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CEM dans les alimentations à découpage

I .Introduction :
Un appareil ou un système électrique ou électronique sera compatible avec son
environnement.si son fonctionnement n’est pas altéré par les perturbations électriques et
magnétiques générées par ce dernier .Réciproquement, l’environnement ne doit pas être
perturbé par l’appareil ou par le système .si tout fonctionne correctement, il y a
compatibilité.
L’alimentation a découpage industrielle sont en constante évolution .cette évolution se
traduit par une élévation de la densité de puissance .pour ce faire, les travaux
d’optimisation portent sur l’amélioration des composante passifs et sur des architectures
évoluées.
Néanmoins, lorsque les solutions émises précédemment sont inefficaces, c’est
l’augmentation de la fréquence de commutation qui permit la réduction du volume par
l’accroissement de la densité é de puissance.
La CEM est devenue un critère incontournable dans la conception de l’alimentation à
découpage. Les normes imposées sont garantes de l’amplitude d’un système à fonctionner
dans son environnement de façon satisfaisante et sans produire des perturbations
électromagnétiques intolérables pour les appareils du voisinage.
Deux types de perturbations peuvent être distinguée suivants leurs modes de
propagation .les perturbations conduites qui se propagent par conduction électrique et les
perturbations rayonnées qui se propagent par un champ électromagnétique .ces
perturbations sont quantifiées par le niveau des harmoniques des grandeurs electrique.la
norme impose à certaines grandeurs électriques d’avoir un niveau d’harmonique inférieur
a une limite généralement exprime en dBμV .ces limites dépendent du domaine
d’application de l’appareil.

II. Définition de la Compatibilité ElectroMagnétique CEM :


La Compatibilité ElectroMagnétique CEM ou EMC ElectroMagnetic Compatibility(en
appellation anglaise) est : « l’aptitude d’un dispositif, ou d’un appareil ou d’un système à
fonctionner dans son environnement Electromagnétique de façon satisfaisante et sans
produire lui-même des perturbations Electromagnétique de nature à créer des troubles
graves dans le fonctionnement des appareil ou des système situes dans son
environnement»
De par sa définition, la CEM demande donc à caractériser :

- Ce qu’émit un appareil électronique vers son environnement (perturbations rejetées hors


l’appareil via les câ bles (émission conduite) et perturbation rayonnée dans l’espace libre
par le système ou par ses câ bles (émissions rayonnées)) .les émissions des dispositifs
électroniques ne doivent pas atteindre des niveaux susceptibles de perturber tout autre
appareil placé à proximité.

- L’environnement électromagnétique dans lequel peut travailler le dispositif sans


dégradation. Le dispositif peut être soumis à des perturbations électromagnétiques

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engendrées par un autre appareil. Ces perturbations parviennent au dispositif soit via les
câ bles d’interconnections (on parle alors de susceptibilité conduite) soit par couplage via
des ondes électromagnétiques se propagent dans l’espace environnant (susceptibilité
rayonnée).cependant, aucun dysfonctionnement durable ou détérioration ne doit
apparaitre.

- Réduction des couplages pour une source externe déterminée, le niveau de perturbations
reçues par un appareillage dépond des couplages, c’est-à -dire du chemin de propagation
entre les sources et la victime. 

III. Perturbation électromagnétique :


On appelle perturbation électromagnétique, tout phénomène électromagnétique
susceptible de dégrader les performances d’un dispositif, équipement ou système...
Les perturbations électromagnétiques sont le résultat de tous les courants électriques
induisant une multitude de champs et signaux parasites.
Une perturbation électromagnétique peut être un bruit électromagnétique, un signal
non désiré ou une modification du milieu de propagation lui-même.

