20/03/2017

Université Hassan 1er

Faculté des Sciences et techniques
- Settat -

Département GE&GM
Cycle Ingénieur
Télécommunications et Systèmes Embarqués
Semestre 2

Electronique Analogique

Chapitre 3 :
Transistors à effet de champ MOSFET

Pr. Abdelmajid FARCHI

Transistors à effet de champ à jonction

• Principe
On les désigne par TEC ou par FET (field effect transistor). On trouve aussi
l’appellation plus complète mais un peu vieillie de JFET (junction field effect
transistor).
Ce composant est formé d’un barreau de semi-conducteur dont les extrémités
sont la source (S) et le drain (D). Une jonction, normalement bloquée, est créée
par la grille (G).

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Transistors à effet de champ à jonction

• symboles normalisés des JFETs
Selon la nature du dopage du barreau, on distingue les JFETs canal N ou canal P.
Suivant la tension appliquée entre grille et source, le canal situé entre drain et
source va plus ou moins se rétrécir et en conséquence le courant va être
modifié.
Comme la jonction de grille est bloquée, il n’y a aucun courant qui circule dans
cette électrode.

Transistors à effet de champ à jonction

• Caractéristiques du transistor JFET
La figure suivante représente les caractéristiques de transfert
= ( ) à gauche, et de sortie = ( , ) à droite.

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Transistors à effet de champ à jonction

• Caractéristiques
Si VGS = VP , dans tous les cas, quelle que soit la tension VDS , le courant dans le
canal sera nul. En effet, une tension VDS non nulle ne fera que renforcer le
phénomène de pincement.
Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |VGS
| sera plus élevée.
Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source
nulle.
Ce réseau de courbes est borné en bas (ID = 0, VGS = VP ), et en haut (ID = IDSS
, VGS = 0). IDSS est la valeur maximale du courant de drain qui peut circuler
dans le composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA à quelques
dizaines de mA pour les FETs courants. La tension de pincement VP est de
l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 à -8V).

Transistors à effet de champ à jonction

• Caractéristiques

• La caractéristique de transfert IDS = f (VGS) résume bien les limites du FET :

courant de drain nul pour une tension VGS égale à la tension de pincement
VP, et courant maxi IDSS pour une tension VGS nulle. La courbe est assez
bien approximée par une parabole d'équation :
2
æ V ö
I D = I DSS çç1 - GS ÷÷
è VP ø
• En pratique le courant ID dépend aussi dans la zone du plateau de la
tension VDS, on fait intervenir un autre paramètre caractéristique du
transistor JFET dite l, (-1/l point de rencontre de toutes les
caractéristique ID en fonction de VDS).
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æ V ö
I D = I DSS çç1 - GS ÷÷ (1 + lVDS )
è VP ø

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Le MOSFET à appauvrissement

Description

La grille n'est pas directement reliée au substrat P ; elle en est isolée par
l'intermédiaire d'une très fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de
silicium). Cette caractéristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde
Semiconductor.
La grille est ainsi isolée du substrat : le courant de grille sera nul en continu.

Le MOSFET à appauvrissement

Principe du fonctionnement.

Pour VGS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain pourra
circuler ; quand VDS augmente, un phénomène de pincement se produit, qui obstrue le
canal : le courant de drain devient constant.
Au contraire, pour VGS supérieure à 0, on retrouve le fonctionnement du MOS à canal
induit, et le courant de drain va croître.

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Le MOSFET à appauvrissement
Caractéristiques du MOS à appauvrissement.

Le MOSFET à appauvrissement

Principe du fonctionnement.

Pour la zone de saturation du courant de drain ID lorsque : VDS ≥ VDSAT = |VGS -VT|
l’évolution du courant de drain est encore donnée par l’équation :

æW ö mCOX
I D = K ç ÷(VGS - VT ) (1 + l VDS )
1
K= et l =
2
avec
èLø 2 VA

VT : tension de seuil de conduction

W : largeur du canal du transistor, L: longueur du canal
VA : tension d’Early du transistor
m : mobilité des électrons dans le canal
Cox : capacité de l’oxyde par unité de surface

Remarque : La tension VGS peut être positive et dans ces conditions le transistor
MOS entre dans une zone dite : mode “enrichissement”
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Le MOSFET à appauvrissement

Symboles .

