Lecture 4

Electronique
4. Transistor à Effect de Champ

(TEC) à Junction (ou JFET)
Dr. Abdessattar Bouzid
Institut Supérieur d'Informatique et de Multimédia de

Sfax (ISIMS)
Institut Supérieur d'Informatique et de

Multimédia de Sfax (ISIMS) Electronique – Dr. Abdessattar Bouzid 1
Contenu
• Le Transistor à Effect de Champ (TEC) à Junction.
• Caractéristiques et paramètres du TEC à Junction.
• Polarisation du TEC à Junction.

Objectifs du chapitre
• TEC à Junction et ses différences avec le transistor

bipolaire (BJT).
• Caractéristiques et paramètres du TEC à Junction.
• Polarisation du TEC à Junction.
• Région ohmique sur la courbe de caractéristique du
TEC à Junction.

Introduction
• Un transistor est un dispositif semi-conducteur utilisé

pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
• Les transistors à effet de champ (TEC) ou Field Effect
Transistor (FET) contrôlent le courant par la tension
appliquée à la grille (gate).
• Le principal avantage du TEC par rapport au transistor
bipolaire (BJT) est sa très forte impédance d'entrée (MΩ).
• Le but du FET est le même que celui du BJT.

Transistor à effet de champ (TEC)
• Un transistor à effet de champ (TEC) a une borne de grille (G)

qui contrôle le flux de courant entre les deux autres bornes, la
source (S) et le drain (D).
• En termes simples, un TEC peut être considéré comme une
résistance connectée entre S et D, qui est fonction de la tension de
grille VG.
• Le mécanisme de contrôle de grille varie selon les différents
types de TEC (FET), par exemple, JFET, MOSFET.

Transistor à effet de champ (TEC)
• Les TECs peuvent être utilisés pour des applications
analogiques et numériques. Dans chaque cas, le fait que
la grille soit utilisée pour contrôler le flux de courant
entre S et D joue un rôle crucial.
• Deux principaux types de TEC (FET):
- Transistor à effet de champ (TEC) à Junction
JFET: Junction Field Effect Transistor.
- MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor.
• D-MOSFET~Depletion MOSFET (déplétion)
• E-MOSFET~Enhancement MOSFET
(renforcement)
TEC à Junction - Symboles
• Les bornes du TEC à Junction sont source, grille, et

drain.
• Un TEC à Junction peut être à canal p ou à canal n.

FET vs BJT

FET vs BJT
BJT FET
Bipolaire: deux types de porteurs Unipolaire : Un seul type de porteur

(électrons et trous) participent. (électrons ou trous).
Commandé en courant. Commandé en tension.

Forte impédance d'entrée (peut être utilisé
Faible impédance d'entrée.
comme buffer).
Les porteurs se déplacent à travers la base Les porteurs se déplacent dans le canal par
par un processus de diffusion. un processus de dérive (drift process).
A une vitesse de commutation A une vitesse de commutation plus élevée en
comparativement plus faible en raison du raison du processus de dérive; la dérive du
processus de diffusion. porteur est plus rapide que la diffusion.
Linéaire (Ic ≈ Ib) Non linéaire (ID ≈ Vgs2)
En cas de fabrication de circuits intégrés, En cas de fabrication de circuits intégrés, le
le BJT nécessite plus d'espace que le FET. FET nécessite moins d'espace que le BJT.

Transistor à effet de champ (TEC) à jonction
• Le JFET dans sa forme la plus simple

est essentiellement une résistance
commandée en tension.
• L'élément résistif est généralement un
barreau de silicium.
• Pour un JFET à canal N, cette barreau
est un matériau de type N pris en
sandwich entre deux couches de
matériau de type P.
• Les deux couches de matériau de type
P sont électriquement connectées
ensemble et sont appelées la grille.

• Une extrémité du barreau de type N

est appelée la source et l'autre est
appelée le drain.
• Le courant est injecté dans le canal à
partir de la source et collecté à la
drain.
• La région d'interface des matériaux
de type P et N forme une jonction P-
N.

