PRINCIPE ET CARACTRISTIQUES.

A. INTRODUCTION L'EFFET TRANSISTOR.

B. LE TRANSISTOR REL.
1. Principe de fonctionnement.
2. Constitution et caractristiques physiques d'un transistor.
3. Courants de fuite.
4. Symboles, tensions et courants.
Transistor NPN
Transistor PNP
C. CARACTRISTIQUES LECTRIQUES.
1. Montages de base.
2. Schma de mesure des caractristiques.
3. Caractristique d'entre.
4. Caractristique de transfert.
5. Caractristique de sortie.
6. Limites d'utilisation.
7. En bref
8. Paramtres essentiels des transistors.
MONTAGES DE BASE.
A. PRELIMINAIRE.
1. Mise en uvre du transistor.
Alimentation.
Polarisation.
Conversion courant/tension.
Liaisons.
Insensibilit du montage aux paramtres du transistor.
2. Mthodologie de calcul.
3. Schma quivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramtres hybrides.
B. MONTAGE METTEUR COMMUN.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
Polarisation par une rsistance.
Polarisation par pont de base.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
Fonctionnement intuitif .
Gain en tension.
Schma quivalent de l'tage amplificateur.
Impdance d'entre.
Impdance de sortie.
Gain de l'tage en charge.
Bilan. Utilisation du montage.
C. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
33

Fonctionnement intuitif .
Gain en tension.
Impdance d'entre.
Impdance de sortie.
Bilan. Utilisation du montage.
D. MONTAGE BASE COMMUNE.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
2. Fonctionnement en petits signaux alternatifs.
Fonctionnement intuitif .
Gain en tension.
Impdance d'entre.
Impdance de sortie.
Bilan. Utilisation du montage.
E. REMARQUES FONDAMENTALES.
F. FONCTIONNEMENT EN HAUTE FRQUENCE
1. Schma quivalent de Giacoletto.
2. Thorme de Miller.
Dfinition.
Application au schma de Giacoletto.
Autres applications.

34

I.

Rappel
Il existe une catgorie de composants (qu'ils soient lectriques, mcaniques, etc ) trs
intressante : c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une grandeur de mme
nature et proportionnelle au stimuli d'entre. Les exemples foisonnent :
le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entre, ou bien un
dplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqu l'entre.
l'engrenage, qui est la mme chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de
multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entre.
le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entre.
Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de mme nature que le stimuli l'entre, et il
existe un coefficient de proportionnalit entre les deux, indpendant du stimuli d'entre, donc
intrinsque au dispositif.
Il faut toutefois noter que dans tous les cas cits, il y a conservation de l'nergie : l'nergie
la sortie du composant est la mme que celle l'entre.
Il existe d'autres dispositifs prsentant les mmes caractristiques que ceux prcdemment
cits, et qui en plus, permettent de multiplier l'nergie : on trouve en sortie du dispositif une
nergie suprieure celle fournie l'entre. Bien entendu, il n'y a pas de gnration spontane
d'nergie, il faudra donc au dispositif une entre supplmentaire par laquelle une source sera
susceptible de fournir de l'nergie.
Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement l'entre,
mais transfert d'nergie d'une source extrieure la sortie du dispositif, ce transfert tant
contrl par l'entre.
Des exemples mcaniques bien connus sont respectivement les freins et la direction assiste.
Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel l'effort exerc sur la pdale, mais
une source d'nergie auxiliaire permet d'avoir la pdale un effort beaucoup plus faible que ce
qu'il faudrait sans l'assistance.
Dans le deuxime cas, on a la mme chose : les roues tournent proportionnellement l'angle
de rotation du volant, mais la plus grosse partie de l'effort est prise en charge par un dispositif
hydraulique.
Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exerc tout en le conservant
proportionnel au stimuli d'entre, ce qui facilite la commande.
Un tel dispositif est en fait un robinet de rgulation d'nergie : il faut disposer d'un rservoir
d'nergie, on pose le robinet dessus , et on peut disposer de l'nergie proportionnellement
une commande d'entre.
En lectronique, un tel composant est intressant, car il va permettre d'amplifier un signal, et
de commander des actionneurs requrant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec
35

des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de temprature, de

pression, ).
Le transistor jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en lectronique.
Son domaine d'action est donc particulirement vaste
A noter qu'avant le transistor, cette fonction tait remplie par des tubes vide (triodes entre
autres).
L'avnement du transistor n'a donc pas apport la fonction miracle en elle mme, mais une
commodit d'utilisation, l'encombrement rduit (les tubes vide ont besoin d'un systme
d'alimentation complexe avec des tension relativement leve, et ncessitent une adaptation
d'impdance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilit, le faible cot

II.
A.

PRINCIPE ET CARACTRISTIQUES.
INTRODUCTION L'EFFET TRANSISTOR.
Nous avons dj vu propos de la diode que si celle-ci est polarise en inverse, les porteurs
minoritaires (lectrons de la zone P et trous de la zone N, crs par l'agitation thermique)
traversent sans problmes la jonction et sont acclrs par le champ extrieur.
On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps se recombiner
avec les porteurs opposs.
Partant des deux remarques prcdentes, on peut dduire que si on injecte dans la zone N
d'une jonction NP polarise en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des
porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les lectrons de la
zone N, ils vont traverser la jonction et crer un courant dans le circuit extrieur.

Fig. 1. Injection de trous dans une zone N.

La figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encercles), mais
limites, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I 2. A noter que les
recombinaisons correspondent au courant I1-I2.

B.

LE TRANSISTOR REL.

36

Ce que nous venons de dcrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque que le
moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons soient
faibles, pour que la majorit des trous passent dans la zone P.
1.

Principe de fonctionnement.

Dans le transistor rel, on va apporter les trous en crant une jonction PN, que l'on va
polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage Fig. 1. Cette
zone P qui injecte les trous est alors l'metteur , et la zone N, faiblement dope est la base .
Comme dans le schma de la Fig. 1., la jonction NP est polarise en inverse. La deuxime
zone P est le collecteur (voir Fig. 2.).

Fig. 2. Schma de principe d'un transistor.

Les trous injects dans la base par l'metteur ont une faible probabilit de se recombiner avec
les lectrons de la base pour deux raisons :
la base est faiblement dope, donc, les porteurs majoritaires (lectrons) seront peu nombreux.
la base est troite, et donc les trous mis sont happs par le champ lectrique collecteur-base
avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur de diffusion
des porteurs minoritaires injects par l'metteur, qui sont ici les trous).
On peut observer le phnomne d'un point de vue diffrent : quand on injecte un lectron dans
la base, l'metteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui se
recombine avec l'lectron mis. Les autres trous vont passer directement dans le collecteur.
En premire approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au
nombre d'lectrons injects dans la base.
Ce rapport de proportionnalit est un paramtre intrinsque au transistor et s'appelle le gain
en courant

Il ne dpend que des caractristiques physiques du transistor : il ne dpend ni de la tension

inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci n'est qu'une
approximation, mais dans les hypothses de petits signaux, c'est assez bien vrifi.)
On a les relations suivantes :

37

2.