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MOSFET à enrichissement
Description.
Dans un substrat faiblement dopé P, on insère deux zones N fortement dopées. Ces
deux zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une
dizaine de µm (séparées par le substrat P). La source est généralement reliée au
substrat.
La grille n'est pas directement reliée au substrat P ; elle en est isolée par l'intermédiaire
d'une très fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette
caractéristique donne son nom au MOSFET : Métal Oxyde Semi-conducteur.
La grille est ainsi isolée du substrat : le courant de grille sera nul en continu

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MOSFET à enrichissement
Description.

L’ensemble grille, oxyde et canal forme alors une capacité Cox par unité de surface telle
que :

e 0e SiO2
C ox = avec e0=8,85 10-14 F cm-1 et eSiO2 = 3,9
eOX

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MOSFET à enrichissement
Principe de fonctionnement
Si VGS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est composé
de deux jonctions en série, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'électrode de grille, l'isolant et le
substrat P forment un condensateur.

Ce mode de fonctionnement est appelé à enrichissement, car une tension VGS

positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du
courant.
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MOSFET à enrichissement
Caractéristiques

La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 à 3V typique). Ce seuil varie avec la

température.
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MOSFET à enrichissement
Caractéristiques
On distingue donc trois régions sur les caractéristiques de sortie ID = f(VDS) à VGS
constant :

La zone de saturation du courant de drain ID pour VDS≥ VDSAT où :

æW ö
[
I D = K ç ÷ (VGS - VT ) (1 + lVDS )
èLø
2
] avec K =
mCOX
2
La zone de coude pour VDS < |VGS-VT |où :
æW ö
[
ID = K ç ÷ 2(VGS - VT ) - VDS2
L
è ø
2
]
La zone ohmique dans laquelle le courant ID est donné par :

ID = K [2(VGS - VT )VDS ]

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MOSFET à enrichissement
Symboles

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MOSFET à enrichissement
MOSFET monté en diode

On utilise un transistor MOS fonctionne dans la zone de saturation, la tension

VDS=VGS>[VGS-VT|, on relève la caractéristique suivante, le transistor se comporte
comme une source de courant avec une résistance dynamique variable

æW ö
ID = K ç ÷(VGS - VT )
2

è Lø

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Exercice 1
• On considère le montage de la figure 1, le
transistor utilisé est un transistor JFET qui
possède un courant IDSS= 1,6 mA, et une
tension de pincement VP=-4V.
1. On donne VDD=+9V, RS=3,9KW, RD=1,2KW,
R1=47KW, R2=18KW.
2. Calculer la tension par rapport à la masse
de la Grille.
3. Déterminer VGS et calculer le courant ID.
4. En déduire la tension VDS.

Exercice 2
On considère le circuit de la figure 1, Q1 et Q2 sont deux transistors MOSFET à
enrichissement et Q3 est un transistor MOSFET à déplétion le tableau suivant résume
les caractéristiques physiques des trois transistors :

K (W/L) VT

Q1 50mAV-2 4 3V
Q2 50 mAV-2 2 3V
Q3 50 mAV-2 2 -1V

1. Ecrire les expressions des courants de drain de

chaque transistor en fonction de la tension VGS.
2. Calculer les tensions VGS de chaque transistor ?
3. En déduire alors le courant ID1.

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Exercice 2
Donner le potentiel de chacun des nœuds
et le courant circulant dans chacune des
branches de ce circuit.
On prend R1 = R2 = 5 MΩ, VDD=3.3V
RD = RS = 10 kΩ,
W = 30 µm, L = 1 µm et λ = 0.
Expliquer le choix des valeurs de R1 et R2 .

Caractéristiques du transistor alimenté par 3.3V

K (uAV-2) VT
Q1 175 0,46V

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