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Compte Rendu

TP1
CARACTERISTIQUES ET GENERALITES SUR LES TRANSISTORS
BIPOLAIRES
Introduction .

Objectifs du Tp .

Généralités .

Lecture de datasheet .

Etude du transistor en régime


statique .
▪ Les transistors bipolaires sont des composants électroniques qui permettent de contrôler le
courant électrique. Ils ont été inventés dans les années 1940 et sont encore largement utilisés
dans les circuits électroniques aujourd'hui. Leur nom vient du fait qu'ils ont deux types de
porteurs de charge - des électrons et des trous - qui peuvent traverser la jonction entre deux
types de semi-conducteurs différents. Les transistors bipolaires ont trois broches principales: la
base, l'émetteur et le collecteur. Le courant circule entre l'émetteur et le collecteur, mais il est
contrôlé par un petit courant de base. En appliquant une tension à la base, on peut réguler le
courant qui traverse le transistor, ce qui en fait un élément clé dans de nombreux circuits
électroniques tels que les amplificateurs, les oscillateurs, les commutateurs et les régulateurs
de tension.
▪ Donner quelques boitiers (package) des transistors:
Il existe plusieurs types de boitiers (package) pour les transistors bipolaires, chacun avec des
avantages et des inconvénients pour les applications spécifiques. Voici quelques exemples de
boitiers couramment utilisés pour les transistors bipolaires:
1. Boitier TO-92 : il s'agit d'un petit boitier en plastique avec trois broches. Il est souvent utilisé pour les
transistors de petite puissance tels que les transistors NPN 2N3904 et PNP 2N3906.

2. Boitier TO-126 : il s'agit d'un boitier plus grand en plastique ou en métal avec trois broches. Il est
souvent utilisé pour les transistors de puissance moyenne tels que les transistors NPN TIP120 et PNP
TIP125.

3. Boitier TO-220 : il s'agit d'un boitier plus grand en métal avec trois broches. Il est souvent utilisé pour
les transistors de puissance élevée tels que les transistors NPN TIP3055 et PNP TIP2955.
▪ Donnez les 2 types de transistors bipolaires et dessiner leurs symboles:
Les deux types de transistors bipolaires sont le transistor NPN (Négative-Positive-Négative) et le transistor
PNP (Positive-Négative-Positive).

Le transistor NPN est composé de trois régions de semi-conducteurs : une région N (négative), une région P (positive) et
une autre région N. Lorsque le courant est appliqué à la région du milieu (la région P), des électrons sont injectés dans cette
région et traversent la jonction P-N qui sépare la région du milieu des deux régions N. Ce flux d'électrons est amplifié à
travers la région N située de l'autre côté de la jonction P-N. Ainsi, le transistor NPN est un dispositif d'amplification de
courant.

Le transistor PNP, quant à lui, est également composé de trois régions de semi-conducteurs, mais cette fois-ci la région
du milieu est de type P et les deux régions extérieures sont de type N. Lorsque le courant est appliqué à la région du milieu,
des trous (absences d'électrons) sont injectés dans cette région et traversent la jonction P-N. Ce flux de trous est amplifié à
travers les régions N situées de part et d'autre de la jonction P-N. Le transistor PNP est donc également un dispositif
d'amplification de courant, mais son fonctionnement est inverse de celui du transistor NPN.
▪ Quels sont les critères de classement des transistors bipolaires ?
Les catalogues de transistor comportent un nombre élevé de modèles. On peut classer les transistors
bipolaires selon différents critères :
✓ le type : NPN ou PNP. Ce sont deux types complémentaires, c'est-à-dire que le sens des courants et tensions pour le PNP
est le complément de ceux du NPN. Les transistors NPN ayant en général des caractéristiques meilleures que les PNP (en
termes de bande passante), ils sont les plus utilisés. La suite de l'article discutera donc uniquement les circuits utilisant des
transistors NPN .
✓ la puissance : les transistors pour l'amplification de petits signaux ne dissipent que quelques dizaines ou centaines de
milliwatts. Les transistors moyenne puissance supportent quelques watts ; les transistors de puissance, utilisés par
exemple dans les amplificateurs audio de puissance ou dans les alimentations stabilisées peuvent supporter, à condition
d'être placés sur refroidisseur adéquat , plus de 100 W .
✓ la gamme de fréquence : transistors pour fréquences basses (fonctionnent correctement jusqu'à quelques MHz),
moyennes (jusqu'à quelques dizaines de MHz), hautes (jusqu'à quelques GHz), encore plus hautes (fréquences maximales
d'oscillation de plusieurs centaines de GHz).
▪ Quels sont les modes de fonctionnement d’un transistor bipolaire ?
o Le transistor est en fonctionnement normal direct (fonctionnement linéaire) lorsque la jonction de
commande BE est en polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse .

o Le transistor est saturé (fonctionnement non linéaire) lorsque ses deux jonctions sont en polarisation
directe.
o Le transistor est bloqué lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse
o Le transistor est en fonctionnement normal inverse lorsque la jonction de commande BE est en
polarisation inverse et que la jonction BC est en polarisation directe .
▪ A l’aide d’un ohmmètre expliquez comment vous pouvez vérifier le type du transistor
(NPN ou PNP):
Pour déterminer le type d'un transistor bipolaire (NPN ou PNP) à l'aide d'un ohmmètre, vous pouvez
procéder comme suit :
1) Réglez l'ohmmètre sur la plage de mesure de résistance.
2) Connectez la sonde positive de l'ohmmètre à la base du transistor et la sonde négative à l'émetteur.
3) Si le transistor est un NPN, la résistance mesurée devrait être faible ou nulle (0 ohm ou quelques ohms),
car la jonction base-émetteur est directement polarisée. Si le transistor est un PNP, la résistance mesurée
devrait être élevée ou infinie (OL), car la jonction base-émetteur est inversement polarisée.
4) Inversez les connexions des sondes (connectez la sonde positive à l'émetteur et la sonde négative à la
base) et répétez l'étape 3. Si le transistor est un NPN, la résistance mesurée devrait être élevée ou infinie
(OL), car la jonction base-collecteur est inversement polarisée. Si le transistor est un PNP, la résistance
mesurée devrait être faible ou nulle (0 ohm ou quelques ohms), car la jonction base-collecteur est
directement polarisée.
Lecture de datasheet :
▪ Relever dans la documentation fournie, les principales caractéristiques du
transistor utilisé, le 2N2222 :
1) Le type de transistor : transistor bipolaire NPN .
2) Ic max le courant collecteur maximum : Ic max = 800mA
3) Vce max la tension collecteur émetteur max que peut supporter le transistor :
4) Vce max = 30V
5) P max , la puissance maximale : P max = 500mw
6) Le gain en courant (sous quelles conditions) : hFE = 75 , Ic = 10mA , Vce = 10 V

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