Chaps1 4 - ElndeCde PPT 2122

ELECTRONIQUE DE
COMMANDE
CHAPITRE 1-4
Dr Koutoua Simon KASSI

Enseignant-Chercheur
DFR-GEE/INPHB-Yamoussoukro
koutouan.kassi@inphb.ci/kassi.simon@yahoo.fr/+225 0151116080-
Bureau: 219/DFR-GEE
G
Institut National Polytechnique
Félix Houphouët Boigny
2 E
Electronique de Commande-Koutoua Simon Kassi, PhD 2
➢ 𝐈𝐧𝐭𝐫𝐨𝐝𝐮𝐜𝐭𝐢𝐨𝐧 𝐆é𝐧é𝐫𝐚𝐥𝐞
Chap 1 : LES RESISTANCES ET LES CONDENSATEURS
Chap 2 : LES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEUR
Chap 3 : LES COMPOSANTS OPTO-ELECTRONIQUES
Chap 4 : LES ALIMENTATIONS STABILISEES

𝑰𝒏𝒕𝒓𝒐𝒅𝒖𝒄𝒕𝒊𝒐𝒏
𝑮é𝒏é𝒓𝒂𝒍𝒆
L’électronique de commande est l’étude de l’ensemble

des circuits et systèmes réalisant une ou plusieurs fonctions
pour la commande des convertisseurs d’énergies (redresseurs,
hacheurs, gradateurs, onduleurs, cycloconvertisseurs,
alimentations à découpage, etc.) :
*Circuits d’amorçage des thyristors.
*Circuits de commande de base des transistors de puissance.
*Boucles de régulation des alimentations à découpage.
Etc.
L’étude, la conception et la réalisation pratique de ces
circuits nécessitent la connaissance d’un certain nombre de
composants classiques de l’électronique fondamentale ou
générale.
Chapitre 1 :
LES RESISTANCES ET
LES CONDENSATEURS
1.1-LES RÉSISTANCES
Les résistances se présentent en deux modèles différents :
-Les résistances fixes.
-Les résistances variables (résistances ajustables, potentiomètres).
o Les résistances fixes
De façon générale on distingue 03 technologies de résistances :

-Les résistances de faible puissance en dessous de 1 watt sont
généralement des résistances à couche de carbone sur un support de
céramique (figure 1a).
-Pour les résistances de puissances fortes, la technique du fil résistant
enroulé sur un corps en céramique (résistance bobinée) est souvent
utilisée (figure 1b).
-Pour les résistances de très fortes puissances, on peut utiliser une
technologie dite des « résistances liquides » consistant à faire passer le
courant à travers une solution aqueuse contenant des ions cuivre.
Pour la réalisation des circuits de commande, ce sont les résistances à

couche qui sont utilisées. On les désigne par la lettre R et elles sont
représentées par l’un des symboles suivants :
Une résistance est caractérisée par :

-Sa valeur exprimée en ohm (Ω)
-Sa puissance en watt (W)
-Sa tolérance (précision) en %
Les résistances fixes se présentent sous diverses tailles selon la

puissance dissipée. Les valeurs de ces résistances sont normalisées
et sont exprimées à l’aide d’un code de couleurs dont le décodage
est donné dans le tableau 1 ci-dessous.
Les valeurs sont marquées sous forme d’anneaux de couleurs

permettant de déterminer les caractéristiques selon un code.
L’anneau de tolérance (situé à l’extrême droite) est défini par les
couleurs suivantes (Tableau 2):
Le principe de la lecture est indiqué sur la figure 3 pour les

résistances marquées de quatre anneaux.
o Les résistances variables

On distingue les résistances ajustables (de petites tailles avec
une puissance ≤100mW) et les potentiomètres. Le symbole est
donné sur la figure 4.
La borne C est reliée à un curseur dont le déplacement à gauche ou

