Introduction aux transistors

La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en
recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des
matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des
machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception
des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et
électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans
les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces
actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors
(Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur
K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2).
Devant la concurrence des structures MOS (Metal Oxide Semiconductor) (très forte densité
d’intégration, faible consommation), la fin du transistor bipolaire était annoncée. Cependant la
technologie des transistors bipolaires a bénéficié des mêmes avancées techniques, lui permettant de se
maintenir dans les applications analogiques rapides et faible bruit et dans les applications mixtes
logique-analogique en association avec des transistors MOS dans les circuits BiCMOS. Dans les
applications pour les télécommunications, la tendance actuelle est aux systèmes portables impliquant
une faible tension d’alimentation (1,5 à 1 V) et une très faible consommation tout en maintenant de
très hautes performances en fréquence et de faibles niveaux de bruit.
Il est intéressant de faire une rapide comparaison du transistor bipolaire à jonctions (BJT, Bipolar
Junction Transistor) et du transistor à effet de champ à grille isolée (MOSFET, Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor, par abréviation MOS). La figure A présente un schéma
simplifié des deux structures avec les notations usuelles pour les dimensions de grille et d’émetteur. La
partie active du MOS se trouve en surface du semi-conducteur, celle du bipolaire en volume et le
courant vertical est récupéré par le collecteur et ramené en surface.
Donc, par nature, le transistor MOS est sensible aux contaminations de surface (propreté des oxydes et
des couches, des procédés) et à l’état de surface (rugosité). Alors que le transistor bipolaire est plus
sensible à la qualité cristalline du matériau de volume (phénomènes de recombinaison électron-trou) et
donc aux défauts et impuretés (métaux en règle générale) pouvant diffuser rapidement dans le volume
du semi-conducteur. Mais notons que du fait de la réduction importante des dimensions dans les trois
directions (dans le plan mais aussi en profondeur), la qualité de la surface joue un rôle grandissant
dans les performances du transistor bipolaire. La profondeur de jonction émetteur base est inférieure à
0,1 µm dans les technologies actuelles.
Le transistor MOS est symétrique (source et drain ont une géométrie et un dopage identiques et sont
interchangeables), le bipolaire ne l’est pas (surfaces et dopages émetteur et collecteur différents). Le
courant drain du MOS est proportionnel à Z/L et augmente quand L, longueur du canal, diminue. Le
courant émetteur du bipolaire est proportionnel à la surface de l’émetteur WE LE et diminue quand
WE, largeur d’émetteur, diminue.
Dans cet article nous aborderons l’intégration du transistor bipolaire. Après un rapide survol des effets
secondaires qui se superposent à l’effet transistor idéal et qui ont une influence non négligeable dans la
conception et la réalisation du circuit intégré bipolaire, la deuxième partie sera consacrée aux
différentes architectures et à leur fabrication. Dans une troisième partie nous aborderons de manière
très succincte les performances comparées de différentes architectures bipolaires, ainsi que les
applications dans les circuits numériques et analo-giques.
Les circuits intégrés actuels, faisant appel à des dimensions inférieures au micromètre, imposent des
contraintes d’architecture et de fabrication très sévères pour éviter que les éléments parasites associés
(résistances, condensateurs, inductances, transistors MOS et bipolaire) viennent perturber le
fonctionnement de l’élément actif par un indésirable couplage résistif, capacitif, inductif ou effet
transistor avec les éléments voisins (par l’isolement et/ou par le substrat). De plus, le rendement
technologique tend à chuter proportionnellement à la diminution des dimensions (poussières, défauts,
contrôle des procédés plus difficile).
UNE INVENTION DE PREMIER PLAN
Pour réaliser des enseignes et afficheurs à LED, il est très souvent nécessaire d’utiliser
l’élément le plus emblématique de l’électronique : le transistor.
La mise au point de ce dispositif à semi-conducteur a marqué une étape importante dans
l’évolution de l’électronique et de l’humanité en général. Son invention date de 1948 et
ses inventeurs, William Schockley, John Bardeen et Walter Houster Brattain ont reçu le
prix Nobel de physique pour leurs travaux en 1956.
Le transistor est utilisé en électronique comme amplificateur ou comme interrupteur. Les
premiers transistors étaient fabriqués avec du germanium, mais par la suite, c’est le silicium
qui a été principalement utilisé. D’autres matériaux semi-conducteurs sont utilisé
pour certaines applications, tel l’arséniure de gallium (GaAs).