Constitution et caractristiques physiques d'un transistor.

Un transistor bipolaire est donc constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N
et P, formant deux jonctions PN.
Le transistor dcrit au paragraphe prcdent comporte deux zones P et une zone N. C'est une
des deux faons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor :
soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.
soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
Dans les deux cas, la zone centrale (base) est trs troite vis vis de la longueur de diffusion
des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'metteur).
La base possde en outre la caractristique d'tre trs faiblement dope en comparaison de
l'metteur.
3.

Courants de fuite.

La relation [1] n'est qu'imparfaitement vrifie pour une autre raison : si on reprend le schma
Fig. 2. et qu'on coupe la connection de la base (I b = 0), on s'aperoit que le courant circulant
dans le collecteur n'est pas nul, d des porteurs minoritaires qui passent de la base dans le
collecteur. Ce courant est nomm ICEO. La relation [1] devient donc :

En pratique, aux tempratures ordinaires, ce courant de fuite sera nglig. On verra par la
suite qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manire que le point de
polarisation soit quasiment indpendant du courant de fuite.
4.

Symboles, tensions et courants.

Dans le symbole du transistor (figures 3 et 4), une flche dsigne l'metteur ainsi que le sens
de circulation du courant d'metteur ; c'est le sens de cette flche qui va reprer le type de
transistor : NPN pour un courant d'metteur sortant du transistor, et PNP dans le cas inverse.
La base est reprsente par une barre parallle l'axe collecteur-metteur. D'autres symboles
existent, mais celui-ci est le plus usit.
Les transistors sont des composants polariss : les courants indiqus sont les seuls possibles
pour un fonctionnement correct. En consquence, il faudra choisir le type de transistor adapt
au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de branchement.

Transistor NPN

38

Fig. 3. Courants et tensions sur un NPN.

Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont rentrants, et le courant
d'metteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont ici positives.

Transistor PNP

Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont sortants, et le courant
d'metteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont ici ngatives.

Fig. 4. Courants et tensions sur un PNP.

C.

CARACTRISTIQUES LECTRIQUES.
Pour ce paragraphe, nous allons tudier les caractristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mmes aux rserves de signes dcrites au paragraphe prcdent.
Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la
conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en
tension).

1.

Montages de base.

Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune l'entre et
la sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder :
la patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun . L'entre est la
base et la sortie le collecteur.
La patte commune est la base : on parle de montage base commune . L'entre est l'metteur et
la sortie le collecteur.
La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun . L'entre est la
base et la sortie l'metteur.
Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spcifique.
2.

Schma de mesure des caractristiques.

39

Les caractristiques qui suivent sont donnes pour un montage metteur commun . Le
schma le plus simple est le suivant :

Fig. 5. Montage de base metteur commun .

Dans ce schma, la base est polarise en direct par la rsistance de base R b : le potentiel de la
base est alors de 0,7V environ, car l'metteur est la masse et la jonction base metteur est
l'quivalent d'une diode passante.
Le collecteur est lui polaris par la rsistance de collecteur R c de telle manire que la tension
du collecteur soit suprieure la tension de la base : la jonction base collecteur est alors
polarise en inverse.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux
rsistances. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie est le collecteur.
L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et
VCE, soit 4 variables.
3.

Caractristique d'entre.

La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) @ VCE = cte.
En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une jonction diode.
Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la donne en
gnral pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :

Fig. 6. Caractristique d'entre du transistor.

40

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de base
infrieur au mA). Cette valeur est donc lgrement suprieure celle d'une jonction de diode.
4.

Caractristique de transfert.

La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte.

Nous avons dj dit que le courant d'metteur est proportionnel au courant de base (formule
[1]).

Fig. 7. Caractristique de transfert du transistor.

La caractristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un gnrateur de courant
command par un courant.
Si on considre le courant de fuite I CEO, la caractristique ne passe pas par l'origine, car I C =
ICEO pour IB = 0.
Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des
transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100
500 pour des transistors de signal.
5.

Caractristique de sortie.

La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation I C = f (VCE) @ IB = cte. En

pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.

41

Fig. 8. Caractristiques de sortie du transistor.

Sur ces caractristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones :
une zone importante o le courant IC dpend trs peu de VCE IB donn : cette caractristique
est celle d'un gnrateur de courant rsistance interne utilis en rcepteur. Dans le cas des
transistors petits signaux, cette rsistance est trs grande : en premire approche, on
considrera que la sortie de ce montage transistor est un gnrateur de courant parfait.
La zone des faibles tensions VCE (0 quelques volts en fonction du transistor) est diffrente.
C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-metteur diminue pour devenir trs
faible, la jonction collecteur-base cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot
alors trs rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarise en direct :
on n'a plus un transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle. On a une
caractristique ohmique dtermine principalement par la rsistivit du silicium du collecteur.
Les tensions de saturation sont toujours dfinies un courant collecteur donn : elles varient
de 50mV pour des transistors de signal des courants d'environ 10mA, 500mV pour les
mmes transistors utiliss au maximum de leurs possibilits (100 300 mA), et atteignent 1
3V pour des transistors de puissance des courants de l'ordre de 10A.
6.

Limites d'utilisation.

Le transistor pourra fonctionner sans casser l'intrieur d'un domaine d'utilisation bien
dtermin.
Ce domaine sera limit par trois paramtres :
le courant collecteur maxi ICMax. Le dpassement n'est pas immdiatement destructif, mais le
gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intressant dans cette zone.
la tension de claquage VCEMax : au del de cette tension, le courant de collecteur crot trs
rapidement s'il n'est pas limit l'extrieur du transistor.
la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va tre reprsente par une hyperbole
sur le graphique, car on a la relation :

42

Fig. 9. Limites d'utilisation du transistor.

Toute la zone hachure sur la caractristique de sortie du transistor (Fig. 9.) est donc interdite.
7.

En bref

Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un amplificateur de
courant : c'est un gnrateur de (fort) courant (en sortie) pilot par un (faible) courant
(en entre).
8.

Paramtres essentiels des transistors.

Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considrant les paramtre suivants :
Le VCEMax que peut supporter le transistor.
Le courant de collecteur maxi ICMax.
La puissance maxi que le transistor aura dissiper (ne pas oublier le radiateur !).
Le gain en courant

Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation V CEsatmax sera un critre de

choix essentiel.

III.
A.
1.

MONTAGES DE BASE.
PRELIMINAIRE.
Mise en uvre du transistor.

On a vu que le transistor tait un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour amplifier

des signaux issus de sources diverses.
Il va falloir pour cela mettre en uvre tout un montage autour du transistor pour plusieurs
raisons :

Alimentation.

43

Le transistor, tout en tant classifi dans les composants actifs, ne fournit pas d'nergie : il
faudra donc que cette nergie vienne de quelque part ! C'est le rle de l'alimentation qui va
servir apporter les tensions de polarisation et l'nergie que le montage sera susceptible de
fournir en sortie.