à droite permet la variation de la résistance entre les extrémités AC
et BC.
1.2-LES CONDENSATEURS
o Présentation
Il existe de nombreux types de condensateurs qui se différencient
essentiellement par la nature de leur diélectrique (élément qui
sépare les plaques). Parmi les plus courants, on peut citer les
condensateurs à film plastique ou mylar, les céramiques, les
électrochimiques et les tantales. Ils sont présentés sur la figure 5.
• Caractéristiques
-Valeur en µF(microFarad), nF(nanoFarad) et pF(picoFarad).
-Tension de service en Volt.
-Tolérance en %.
• Choix
-Les céramiques s’emploient pour des fréquences élevées et leur
valeur est faible (0,1 pF à 1nF, jusqu’à 1µF dans des cas
particuliers).
-Les plastiques sont les plus utilisés sous diverses appellations
(polyester, mylar, …). Les valeurs vont de 1nF à 4,7 µF. Au-delà de
1 µF leur taille est importante à cause des tensions de service
élevées (250V, 400V, etc.).
-Les électrochimiques sont polarisés. Les valeurs vont de 1 µF à
6800 µF. Ils sont utilisés pour le filtrage de tension.
-Les tantales, également polarisés ont des valeurs de 0,1 µF à 220
µF avec de faible tension de service.
o Utilisations
• Montage dérivateur ou montage générateur de pics
Le condensateur est utilisé pour exploiter le front montant et le
front descendant d’un signal carré afin de générer des pics à la
sortie du montage.
L’analyse du fonctionnement est donnée comme suit :

-[0; T/2]: À t=0, Ue(t) = E, u(t) = 0V et Us(t) = Ue(t) = E.
Le condensateur C se charge à travers la résistance R jusqu’à la
valeur E. Pendant que le condensateur se charge, u(t) augmente et
i diminue ; Us(t) =R.i(t) décroît jusqu’à s’annuler. Us(t) s’annule
au même instant où u(t) atteint la valeur E.
-[T/2; T]: À t= T/2, Ue(t) = 0, Us(t) =- u(t) = -E. Le condensateur

se décharge négativement à travers R et Us(t) croit de –E à 0.
• Filtrage de tension
Le condensateur est utilisé pour filtrer la tension à la sortie du
pont redresseur.
Chapitre 2 :
LES COMPOSANTS A SEMI-

CONDUCTEUR
2.1-LA DIODE À JONCTION

o Définition
Les diodes à jonction sont soit au silicium ou soit au germanium
• symbole
• Caractéristique réelle
LA DIODE À JONCTION
VRRM : Tension inverse de pointe répétitive (valeur maximale

instantanée de la tension inverse).
VS : Tension de seuil (Vs= 0,7 V → Silicium, Vs= 0,3 V→
Germanium).
IDmax: Courant direct moyen maximal, c'est le maximum admissible
pour la valeur moyenne du courant direct.
Selon les applications on distingue : LA DIODE À JONCTION

• Les diodes de redressement
• Les diodes de commutation
o Exemples
o Association des diodes LA DIODE À JONCTION
• Série
• Parallèle
Cette association peut
présenter un risque car tout
le courant peut traverser la
diode dont la tension de
seuil est la plus faible
o Utilisations LA DIODE À JONCTION
• Tension de référence
𝑽𝒓𝒆𝒇 = ෍ 𝑽𝒔𝒊 = 𝑽𝒔𝟏 + 𝑽𝒔𝟐 + ⋯ + 𝑽𝒔𝒏 = 𝒏𝑽𝒔

𝒊=𝟏
• Redressement LA DIODE À JONCTION

• Portes logiques LA DIODE À JONCTION

• Portes logiques LA DIODE À JONCTION
o Choix
Les principales caractéristiques à considérer sont : VRRM ; IDmax
2.2-LA DIODE ZENER

o Définition
C’est une diode qui présente deux tensions de seuils.
-En direct Vs = 0,6 à 0,7 V
-En inverse Vz = tension d’avalanche ou tension Zener.
• symbole
• Caractéristique réelle
LA DIODE ZENER
• Caractéristique idéale
Une diode zener est caractérisée par sa tension de zener (Vz) et sa

puissance maximale (Pz) : Izmax = Pz/Vz
Exemples de valeurs de tension zener courantes normalisées : 2,7V;
3,3V; 4,7V; 5,1V; 5,6V; 6,2V; 9,1V, etc.
Exemples de puissances courantes : 0,4W ; 0,5W; 1W; 1,3W, etc.
o Exemples LA DIODE ZENER
o Association des diodes zener
• Série
• Parallèle LA DIODE ZENER
Le courant I est divisé dans chaque branche. Le montage présente

l’avantage d’utiliser 4 diodes zener ayant un Iz<I mais >I/4. Toutefois
ce type de montage comporte un risque. En effet les diodes zener ne
sont pas parfaites. Une diode peut laisser passer plus de courant qu’une
autre. De ce fait elle chauffera plus que les autres et risque de se détruire
rapidement.
o Utilisations LA DIODE ZENER