IV. Modes de transmission des perturbations : 

Le transfert de l’énergie électromagnétique peut être schématisé en quatre catégories :

a)Emissions par rayonnement :

b) Emission conduite :

c)Susceptibilité au rayonnement :

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d) Susceptibilité conduite :

Fig.1.Différentes cas de transfert de l’énergie électromagnétique

V. CEM en Electronique de puissance :

La compatibilité électromagnétique a la particularité de couvrir une gamme de


fréquence importante. Ceci rend la tâ che complexe car les modèles de composants doivent
être valides sur plusieurs décades. Plusieurs travaux ont déjà été réalisées afin
d’appréhender les problématiques liées à l’analyse CEM dans les convertisseurs d’énergie.
Les mécanismes donnant naissance aux perturbations au sein des convertisseurs
statiques sont aujourd’hui connus et les différentes approches de modélisation ont permis
d’établir des modèles prédictifs relativement performants.

V.1. Semi-conducteurs :

Le point commun à toute structure de puissance est l’interrupteur servant au


découpage des grandeurs électriques, et c’est sur quoi les premières attentions doivent
être portées. Plus exactement, il s’agit de la représentation des composants définissant la
cellule de commutation et de l’association ‘‘diode-diode’’, ‘‘interrupteur commandé-diode’’,
‘‘interrupteur commandé-interrupteur commandé’’. Les modèles CEM de composants ne
cherchent pas à décrire l’état exact du matériau semi-conducteur d’un point de vue
microscopique, mais tendent a représenté un comportement réaliste durant les phases de
transition.

V.2. Modélisation de la connectique :

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La connectique joue un rô le important sur la signature spectrale des convertisseurs car


elle intervient directement dans le parcours des courants de perturbations. Lors d’une
étude CEM, son rô le est non négligeable, car, associée aux variations de courant pendant la
commutation, elle contribue principalement aux différentes diaphonies, sans oublier les
couplages par impédances communes. L’évolution de l’influence de la connectique se fait,
pour la majeure partie des études, via la détermination d’une impédance équivalente.

VI. Qu’est-ce que une alimentation a découpage ?

Alimentation à découpage (convertisseur DC/DC) est une alimentation électrique dont


la régulation est assurée par un composant électronique utilisé en commutation
(généralement un transistor). Ce mode de fonctionnement s’oppose à celui des
alimentations linéaires dans lesquelles le composant électronique est utilisé en mode
linéaire. Une alimentation a découpage qui transmet instantanément la puissance, canalise
cette énergie dans une bobine et libère cette énergie ensuite.
Par ailleurs, plus la fréquence de découpage sera élevée, plus les dimensions de
l’inductance ou du transformateur pourrontêtreréduites mais plus on aura de pertes
magnétique et de pertes de commutation dans le transistor. On gagnera ainsi en
encombrement et en prix.
Ce découpage s’effectue en général a des fréquencessupérieurs a une vingtaine de kHz
jusqu’à quelques MHz. Le Transfer d’énergie de l’entrée vers la sortie, se fait par
l’intermédiaire d’une inductance ou d’un transformateur qui stock l’énergie sous forme
magnétique puis la restitue au rythme du découpage. Pour avoir ce rythme, les dimensions
de l’inductance ou du transformateur pourront être réduites.
Le principal intérêt de l’alimentation à découpage est son bon rendement (65a90%).
Par contre, lesproblèmes de régulation et de la CEM sont plus difficiles à maitriser.

VII.Les différents types d’alimentations à découpage :

On distingue trois types d’alimentations a découpage : alimentation FLAYBACK, FORWARD


et PUSH6PULL.

VII.1. Convertisseur a stockage inductif avec isolation galvanique(FLAYBACK) :

Le montage du Convertisseur a stockage inductif avec isolation galvanique dit : Flyback


est base sur celui du hacheur à stockage inductif (buck-boostconvertor).
Pour transformer un tel hacheur en alimentation à découpage, il est nécessaire
d’insérer une isolation galvanique entre l’interrupteur et le filtre de sortie. Nous allons
remplacer l’inductance par deux inductances couplées, bobinées sur le même noyau. On
obtient alors le schéma ci-contre. La magnétisation de l’inductance est réalisée par
l’enroulement 1, alors que la démagnétisation est réalisée par l’enroulement 2.comme il est
présenté dans la figure suivante :

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D Is

I2
Ic
L 1 L 2 V s
C
(n 1 ) (n 2 )

E I1

T
Circuit
de V C E
commande

Fig.2. MontageFLAYBACK.

