Enseignants:
Dr Mengata
M.JIOSSEU
M.SOFFACK
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Bases de l’électronique de puissance DUREE : 65H,
CM 20H, TD 25H, TPE 20H
OBJECTIFS GENERAUX
OBJECTIFS SPECIFIQUES
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FICHE DE PROGRESSION DU COURS
Processus général du déroulement de chaque cours
- Avant d’engager chaque cours, du temps est accordé pour répondre aux questions
qui se sont posées entre temps, donner des éclaircissements sur des zones d’ombres
apparues lors des TPE et des lectures.
- Le cours du jour est introduit et présenté
- Des devoirs, TD à préparer peuvent être donnés éventuellement
Chapitre II :
Étude statiques et dynamiques des composants utilisés
en électronique de puissance
- Les diodes de puissances
- Les thyristors
- Les transistors bipolaires
SÉQUENCE 2: - Les transistors à effet de champ CM : 20H
- Les transistors IGBT (Insulated-Gate Bipolar TD : 10H
Transistor)
Critères de choix d’un semi-conducteur de puissance
- Choix des grandeurs moyennes
- Choix des grandeurs dynamiques
Chapitre III :
- Période, fréquence et pulsation d’un signal
- Grandeur moyenne quadratique et algébrique
d’un signal périodique
- Série de Fourier, harmonique et spectre d’un
SÉQUENCE 3: CM : 16H
signal électrique
- Valeur efficace d’un signal électrique décomposé TD : 8H
– Formule de Parseval
- Facteurs de performance d’un signal
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Table des matières
OBJECTIFS GENERAUX ............................................................................................................................. 2
OBJECTIFS SPECIFIQUES .......................................................................................................................... 2
FICHE DE PROGRESSION DU COURS ........................................................................................................ 3
INTRODUCTION GENERALE ..................................................................................................................... 5
CHAPITRE I .............................................................................................................................................. 5
Introduction à l’électronique de puissance ......................................................................................... 6
1. Définition ................................................................................................................................. 6
2. Classement et fonctionnement des convertisseurs statiques ................................................ 6
3. Quelques exemples industriels ............................................................................................... 7
CHAPITRE II ............................................................................................................................................ 11
Étude statiques et dynamiques des composants utilisés en électronique de puissance ................. 11
1. Les Diodes .............................................................................................................................. 11
2. Les thyristors ......................................................................................................................... 22
3. Le transistor bipolaire............................................................................................................ 41
4. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor) ................................................ 54
5. Critères de choix d’un semi-conducteur de puissance.......................................................... 63
CHAPITRE III ........................................................................................................................................... 65
Caractéristiques des signaux des convertisseurs d’électronique de puissance ................................ 65
1. Théorème de Fourier............................................................................................................. 66
2. Remarques et propriétés....................................................................................................... 67
3. Spectres unilatéraux d’amplitude et de phase...................................................................... 68
4. Identité de Parseval ............................................................................................................... 75
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INTRODUCTION GENERALE
L'électronique de puissance, que l'on devrait d'ailleurs nommer " électronique de conversion
d'énergie " a moins de 50 ans. Elle a connu un tel essor qu'aujourd'hui près de 15 % de l'énergie
électrique produite est convertie sous une forme ou une autre. Au cours de ces années la taille,
le poids et le coût des convertisseurs n'ont fait que diminuer, en grande partie grâce aux progrès
fait dans le domaine des interrupteurs électroniques. Rappelons qu'un convertisseur de
puissance de rendement unitaire (sans pertes) ne peut être constitué que d'interrupteurs idéaux
et de dipôles purement réactifs donc sans la moins résistance parasite. C'est dans le domaine du
redressement de forte puissance que se développent les premiers convertisseurs statiques
destinés à remplacer les convertisseurs électromécaniques. Dans les années 1950, pour la
traction électrique, on s'oriente vers la solution - transport en alternatif + motorisation en
continu. Les convertisseurs statiques nécessaires sont réalisés à l'aide de redresseurs à vapeur
de mercure (ignitrons) ayant la même fonctionnalité que les thyristors.
Les premières diodes de puissance au silicium apparaissent en 1956 et les thyristors en 1961.
Dans les années 70, thyristors et diodes sont utilisés dans des dispositifs auto-commutés comme
les hacheurs et les onduleurs, les années qui suivent voient le développement de transistors
bipolaires de puissance qui favorise le développement d'une électronique de conversion de
faible et moyennepuissance.
Au début des années 80, les dispositifs à transistors poussent les dispositifs à thyristors vers des
puissances accrues : vers 90, les GTO ne sont plus utilisés qu'en très forte puissance ( > 1 MW)
ou pour des tensions supérieures à 2kV.
L'IGBT apparaît en 1985, d'abord dans le domaine des moyennes puissances (quelques dizaines
de kW), il supplante les transistors Darlington. Il devient dans les 10 ans qui suivent un
composant utilisable en forte puissance.