• Si le canal est dopé avec une impureté donneuse, un matériau de

type n se forme et le courant du canal sera constitué d'électrons.
• Si le canal est dopé avec une impureté acceptrice, un matériau

de type p sera formé et le courant de canal sera constitué de trous.
• Les dispositifs à canal N ont une conductivité plus élevée que

les types à canal p, car les électrons ont une mobilité plus élevée
que les trous; ainsi, les JFET à canal n sont environ deux fois plus
efficaces que les JFET à canal p.

• En plus du canal, un JFET contient

deux contacts ohmiques : la source et
le drain.
• Le JFET conduira le courant aussi

bien dans les deux sens et les
électrodes de source et de drain sont
généralement interchangeables.

Fonctionnement du TEC à jonction
• Le fonctionnement du JFET peut être comparé à un robinet d'eau:
• La source de la pression de l'eau – les électrons accumulés au pôle

négatif de la tension appliquée du drain à la source.
• Le drain d'eau – déficit en électrons (ou trous) au pôle positif de la
tension appliquée du drain à la source.
• Le contrôle du débit d'eau - Tension de grille qui contrôle la largeur du
canal n, qui à son tour contrôle le flux d'électrons dans le canal n de la
source au drain.
Polarisation d’un JFET à canal N

Caractéristiques de fonctionnement du JFET
Il existe trois conditions de fonctionnement de base

pour un JFET :
1. VGS = 0, VDS augmente jusqu'à certain valeur

positif.
2. VGS < 0, VDS à certain valeur positif.
3. Résistance contrôlée en tension.

VGS = 0, VDS augmente jusqu'à certain valeur positif
Trois choses se produisent quand VGS = 0 et VDS est

augmenté de 0 à une tension plus positive:
• Lorsque nous appliquons une tension drain-source
(VDS > 0), un courant commence à circuler du drain à
la source (ID).

• Si nous augmentons VDS, la région d'appauvrissement entre

la grille p et le canal n augmente à l'extrémité drain du
canal.
• L'augmentation de la région d'appauvrissement diminue la
largeur du canal n, ce qui augmente la résistance du canal n.
• Mais même si la résistance du canal n augmente, le courant
(ID) de la source au drain à travers le canal n augmente. C'est
parce que VDS augmente.

• Une fois de plus, l'augmentation de VDS entraîne la
propagation de la région d'appauvrissement plus loin dans le
canal. Il en résulte une augmentation correspondante de la
résistance du canal en raison de la réduction de la section du
canal.
• La tension à laquelle les deux régions d'appauvrissement se
touchent juste au milieu du canal est appelée tension de
saturation du drain ou tension de pincement (Vp), pinch-off
voltage .

• Le fonctionnement du JFET à des tensions inférieures et

supérieures à la tension de pincement fait référence aux
régions linéaires (ou résistives) et de saturation,
respectivement.
• Au-dessus de Vp, changements dans VDS cause peu de
changement dans ID.
• ID maintenir le niveau de saturation défini comme IDSS.

• Une fois VDS > VP, le JFET a les caractéristiques d'une

source de courant.
• Comme le montre la figure, le courant est fixé à ID = IDSS, la
tension VDS (pour niveau >VP) est déterminé par la charge
appliquée.
• IDSS est le courant de drain maximal pour un JFET et est
défini par les conditions VGS = 0V et VDS > | Vp|.

Au point de pincement :
• Si VDS augmente encore cela produit

très peu d'augmentation de ID. VDS au
pincement est noté Vp.
• ID est à saturation ou maximum. Il est

appelé IDSS.
• La valeur ohmique du canal est au

maximum.

Fonctionnement typique du JFET

Modèle du JFET
• Modèle du JFET lorsque ID=IDSS, VGS=0, VDS>VP.

VGS < 0, VDS à un certain valeur positive
• VGS est la tension de commande du JFET.
• Pour les transistors à canal n, la tension de commande VGS
est rendu de plus en plus négatif à partir de son niveau VGS =
0V .
• L'effet du VGS négatif appliqué est d'établir des régions
d'appauvrissement similaires à celles obtenues avec VGS =
0V mais à un niveau inférieur de VDS (pour atteindre le
niveau de saturation à un niveau inférieur de VDS).