Polarisation.

Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le polariser
pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est dire superposer au courant alternatif
un courant continu suffisamment grand pour que le courant total (continu + alternatif) circule
toujours dans le mme sens.
Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit suffisamment petite devant la
composante continue pour que la linarisation faite dans le cadre de l'hypothse des petits
signaux soit justifie.

Conversion courant/tension.

Le transistor est un gnrateur de courant. Comme il est plus commode de manipuler des
tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire simplement en mettant
des rsistances dans des endroits judicieusement choisis du montage.

Liaisons.

Une fois le transistor polaris, il va falloir prvoir le branchement de la source alternative

d'entre sur le montage. En rgle gnrale, ceci se fera par l'intermdiaire d'un condensateur
de liaison plac entre la source et le point d'entre du montage transistor (base pour
montages metteur et collecteur commun, metteur pour montage base commune).
De la mme manire, pour viter que la charge du montage transistor (le dispositif situ en
aval et qui va utiliser le signal amplifi) ne perturbe sa polarisation, on va aussi l'isoler par un
condensateur de liaison.
Ces condensateurs vont aussi viter qu'un courant continu ne circule dans la source et dans la
charge, ce qui peut leur tre dommageable.

Insensibilit du montage aux paramtres du transistor.

Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage insensible aux drives
thermiques du transistor et elle devra tre indpendante de ses caractristiques (notamment le
gain), ceci pour que le montage soit universel , et ne fonctionne pas uniquement avec le
transistor dont on dispose pour raliser la maquette. Cela permet aussi de changer le transistor
sur le montage sans se poser de questions en cas de panne.
2.

Mthodologie de calcul.

Nous avons dj vu lors d'une approche globale de l'lectronique qu'il convenait pour des
raisons de simplification des calculs de sparer l'tude de la polarisation de l'tude en
alternatif petits signaux.

44

La polarisation est calcule dans un premier temps ; on fait alors un schma quivalent du
montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi d'Ohm et les principaux
thormes de l'lectricit.
Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linariser les caractristiques
du transistor au point de fonctionnement dfini par la polarisation. Il faut donc dfinir les
paramtres linariser et en dduire un schma quivalent du transistor.
La solution globale (celle correspondant ce qui est physiquement constat et mesur sur le
montage) est la somme des deux solutions continue et alternative dfinies ci-dessus.
3.

Schma quivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramtres hybrides.

En pratique, pour simplifier l'expos, nous allons d'abord donner le schma quivalent et les
quations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces lments l'aide des caractristiques
des transistors.
Le transistor est considr comme un quadriple ; il a deux bornes d'entre et deux bornes de
sortie (une patte sera alors commune l'entre et la sortie) et va tre dfini par 4 signaux :
courant et tension d'entre, courant et tension de sortie. Ces variables ont dj t dfinies
(Fig.5) pour le montage metteur commun : il s'agit du courant IB et de la tension VBE pour
l'entre, du courant IC et de la tension VCE pour la sortie.
En fait, ces signaux se dcomposent en deux parties : les tensions et courants continus de
polarisation nots IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites variations alternatives autour du point de
repos qui sont respectivement ib, vbe, ic, et vce.
Nous avons les quations :

Ce sont les petites variations qui vont nous intresser pour le schma quivalent alternatif qui
est le suivant :

Fig. 10. Schma quivalent du transistor NPN.

Il convient de noter que ce schma, bien que driv du montage metteur commun (l'metteur
est bien ici la borne commune entre l'entre et la sortie) est intrinsque au transistor et
pourra tre utilis dans tous les cas de figure : il suffira de l'intgrer tel quel au schma
quivalent du reste du montage en faisant bien attention aux connections des trois pattes du
transistor E, B et C.
45

L'appellation schma quivalent du montage metteur commun provient de la dfinition des

variables d'entre et de sortie qui sont celle de ce type de montage.
Nota : On peut remarquer ici que les sens des courants sont conventionnels, et non absolus, et
ne servent qu' effectuer les calculs comme si les sources taient continues ; une seule chose
est imprative : phaser convenablement ib et ic. On peut donc choisir un sens oppos pour ces
deux courants. En pratique, cela signifie que les transistors PNP auront strictement le mme
schma alternatif petits signaux que les NPN.
Dans ce schma, nous avons les relations suivantes :

L'indice e sur les paramtres hije (qu'on appelle paramtres de transfert) indique qu'il s'agit des
paramtres metteur commun. On peut mettre le systme [10] sous la forme matricielle
suivante :

Nous nous contenterons ici de voir que a existe , et d'ajouter que ce formalisme matriciel
permet de simplifier les calculs quand on associe plusieurs quadriples (en srie, en parallle,
en cascade ). Nous n'utiliserons pas ces caractristiques dans ce cours.
Si on analyse la premire quation du systme [10], on y voit l'expression de v be en fonction
de ib et vce. On a :
h11e = vbe/ib @ vce = 0 . Si on se rappelle que vbe et ib sont des petites variations autour du point
de repos (VBEo,IBo) et que la caractristique d'entre du transistor est la courbe I B = f(VBE) @
VCE = cte (donc vce = 0), alors, on voit que h11e est la rsistance dynamique de la jonction
base-metteur .
h12e = vbe/vce @ ib = 0 . Ce paramtre est en fait la raction de la sortie sur l'entre dans la
thorie des quadriples. Lors de l'tude du principe du transistor, il a t dit que cette raction
tait ngligeable . Dans toute la suite de l'expos, il ne sera plus fait mention de ce paramtre.
La deuxime quation nous donne :
h21e = ic/ib @ vce = 0 . Ce paramtre est le gain en courant en fonctionnement dynamique du
transistor. Il peut tre lgrement diffrent du gain en fonctionnement statique
dj
mentionn, car il a t dit que la linarit de ce paramtre n'est pas rigoureusement vrifie.
h21e = ic/vce @ ib = 0 . Ce paramtre a la dimension d'une admittance : c'est l'inverse de la
rsistance du gnrateur de courant de sortie du transistor. En pratique, sa valeur est
faible (donc la rsistance est leve), et sauf montage un peu pointu , on le ngligera, car son
influence sera modre vis vis de l'impdance de charge du montage.

46

On voit qu'en fait, les paramtres de transfert issus de la thorie des quadriples colle bien aux
caractristiques physiques du transistor :
une entre rsistive (la rsistance diffrentielle de la jonction base-metteur), la raction de la
sortie sur l'entre tant ngligeable.
une sortie quivalente un gnrateur de courant proportionnel au courant d'entre , ce
gnrateur tant imparfait, donc avec une rsistance interne non nulle.
B.

MONTAGE METTEUR COMMUN.

Le dcor tant entirement plant, on va pouvoir passer au montage fondamental transistor :
le montage metteur commun . Il ralise la fonction amplification de base de l'lectronique.