a) Principe :
La source est isolée de la charge par l’intermédiaire du transformateur. C’est un transformateur
d’impulsions capable de fonctionner en hautes fréquences. Les points noirs montrent le sens de
phase entre les tensions primaire et secondaire. Le rapport de transformation est k=n2/n1.
Le transistor T est commandé pour hacher la tension délivrée au primaire.
 Première séquence de fonctionnement :
Le transistor T est saturé (interrupteur fermé). Le secondaire du transformateur est ouvert. La
diode D est bloquée.La bobine primaire stocke de l’énergie w=1/2 Li2.Le condensateur C se
décharge dans le récepteur.
 Deuxième séquence de fonctionnement :

On bloque le transistor T(interrupteur ouvert). La diode D se met à conduire pour assurer la


continuité de flux. L’énergie emmagasinée est envoyée à la sortie à travers la diode.

b) Formes d’ondes :
 Cas de démagnétisation complète :

Dans ce cas, le flux s’annule dans le circuit magnétique.Pendant que le transistor est saturé, le
courant primaire atteint son maximum à l’instant t=tON=αT. Ceci correspond à une énergie
emmagasinée :

1 1 E2 1  2 E2
w  L1.I 1max  L1. 2 tON 
2 2

2 2 L1 2 f 2 L1

Lors du blocage du transistor, l’énergie w est restituée à la charge :

1 n1
w L 2.I 2 max 2 I 2 max  I1max .
2 et n2

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E + V s / k
V C E E
T

I 1 I 1 m a x
E / L 1

I 2 I 1 m a x / k
I s

F l u x

I c
I 1 m a x / k

- I s

Fig.3. Formes d’onde dans FLAYBACK dans le cas d’EC.

 Cas de démagnétisation incomplète :

Si l’on amorce T avant l’annulation du courant secondaire, on travaille en mode de


démagnétisation incomplète. Le flux dans le circuit magnétique ne s’annule jamais.

Dans ce régime de fonctionnement, le facteur de forme du courant primaire est meilleur. Pour
une valeur de crête imposée par le transistor, on peut avoir une valeur moyenne plus élevée
que dans la situation précédente.

Ce fonctionnement permet de délivrer une puissance plus élevée.

E + V s / k
V C E

T
t

I 1
E / L 1 I 1 m a x

t
I 2 I 1 m a x / k
I s

t
F l u x

t
I c
I 1 m a x / k
t
- I s

Fig.4. Formes d’onde dans FLAYBACK dans le cas d’EIC.

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c) Valeur moyenne en sortie :

Dans le cas d’une démagnétisation incomplète, sachant que VCEmoy=E, on écrit :

Vs  n2
VCEmoy  ( E  ).(1       Vs  .E.
k 1 n1

d) Avantages/Inconvénients:

- Peu de composants.
- Un seul composant bobiné
- Architecture économique pour les faibles puissances (<150W)
- L’énergie étant stockée dans l’inductance couplée et dans le condensateur de sortie, ceux-ci
deviennent encombrants pour des puissances supérieures à 200 W, et l’alimentation Flyback
devient alors moins intéressante.
- Risque de surtension lors du fonctionnement à vide : l’énergie stockée durant la phase de
magnétisation est alors transmise au condensateur durant la phase de démagnétisation. Cette
énergie est alors stockée par le condensateur qui voit sa tension monter, et il y a alors risque de
destruction.
VIII.2 Alimentation à découpage à conduction directe (FORWARD) :

Le schéma de base de cette alimentation est alors le suivant :


D2 IL L Is
D3

Ic

E L1 L2 Vs
C
(n1) (n2) D1
L3
(n3)
I1
Circuit T
de
comande ID3
VCE

Fig.5. Montage FORWARD.


a) Principe :

C’est la version avec isolation galvanique du hacheur abaisseur. Ce montage utilise un


transformateur à bobine de démagnétisation (L3) ; pour cette bobine on adopte
généralement n3=n1. Le secondaire de ce transformateur attaque un hacheur abaisseur
(BUCK) avec la seule différence par rapport à la structure de base que l’interrupteur
commandé est remplacé par une diode (D2).

b) Fonctionnement :

Pendant la phase [0,αT], le transistor T et la diode D2 sont conducteurs. Les diodes D1


et D3 sont bloquées.