L'avènement du thyristor IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) vers 1997 dans le
domaine des tensions supérieures à 6 kV risque d'entraîner à moyen terme la disparition du
thyristor GTO.
Dans le domaine des faibles puissances, du fait de sa rapidité et de la simplicité de sa
commande, le transistor MOSFET de puissance supplante le transistor bipolaire. Grâce aux
techniques d'intégration planar et l'essor du marché du portable (téléphone, ordinateur, lecteur
CDnécessitant une électronique de conversion efficace et miniaturisée, il supplante même les
diodes dans des applications comme le redressement (redresseur synchrone).
Les composants à base de carbure de silicium(SiC) apparaissent en 2002. Ceux à base de
diamantsont encore à l'étude en 2004. Leurs fortes énergies d'ionisation permettent un blocage
de tensionplus élevée et/ou des fonctionnements à haute températurecondensateurs et
inductances. Les dipôles réactifs sont des éléments de stockage d'énergie dont la taille (et donc
le coût) est inversement proportionnelle à la fréquence de fonctionnement.
CHAPITRE I
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Introduction à l’électronique de puissance
1. Définition
L'Electronique de Puissance est la branche de l'Electrotechnique qui a pour objet
l'étude de la conversion statique d'énergie électrique (notamment les structures, les
composants, les commandes et les interactions avec l'environnement …), c'est-à-dire
l'échange d'énergie entre 2 systèmes électriques (réseaux ou actionneurs). Cette
énergie est disponible soit sous une forme alternative (réseau de distribution
électrique, alternateur …) soit sous une forme continue (batterie d'accumulateurs,
génératrice à courant continu, alimentation par caténaire …). Il est donc nécessaire
d'assurer, d'une part, une fonction de conversion de l'énergie électrique en rendant
compatible les différentes caractéristiques (tension, courant, fréquence) des 2
systèmes et d'autre part, une fonction de contrôle de cet échange d'énergie. C'est le
rôle des convertisseurs statiques. Ceux-ci utilisent des semi-conducteurs (transistors,
thyristors, diodes …) travaillant en commutation, c'est-à-dire en interrupteur (ouvert-
fermé) et des éléments réactifs (inductances, condensateurs) pour assurer un
rendement de conversion proche de 100 %.
L'Electronique de Puissance permet :
Une utilisation plus souple et plus adaptée de l'énergie électrique ;
Une amélioration de la gestion du transport et de la distribution de l'énergie électrique
Une discrétion par une réduction des masses et des volumes.
Elle est présente dans tous les grands secteurs technologiques (transport, production,
santé …).
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Nous avons les convertisseurs directs qui partant d'un réseau donné alimentent directement la
charge :
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Filtrage actif et amélioration du facteur HVDC : Transmission en courant
de puissance, continu HTA.
L'électroménager :
Variateurs divers,
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Chargeurs d'accumulateurs intelligents Conversion CC / CC TBT
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b) Commande de la motorisation des trains et voitures électrique
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CHAPITRE II
1. Les Diodes
1.1. Définition
- La tension de seuil Vo
- La résistance dynamique RD
- La capacité parasite C.
- Les diodes silicium de puissance de résistance dynamique (Le mot dynamique est
souvent employé désigner ou qualifier ce qui est relatif au mouvement. Il...) RD
faible
Elles sont utilisées dans le domaine des convertisseurs de forte puissance comme
les onduleurs de traction. Elles sont réalisées en boîtier encapsulé. La jonction qui
les constitue est de type PN (P - Intrinsèque - N). L'introduction d'une zone très
faiblement dopée permet d'obtenir une tension de blocage élevée.
- Les diodes rapides de capacité parasite C faible.
Elles ont des temps de recouvrement de l'ordre de quelques dizaines de
nanosecondes.
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une chute de tension qui dépend plus fortement du courant qui la traverse). Elles
peuvent fonctionner à des fréquences très élevées mais la tension inverse
maximale autorisée est plus faible. Pour toutes ces raisons, elles sont
principalement utilisées dans les convertisseurs fonctionnant en TBT et à
fréquence élevée : alimentations à découpage.
- Les diodes Schottky en carbure (Un carbure est un composé chimique du carbone
avec un deuxième élément chimique...) de silicium (SiC).
Elles conjuguent C très faible et une tension de blocage plus élevée que les diodes
Schottky classiques mais ces améliorations se font au détriment de l'augmentation
de VS
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1.2. Caractéristique courant tension d’une diode idéale
- Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles
que le redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, ……..)
- La diode (même idéale) est un composant non linéaire
- Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semi-
conducteurs (jonction PN ou diode Schottky)
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1.4. Limite de fonctionnement
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1.5. Diode dans un circuit et point de fonctionnement
a) Point de fonctionnement
b) Droite de charge
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1.6. Modèles Statiques à segments linéaires
b) Deuxième approximation
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c) Troisième approximation
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b) Fonctionnement d’une diode dans un de ses domaines de linéarité (D.L.)