• Ecrêtage Symétrique
Analyse
• 0 ≤θ ≤ π : alternance positive
DZ1 polarisée en inverse (Diode zener) et DZ2 polarisée en direct. (Diode à jonction)
𝑉𝑠 = 𝑉𝑍1 + 𝑉𝐷2 = +𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 (2)
• π ≤ θ ≤2π : alternance négative

DZ2 polarisée en inverse (Diode zener) et DZ1 polarisée en direct. (Diode à jonction)
𝑉𝑠 = −𝑉𝑍2 − 𝑉𝐷1 = −𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 (3)
Graphes LA DIODE ZENER
o Choix
Les principales caractéristiques à considérer sont : VZ ,PZ et IZmax

2.3-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Présentation
Les transistors bipolaires sont composés d’un couple de jonctions formé
par des couches de semi-conducteurs au "Si" ou au "Ge" de type N et de
type P. On distingue le transistor NPN et PNP.
• symbole
Le transistor NPN est le plus utilisé :
𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪 (4)
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝑽𝑪𝑩 (5)
Figure 30 : Transistor bipolaire type NPN

o Régime de fonctionnement LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

C’est le montage à émetteur commun qui est utilisé.

Pour différentes valeurs du courant IB, on obtient le réseau de courbes
(Ic = f (VCE): Caractéristique de sortie) donné sur la figure :

La droite de charge est représentée par l’équation (6).
𝑽𝑪𝑪 −𝑽𝑪𝑬
𝑰𝑪 = (6)
𝑹𝑪
On distingue deux zones de fonctionnement qui sont le fonctionnement linéaire

et le fonctionnement en commutation. Le fonctionnement en commutation est
caractérisé par l’état bloqué et par l’état saturé du transistor.
• Etat bloqué
Point de fonctionnement en B1 : Lorsque Ve≤VBE ; IB≈ 0 → IC = ICBO(courant de
fuite) (7)
Si ICBO = 0 → VCE = +Vcc (8)
• Etat Saturé
Le point de fonctionnement est en B5, il n’y a plus de proportionnalité entre IB et
IC.
IC = ICsat → VCE = VCEsat (9)
La condition de saturation du transistor est donnée par :
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐵 > (10)
𝛽𝑚𝑖𝑛
Avec βmin : gain minimal en courant du transistor.
o Transistor Darlington LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
C’est une association de deux transistors de même type NPN ou PNP. Selon le schéma
de la figure 33, les deux transistors se comportent comme un transistor unique avec un
gain (β=β1*β2).
IC = β*IB → IC = β1*β2*IB
IC= IC1 + IC2 avec IC1 = β1*IB, IC2 = β2*IB2
• Démontrons que : IC = β1*β2*IB

o Transistor Darlington LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

• Démontrons que : IC = β1*β2*IB
IE1 = IB2 = IB + IC1

= IB +β1* IB
→IB2= IB (1 + β1)
→ IC2 = β2* IB(1 + β1)
→ IC = IC1 + IC2 = β1 * IB + β2* IB(1 + β1)
= β1 * IB + β2* IB + β2* IB*β1
= IB (β1 + β2 + β2 β1)
On écrit que β1 + β2 << β1 * β2 donc Ic = IB β1 * β2
• Exemple:
β1 = 200 et β2 = 200
β1 * β2 = 200 x200 = 40.000
β1 + β2 = 200 +200 = 400 alors β1 * β2 >> β1 + β2
o Choix du Transistor LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Les paramètres essentiels pour le choix du transistor sont :
- Pmax : puissance admissible en (W).
- VCEmax : tension max entre l’émetteur et le collecteur (V).
- Icmax : Intensité crête du courant dans le collecteur (A).
- β : le gain en courant du transistor.
o Utilisations LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Il existe de nombreuses applications du transistor. Voyons-en quelques-unes.
• Commande de relais
La saturation du transistor entraîne l’excitation de la bobine, il s’ensuit une
action sur ses contacts : ouverture des contacts NC et fermeture des contacts
NO (figure 35).

