• Qu'est-ce qu'un nanotransistor?

• Un nanotransistor est un transistor dont les dimensions sont mesurées en

nanomètres. Par exemple, un transistor de 300 nanomètres de diamètre
serait un nanotransistor. Les transistors sont utilisés pour commuter et
amplifier des signaux électroniques. Lorsqu'ils sont combinés en millions et
en milliards, ils peuvent être utilisés pour créer des processeurs
d'informations programmables sophistiqués, plus communément appelés
ordinateurs. Les entreprises d’informatique et de communication
investissent chaque année des centaines de millions de dollars dans des
fonds de recherche pour développer des transistors plus petits.
• La miniaturisation du transistor a été la marque de 50 ans de progrès dans
les ordinateurs de petite taille. Selon une tendance connue sous le nom de
loi de Moore, le nombre de transistors que les ingénieurs ont pu installer
sur une puce de taille fixe a régulièrement doublé tous les 18 à 24 mois.
• « toujours plus vite, toujours plus petit »
• Le nanotransistor 3D, avenir de la microélectronique ?
•
Quand ont été inventes les transistors ?
• En 1947, les physiciens américains John Bardeen, Walter Brain et
William Shockley ont inventé le transistor chez Bell Telephone
Laboratories. Ils ont reçu le prix Nobel de physique en l'année 1956.
En 1954, Texas Instruments a produit le transistor au silicium pour la
première fois. L'utilisation du transistor est d'amplifier et commuter
des signaux électroniques.
• En effet, à partir du milieu des années 1950, on commence à utiliser le transistor dans
les ordinateurs, les rendant assez fiables et relativement petits pour leur
commercialisation. À partir de 1957 IBM construisait tous les nouveaux ordinateurs
avec des transistors au lieu des tubes à vide
• Après l'invention du circuit intégré en 1958, groupant en un petit volume plusieurs
transistors et composants, en 1969 est inventé le microprocesseur, permettant à des
milliers de transistors de fonctionner en harmonie sur un support, ce qui est encore
une fois une révolution pour l’informatique moderne9. L'Intel 4004, sorti en mars 1971
et commandité par Busicom, intègre 2 250 transistors et exécute 60 000 opérations par
seconde.
• En janvier 2008, les scientifiques de l’Université de l’Illinois ont réalisé
une nouvelle étape dans le développement des nanotransistors en
construisant une radio à nanotransistor dont les composants actifs
sont exclusivement fabriqués à partir de nanotubes de carbone. Les
nanotubes de carbone sont des matériaux extrêmement flexibles
offrant une résistance et une utilité inégalées en électronique.
• Les nanotransistors étant si petits, leur comportement ne peut être
entièrement décrit par les théories actuelles. Par conséquent, des
efforts sont en cours pour développer de nouvelles théories pouvant
être appliquées à l'échelle nanométrique.
• De nos jours, le transistor est omniprésent dans la plupart des
appareils de notre quotidien. Le nombre de transistors dans un
microprocesseur a considérablement augmenté pendant que sa taille
diminuait, suivant en cela la Loi de Moore, avec par exemple
18 milliards de transistors pour 400 mm² en 2018.
• LES DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS
• Classification

• Le Transistor bipolaire
• Essentiellement, un transistor est un amplificateur de tension: c'est un
générateur de (fort) courant (en sortie E) commandé par un (faible) courant
(en entrée B). Positif dans le sens de la flèche et négatif à contresens. On
distingue deux sortes de transistors bipolaires (PNP et NPN) et c’est le sens du
courant, qu’ils laissent passer dans une direction et bloquent dans l’autre, qui
les différencie. Pour obtenir des gains d’amplification importants on multiplie
et enchaîne simplement les étages (circuits) d’amplification (transistors). On
distingue trois états de fonctionnement d’un transistor
• : -- État passant Un courant (modulé ou fixe) sur la Base (B) permet de laisser
passer plus ou moins de courant (qui sera également modulé ou fixe) entre C
et E.
-- État de saturation maximale (ou clip)
Une fois atteint son maximum, le transistor agira comme simple interrupteur fermé et laissera donc
passer la totalité du courant d’alimentation. Il agit donc en commutation.
 
-- État bloqué
S’il n’y a pas de courant à la base (B), rien ne passe dans le transistor et il agira comme un interrupteur
ouvert
• Le Transistor à effet de champ MOSFET
• deux structures : JFET ou MOS
• - Les transistors à effet de champ à jonction : J - FET
• - Les transistors à effet de champ à couche d'oxyde de silicium : MOS - FET  deux types
de commandes : à appauvrissement ou à enrichissement 
• deux types de semi conducteur : canal N ou canal P MOS FET (Métal Oxyde Semi-
conducteur Field Effect Transistors)
• Un transistor à effet de champ permet de commander un "grand" courant drain - source
IDS à l'aide d'une tension de commande grille - source UGS
• Un canal dopé (P ou N) entre Drain et Source est rendu +/- conducteur par une jonction
PN entre Grille et Source polarisée en inverse. C'est une commande en tension car il n'y
a pratiquement aucun courant demandé par la grille. Ils sont utilisés comme un
dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d’utiliser un
champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d’un « canal » dans un
matériau semi- conducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux
domaines d’application, tels que l’électronique numérique.
Différence entre JFET et MOSFET

Le nanotransistor 3D, avenir de la microélectronique ?

C'est une étape importante dans la migration des microprocesseurs de structures planaires vers des architectures
3D. Un transistor de taille nanométrique a été construit par des chercheurs français du CNRS, des laboratoires LAAS et
IEMN. Grâce à un réseau vertical de nanofils, il aligne une grille de 14 nm de longueur, contre 28 nm pour les transistors
des puces actuelles.
En 50 ans, la taille des transistors n'a cessé de se réduire au rythme de la loi de Moore. Mais ces interrupteurs à la base
de l'informatique atteignent leurs limites : le contrôle du canal « on/off », censé laisser passer le courant au-delà d'un
seuil de tension, est de moins en moins efficace. Résultat : des risques de fuites de courant qui perturbent les
opérations logiques réalisées. Pour lever ce verrou, les chercheurs ont développé une structure 3D : les deux bornes
sont reliées par des milliers de nanofils, eux-mêmes traversés par une grille de chrome. À la clé, un contrôle du courant
beaucoup plus précis. Cette architecture préfigure des microprocesseurs constitués d'un empilement de transistors, à la
fois pour augmenter densité et puissance. Pionnier, le géant américain Intel a lancé en avril 2012 la production de
microprocesseurs avec ses transistors FinFET à structure 3D gravés sur du 22 nm.
Après la réussite du premier transistor en 3D composé d'une grille si courte, les chercheurs testent désormais
l'élaboration de premiers circuits industriels... et souhaitent encore pousser la miniaturisation en dessous des 10 nm.
• « toujours plus vite, toujours plus petit »