Le transistor : est un composant électronique à semi-conducteur permettant de contrôler ou

d'amplifier des tensions et des courants électriques. C'est le composant actif le plus important des
circuits électroniques aussi bien en basse qu'en haute tension : circuits logiques (il permet, assemblé
avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques),
amplificateur, stabilisateur de tension, modulation de signal, etc. Les transistors revêtent une
importance particulière — le plus souvent en tant qu'interrupteurs marche/arrêt — dans les circuits
intégrés, ce qui rend possible la microélectronique.

Ce dispositif comporte trois électrodes actives permettant de contrôler un courant ou une tension
sur l'électrode de sortie (le collecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor à effet
de champ) grâce à une électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un
transistor à effet de champ). Le transistor est isolant sans tension sur la borne base, et conducteur
avec une tension sur la borne base.

Le transistor à effet de champbipolaire :

Amplificateur de courant, on injecte un courant dans l'espace base/émetteur afin de créer un
courant multiplié par le gain du transistor entre l'émetteur et le collecteur. Les transistors bipolaires
NPN (négatif-positif-négatif) qui laissent circuler un courant de la base (+) vers l'émetteur (–), sont
plus rapides et ont une meilleure tenue en tension que les transistors PNP base (–) émetteur (+),
mais peuvent être produits avec des caractéristiques complémentaires par les fabricants pour les
applications le nécessitant.

Son organe de commande est la grille (gate en anglais). Celle-ci n'a besoin que d'une tension (ou un
potentiel) entre la grille et la source pour contrôler le courant entre la source et le drain. Le courant
de grille est nul (ou négligeable) en régime statique, puisque la grille se comporte vis-à-vis du circuit
de commande comme un condensateur de faible capacité. Il existe plusieurs types de transistors à
effet de champ : transistors à appauvrissement, à enrichissement (de loin les plus nombreux) et à
jonction (JFET). Dans chaque famille, on peut utiliser soit un canal de type N soit de type P, ce qui fait
donc en tout six types différents.

- Pour les transistors à appauvrissement ainsi que les JFET, le canal drain–source est conducteur si le
potentiel de grille est nul. Pour le bloquer, il faut rendre ce potentiel négatif (pour les canaux N) ou
positif (pour les canaux P).

- Inversement, les transistors à enrichissement sont bloqués lorsque la grille a un potentiel nul. Si on
polarise la grille d'un transistor N par une tension positive ou celle d'un transistor P par une tension
négative, l'espace source–drain du transistor devient passant.

Le transistor à effet de champ :

-le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-
conducteur qui est largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification des signaux
électroniques dans les appareils électroniques. Un MOSFET est un cœur ou un circuit intégré où il est
conçu et fabriqué dans une seule puce car l'appareil est disponible dans de très petites tailles.
L'introduction du dispositif MOSFET a apporté une changement dans le domaine de la commutation
en électronique. Allons-y avec une explication détaillée de ce concept.

-Le principe principal du dispositif MOSFET est de pouvoir contrôler le flux de tension et de
courant entre les bornes de source et de drain. Cela fonctionne presque comme un interrupteur et la
fonctionnalité de l'appareil est basée sur le condensateur MOS. Le condensateur MOS est la partie
principale du MOSFET.

la surface semi-conductrice au niveau de la couche d'oxyde inférieure qui est située entre la source
et le drain la borne peut être inversée du type p au type n par l'application d'une porte positive ou
négative tensions respectivement. Lorsque nous appliquons une force répulsive pour la tension de
grille positive, les trous présents sous la couche d'oxyde sont poussés vers le bas avec le substrat.
Le transistor Darlington :
Le transistor Darlington est la combinaison de deux transistors bipolaires1 de même type (tous
deux NPN ou tous deux PNP), résultant en un composant hybride qui a encore des
caractéristiques de transistor2. Ces deux transistors peuvent être intégrés dans un même boîtier2.
Le gain en courant du Darlington est égal au produit des gains de chaque transistor. Le montage
est le suivant : les collecteurs sont communs et correspondent au collecteur du Darlington ;
l'émetteur du transistor de commande est relié à la base du transistor de sortie ; la base du
transistor de commande et l'émetteur du transistor de sortie correspondent respectivement à la
base et à l'émetteur du Darlington