Stabilisateur de tension (montage ballast)
Pour augmenter le courant de sortie d’un circuit de stabilisation en tension

avec une diode Zener on utilise le montage de la figure 36.
Vs = Vz – VBE
Is = Ic + IB = IE ≈ Ic

• Inverseur logique

• Transformation sinus / carré

• Source de courant constant
L’objectif visé : le courant I doit être constant. On utilise un transistor PNP

lorsque la charge a un potentiel relié à la masse. La loi de maille dans le circuit
comportant DZ, RE, D et la jonction émetteur-base(E-B) donne :
VEB + REIE – VZ – VD = 0; Q et D sont de même type (Silicium ou Germanium)
VD = VEB → REIE – VZ = 0 → IE = Vz/RE = IB + I ≈ I.
I =Vz / RE = cste
2.4-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET)

o Présentation
Contrairement aux transistors bipolaires, les JFET fonctionnent avec une
commande en tension. Il existe deux types de JFET: JFET à canal N et à canal P.
• Symbole et exemple
TRANSISTOR JFET
• Régime de fonctionnement
Les caractéristiques de sortie (IDS = f (VDS)) à VGS = cste comprennent
trois zones :
- Zone linéaire (1): IDS varie linéairement avec VDS
- Zone de saturation ou de pincement (2): IDS reste pratiquement
constant quand VDS varie
- Zone de claquage (3): Zone à éviter
TRANSISTOR JFET
Avec :
1) : Zone ohmique (zone linéaire)
2) : Zone saturation
3) : Zone de claquage
TRANSISTOR JFET
La tension VGS a pour valeur maximale 0V et pour valeur minimale VP

définie comme étant la tension de Pitch. VP = VGSoff : Valeur maximale
négative de la tension du transistor considéré (VGSmin : + petite valeur
de VGS). Pour la plupart des JFET, on a : -8v ≤ VP ≤ -2v. La
caractéristique de transfert IDS = f (VGS) à VDS = cste est donnée par
l’équation :
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 1 − (11)
𝑉𝑃
Cette caractéristique a une forme parabolique.

VGS = VP → IDS = 0
VGS = 0V → IDS = IDSmax
o Utilisations TRANSISTOR JFET
• Générateur de courant constant

Sur les caractéristiques de IDS = f (VDS), IDS est constant pour VDS > (-VP +
0.9V) quel que soit VGS. Pour VGS = 0V, le JFET est parcouru par un constant
IDSmax.
TRANSISTOR JFET
• Résistance variable
La variation de IDS = f (VDS) est linéaire entre 0 et –Vp+0.9v. La pente de la
variation linéaire correspond à une résistance dont la valeur est liée à VGS.
1/ RDS1 = (IDS1–0)/(-VP +0.9-0) = IDS1/(-Vp+0.9) → RDS1 = (-Vp+0.9)/IDS1
1/ RDS2 = (IDS2-0)/(- VP +0.9-0) = IDS2/(-Vp+0.9) → RDS2 = (-Vp+0.9)/IDS2
1/ RDS3 = (IDS3–0)/(- VP +0.9-0) = IDS3/(-Vp+0.9) → RDS3 = (-Vp+0.9)/IDS3
1/ RDS4 = (IDS4–0)/(- VP +0.9-0) = IDS4/(-Vp+0.9) → RDS4 = (-Vp+0.9)/IDS4
1/ RDS5 = (IDS5–0)/(- VP +0.9-0)= IDS5/(-Vp+0.9) → RDS5 = (-Vp+0.9)/IDS5
Selon les JFET, pour VGS = 0,

la résistance RDS est comprise
entre 5Ω à 200Ω ; Lorsque VGS
s’approche de VP alors RDS tend
vers 100MΩ.
• Multiplexage des signaux TRANSISTOR JFET
Ve1 et Ve2 sont transmises en sortie en fonction de Vcom1 et de Vcom2 qui

sont commandées alternativement. C’est le principe des oscilloscopes
bicourbes.
2.5-LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)

o Présentation
Le transistor UJT ou diode à double base est constitué par un barreau
de silicium de type N de grande résistance (5 à 20kΩ) dans lequel on a
inséré par alliage un semi-conducteur de type P pour former une
jonction PN. Aux deux extrémités du barreau on a les points B1 et B2
qui désignent : B1 (base 1) et B2 (base 2)
L’électrode de type P appelée « émetteur» est plus proche de la base 2.
o Régime de fonctionnement LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)

𝑅𝐵1
𝑉𝐴 = 𝑉𝐵2𝐵1 = 𝜂𝑉𝐵2𝐵1 (12)
𝑅𝐵1 +𝑅𝐵2
η: rapport intrinsèque, il varie dans l’intervalle [0,45 ; 0,8].