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Le primaire du transformateur est soumis à une tension E, le secondaire à kE et le


troisième enroulement à E (n3=n1).

Pendant la phase [αT,T] le transistor T est bloqué. La diode D2 se bloque aussi. Les
diodes D1 et D3 conduisent. Le courant magnétisant est assuré par le troisième
enroulement soumis à –E. Le courant dans la diode D3 décroît alors linéairement selon
une pente –E/L3=-E/L1.

c) Formes d’ondes :

2 E
V C E E
T
t

I 1
E / L 1 I 1 m a x

t
I D 3 I 1 m a x / k

t
F l u x

t
- V s / L
I L I s

t
( k E - V s ) / L

Fig.6. Forme d’onde de Montage FORWARD.

d) Valeur moyenne en sortie :

La tension aux bornes de la bobine L vaut kE-Vs pendant la première phase et vaut –Vs
pendant la deuxième. Or VLmoy=0 ; ceci permet d’écrire :

(kE  Vs )  Vs    0  kE  Vs=0


n2
 Vs=
n1

e) Avantages / Inconvénients:

Cette architecture s'adapte bien aux sorties basse tension fort courant car le filtrage de
sortie est aisé, pour des puissances d'environ 100 à 500W. Elle présente néanmoins des
inconvénients inhérents à la structure :
- Présence de deux composants magnétiques
- Nécessité de prévoir un système de démagnétisation du transformateur.
- Mauvaise utilisation du circuit magnétique du transformateur, qui n’est utilisé que dans
un quadrant magnétique (de 0 à Bm, le flux ne changeant pas de signe)

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VIII.3. Alimentation à découpage symétrique, montage PUSH PULL.

Ce type d’alimentation a été conçu pour palier à un des inconvénients de l’alimentation


Forward, à savoir l’utilisation dans un seul quadrant magnétique du transformateur. Pour
permettre l’utilisation dans deux quadrants du circuit magnétique (B>0 et B<0), il est
nécessaire de pouvoir magnétiser le transformateur sous une tension positive, puis sous
une tension négative. Parmi les différentes structures existantes, celle basée sur
l’utilisation d’un hacheur en pont est la plus simple au niveau de l’étude.

Fig.7.Montage PUSH PULL.


a) Principe :

Les interrupteurs d’un même bras de pont sont commandés de façon complémentaire, avec
un temps de conduction d’une demi-période. Le déphasage entre les commandes des deux
bras de pont est noté αT avec α<1/2.
Les ordres de commandes des transistors sont alors les suivants :

Fig.8. Ordres de commande des transistors dans le montage PUSH PULL.


b) Fonctionnement :
 Pour Les transistors T1 et T4 sont commandés, V1=Ve, il y a croissance du
flux dans le circuit magnétique. La diode D5 conduit, l’inductance est soumise à
une tension positive (mVe-Vs), il y a croissance du courant IL. Il y a croissance du
courant I1 (I1 = mIs)
 Pour Les transistors T1 et T3 sont commandés, la continuité du courant
magnétisant I1 impose la mise en conduction de la diode D3, alors V 1=0, le flux
dans le circuit magnétique est constant. L’inductance est soumise à une tension
négative, (-Vs), il y a décroissance du courant
IL, qui est fourni par la diode D5. Il y a décroissance du courant I1 (I1 = mIs)
 Pour Les transistors T2 et T3 sont commandés, V1=-Ve, le flux dans
le circuit magnétique est décroissant. La diode D6 conduit, l’inductance est

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soumise à une tension positive (mVe-Vs), il y a croissance du courant I L. Il y a


décroissance du courant I1 (I1 =- mIs)
Pour Les transistors T2 et T4 sont commandés, la continuité du
courant magnétisant I1 impose la mise en conduction de la diode D4, V 10, le flux
dans le circuit magnétique estconstant. L’inductance est soumise à une tension
négative, (-Vs), il y a décroissance du courant I L, qui est fourni par la diode D6. Il
y a croissance du courant I1 (I1 =- mIs)
a) Formes d’ondes :