Définition
Le transistor se présente sous la forme d’un composant à trois broches, désignées par
base, collecteur et émetteur. Transistor est un mot-valise formé par la fusion des mots
de la locution anglaise transfert resistor ou transrésistance en français. Il est appelé ainsi,
car il transfère un courant à travers une résistance.

Le transistor vu comme un tripôle

STRUCTURE D’UN TRANSISTOR

Pour mieux comprendre le fonctionnement du transistor, regardons sa structure interne.
Un transistor est construit à partir d’un morceau de silicium de type N (dopé négativement)
dans lequel sont diffusées des impuretés de type P. Il s’agit là d’un transistor de
type NPN. La figure suivante montre le principe de la constitution d’un transistor NPN,
ainsi que le symbole utilisé.

Transistor NPN, principe et symbole

Pour obtenir un transistor de type PNP, ce sont des impuretés de type N qui sont diffusées
dans une lame de silicium de type P.
 Transistor PNP, principe et symbole
Dans un transistor, la valeur de la résistance Rce entre le collecteur et l’émetteur varie en fonction du
courant Ib qui circule entre la base et l’émetteur. Une augmentation du courant de base provoque
une diminution de la résistance Rce, ce qui permet une augmentation du courant Ic qui entre dans le
collecteur. C’est ce qu’on appelle l’effet transistor. Cette similitude avec un système hydraulique aide à
comprendre le principe :

Analogie hydraulique
Analogie hydraulique On sait que U = R × I (Loi d’Ohm). Une variation du petit courant Ib provoque
une variation du grand courant Ic.
Dans certaines conditions, cette variation est linéaire : Ic = β × Ib Ce coefficient β (bêta) est appelé
facteur d’amplification du transistor. Sa valeur est largement supérieure à 1, souvent quelques
centaines. C’est une grandeur sans dimension, c’est-à-dire d’unité un. Il faut noter que le courant de
base doit toujours rester petit pour éviter la destruction du transistor. Une résistance sur la base est
généralement utilisée pour limiter ce courant.

Les différents types de transistors

Il existe plusieurs types de transistors tels que les transistors bipolaires, les transistors à effet de champ
(FET) et les transistors à jonction isolée (IGBT) – chacun ayant des caractéristiques et des applications
uniques.
Les transistors sont classés en fonction de leurs matériaux de construction, de la polarité de leur
tension de seuil et de leur comportement en amplification, entre autres facteurs.
Les transistors NPN et PNP
Les transistors NPN et PNP sont des types de transistors bipolaires. Les transistors bipolaires sont des
transistors qui utilisent deux types de porteurs de charge (des électrons et des trous) pour amplifier le
courant électrique. Les transistors NPN et PNP fonctionnent tous les deux en contrôlant le courant
électrique à travers une jonction de base, mais les polarités des porteurs de charge sont inversées entre
les deux types de transistors.
Les transistors NPN ont une jonction de base négative et deux jonctions de collecteur et d'émetteur
positives. Les transistors PNP ont une jonction de base positive et deux jonctions de collecteur et
d'émetteur négatives. Les transistors NPN sont couramment utilisés dans les circuits électroniques, car
leur conception facilite l'obtention d'une amplification de courant élevée. Les transistors PNP sont
moins couramment utilisés, mais peuvent être utiles pour amplifier des signaux négatifs ou pour créer
des circuits logiques complémentaires.
Fonctionnement des Transistors
Les transistors fonctionnent en contrôlant le courant électrique ou la
tension dans un circuit. Ils peuvent agir comme des interrupteurs, des
amplificateurs ou des stabilisateurs de courant, jouant un rôle vital dans
de nombreux appareils électroniques.
Leur fonctionnement repose sur la manipulation des électrons dans les
semi-conducteurs, offrant une grande flexibilité dans la modulation des
signaux électriques.
FONCTIONNEMENT DES DIFFERENTS TYPES
TRANSISTORS (NPN, PNP)

1. NPN
Un transistor NPN est commandé (ou activé) par un courant positif polarisé à la base pour
contrôler le flux de courant du collecteur à l'émetteur.
2. PNP
Les transistors de type PNP sont commandés par un courant négatif polarisé à la base pour
contrôler le flux de l'émetteur au collecteur.

