*cellule solaire : Une cellule photovoltaïque est un composant électronique qui, exposé à la

lumière (photons), génère une tension électrique (volt) (cet effet est appelé l'effet photovoltaïque).
Le courant obtenu est un courant continu et la tensionobtenue est de l'ordre de 0,5 V.

Schéma d’application

* Structure d'une cellule photovoltaïque : Les cellules photovoltaïques se présentent sous la

forme dedeux fines plaques de Si dopé. Ces deux plaques sont prises en sandwich entre deux
électrodes métalliques et le tout est protégé par une vitre antiréflichissante.

*Différence entre diode PN et diode de Schottky :

*les différents types des transistors :
1) Transistor bipolaire BJT.

2) Transistor à effet de champ à jonction JFET.

3) Transistor à effet de champ à grille isolé IGFET.
4) Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde-semiconducteur MOSFET.
5) Transistor à effet de champ à structure métal-semiconducteur MESFET.

* Lois de fick :
1) Flux des impuretés : premier loi de fick :

2) Equation de transport : deuxième loi de fick :

*Types des matériaux :

1) Matériaux conducteurs : les nombres d'électrons libres très élevé et résistivité très faible.

2) Matériaux isolants: la quasi absence d'électrons libres et une très grande résistivité.

3) Matériaux semiconducteurs: l'absence d'électrons libres à 0°K et présente une résistivité "moyenne" entre le
conducteur et l'isolant.
*Types de solides :

1) Amorphes : par d’ordre défini des atomes.

2) Polycristallin : Ensemble de petites régions cristallines.

3) Cristallin : Ordre.

*Importance d'une très haute cristallinité :

Recombinaison

e + + e-  photon

Défaut profond : • Augmente la probabilité d'une rencontre .

• Réduit le temps de vie des porteurs de charge,

*La maille élémentaire : La plus petite unité da la structure du cristal, à 3D, qui montre la totale symétrie de la
structure".

La maille élémentaire est une boite avec : • 3 cotés a, b, c

• 3 angles , , 

*Les 14 structures cristalline sont possibles (14 Réseaux de Bravais) :

*Cristallographie des semi-conducteurs :

Beaucoup de matériaux semi-conducteurs cristallisent dans des structures de types diamant ou zinc blende.

1)Structure Diamant : mailles élémentaires : cfc

base : C(000), C(1/4 1/4 1/4)

2) Structure Zincblende : La plupart des semi-conducteurs III-V cristallisent dans des structures cristallines de type
zincblende ou wurtzite.

mailles élémentaires : cfc

base : Zn(000), S(1/4 1/4 1/4)

*Les imperfections :

• Vibration thermique du réseau

•Point de défauts

- défaut de vacance: Un atome peut manquer d'un site particulier du réseau.

- défaut interstitiel : Un atome peut être situé entre site du réseau.

•Dislocation: Une rangée entière d’atomes n’est pas à sa position normale dans le réseau.
*Liaisons chimiques :

*Techniques de fabrication des cristaux semi-conducteurs :

1) Dans le cas du Croissance à la température de fusion

• Bridgman horizontale

• Fusion de zone (+purification)

• Czochralski

2) Dans le cas du Croissance à une température inférieure à la température de fusion

• Epitaxie en phase liquide (LPE)

• Epitaxie en phase vapeur (VPE)

• Epitaxie par jets moléculaires (MBE)

 *Une diode à jonction PN : est un dispositif électronique constitué d'une jonction entre une région de type P
(pôle positif) et une région de type N (pôle négatif) d'un matériau semi-conducteur, généralement du silicium ou
du germanium.

La diode à jonction PN présente des propriétés de conduction unidirectionnelle, ce qui signifie qu'elle permet le
passage du courant électrique dans une direction spécifique et bloque le courant dans l'autre direction. Cela est
dû aux caractéristiques de la jonction PN :

1. Polarisation directe : Lorsque la diode est polarisée en direct, c'est-à-dire que la borne positive est connectée
au côté P et la borne négative au côté N, la tension appliquée réduit la barrière de potentiel à la jonction PN.
Cela permet aux porteurs de charge (électrons du côté N et trous du côté P) de se recombiner à la jonction,
créant un courant de diffusion qui traverse la diode. Dans cette configuration, la diode a une faible résistance et
conduit le courant électrique.

2. Polarisation inverse : Lorsque la diode est polarisée en inverse, c'est-à-dire que la borne positive est
connectée au côté N et la borne négative au côté P, la tension appliquée augmente la barrière de potentiel à la
jonction PN. Cela empêche les porteurs de charge de se recombiner à la jonction et bloque le courant électrique.
Dans cette configuration, la diode a une résistance élevée et ne laisse passer qu'un courant de fuite très faible,
généralement dû aux impuretés et aux courants de diffusion négligeables.

La diode à jonction PN est largement utilisée dans de nombreuses applications électroniques, notamment en tant
que redresseur pour convertir le courant alternatif en courant continu, comme protection contre les surtensions,
dans les circuits de commutation, les capteurs optoélectroniques, etc. Sa caractéristique de conduction
unidirectionnelle en fait un composant essentiel pour la manipulation et le contrôle du courant électrique dans les
circuits électroniques.