• Si nous diminuons VGS (VGS = -V1), la région

d'appauvrissement se propage dans le canal, ce qui provoque
une augmentation de la résistance du canal.
• Dans cette région, JFET peut en fait être utilisé comme une
résistance variable dont la résistance est contrôlée par la
tension appliquée VGS.

• Comme VGS devient de plus en plus négatif ; la pente de

chaque courbe devient de plus en plus horizontale.
• Lorsque VGS= -VP avec VDS= 0, les deux couches
d'appauvrissement se touchent sur toute la longueur du canal
et tout le canal est fermé.
• Le canal a dit être éteinte (off) (ID = 0).
• VGS(off) = -Vp.

Résistance contrôlée en tension
• La région à gauche du point de

pincement est appelée la région
ohmique.
• Le JFET peut être utilisé comme
une résistance variable, où VGS
contrôle la résistance drain-
source (rd). Comme VGS devient
plus négative, la résistance (rd)
augmente.
ro
r =
d
(1 − VGS )2
VGS(off)

Et comme Résumé en Pratique…

Caractéristiques de transfert
• La caractéristique de transfert entrée - sortie n'est
pas aussi simple dans un JFET qu'elle l'était dans un
BJT.
• Pour un BJT, β indiqué la relation entre IB (entrée)

et IC (sortie).
• Pour un JFET, la relation de VGS (entrée) et ID

(sortie) est un peu plus compliqué :
VGS 2
ID = IDSS(1 − )
VGS(off)
Caractéristiques de transfert
• A partir de cette caractéristique, il est facile de déterminer la

valeur de ID pour une valeur donnée de VGS.
Transfer Curve

Transconductance du JFET
VGS 2
ID = IDSS(1 − )
VGS(off)
• La transconductance du JFET est définie par :
∆I D
gm = Siemens (S)
∆V GS
 V GS 
=
g m g m 0 1 − 
 V GS (off )
 
2I DSS
gm0 =
V GS (off )

I D (mA)
Quelle est la transconductance
pour le JFET au point indiqué ? 10 mA
8.0
6.0
4.0
2.0
–VGS
−4 −3 −2 −1 0


Datasheet du JFET

Identification des bornes du JFET

Résistance d'entrée du JFET
• La résistance d'entrée d'un JFET est donnée par :
VGS
RIN =
I GSS
Où IGSS est le courant dans la grille polarisée en inverse.
• Les JFETs ont une résistance d'entrée très élevée, mais elle
diminue lorsque la température augmente.

Résistance d'entrée JFET
Comparez la résistance d'entrée d'un 2N5485 à 25 oC et à

100 oC. La Datasheet indique que pour VGS = -20 V, IGSS
= 1 nA at 25 oC et 0.2 µA à 100 oC.

Polarisation du JFET
• Le JFET doit être polarisé pour fonctionner correctement.
• Regardons quelques méthodes de polarisation des JFET.
• Dans la plupart des cas, l'idéal point Q sera le milieu de la

caractéristique de transfert, qui est environ la moitié de IDSS.

Polarisation du JFET – Polarisation automatique
• La Polarisation automatique est la méthode de polarisation le

plus courant pour les JFET. Aucune tension n'est appliquée à la
grille.
• La grille est connectée à la masse

via une résistance RG.
• Une tension d’alimentation +VDD
est connecté pour le JFET à canal
n et ‒VDD pour le JFET à canal p.

V GS =V G −V S =0 − I D R S
V GS = −I D R S
V DS = V D −V S = V DD − I D (R D + R S )
• Il est généralement souhaitable de polariser le JFET près du milieu

de ses caractéristiques de transfert (à ID = IDSS/2). Cela permet la
variation maximale de courant entre 0 et IDSS. A cette valeur de
courant, VGS = VGS(off) /3.4.