Fig.9. Forme d’onde de PUSH PULL.


b) Avantages / Inconvénients:

-les asymétries du pont font qu’il est difficile ver impossible d’assurer une tension moyenne
nulle aux bornes du transformateur.
- le montage PUSH-PULL est en principe utilisé pour des puissances supérieuresà 750W.
IX. La CEM dans les alimentations à découpage :

L’évolution des technologies dans l’électronique de puissance a permis un accroissement


important du nombre des alimentations à découpagedans tous les domaines industriels et
grand public. L’augmentation de la puissance et de la rapidité de ces convertisseurs a fait
que ses derniers créentdes perturbations conduites et plus en plus importantes. L’étude de
la compatibilité électromagnétique et devenue donc un passage obligatoire pour les
concepteurs de circuits en électronique de puissance.
IX.1. Origine des perturbations dans l’alimentation a découpage :

Le schémaélectrique de l’alimentation à découpage ne suffit pas à expliquer les formes


d’ondes réellement observées et à fortiori les perturbations conduites qui en résultent. Il
est donc nécessaire d’introduire des composants parasites dans le schéma de l’alimentation
a découpage :
 Les composants parasites des alimentations à découpage :
Une alimentation à découpage est essentiellement constituée, en dehors des interrupteurs
statiques, de composants magnétiques fonctionnant en haute fréquence. Le choix et le bon
dimensionnement de ces composants est un élément essentiel lors de l’avant-projet d’une
alimentation à découpage.

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a) Les condensateurs :
Les condensateurs sont généralement modélisés par un modèle r L C série : r représente la
résistance série du condensateur (ESR), L représente son inductance série (ESL), et C sa
valeur.

Fig.10. Modèle dynamique d’un condensateur.


C est la valeur du condensateur idéal.
l est l'inductance des armatures et des connections. Elle est liée à la technologie de
fabrication.
Rs est la résistance des armatures et connections. Elle rend compte également des pertes
diélectriques.
Ri est la résistance représentant les défauts d'isolement. Elle dépend de la technologie de
fabrication.
b) Les inductances :
Les principaux défauts des inductances sont leurs résistances séries et leurs capacités
inter-spires.

Fig.11.Modèle dynamique d’une inductance.


c) La diode :
Les diodes ont un comportement capacitif à l'état bloqué, (la diode BYT 30 PI 400 présente
une capacité équivalente de 60 pF à l'état bloqué, sous 100 V), les fils de connexions
présentent une inductance parasite.

Fig.12. Modèle dynamique équivalent d’une diode.


d) Le Transistor MOSFET :
Le comportement des transistors MOSFET peut être représenté par un modèle faisant
apparaître des capacités Grille-Drain (IRFP 250 : 150 pF), Grille - Source (2.45 nF) et
Source-Drain (325 pF), ainsi que des inductances (l'inductance des fils de connexions vaut
environ 4.5 nH sur le Drain et 7.5 nH sur laSource pour I'IRFP 250).

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Fig.13.Modèle dynamique équivalent d’un transistor MOSFET.


e) Le transistor à Grille Isolée IGBT :
Pour analyser le comportement dynamique de l’IGBT durant les phases de commutation, il
est nécessaire de compléter le modèle statique en introduisant les capacités parasites entre
les jonctions du semi-conducteur. Celles-ci sont déduites de données constructrices.

Fig.14.Caractéristiques dynamique d’un l’IGBT.


IX.2. Génération des perturbations :
Les perturbations conduites et rayonnées ont une origine commune, elles sont liées
auxcomposantes spectrales des tensions et courants dans la cellule de commutation.
IX.2.1. Modes rayonnés :

Fig.15. Génération des perturbations rayonnées dans l’alimentation à découpage.