- Caractéristique de commande (VE = f (IE))
Lorsque VE (tension de commande) est
inférieure à VP (tension de Pic) la jonction
de l’émetteur (E) reste bloquée. Un très
faible courant circule entre B2 et B1.
Lorsque VE atteint VP, la jonction (E)
devient conductrice, sa résistance diminue
et un courant IE important apparaît. Ce
courant existera tant que la tension VE
restera supérieure à Vv (tension de vallée).
- Expression de VE
Pendant cette dernière phase le courant IB
VE = VA + VD = ηVB2B1 + 0.7 (13)
circulant entre B2 et B1 augmente.
o Utilisations LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)
• Oscillateur simple
L’utilisation d’un réseau RC (résistance, condensateur) permet d’obtenir un
oscillateur avec le transistor.
Le condensateur C se charge à travers la résistance R jusqu’à la tension de pic

VP, ce qui met le transistor en conduction. Celui-ci décharge C à travers R1.
Lorsque la tension d’émetteur VC tombe en dessous de la tension VV,
l’émetteur cesse de conduire et le transistor se bloque et le cycle recommence.
Les valeurs de R et de C déterminent la fréquence des impulsions disponibles
sur R1.
• Oscillateur simple LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)
Zone 1 : Zone de charge de C

Zone 2 : Zone de décharge de C
La période du signal de sortie Vs est donnée par l’expression suivante (équation 14):
1
𝑇 = 𝑅𝐶 ln (14)
1−𝜂
• Oscillateur en dents de scie LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)

LE TRANSISTOR UNIJONCTION (UJT)
• VCO (Voltage Controlled Oxillator/ Oscillateur Commandé en Tension)
Pour réaliser un VCO, la charge du condensateur se fait par une

tension de commande externe (Ve).
Remarque : Pour les applications courantes le transistor UJT le plus

utilisé est le 2N2646 qui a les caractéristiques principales suivantes :
0.56 ≤ η≤0.75 ; courant de Pic IP = 5µA; Ivmin = 4mA;VB2B1=35V ;
Pdmax =300mw.
Chapitre 3:
LES COMPOSANTS OPTO-

ELECTRONIQUES
3.1-INTRODUCTION
Les composants optoélectroniques sont des composants à semi-conducteur
qui émettent ou qui détectent la lumière :
- Les photodiodes, les phototransistors : Détection de la lumière.
- Les diodes électroluminescentes (DEL) ou Light Emetting Diode (LED):
Emission de la lumière.
3.2-LES PHOTODIODES
o Présentation
C’est une diode qui fonctionne en inverse. Elle se laisse traverser par un
courant dans le sens cathode-anode, lorsqu’elle est éclairée par une source
lumineuse. L’intensité du courant inverse qui la traverse est proportionnelle à la
lumière reçue. La photodiode est utilisée dans les circuits de commande
automatiques par la lumière tels que : les télécommandes, les déclencheurs
optiques pour flash, etc.
La photodiode S3883 du fabricant HAMAMATSU est donnée LES PHOTODIODES
à la figure 49.
o Montage pratiques Lorsque survient la lumière, la variation

de la résistance de la photodiode crée un
signal positif qui est converti en pic par
le réseau R2C et ensuite appliqué sur la
base du transistor Q. Le transistor monté
en collecteur commun fournit sur son
émetteur (résistance R3) une impulsion
dont la largeur dépend du temps de
charge de C.
3.3-LES PHOTOTRANSISTORS
C’est un transistor dont le courant de base est fourni par le rayonnement
lumineux reçu sur sa base. Son symbole est représenté sur la figure 51.
Le courant circulant entre collecteur et émetteur est proportionnel à l’intensité

lumineuse reçue. Le phototransistor est utilisé dans les circuits de
télécommandes. Il peut aussi être utilisé pour déclencher une alarme. La figure
52 présente le phototransistor PNA1401L du constructeur Panasonic.
3.4-LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES (LED)