Supposons que les résistances sont +VDD = +12 V
comme indiqué sur la figure et que le

courant de drain est 3.0 mA. Quel est la RD
valeur de VGS? 1.5 kΩ
VG = 0 V
+ IS
RG RS 330 Ω
1.0 MΩ –

Polarisation du JFET Point-Q
Fixé le point-Q nous oblige à déterminer la

valeur de RS qui nous donnera la valeur
nécessaire de ID et VGS . La formule ci-
dessous montre la relation.
RS = | VGS/ID |
Pour pouvoir le faire, nous devons d'abord

déterminer VGS et ID à partir de la
caractéristique de transfert ou plus
pratiquement à partir de la formule ci-
dessous. Le data sheet fournit IDSS et VGS(off).
VGS est la tension souhaitée pour régler la
polarisation.
Caractéristique de transfert
ID = IDSS(1 - VGS/VGS(off) )2

Polarisation du JFET Point-Q
Quelle valeur de RS devriez- I D (mA)

vous utiliser pour régler le 10 mA
point-Q comme montré? 8.0
6.0
Q 4.0
2.0
–VGS
−4 −3 −2 −1 0

Polarisation du JFET Point-milieu
Puisque la polarisation Point-milieu

est le plus courant, déterminons
comment cela est fait.
Étape 1. La valeur de RS détermine la
valeur approximatif du polarisation
point-milieu. La moitié de IDSS sera ID
point-milieu. VGS pour établir cela
peut être déterminé par la formule ci-
dessous.
Étape 2. VGS ≅ VGS(off)/3.4
ID = IDSS /2, lorsque VGS = VGS(off)/3.4

La valeur de RS nécessaires pour

établir VGS peut être déterminé
par la relation discutée
précédemment ci-dessous.
Étape 3. RS = | VGS/ID |

La caractéristique de transfert ainsi que

d'autres paramètres peuvent être utilisés pour
déterminer la polarisation du point-milieu
point-Q d'une polarisation automatique d’un
circuit JFET.
Load Line
Déterminez d'abord VGS à IDSS de la formule
ci-dessous.
VGS = -IDRS Intersect
(ID = IDSS/2)
#1 VGS = -IDRS = (0)(470Ω) = 0V
#2 VGS = - IDRS =(10mA)(470Ω)= -4.7V
L'intersection des deux lignes nous donne ID
#1
et VGS (point-Q) nécessaire pour la #2
polarisation point-milieu.

Polarisation du JFET par diviseur de tension
• La grille est connecté au diviseur de

tension entre VDD et la masse.
• Une tension d’alimentation de +VDD
est connecté pour JFET à canal n et
‒VDD pour JFET à canal p.
R2
V GS = V G −V S = V DD − I D R S
R1 + R 2
V DS = V D −V S = V DD − I D (R D + R S )

Analyse graphique de polarisation du JFET
En utilisant la caractéristique de
transfert pour déterminer le point-Q
approximative, nous devons établir les
deux points pour la ligne de charge.
Le 1er point est pour ID = 0.
(VGS = VG lorsque ID = 0).
VGS = VG = (R2/R1 + R2)VDD
Le 2ème point est ID lorsque VGS
est 0.
ID = VG/RS

Conclusion
1. Le JFET est essentiellement une résistance contrôlée en

tension.
2. Le JFET fonctionne en mode de déplétion.
3. Le JFET fonctionne comme un amplificateur de courant

commandé en tension.


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• Caractéristiques et paramètres du TEC à Junction.

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Commandé en courant. Commandé en tension.

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• Si le canal est dopé avec une impureté acceptrice, un matériau

• Les dispositifs à canal N ont une conductivité plus élevée que

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• Le JFET conduira le courant aussi

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Il existe trois conditions de fonctionnement de base

1. VGS = 0, VDS augmente jusqu'à certain valeur

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• Le fonctionnement du JFET à des tensions inférieures et

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• Une fois VDS > VP, le JFET a les caractéristiques d'une

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• Si VDS augmente encore cela produit

• ID est à saturation ou maximum. Il est

• La valeur ohmique du canal est au

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• Modèle du JFET lorsque ID=IDSS, VGS=0, VDS>VP.

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• Si nous diminuons VGS (VGS = -V1), la région

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• La région à gauche du point de

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• Pour un JFET, la relation de VGS (entrée) et ID