1.

Polarisation. Point de fonctionnement.

Polarisation par une rsistance.

Le montage le plus lmentaire tout en tant fonctionnel est le suivant :

Fig. 11. Polarisation par rsistance de base.

Le fonctionnement est simple : le courant de base IBo est fix par Rb, ce qui entrane un
courant de collecteur ICo gal
IBo. Le courant collecteur tant fix, la tension aux bornes
de Rc va tre gale Rc ICo. Le montage est entirement dtermin.
Pour calculer les lment Rb et Rc, on va procder l'envers : on va partir de ce qu'on dsire
(le courant ICo et la tension VCEo), et remonter la chane :
On se fixe un courant collecteur de repos ICo (c'est le courant de polarisation). Ce courant
sera choisi en fonction de l'application, et variera entre une dizaine de A (applications trs
faible bruit), et une dizaine de mA (meilleures performances en haute frquence, soit quelques
MHz).
On se fixe une tension de collecteur VCEo, qu'on prend en gnral gale E/2, pour que la
tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le
signal alternatif.
La rsistance de collecteur Rc , en plus d'assurer une polarisation correcte de la jonction
base-collecteur, convertit le courant collecteur (et ses variations) en tension. Elle est
dtermine par la formule :

47

le courant IBo est alors impos par les caractristiques de gain en courant du transistor (le
). On note ici qu'il est impratif de le connatre (donc de le mesurer) :

La rsistance de base Rb est alors calcule l'aide de la formule :

Pour ce faire, on prendra VBEo = 0,7V, car un calcul plus prcis (il faudrait connatre la
caractristique IB = f (VBE) pour le faire !) ne servirait rien.
On peut rsumer toute cette tape de polarisation sur un seul graphique :

Fig. 12. Polarisation du transistor.

On reconnatra ici les trois caractristiques du transistor (entre, transfert, sortie) jointes sur le
mme graphique. Attention : il faut bien remarquer que les axes sont diffrents de part et
d'autre du zro !

48

Ce montage assure les diverses fonction vues prcdemment : il est correctement aliment,
polaris (jonction base-metteur en direct, jonction base collecteur en inverse, courants dans
le bon sens ), et il possde des condensateurs de liaison. Il y a une ombre au tableau : bien que
fonctionnel, ce montage ne garantit pas du tout la fonction de robustesse vis vis de la drive
thermique et des caractristiques du transistor. En effet, on peut remarquer que :
si ICEO (le courant de fuite) augmente sous l'effet de la temprature, rien ne va venir compenser
cette variation : VCEo va augmenter et le point de polarisation va se dplacer.
Si on veut changer le transistor par un autre dont le gain soit trs diffrent, vu que I Bo est
impos par E et Rb, ICo =
IBo n'aura pas la bonne valeur, et VCEo non plus. Et il ne s'en faut
pas de quelques %, car pour une mme rfrence de transistor, le gain peut varier d'un facteur
1,5 5 ou plus ! On peut donc se retrouver avec un montage dont le transistor serait satur,
donc inutilisable pour l'amplification de petits signaux.
Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on ne peut pas en
pratique exploiter le montage dcrit Fig. 11. Ce montage n'a qu'un intrt pdagogique, et
pour des montages rels, on va lui prfrer le montage polarisation par pont de base.

Polarisation par pont de base.

Ce schma est un peu plus complexe que le prcdent. Nous allons d'abord analyser les
diffrences, et ensuite, nous suivrons pas pas la mthode de calcul de la polarisation.

Fig. 13. Polarisation par pont de base.

Par rapport au schma Fig. 11, on note que la base est polarise l'aide d'un pont de
rsistances Rb1 et Rb2. Le rle de ces rsistances sera de fixer le potentiel de base. Comme la
tension VBE est voisine de 0,7V, ceci impose de mettre une rsistance entre l'metteur et la
masse. Cette rsistance est dcouple par le condensateur C DE, qui va tre l'quivalent d'un
court-circuit en alternatif.
A quoi servent ces lments ? Pour raisonner, on va faire abstraction du condensateur C DE, qui
est un circuit ouvert pour le rgime continu.
Les rsistances du pont de base vont tre choisies de telle manire que le courant circulant
dans ce pont soit trs suprieur au courant rentrant dans la base (au moins 10 fois plus grand),
ceci afin que des petites variations du courant de base ne modifient pas le potentiel de la base,
qui restera donc fixe.
49

Le potentiel d'metteur va tre gal au potentiel de base moins environ 0,7V et sera lui aussi
fixe, courant de base donn. Dans ce cas, la tension aux bornes de R E est dtermin. Le
courant d'metteur (donc celui du collecteur, et celui de la base, via le
par la valeur de la rsistance RE et la tension du pont de base.

) sera alors fix

Le courant collecteur tant dfini, on choisit la rsistance de collecteur pour avoir VCEo au
milieu de la plage de tension utilisable.
Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant ICEO augmente sous l'effet de la
temprature. La tension aux bornes de R E va alors augmenter. Comme le potentiel de base est
fix par le pont Rb1/Rb2, la tension VBE va diminuer. Cette diminution va entraner une baisse
du courant de base, donc du courant de collecteur.
Cet effet vient donc s'opposer l'augmentation du courant collecteur d l'augmentation du
courant de fuite ICEO. Le montage s'auto-stabilise.
L'autre avantage, c'est que le courant de collecteur est fix par le pont de base et par la
rsistance d'metteur. Ces lments sont connus 5% prs en gnral, donc, d'un montage
un autre, on aura peu de dispersions, et surtout, le courant collecteur sera indpendant du gain
du transistor. On a dit cet effet que le pont de base est calcul de manire ce que le
potentiel de base soit indpendant du courant de base : ce potentiel ne dpendra pas du
transistor, et le courant de base s'ajustera automatiquement en fonction du gain du transistor
sans perturber le pont de base.
On fera les calculs dans l'ordre suivant :
On fixe le courant collecteur de repos ICo . A noter que le courant d'metteur sera quasiment
le mme car IC = IE - IB # IE.
On fixe le potentiel d'metteur VEo (au maximum E/3, et en pratique, une valeur plus
faible : 1 2V est une valeur assurant une assez bonne compensation thermique sans trop
diminuer la dynamique de sortie).
On calcule alors la rsistance RE par la formule :

On se fixe la tension collecteur metteur VCEo : en gnral, on la prendra gale la moiti de

la tension disponible qui est gale non plus E, mais E - V Eo. On en dduit la rsistance
Rc :

50

On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le
transistor, cette valeur n'tant pas critique ici) :

du

On calcule Rb2 (en rgle gnrale, on prendra VBEo gal 0,7V) :

On en dduit Rb1 :

Le point de repos du montage tant dtermin, on va passer au comportement en alternatif.

2.

Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

Si on applique les rgles dfinies dans le chapitre "Outils pour l'lectronique", on obtient :

Fig. 14. Schma quivalent en alternatif.