 En champ électrique, les perturbations sont principalement rayonnées par les


conducteurs qui forment "l'arbre de rayonnement" représenté en gras sur la figure 15et
soumis aux variations du potentiel Vs.
Les fils d'alimentation sont soumis à des variations de potentiel "lentes" au rythme de la
période de découpage, correspondant à la charge et à la décharge des condensateurs, et à

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des variations "rapides" à la fréquence des oscillations qui apparaissent dans la cellule, ces
conducteurs peuvent rayonner des champs non négligeables par rapport aux champs
rayonnés par la cellule surtout lorsqu'ils sont de grande longueur, ou lorsque la cellule est
blindée.
 En champ magnétique, les perturbations sont rayonnées par la boucle grisée surla
figure 15 et parcourue par le courant IT.
Les figures16et17 montrent la très bonne corrélation entre le courant circulant dans
lacellule et le champ magnétique rayonné par celle-ci, les courbes présentées tiennent
compte desnon-linéarités des capteurs (facteurs d'antenne et réponse en fréquence des
sondes decourants).

Fig.16.Le courant dans la cellule de commutation.

Fig.17.Champ H rayonné à 10 cm au - dessus de la cellule.


IX.2.2. Modes conduits :
Les courants de mode commun transitent par les capacités parasites de couplage entre les
boîtiers des semi-conducteurs et le radiateur (quelques dizaines de pF), et dans une
moindre mesure par les capacités parasites entre le câ blage et le plan de masse, ces
courants dépendent des variations du potentiel aux bornes de ces capacités parasites, c'est
à dire des variations du potentiel des différentes portions du circuit par rapport à la masse.
 Spectres des perturbations :
Le fonctionnement des alimentations à découpage fait intervenir des formes d'ondes à forts
dI/dt et dV/dt, variations d'autant plus rapides que l'amélioration des performances des
composants actuels autorisent des fronts de courant et de tension pouvant atteindre
respectivement 1 kA/µs et 10 kV/µs.

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CEM dans les alimentations à découpage

En conséquence, les courants et tensions ont un spectre riche en harmoniques de


fréquences élevées à l'origine des perturbations conduites et rayonnées.
Par ailleurs les capacités et inductances parasites des circuits sont de faibles valeurs
(quelques dizaines de pico-Farad pour les capacités boîtier-radiateur et quelques centaines
de nano-Henry pour les inductances des pistes et fils de liaison), ces éléments se combinent
pour former des circuits LC série et LC parallèle, dont les fréquences de résonance sont
élevées, dans la gamme 10 MHz - 100 MHz et auxquelles les harmoniques sont peu
atténués, ce qui se traduit au niveau des spectres, par des "pics" d'amplitude élevée.
Dans le domaine temporel, ces harmoniques peu atténués correspondent aux oscillations
qui apparaissent lors des commutations des composants.
 Formes d'onde théoriques :
Les formes théoriques des courants et tensions dans une cellule fonctionnant en
commutation forcée à 100 kHz pour un rapport cyclique a = 0.5 et un condensateur C = 1 O
pF, sont représentées sur la figure18.

Fig.18.Formes d'ondes théoriques.


Le spectre théorique des perturbations conduites est alors donné par la figure 19.

Fig.19. Spectre théorique des perturbations conduites.


 Formes d'onde expérimentales :
La mesure de ces grandeurs sur la maquette, figure 11 montre une superposition
d'oscillations sur les formes d'ondes théoriques qui se traduit par une augmentation de
l'amplitude des composantes hautes fréquences dans le spectre (gamme de fréquence 10 -
100 MHz sur notre exemple).

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Fig.20. Forme d'onde expérimentale.

Fig.21.Spectre des perturbations conduites : relevé expérimental.


X. Techniques de protections en CEM dans les alimentations à découpage :
X.1. Filtrage :
Tout équipement, pour son fonctionnement, est nécessairement relié à l’entérinement à
d’autres équipements, a une source d’alimentation ainsi qu’a la terre. En absence de
précaution particulaire, ces liaisonsreprésentent des chemins d’accès pour les
perturbations indésirables. Les interactions dues à la condition peuvent être supprimé par
l’utilisation de filtre dans le rô le est de ne laisser passer que les signaux désirées. Les filtres
d’alimentations à découpage sont souvent places en série avec l’alimentation des
équipementsélectriques.