LES JONCTIONS ET MODES DE FONCTIONNEMENT

On appelle jonction le contact entre une zone de silicium dopé N et une zone de silicium
dopé P. Deux jonctions sont créées dans un transistor, une jonction base-émetteur Jbe et
une jonction base-collecteur Jbc.
Une jonction est dite polarisée en direct lorsque la tension entre zone P et la zone N est
supérieure à 0.7 V (tension de seuil). Dans le cas contraire, on dit qu’elle est polarisée en
inverse.
Le transistor a trois modes de fonctionnement intéressants :
– le mode bloqué
– le mode amplificateur
– le mode saturé
Dans toutes les applications liées aux enseignes et afficheurs à LED, nous allons utiliser
les transistors en mode de commutation, c’est-à-dire soit bloqué, soit saturé. Le transistor
fonctionne alors comme un interrupteur, pour allumer ou éteindre des LED.
Le transistor est en mode bloqué lorsque la jonction base-émetteur n’est pas polarisée en
direct. C’est le cas où la tension base-émetteur est inférieure à la tension de seuil. Aucun
courant ne circule alors entre le collecteur et l’émetteur : Ic = 0.

Lorsque la tension base-émetteur dépasse la tension de seuil, le transistor va conduire.

Étant donné que le facteur d’amplification β du transistor est généralement important, le
courant du collecteur va rapidement n’être limité que par la charge se trouvant dans le
circuit du collecteur. On dit alors que le transistor est saturé.
Voici un montage fréquemment utilisé pour les enseignes à LED. Un transistor est utilisé
en commutation pour allumer ou éteindre une LED. La résistance connectée à la base limite
le courant de base. Elle est calculée de telle manière que le courant produit par un état
logique 1 soit suffisant pour saturer le transistor.

Commande d’une LED par un transistor

Les applications des transistors
Les transistors sont largement utilisés dans les équipements électroniques, tels que les ordinateurs, les
Équipements électroniques Automobiles modernes
Systèmes de communication Appareils médicaux
Circuits intégrés Applications spatiales
téléphones portables, les radios, les téléviseurs et les systèmes de communication sans fil. Leur petite
taille et leur efficacité en font des composants incontournables dans la conception de circuits
électroniques sophistiqués.

Avantages et inconvénients des transistors

Les transistors offrent de nombreux avantages, tels que leur faible consommation d'énergie, leur petite
taille et leur haute fiabilité. Cependant, ils peuvent être sensibles aux surtensions et aux températures
élevées, nécessitant une surveillance constante.
Avantages Inconvénients
Efficacité énergétique Sensibilité aux surtensions
Petite taille Sensibilité aux températures élevées
 Fiabilité élevée Bruit électrique

A. Les caractéristiques des transistors

Les caractéristiques des transistors comprennent le gain en courant, la tension de seuil, la puissance
dissipée, la fréquence maximale de commutation et la température de fonctionnement. Ces paramètres
jouent un rôle crucial dans la performance des circuits électroniques.

1.Gain en courant
Il représente la capacité d’un transistor à amplifier un signal électrique.

2.Tension de seuil
La tension minimale requise pour activer le transistor. Lorsque le transistor est conducteur, la tension
base-émetteur Vbe est comprise entre 0,6 et 1V.

3.Fréquence de commutation
La vitesse à laquelle le transistor peut passer d'un état à un autre.

B. Caractéristique graphique des transistors

La caractéristique graphique d'un transistor est un graphique qui montre comment le courant et la
tension changent en fonction de la configuration du circuit. Pour tracer la caractéristique graphique
d'un transistor, on applique une tension variable à la base du transistor et on mesure la tension et le
courant à travers le transistor. La caractéristique graphique pour un transistor NPN est généralement
tracée avec la tension de base (Vbe) en abscisse et le courant collecteur (Ic) en ordonnée. La
caractéristique graphique pour un transistor PNP est généralement tracée avec la tension de base (Vbe)
en ordonnée et le courant collecteur (Ic) en abscisse. La caractéristique graphique d'un transistor peut
être utilisée pour déterminer les points de polarisation du transistor, qui sont importants pour obtenir
une amplification de courant stable et prévisible. La caractéristique graphique peut également être
utilisée pour déterminer la région de fonctionnement du transistor, qui peut être linéaire ou saturée.