On notera que la rsistance d'metteur a disparu, car elle est shunte par le condensateur de
dcouplage CDE.
En quoi va consister l'tude en alternatif ?
Tout d'abord, on va valuer la capacit du montage amplifier le signal d'entre . La
caractristique reprsentative de cette fonction est le gain en tension Av, qui est le rapport
entre les tensions de sortie et d'entre.
Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source d'entre sans
la perturber ; il doit rester le plus neutre possible vis vis de cette source, surtout s'il s'agit
d'un capteur de mesure ! La grandeur reprsentative est l'impdance d'entre .

51

Mme chose vis vis de la charge branche en sortie du montage, qui va utiliser le signal
amplifi : il va falloir regarder dans quelle mesure l'tage transistor n'est pas perturb
par cette charge . La grandeur reprsentative est l'impdance de sortie .
Nous allons calculer ces trois paramtres. On pourrait y rajouter le gain en courant A i qui est
le rapport des courants de sortie et d'entre, et aussi le gain en puissance. En amplification
petits signaux, ces paramtres sont peu utiliss, nous n'en parlerons donc pas.

Fonctionnement intuitif .

Avant de faire des calculs compliqus sur un schma abstrait, il serait bon de voir comment
marche le montage de faon intuitive et qualitative.
On considre que le potentiel d'metteur est fixe grce au condensateur de dcouplage CDE.
Si on augmente lgrement la tension de base, le courant de base va augmenter. Le courant de
collecteur va augmenter proportionnellement au courant de base, et donc, la chute de tension
dans la rsistance Rc va augmenter. Le potentiel du collecteur va alors baisser.
On peut par consquent s'attendre un gain en tension ngatif (entre et sortie en opposition
de phase).
On peut aussi voir ce que donnerait le montage sans le condensateur C DE : si la tension de base
augmente, le courant de base, donc de collecteur augmente. La tension aux bornes de la
rsistance d'metteur va augmenter aussi, et donc, le potentiel de l'metteur va remonter, ce
qui va entraner une diminution de la tension VBE, donc du courant de base, donc du courant
de collecteur : il y a une contre-raction qui s'oppose l'amplification.
Le gain en tension sera plus faible qu'avec le condensateur CDE. Nous aurons l'occasion de
revoir ce montage (dit charge rpartie) dans un chapitre ultrieur.

Gain en tension.

Le gain en tension peut tre dfini de deux manires :

le gain vide , c'est dire sans charge connecte en sortie du montage.
le gain en charge , avec la charge connecte.
Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'tage vide. Nous verrons ensuite qu'il
est simple de calculer le gain en charge postriori.
On va d'abord procder quelques simplifications dans le schma :
les deux rsistances du pont de base sont en parallle du point de vue alternatif. Nous allons
donc les remplacer par une seule rsistance Rp dont la valeur sera gale Rb1 // Rb2.
la rsistance de sortie 1/h22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de k
). Pour une
alimentation E de 12V, un courant ICo de 2mA et une tension VCEo de 5V, on aura Rc = 2500

52

, soit environ le dixime de 1/h22e. On va donc ngliger ce dernier terme. On notera que
lorsque la tension d'alimentation est leve et que le courant de collecteur est faible, cette
simplification est moins justifie.
on supprime la charge Ru (hypothse de calcul).
Avec ces hypothses, le schma devient :

Fig. 15. Schma quivalent simplifi.

On a les quations suivantes :

Si on pose h21e =
du gain en tension :

(le gain dynamique est gal au gain statique), on obtient l'expression

Cette expression montre que le gain de l'tage dpend de deux paramtres du transistor : le
gain en courant et la rsistance dynamique d'entre h11e .
Pour augmenter ce gain, on pourrait se dire qu'il suffit d'augmenter Rc (donc de diminuer le
courant ICo pour garder un VCEo constant).
Ce serait une grave erreur : en effet, si on diminue ICo, on diminue aussi forcment IBo, et en
consquence, la rsistance diffrentielle de la jonction base metteur augmente : le gain risque
donc de ne pas trop augmenter.
Les paramtres de cette formule sont donc lis : ils ne sont pas indpendants, et on ne fait pas
ce qu'on veut.
Nous allons essayer de trouver une formulation mettant en uvre des paramtres
indpendants.

53

Nous avons dj dit que la jonction base-metteur tait l'quivalent d'une diode. Elle satisfait
notamment aux mmes formulations mathmatiques. Dans le chapitre relatif la diode,
l'quation [2] donnait la rsistance diffrentielle en fonction du courant dans la diode :

Pour le transistor, on a la mme chose en remplaant Id par le courant de base IBo et rd par h11e.
Le terme kT/q est homogne une tension et vaut environ 26mV temprature ordinaire.
La relation simplifie entre h11e et IBo (h11e est en

et IBo en A) devient alors :

Si on rinjecte cette relation dans la formule [24] en tenant compte du fait que I Co =
on obtient :

IBo,

Le terme 38,5 ICo reprsente la pente du transistor au point de polarisation I Co. C'est le rapport
IC / VBE en ce point. Il ne dpend pas du transistor : c'est un paramtre intressant qui permet
de calculer le gain d'un tage indpendamment du composant choisi pour le raliser.
Cette formulation du gain est beaucoup plus satisfaisante que la prcdente, car elle ne dpend
plus des caractristiques du transistor, et notamment de son gain (attention toutefois au facteur
38,5 qui est le terme q/kT : il dpend de la temprature !). Elle montre aussi que le gain est
relativement fig si on garde pour rgle une tension de polarisation V CEo gale la moiti de la
tension d'alimentation (moins la tension d'metteur). Le seul moyen de l'augmenter est
d'accrotre la tension d'alimentation ; on pourra alors augmenter le terme R cICo qui est la chute
de tension dans la rsistance de collecteur.
A tire indicatif, pour un montage polaris sous 12V avec une tension VEo de 2V et VCEo de 5V,
on aura Rc ICo gal 5V, et un gain en tension Av gal 190.

Schma quivalent de l'tage amplificateur.

Le schma quivalent du montage amplificateur metteur commun peut tre reprsent sous
la forme donne figure 16 (voir chapitre I).
En entre, on y trouve l'impdance Ze (on nglige la raction de la sortie sur l'entre, donc, il
n'y a pas d'autres composants)
En sortie, on a un gnrateur de tension command (la tension de sortie est gale la tension
d'entre multiplie par le gain Av de l'tage vide) avec sa rsistance interne qui sera la
rsistance de sortie de l'tage.

54

On notera que la reprsentation de la sortie est celle du gnrateur de Thvenin quivalent

Fig. 16. Schma quivalent de l'tage amplificateur.

On pourra voir ici une contradiction avec notre montage metteur commun qui est dot en
sortie d'un gnrateur de courant. Cette objection est balaye par les deux points suivants :
on veut calculer le gain en tension de l'tage ! On considre donc notre montage comme un
gnrateur de tension avec sa rsistance interne, si grande soit-elle.
la transformation Norton / Thvenin nous permet de passer d'une reprsentation l'autre
simplement.
Ce schma va nous permettre de dfinir les impdances d'entre et de sortie de notre tage.