Ce sont des diodes qui émettent de la lumière lorsqu’elles sont polarisées en
direct. Elles se présentent sous diverses formes, tailles et couleurs. Le symbole,
ainsi que les formes sont donnés sur la figure 53.
La cathode est repérée par la plus courte des électrodes pour le cas général ou
par un méplat pour les formes rondes. La LED est utilisée dans les appareils à
affichage numérique (multimètre, calculatrice, horloge, etc.) et comme un
indicateur lumineux (Vumètre). Le seuil de conduction VLED dépend de la
couleur, il est donné dans le tableau 9.
LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES (LED)
Les LED doivent être protégées contre les tensions inverses trop
importante (limitées entre -5V et -3V) et les courants directs trop élevés
(limités de 20mA à 50mA). Dans la pratique un courant de 10 mA donne
une bonne luminosité pour les LEDs standards. Et selon la source
d’alimentation (~ ou -), on utilise l’un des montages suivants :
• Source de tension continue • Source de tension alternative
• Choix
Les principales caractéristiques à considérer sont: tension inverse (VR) ; courant direct maximal
(IF) ; Puissance dissipée (PD)
3.5-LES OPTOCOUPLEURS OU PHOTOCOUPLEURS

o Présentation
Ce sont des dispositifs constitués par la réunion dans un même boîtier d’une photodiode
ou d’un phototransistor avec une DEL/LED. C’est la LED qui émet la lumière détectée
par la photodiode (ou le phototransistor). Il existe plusieurs types de photocoupleurs; le
photocoupleur à transistor est le plus utilisé.
L’intérêt des optocoupleurs réside dans le fait qu’ils permettent la transmission

de signaux d’un système à un autre par liaison optique (sans liaison électrique).
L’isolement peut atteindre 3KV. La figure 57 présente l’optocoupleur du
constructeur Sharp PC817.
LES OPTOCOUPLEURS OU PHOTOCOUPLEURS
Les applications des optocoupleurs sont multiples :
-Interfaces logiques.
-Circuits de commande de thyristor et de triacs.
-Etc.
o Utilisations
• Détecteur de passage à zéro de la tension du secteur (220V–50Hz ou 110V-
60Hz).
Chapitre 4:
LES ALIMENTATIONS
STABILISÉES
4.1-GÉNÉRALITÉS
Les alimentations stabilisées sont soient linéaires, soient à découpage.
Les alimentations linéaires sont les alimentations classiques. Elles sont
caractérisées par leur mauvais rendement et par le volume du
transformateur qui augmente en fonction du courant. L’alimentation à
découpage est une application du hacheur. Elle a un bon rendement. À
puissances égales, l’alimentation à découpage est beaucoup plus
compacte. Le schéma synoptique d’une alimentation est donné à la
figure 59.
4.2-ALIMENTATIONS LINÉAIRES
❖ Alimentation simple ou alimentation asymétrique
o Transformateur et redresseur


La tension à l’entrée (Ve) du transformateur a une fréquence f = 50 Hz et

une période T = 1/ f = 1/50 = 20 ms, celle (Vs) à la sortie du pont
redresseur a une période de T/2=10 ms. La tension Vs est représentée sur
la figure 63.
• Tension moyenne : VSmoy = 2Vemax/𝜋 = 2 2Veff/𝜋


o Filtrage

o Filtrage
La charge du condensateur C se fait à travers la résistance interne

des deux diodes passantes (D1 et D3 ou D2 et D4). Cette phase est
très rapide car la résistance interne (ou résistance dynamique) est
très petite comparée à celle de la charge. La décharge de C se fait
dans la résistance de charge.
i = C d VC/dt → i = C.dVS/dt=C.∆VS/∆t, C = ∆t.i/∆VS avec i=
IS.
Pour un bon filtrage, la valeur de C doit avoisiner 1000 µF. Il faut
choisir correctement la tension de service du condensateur. Si par
exemple Vseff = 24V alors prendre VC supérieure à 24 𝟐.
Is : Courant dans la charge.
∆Vs : Ondulation de la tension.
∆t : varie entre 7 et 10 ms.