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1.8. Application à la conversion AC /DC
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c) Redressement double alternance avec transformateur à point milieu.
2. Les thyristors
Le thyristor (ou "Diode commandée") est un semi-conducteur de structure PNPN
(P étant un semi-conducteur Positif et N négatif) assimilable à un ensemble de trois
jonctions ; il constitue un interrupteur unidirectionnel à fermeture commandée (voir
la diode). Outre l'anode A et la cathode K, il est muni d'une électrode de déblocage
ou gâchette.
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2.1. Mode de fonctionnement
Si la tension Va à ses bornes est négative, le thyristor est bloqué ; il n'est parcouru
que par un faible courant inverse. Il faut veiller à ne pas dépasser la tension inverse
maximale (risque de détérioration).
Si la tension devient positive, le thyristor reste bloqué ; il n'est parcouru que par
un faible courant de fuite direct. Il faut veiller à ne pas dépasser la tension directe
blocable à courant de gâchette nul (toujours risque de détérioration).
Si la tension Va est positive, et que l’on fait passer une impulsion de courant dans
la gâchette, le thyristor s'amorce et devient passant. Il faut veiller à ce que la durée de
l'impulsion soit suffisante pour que le courant dans le thyristor soit supérieur au
courant d'accrochage.
Quand il est conducteur, le thyristor se comporte comme une diode. Seule sa chute
de tension directe est un peu plus forte.
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Il ne se bloque que lorsque le courant direct s'annule. (En réalité, il se bloque
lorsque le courant qui le traverse devient inférieur à une valeur limite appelée
courant de maintien). Après l'amorçage, la gâchette a perdu son pouvoir de contrôle.
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On remarquera que, selon l'importance du courant de gâchette, la valeur de la
tension directe pour laquelle se produit le déclenchement est différente.
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Ve(t) est une tension sinusoïdale de valeur efficace V et de pulsation ω. Ve(t) = V √2
sin ω𝑡 Le thyristor est passant qu’à partir du moment où l’on envoie le signal de
gâchette et à la condition que la tension VAK soit positive. L’amorçage s’effectue
avec le retard tc après chaque début de période T. L’angle 𝛼 = 𝜔𝑡𝑐 s’appelle l’angle
de retard à l’amorçage.
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𝜃 ∈ [0 , 𝛼] : aucun Thyristor passant :𝑉𝑠 = 0 ; 𝑖𝑠 = 0
𝜃 ∈ [ , 𝜋] : T1 et T4 passants : 𝑉𝑆 = 𝑉𝑒 ; 𝑖𝑠 =𝑉𝑒/𝑅
𝜃 ∈ [ , 𝛼 + 𝜋] : aucun thyristor passant : 𝑉𝑠 = 0 ; 𝑖𝑠 = 0
𝜃 ∈ [𝛼 + , 2 𝜋] : T3 et T2 passants : 𝑉𝑠 = − 𝑉𝑒 ; 𝑖𝑠 = −𝑉𝑒/𝑅
𝜃 ∈ [2 , 2𝜋 + 𝛼] : aucun thyristor passant : 𝑉𝑠 = 0 ; 𝑖𝑠 = 0
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Les thyristors T1 et T4 reçoivent des impulsions à 𝜃 = 𝛼 et les thyristors T2 et T3
reçoivent des impulsions à 𝜃 = 𝛼 + .
f.1. Cas de conduction discontinue
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f.2. Cas de conduction continue :
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c) Montage PD2 mixte sur charge inductive :
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d) Le hacheur (Convertisseur DC /DC)
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h.2. Hacheur série avec lissage de courant
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• Valeurs moyennes
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g) Conduction interrompue du courant
• Fonctionnement
• Valeurs moyennes
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Hacheur parallèle ou survolteur
Principe
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h) Hacheur parallèle avec lissage de tension
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• Valeurs moyennes
Interruption de la tension
• Fonctionnement
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• Valeurs moyennes
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3. Le transistor bipolaire
Introduction
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Caractéristiques du transistor NPN
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44
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46
Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit
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Circuits de polarisation du transistor
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Modèle dynamique
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Montages amplificateurs
Amplificateur à émetteur commun (EC)
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52
53
4. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
4.1. Introduction
54
55
56
57
Modes de fonctionnement et schémas équivalents
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59
Quelques circuits de polarisation
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Montages amplificateurs
61
62
5. Critères de choix d’un semi-conducteur de puissance
5.1. Critères statique
63
5.2. Critère dynamique
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CHAPITRE III
Introduction
65
1. Théorème de Fourier
66
2. Remarques et propriétés
67
3. Spectres unilatéraux d’amplitude et de phase
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69
70
71
72
73
74
4. Identité de Parseval
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76
Références bibliographiques
[1] Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill,
Elektor,1996
http://philippe.roux.7.perso.neuf.fr/
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