Impdance d'entre.

Par dfinition, et en se rfrant au schma Fig. 16., l'impdance d'entre est gale :

Ici, le schma est simple, le gnrateur d'entre dbite sur deux rsistances en parallle. On a
donc :

On voit qu'on n'a pas intrt prendre un pont de base avec des valeurs trop faibles. Il faudra
donc faire un compromis avec la condition de polarisation (Ip >> IBo). En gnral, h11e sera
petit (1k
pour IBo = 26A), donc cette impdance sera bien infrieure Rp, et trs
souvent, elle sera insuffisante pour qu'on puisse interfacer des sources de tension (capteurs
notamment) directement sur un tage metteur commun.

Impdance de sortie.

Fig. 17. Transformation Norton / Thvenin.

55

Si on transforme la sortie du montage Fig. 15. en celle du schma Fig. 16. (transformation
Norton / Thvenin), on obtient le schma de la figure 17.
la rsistance Rc qui tait en parallle sur le gnrateur de courant h21e ib devient la rsistance en
srie avec le gnrateur de tension. L'impdance de sortie est donc ici trs simple identifier :

Cette valeur est assez leve, et souvent, on ne pourra pas connecter le montage tel quel sur
une charge.

Gain de l'tage en charge.

Il y a deux manires de voir la chose :

On reprend le schma quivalent de la Fig. 15. et on rajoute Rch en parallle avec Rc. La
formule du gain devient alors :

On connat l'impdance de sortie et la charge. D'aprs le schma Fig. 16, ces deux rsistances
forment un pont diviseur qui attnue la tension de sortie vide. Le gain devient :

On vrifiera que si on dveloppe R c // Rch dans la formule [31], on tombe bien sur la formule
[32].

Bilan. Utilisation du montage.

Au final, le montage metteur commun est un montage ayant :

une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).
une impdance d'entre relativement faible (gale h11e, soit de l'ordre de plusieurs k),
variable en fonction de la polarisation (plus I Co est faible, plus l'impdance d'entre est
leve).
une impdance de sortie assez leve Rc qui va aussi dpendre du courant de polarisation ICo.

56

Ce montage est l'amplificateur de base transistor et sera donc utilis comme sous-fonction
dans des circuits plus complexes (discrets, ou intgrs comme dans l'amplificateur
oprationnel). Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des
tages adaptateurs d'impdance.
C.

MONTAGE COLLECTEUR COMMUN.

Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie l'metteur. C'est le collecteur qui est le point
commun entre l'entre et la sortie. On notera que c'est faux pour la polarisation, car le
collecteur est reli au +E et l'entre se fait entre base et masse, et la sortie entre metteur et
masse. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le gnrateur de polarisation
+E est un court circuit pour ce rgime, et donc, le collecteur va se retrouver la masse
alternative : ce sera donc bien la patte commune entre sortie.

1.

Polarisation. Point de fonctionnement.

Comme pour le montage metteur commun, il y a moyen de polariser le transistor avec une
seule rsistance de base, ce qui entrane exactement les mmes inconvnients. Nous passerons
donc directement la polarisation par pont de base, qui est la plus utilise. Le schma complet
est donn sur la figure 18.
Par rapport au montage metteur commun, on remarque que la rsistance de collecteur a
disparu. Le condensateur de dcouplage de RE aussi, ce qui est normal, car ici, la sortie est
l'metteur : il n'est donc pas question de mettre la sortie la masse en alternatif !

Fig. 18. Montage collecteur commun.

Pour la polarisation, on se reportera au paragraphe quivalent du montage metteur commun,
et on prendra en compte les diffrences suivantes :
En gnral, on fixera le potentiel de repos de l'metteur E/2 pour avoir la mme dynamique
pour les alternances positives et ngatives.
On n'a pas se proccuper du potentiel de collecteur ni de sa polarisation car cette broche est
+E.
2.

Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

57

Nous avons ici fait les mmes simplifications de schma que pour le montage metteur
commun. On voit bien sur le schma rsultant que le collecteur est le point commun entre /
sortie.

Fig. 19. Schma quivalent collecteur commun.

On pourra remarquer que (en le rarrangeant) le schma quivalent interne du transistor est le
mme que pour le montage metteur commun.
Par rapport ce dernier montage, on a rajout la rsistance interne du gnrateur d'attaque. En
effet, on voit qu'ici, l'entre et la sortie ne sont pas spars, et donc, la charge va avoir un
impact sur l'impdance d'entre et l'impdance interne du gnrateur d'attaque influera sur
l'impdance de sortie. Il ne faut pas oublier que cette dernire est l'impdance vue de la
charge, donc englobe l'tage transistor et le dispositif d'attaque.
Le paramtre h21e a t remplac par , les gains statique et dynamique tant sensiblement les
mmes.

Fonctionnement intuitif .

Considrons le schma de la Fig. 18. Si on augmente la tension de base, la tension V BE va

augmenter, ainsi que le courant IB, donc IC, ce qui va crer une chute de tension plus grande
dans RE. Le potentiel de l'metteur va alors remonter, contrariant l'augmentation de V BE, donc
du courant IC. Le potentiel de l'metteur va ainsi suivre sagement (aux variations
prs, qui sont trs faibles) le potentiel qu'on impose la base.

VBE

Si on regarde bien le montage, on voit en fait que la tension de sortie est toujours infrieure
la tension d'entre de la valeur VBE. Quand on va appliquer un signal alternatif sur la base, on
va le retrouver sur la rsistance d'metteur diminu de la variation de
trs faible.

VBE qui va tre

On voit donc qu'intuitivement, ce montage aura un gain positif mais infrieur 1.

Ce n'est pas un montage amplificateur. On va voir que ses caractristiques d'impdance
d'entre et de sortie le destinent l'adaptation d'impdance.

Gain en tension.

58

Si on applique la loi des nuds au niveau de l'metteur (Fig. 19.), on voit que le courant
circulant dans RE est gal (+1) ib et va de l'metteur vers le collecteur. On peut alors poser
les quations suivantes :

On remarquera au passage en analysant l'quation [33] que vu de la base, tout se passe comme
si la rsistance RE tait multiplie par le gain en courant.
On dduit le gain vide des quations [33] et [34] :

Ce gain est lgrement infrieur 1, et c'est normal, car la tension de sortie est gale la
tension d'entre multiplie par le pont diviseur form par h 11e et (+1)RE. En gnral, RE est du
mme ordre de grandeur que h11e, ce qui fait que le terme (+1) RE est beaucoup plus grand
que h11e. A quelques centimes prs, le gain sera quasiment gal l'unit . Pour cette raison,
et aussi pour ce qui a t dit dans la rubrique fonctionnement intuitif , on appelle ce montage
metteur suiveur , car le potentiel d'metteur suit celui impos la base (aux variations VBE
prs, qui sont trs faibles).
Quand l'tage est charg sur Rch, il convient de remplacer RE par RE // Rch dans l'quation [35],
ce qui change trs peu le rsultat, mme si R ch est gale ou mme un peu infrieure R E (dans
les mmes conditions, le gain de l'tage metteur commun aurait chut d'un facteur suprieur
ou gal 2 !).
Ceci augure d'une bonne impdance de sortie : il ne faut pas oublier que ce paramtre mesure
l'aptitude d'un montage tenir la charge.