o La régulation
La diode zener peut faire la régulation pour un courant de l’ordre

de quelques dizaines de mA. Pour un courant plus élevé, il faut
utiliser un régulateur avec transistor ballast.

o La régulation
On peut encore augmenter le courant de sortie, en utilisant

plusieurs transistors montés en darlington.

o La régulation
Il existe des régulateurs de
tension positive et des
régulateurs de tension
négative. Certains sont à
tension variable. Les
régulateurs existent en
plusieurs boitiers: T092 ;
T0220 ; T03.

o La régulation
❖ Alimentation symétrique
Ce type d’alimentation permet d’avoir deux tensions opposées à la sortie

(+VCC et –VCC).

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ELECTRONIQUE DE

Dr Koutoua Simon KASSI

Chap 1 : LES RESISTANCES ET LES CONDENSATEURS

Chap 2 : LES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEUR

Chap 3 : LES COMPOSANTS OPTO-ELECTRONIQUES

Chap 4 : LES ALIMENTATIONS STABILISEES

L’électronique de commande est l’étude de l’ensemble

o Les résistances fixes

De façon générale on distingue 03 technologies de résistances :

Pour la réalisation des circuits de commande, ce sont les résistances à

Une résistance est caractérisée par :

Les résistances fixes se présentent sous diverses tailles selon la

Les valeurs sont marquées sous forme d’anneaux de couleurs

Le principe de la lecture est indiqué sur la figure 3 pour les

o Les résistances variables

La borne C est reliée à un curseur dont le déplacement à gauche ou

L’analyse du fonctionnement est donnée comme suit :

-[T/2; T]: À t= T/2, Ue(t) = 0, Us(t) =- u(t) = -E. Le condensateur

LES COMPOSANTS A SEMI-

2.1-LA DIODE À JONCTION

VRRM : Tension inverse de pointe répétitive (valeur maximale

Selon les applications on distingue : LA DIODE À JONCTION

o Association des diodes LA DIODE À JONCTION

o Utilisations LA DIODE À JONCTION

𝑽𝒓𝒆𝒇 = ෍ 𝑽𝒔𝒊 = 𝑽𝒔𝟏 + 𝑽𝒔𝟐 + ⋯ + 𝑽𝒔𝒏 = 𝒏𝑽𝒔

• Redressement LA DIODE À JONCTION

• Portes logiques LA DIODE À JONCTION

• Portes logiques LA DIODE À JONCTION

2.2-LA DIODE ZENER

Une diode zener est caractérisée par sa tension de zener (Vz) et sa

o Exemples LA DIODE ZENER

o Association des diodes zener

• Parallèle LA DIODE ZENER

Le courant I est divisé dans chaque branche. Le montage présente

o Utilisations LA DIODE ZENER

𝑉𝑠 = 𝑉𝑍1 + 𝑉𝐷2 = +𝑉𝑠𝑚𝑎𝑥 (2)

• π ≤ θ ≤2π : alternance négative

Graphes LA DIODE ZENER

Les principales caractéristiques à considérer sont : VZ ,PZ et IZmax

2.3-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Le transistor NPN est le plus utilisé :

𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝑽𝑪𝑩 (5)

Figure 30 : Transistor bipolaire type NPN

o Régime de fonctionnement LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Régime de fonctionnement LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Régime de fonctionnement LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

On distingue deux zones de fonctionnement qui sont le fonctionnement linéaire

o Transistor Darlington LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

• Démontrons que : IC = β1*β2*IB

o Transistor Darlington LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

IE1 = IB2 = IB + IC1

o Choix du Transistor LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Utilisations LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Utilisations LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

Pour augmenter le courant de sortie d’un circuit de stabilisation en tension

o Utilisations LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Utilisations LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

o Utilisations LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

L’objectif visé : le courant I doit être constant. On utilise un transistor PNP

2.4-LE TRANSISTOR BIPOLAIRE À EFFET DE CHAMP À JONCTION (JFET)

La tension VGS a pour valeur maximale 0V et pour valeur minimale VP

Cette caractéristique a une forme parabolique.

o Utilisations TRANSISTOR JFET

• Démontrons que : IC = β1β2IB