d'un effet physique, appelé l'effet Early : la t ension
Vce modifie la t aille de la zone P ou N at t achée à la base, ce qui module le courant de base.
On peut rendre compt e de ce phénomène avec l'équat ion suivant e, qui donne le bêt a du
t ransist or en fonct ion de la t ension Vce.

La t ension VE de l'équat ion précédent e est appelée la tension d' Early. Elle s'obt ient en
prolongeant le courant de sat urat ion sur le graphe Ic/Vce. Un exemple est illust ré ci-dessous.

Détermination de la tension d'Early.

La relat ion ent re courant Ic et t ensions Vce et Vbe est assez facile à déduire à part ir des
équat ions précédent es. Il suffit de combiner l'équat ion qui décrit le courant Ib avec la
définit ion précédent e du bét a, ce qui donne :
Résumé

Caractéristiques idéalisées d'un transistor

bipolaire

Le t ableau et l'image ci-dessous résument ces t rois relat ions.

Relation Description Équation

Relation
Définit ion du bét a d'un t ransist or

Relation Relat ion ident ique à celle d'une diode,

équat ion de Schokley.

Relation
Relat ion complexe.

L'ét at d'un t ransist or est défini par la t ension VCE et le courant IC, l'ét at de la base se
déduisant de ceux-ci. Comme on l'a dit plus haut , le courant IC ne peut pas dépasser une
valeur maximale. Il en est de même pour la t ension VCE, comme le mont rent la relat ion ent re
VCE et IC. Ce qui fait que t ous les couples VCE-IC ne sont pas permis pour le t ransist or. De
plus, un BJT a aussi une puissance limit e, au-delà de laquelle il ne peut pas aller. Si on résume
t out cela, on obt ient le schéma ci-cont re, qui donne les point s de fonct ionnement possibles
pour un BJT.
 Points de fonctionnement possibles
d'un BJT.

Les modèles de circuit

équivalents d'un BJT
Vu ce qui a ét é expliqué précédemment , on se dout e qu'un t ransist or est un composant assez
compliqué et qu'en donner un circuit équivalent n'est pas de t out repos. Mais quelques
chercheurs se sont at t elés à cet t e t âche et ont découvert des circuit s à base de diodes et
de générat eurs qui fonct ionnent exact ement comme des t ransist ors. Ces circuit s équivalent s
d'un t ransist or bipolaire vont êt re vus dans ce qui suit .
Le (faux) modèle à base de diodes

Modèle de transistor (BJT) à base de

diodes.

Un premier modèle, part iculièrement simple, est simplement composé de deux diodes t êt e-
bêche. En effet , rappelons qu'une diode est une simple jonct ion PN : en en met t ant deux l'une
à côt é de l'aut re (sans conduct eurs ent re les deux), on ret rouve bien un t ransist or NPN ou
PNP. Ce modèle fonct ionne bien pour décrire un t ransist or en régime bloqué ou de sat urat ion,
quand on l'ut ilise comme int errupt eur commandé. Mais ce modèle, bien que t rès simple, a de
nombreux défaut s. Et le principal est clairement qu'il ne modélise pas l'amplificat ion des
courant s par le t ransist or. Aut ant dire que ce modèle est just e complèt ement faux. On doit
donc l'améliorer pour ajout er de quoi amplifier le courant s de base, et c'est exact ement ce
que fait le modèle suivant .

Le modèle d'Ebers–Moll
Le modèle d'Ebers-Moll reprend le modèle précédent , avec deux diodes placées t êt e-bêche,
mais ajout e deux générat eurs de courant en parallèles de celles-ci. Chaque générat eur fournit
un courant proport ionnel au courant qui t raverse la diode sit uée de l'aut re (celle avec laquelle
il n'est pas en parallèle). Le courant va dans l'aut re sens que celui qui t raverse la diode sit uée
en parallèle. Les sens sont inversés ent re les t ransist ors NPN et PNP.

Modèle Ebers-Moll d' un NPN Modèle Ebers-Moll d' un PNP

Il est int éressant d'ét udier le modèle précédent quand on branche une t ension aux bornes du
t ransist or, ent re l'émet t eur et le collect eur. Deux sens sont possibles : soit la t ension va de
l'émet t eur vers le collect eur, soit elle va dans le sens inverse. Dans les deux cas, une des
deux diode sera bloquée et le générat eur qui correspond ne produira pas de courant . Le circuit
se simplifie alors, comme le mont re le schéma ci-cont re.

Le modèle Ebers-Moll d'un transistor

polarisé.

Équations d'un transistor NPN .

Le modèle donne la valeur des courant s de collect eur, d'émet t eur et de base, not és IC, IE et

IB, avec les équat ions suivant es. Rappelons que dans ces équat ions, .
Vu la complexit é de ces équat ions, on préfère souvent ut iliser les versions simplifiées que
voici.
Le modèle de contrôle de charge de
Gummel–Poon

Modèle de contrôle de charge de

Gummel–Poon.

Le modèle d'Ebers-Moll n'est cependant pas la panacée et ne modélise pas à la perfect ion un
t ransist or BJT. Aussi les chercheurs ont invent é d'aut res circuit s équivalent s, plus dét aillés.
Mais ces modèles plus complexes sont cependant part iculièrement difficiles à comprendre
et encore plus à expliquer. Par exemple, prenez le modèle de contrôle de charge de
Gummel–Poon, illust ré ci-cont re. Vous voyez bien que celui-ci est part iculièrement t ouffu,
avec un grand nombre de résist ances, de diodes, de condensat eurs et d'un générat eur de
courant . Il faut dire qu'avec 41 variables, on comprend que ce modèle n'est pas conçu pour
êt re pédagogique, mais pour êt re le plus fidèle possible à la réalit é. Cependant , quelques
modèle int ermédiaires exist ent , mais ceux-ci ne servent que dans des cas part iculiers. C'est
not amment le cas des modèles pour pet it s signaux que nous allons voir dans ce qui suit .

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