C. CARACTERISTIQUE D’UN TRANSISTOR NPN

Ainsi, pour un transistor NPN, si VBC, la tension entre la base et le collecteur, est inférieur à 0,4 V et
VBE est inférieur à 0,5 V, le transistor est bloqué et les courants sont nuls.
Les tendances actuelles dans le domaine des transistor
Les tendances comprennent le développement de transistors plus efficaces sur le plan énergétique, la
miniaturisation des composants électroniques, l'intégration de technologies de semi-conducteurs
avancées et l'application croissante des transistors dans l'internet des objets (IoT).
1.Miniaturisation
La quête de composants électroniques plus compacts et légers.
2.Efficacité énergétique
La recherche de transistors à faible consommation d'énergie.
3.IoT
L'intégration croissante des transistors dans les dispositifs connectés.
D.CARACTÉRISTIQUES DES TRANSISTORS
Il existe des milliers de modèles de transistors sur le marché ! Ils se présentent dans des boîtiers de
tailles et de formes très différentes, dont voici quelques exemples :

Les différents types de boitiers

Aujourd’hui, les boîtiers sont souvent prévus pour le montage en surface sur les circuits imprimés
(SMD : Surface Mounted Device = Composants Montés en Surface) :

Transistor à monter en surface

Comment choisir un transistor adapté à une application particulière ? Les fabricants de semi-
conducteurs indiquent un grand nombre de paramètres dans les fiches techniques (data sheets en
anglais) décrivant leurs composants. Voici les paramètres généralement les plus importants à prendre
en compte : Le courant maximum dans le
collecteur Icmax La taille du transistor et la
dimension de ses broches déterminent ce courant maximal, pouvant aller de quelques milliampères
jusqu’à plusieurs dizaines d’ampères. La tension maximale entre la base et le
collecteur Vbcmax Au-dessus d’une certaine valeur de la
tension entre la base et le collecteur, la jonction base-collecteur risque de se détériorer. Cette valeur est
souvent supérieure à 10 V et peut aller jusqu’à plusieurs centaines de volts.
La puissance maximale admissible par le transistor
Même lorsqu’il est saturé, la résistance entre le collecteur et l’émetteur n’est pas nulle et le courant qui
traverse le transistor produit donc de la chaleur par effet Joule. Les transistors de puissance ont des
boîtiers conçus spécialement pour dissiper cette chaleur. La puissance dissipée varie de quelques
centaines de milliwatts jusqu’à des centaines de watts.
La fréquence maximale de fonctionnement
Le fabricant indique également la fréquence maximale de fonctionnement du transistor. Elle est
généralement de l’ordre du mégahertz, voire davantage. Les
défis et les opportunités liés aux transistors
Les défis incluent la dissipation thermique, la fiabilité à long terme et la conception de transistors pour
des environnements extrêmes. Cependant, ces défis ouvrent également des opportunités pour
l'innovation, la recherche de nouveaux matériaux et la conception de systèmes électroniques plus
efficaces.
1.Dissipation thermique
La gestion efficace de la chaleur générée par les transistors est essentielle pour maintenir leur
fonctionnement optimal.
2.Fiabilité à long terme
Assurer la durabilité des transistors sur une période prolongée est un défi majeur dans de nombreuses
applications critiques.
3.Innovation et nouveaux matériaux
L'exploration de matériaux avancés ouvre de nouvelles voies pour améliorer les performances des
transistors.
Conclusion sur les transistors
En conclusion, les transistors demeurent des éléments fondamentaux dans de nombreux domaines
technologiques, et leur évolution continue à façonner l'avenir de l'électronique. Comprendre leurs
caractéristiques, leurs applications et leurs défis est essentiel pour les ingénieurs, les chercheurs et les
passionnés de la technologie.