Impdance d'entre.

Le courant ie est gal ib augment du courant circulant dans Rp.

L'impdance d'entre va donc tre gale Rp//(ve/ib). On peut tirer cette dernire valeur de
l'quation [33] :

On en dduit la valeur de l'impdance d'entre :

On remarque que le premier terme est une valeur trs leve (de l'ordre de
RE, h11e tant
ngligeable), et que malheureusement, la valeur du pont de base vient diminuer cette
impdance d'un facteur 10 environ. C'est donc la valeur de R p qui va dterminer l'impdance
59

d'entre. Cette impdance est quand mme au moins 10 fois suprieure celle de l'metteur
commun.
On voit toutefois que l encore, la polarisation ne fait pas bon mnage avec le rgime
alternatif : tout sera une affaire de compromis, comme bien souvent en lectronique. Il n'y
aura jamais la bonne solution, mais une solution intermdiaire qui sera la mieux adapte au
fonctionnement dsir.
Il faut aussi remarquer que vu de la base, les impdances situes dans le circuit d'metteur
sont multiplies par le gain du transistor. C'est une remarque trs importante qui est toujours
vraie.
L'impdance d'entre a t ici calcule pour un montage fonctionnant vide. Si on le charge
par Rch, cette rsistance vient se mettre en parallle sur RE dans la formule [37]. Dans le cas
gnral, l'impdance d'entre dpend donc de la charge. Cette dpendance sera faible tant
qu'on aura une polarisation par pont de base, car on a vu que Rp est le terme prpondrant. Il
existe nanmoins des astuces pour liminer l'effet du pont de base (montage bootstrap ou
couplage direct de deux tages transistor), et dans ce cas, il faudra tenir compte de la charge.
Impdance de sortie.

Le calcul va tre plus compliqu que pour l'metteur commun. On remarquera qu'ici la sortie
n'est pas spare de l'entre, ce qui fait que tout le circuit d'entre va influer sur l'impdance
de sortie, y compris la rsistance interne du gnrateur d'attaque R g. Comme dans le cas
gnral cette impdance n'est pas nulle, nous l'avons faite figurer sur le schma Fig. 19.
L aussi, il faut calculer les caractristiques du gnrateur de Thvenin quivalent.
On peut crire les quations suivantes :

Si on considre le gnrateur de Thvenin quivalent au gnrateur d'entre plus R p, on peut

crire :

Si on pose :

en injectant [40] et [41] dans [39], on obtient :

60

En remplaant ib par cette valeur dans [38], on a :

Aprs un dveloppement laborieux, on peut mettre Vs sous la forme A e g + Zsis : ce sont les
caractristiques du gnrateur de Thvenin de sortie de l'tage. Le terme Zs est le suivant :

RE , Rg et h11e tant du mme ordre de grandeur, le terme divis par (

+1) va tre le plus
petit, et RE va avoir un effet ngligeable. On pourra aussi souvent ngliger R p par rapport Rg.
Zs devient :

Cette impdance de sortie est relativement faible : le montage pourra tenir des charges plus
faibles que le montage metteur commun.
On peut faire une remarque similaire a celle qui a t dite dans le paragraphe sur l'impdance
d'entre : vu de la sortie, l'impdance du montage est gale tout ce qui est en amont de
l'metteur divis par le gain en courant.

Bilan. Utilisation du montage.

Un montage collecteur commun prsente donc les caractristiques suivantes :

gain en tension quasiment gal l'unit .
impdance d'entre leve : environ fois plus grande que celle de l'metteur commun si
on ne considre pas le pont de base (on verra qu'on peut l'viter). La valeur typique est de
plusieurs dizaines plusieurs centaines de k en fonction du montage.
impdance de sortie faible (divise par environ par rapport l'metteur commun). Sa
valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' .
Ce montage ne sera donc pas utilis pour amplifier un signal, mais comme adaptateur
d'impdance, situ en amont ou en aval d'un montage metteur commun, qui, nous l'avons vu,
n'a pas de bonnes caractristiques d'entre / sortie.
On pourra donc intercaler un tel montage entre un capteur haute impdance de sortie et un
montage metteur commun sans que celui-ci ne perturbe le capteur.
On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage metteur commun que l'on doit interfacer
avec une faible charge, et ceci, sans crouler le gain en tension de l'tage.
D.
1.

MONTAGE BASE COMMUNE.

Polarisation. Point de fonctionnement.

61

Fig. 20. Montage base commune.

Le montage commence nous tre familier : en effet, mis part l'emplacement du gnrateur
d'attaque et le condensateur de dcouplage qui est ici situ sur la base, le montage est le mme
que celui de l'metteur commun.
La procdure de calculs des lments de polarisation est donc identique, car seuls les lments
lis au rgime alternatif changent.
La raison en est simple : l'amplification est base sur une augmentation de I C due une
augmentation de VBE. Pour augmenter VBE, on a le choix entre deux solutions :
soit on augmente la tension de base potentiel d'metteur constant : c'est le montage metteur
commun.
soit on abaisse la tension d'metteur potentiel de base constant : c'est le montage base
commune.
2.

Fonctionnement en petits signaux alternatifs.

On va donc tudier ici le montage base commune. On voit tout de suite le dfaut que va
prsenter ce montage : vu qu'on attaque ct metteur, il faudra faire varier un courant
important, donc, l'impdance d'entre sera srement beaucoup plus faible que pour l'metteur
commun, qui n'tait dj pas brillant sur ce point. En fait, ce montage sera peu utilis, sauf
dans des applications hautes frquences o il trouvera son seul avantage.
Le schma quivalent est le suivant :

Fig. 21. Schma quivalent base commune.

62

Le pont Rb1 / Rb2 disparait car il est shunt en alternatif par le condensateur de dcouplage
CDB. La base est bien le potentiel commun entre / sortie, et le schma du transistor est le
mme que pour l'metteur commun.

Fonctionnement intuitif .

Le fonctionnement intuitif a dj t bauch dans le paragraphe relatif la polarisation : il

est rigoureusement le mme que pour l'metteur commun sauf qu'on attaque l'metteur pour
imposer les variation VBE, avec un potentiel de base fixe.
On aura juste une diffrence de signe provenant du fait que quand on augmente la tension de
base potentiel d'metteur constant, la tension VBE augmente, et quand on augmente la
tension d'metteur potentiel de base constant, elle diminue : une tension d'entre positive
dans les deux cas aura donc des effets contraires.

Gain en tension.