Fig.22. Placement des filtres antiparasites.


X.1.1. Rôle d’un filtre:
La fonction d’un filtre antiparasite est de réduire le niveau des perturbations à une valeur
admissible pour le respect de différentes normes, ou diminuer la sensibilité d’un matériel
(susceptibilité) dans un spectre de fréquence déterminé.
Le choix de la structure d’un filtre doit donc s’effectuer en tenant compte des impédances
de source et de charge supposées, dans la gamme de fréquences pour laquelle on veut
réduire le niveau des perturbations.

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CEM dans les alimentations à découpage

Fig.23. Filtre antiparasites.


X.1.2.Types de filtrage :
On distingue de sorte de filtre :
 Filtres passifs :
Ils sont généralement constitue de résistances, inductances et capacités. Ces composants
peuvent être combinés de diverses manières en fonction du but recherché. Ces filtres ne
nécessitent pas d’alimentation.
 Filtres actifs :
Ces filtre sont constitués en général d’amplificateurs opérationnels, et nécessitent une
alimentation. Ils représentent l’avantage de permettre une discrimination des signaux
parasites à l’intérieur de leur plage de fonctionnement grâ ce a un seuil de déclenchement.
X.2. Diminution des boucles et d4inductances parasites :
D'une manière générale, on cherche à diminuer la surface des spires que forme le câ blage,
car celles-ci sont le siège de phénomène électromagnétique (fem induite e= – dɸ/dt, avec
flux F = BS proportionnel à la surface).
Pour éviter la présence d'inductances parasites dans les circuits, on applique uncertain
nombre de règles de câ blage : liaisons les plus courtes possibles, câ blage à angles
droit,boucles de surfaces minimales, séparation entre les circuits de puissance et les
circuits sensibles.

Fig.24. Réduction de couplage.

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CEM dans les alimentations à découpage

X.3. Ferrites :
Un tort de ferrite placé autour d'un conducteur se comporte comme un circuit inductif et
résistif, absorbant les perturbations HF par effet Joule.Les tores permettant d’éliminer des
parasites conduits en mode commun. Grâ ce à sa perméabilité magnétique importante aux
hautes fréquences.Il est conseillé deplacer le tort au plus près de l'équipement concerné.

Fig.25. Les ferrites.


XI. Conclusion :
L’introduction de l’électronique dans un grand nombre d’applications, et notamment dans
les appareillages électrotechniques, oblige à prendre en compte une contrainte nouvelle : la
compatibilité électromagnétique –CEM. Assurer un bon fonctionnement en milieu perturbé
et ne pas être eux–mêmes des perturbateurs sont des impératifs de qualité de ces produits.
L’évolution des technologies dans l’électronique de puissance a permet un accroissement
important des nombres des alimentations a découpage dans tous les domaines industriels
et grand public. L’augmentation de la puissance et de la rapidité de ces convertisseurs a fait
que ces derniers créent des perturbations de plus en plus importantes. L’étude de la CEM
est devenue donc un passage obligatoire pour les concepteurs de circuits en électronique
de puissance.
Seules des mesures nécessitant des compétences et des matériels sophistiqués permettent
de quantifier la CEM de différents matériels.
Le respect des normes permet ainsi l’assurance du bon fonctionnement d’un appareil dans
son environnement électromagnétique.

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12. http://www.univ-tiaret.dz/bibliotheque/1ere%20con/%E9lectronique%20de%20puissance/Achour.pdf
13. http://denis.rabaste.free.fr/ressources/CEM/CEM.pdf
14. https://cdn.fbsbx.com/hphotos-xfa1/v/t59.2708-
21/10973817_951133924905726_1775103590_n.pdf/EXposu00E9_CEM_Magister.pdf
15. MAZARI Belahcene « Modélisation des émissions rayonnées de composants électroniques »
Thèse Ecole doctorale Sciences Physiques et Mathématiques et de l’Informationpour l’Ingénieur
(SPMII), Soutenue le 15 novembre 2007.
16. http://f.holst.pagesperso-orange.fr/cours%202TSEL/CH21.pdf

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