Du schma Fig. 21., on tire les quations suivantes :

D'o l'expression du gain en tension vide :

Ce gain (au signe prs) est le mme que pour l'metteur commun, ce qui est normal, vu que le
fonctionnement est identique.
On peut bien entendu faire les mmes remarques que pour l'metteur commun et mettre le
gain sous la forme donne dans l'quation [27], au signe prs.
Pour le gain en charge, rien de diffrent non plus, Rch vient se mettre ne parallle sur Rc dans
la formule du gain vide.

Impdance d'entre.

Du circuit d'entre, on tire l'quation suivante :

Si on tire ib de l'quation [47] et qu'on le remplace par sa valeur dans [49], on obtient :

On en tire l'impdance d'entre :

63

RE tant du mme ordre de grandeur que h 11e, le terme prpondrant est h11e / (+1). Cette
impdance d'entre est trs faible, environ fois plus faible que celle de l'metteur commun :
ce montage, sauf cas trs spcial, est inexploitable tel quel, il faudra un tage adaptateur
d'impdance en entre pour l'utiliser.
On peut remarquer que cette impdance d'entre est quasiment la mme que l'impdance de
sortie du montage collecteur commun : si on se rappelle de ce qui a t dit ce propos,
l'impdance vue de l'metteur est gale tout ce qui est en amont divis par le gain en
courant : c'est exactement le cas ici, et on aurait donc pu prvoir facilement la valeur de
l'impdance d'entre sans calculs.
Impdance de sortie.

Pour viter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la rsistance du gnrateur
d'attaque Rg.
Du circuit de sortie, on peut tirer l'quation suivante :

L'quation [47] nous donne ib en fonction de Ve ; en le remplaant par sa valeur dans [52], on
obtient :

C'est l'quation du gnrateur de Thvenin de sortie : on en dduit que Zs = Rc.

Si on fait le calcul en tenant compte du gnrateur d'entre, on dmontre que le rsultat reste
le mme, seul le terme multiplicatif de e g va changer dans l'expression de la tension de sortie
du gnrateur de Thvenin, et le terme multiplicatif de is reste Rc.
On a donc :

On aurait pu prvoir ce rsultat, car l'entre est spare de la sortie par un gnrateur de
courant qui prsente une impdance infinie (en pratique gale 1/h 22e, qui est trs grand) : du
point de vue des impdances, on se retrouve avec l'entre spare de la sortie.

Bilan. Utilisation du montage.

Les caractristiques sont donc les suivantes :

mme gain en tension que pour l'metteur commun (plusieurs centaines).

64

impdance d'entre trs faible : quelques dizaines d'.

impdance de sortie moyenne : quelques k, la mme que pour l'metteur commun.
En pratique, ce montage sera trs peu utilis, sauf en haute frquence o il va prsenter une
bande passante suprieure celle du montage metteur commun.
E.

REMARQUES FONDAMENTALES.
Il faudra garder l'esprit ces deux remarques fondamentales , qui permettront d'valuer
grossirement mais sans calculs les impdances des montages transistors :
tout ce qui est vu de la base et situ en aval de l'metteur est multipli par le gain en
courant .
tout ce qui est vu de l'metteur et situ en amont de celui-ci est divis par le gain en
courant .
Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut valuer trs rapidement les
potentialits d'un montage sans faire de calculs sur le schma alternatif petits signaux, qui, on
l'a vu, sont particulirement pnibles, et ne donnent pas beaucoup plus de prcision que ce
que l'on peut dterminer trs simplement.
Cette faon d'apprhender les choses permet l'lectronicien de btir un schma rapidement
sans se noyer dans les calculs, et aussi, permettent de mieux comprendre le fonctionnement
d'un tage transistor, autrement que par le biais d'quations.

F.

FONCTIONNEMENT EN HAUTE FRQUENCE

Tout ce qui a t dit jusqu' prsent ne concerne que le fonctionnement faible frquence
(infrieure quelques centaines de kHz). Pour des frquences plus leves, on utilise un
schma quivalent du transistor diffrent, rendant mieux compte de ce qui se passe
physiquement.
Ce modle introduit des capacits parasites, et donc, les paramtres du transistor deviennent
complexes (au sens mathmatique du terme !).
Dans ce cours, on se contentera de prsenter le schma quivalent en HF, et on exposera le
thorme de Miller, qui est trs important pour la comprhension des limitations du transistor
en haute frquence.

1.

Schma quivalent de Giacoletto.

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Fig. 22. Schma de Giacoletto.

Le schma ci-dessus prsente en plus des lments du montage basse frquence :
une base B' virtuelle et interne au transistor. L'quivalent de h11e est rBB' + rB'C. rBB' sera faible
(moins de 100

en gnral), infrieure rB'E.

Une capacit base-metteur CB'E qui viendra shunter rB'E en haute frquence. Pour des petits
transistors standards (2N2222 par exemple), elle est de l'ordre de 30pF.
Une rsistance rB'C (trs grande, qui sera souvent nglige) en parallle avec C B'C qu'on appelle
capacit Miller, situes entre l'entre et la sortie (pour un montage metteur commun) du
montage. L'ordre de grandeur pour CB'C est de 10pF (2N2222). Elle est prpondrante dans la
limitation en frquence du fonctionnement du transistor.
la rsistance rCE tient la place de 1/h22e.
le gain en courant est remplac par la pente g m du transistor : elle est quivalente au terme
38,5 ICo qu'on a dfini dans le calcul du gain de l'metteur commun.
Ce schma est plus dlicat manipuler que celui utilis jusqu' prsent dans ce cours, donc,
on ne l'utilisera que quand ce sera ncessaire, soit pour des frquences suprieures 100 kHz.
Il permet de dmontrer notamment la supriorit du montage base commune par rapport
l'metteur commun en haute frquence, ce qui tait infaisable avec le schma simplifi.
2.

Thorme de Miller.
Dfinition.

Si on place une impdance entre l'entre et la sortie d'un amplificateur de gain ngatif -Av
(inverseur, comme l'metteur commun), alors, vue de l'entre, cette impdance est multiplie
par -(Av + 1).

Fig. 23. Effet Miller.

Application au schma de Giacoletto.

On voit l'application immdiate au schma de Giacoletto : la capacit CB'C situe entre la base
et le collecteur du transistor, donc entre l'entre et la sortie d'un montage metteur commun
sera multiplie par le gain de l'tage : vue de l'entre, elle vaudra plus d' 1nF !

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Elle devient alors prpondrante devant CB'E et c'est elle qui va limiter le fonctionnement en
HF.

Autres applications.

Une autre application importante consiste utiliser cette proprit dans la conception de
circuits intgrs. On fabrique des capacits avec deux surfaces mtallises en regard et
spares par de l'isolant. La capacit est proportionnelle la surface, et en pratique, elle sera
trs petite (impratifs de cots du silicium, donc des composants).
On peut multiplier une capacit par effet Miller sur ces circuits, et gagner au choix de la
surface de silicium ou augmenter la valeur de la capacit.

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