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CHAPITRE VI TRANSISTORS UNIPOLAIRES LA THEORIE, LA CONSTRUCTION ET LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS UNIPOLAIRES La constitution du transistor unipolaire La dfinition du JFET et MOSFET FET = Field Effect Transistor TEC = Transistor Effet de Champ JFET = Junction Field Effect Transistor TECJ = Transistor Effet de Champ Jonction MOSFET = Metal Oxide Semiconductor FET MOSFET = Transistor MOS MOSFET est aussi appel FET Grille isole 2 Types de transistor JFET JFET canal n JFET canal p 2 Types ou Catgories de transistor MOSFET
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MOSFET Appauvrissement canal n NMOS canal p PMOS ( Depletion ou D-MOSFET) MOSFET Enrichissement ( Enhancement ou E-MOSFET) Notes *Le FET est un lment sensible la tension de Grille-Source. Le BJT est un lment sensible au courant de Base. Substrat n NMOS Substrat p PMOS

*Le fonctionnement du BJT repose sur les lectrons ET les trous (2 types de charges)
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Bipolaire (Porteurs Majoritaires et Minoritaires). *Le fonctionnement du FET repose sur les lectrons OU les trous (1 type de charge) Unipolaire (Porteurs Majoritaires). *Les FET et les BJT ont des diffrences et des similarits Plusieurs rsultats trouvs dans les BJT sont utiliss dans les FET. *Exemple pratique Un dtecteur de fume comprend une chambre contenant une pastille radioactive. Lorsque des particules de fume entre dans la chambre et frappe la pastille radioactive du dtecteur de fume, des lectrons sont gnrs et collects pour donner une tension dtectable. Le BJT (un lment sensible au courant de base) ne peut tre utilis car les lectrons gnrs sont insuffisants pour activer le courant de base. Par contre le FET qui est un lment sensible la tension peut dtecter et amplifier cette tension dtectable.

La comparaison des BJT et FET Les avantages Limpdance dentre du FET est trs leve (de 10 M centaine de M ) (Z in MOSFET >> Z in JFET) La dimension du FET est petite par rapport BJT Le FET est beaucoup plus stable avec la temprature que le BJT Le FET gnre moins de bruit que le BJT Le FET est moins sensible aux radiations que le BJT
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Les dsavantages Pour une tension donne, le BJT est beaucoup plus sensible que le FET A v du BJT > A v du FET La rponse en frquence des FET est mauvaise cause de la prsence dune capacit lentre Le FET est trs sensible llectricit statique Sensible la manipulation ( handling ). Moins fiable que les BJT. Le JFET et MOSFET, un lment trois terminaux et quatre terminaux 1) Le JFET est un lment compos de semi-conducteur formant un canal et une jonction de contrle (1 des semi-conducteurs agit comme le substrat) JFET canal n Le canal est du type n La jonction de contrle du type p JFET canal p Le canal est du type p La jonction de contrle du type n Le JFET est un lment ou composant trois lectrodes ou terminaux. 2) Le MOSFET ressemble au JFET avec la diffrence que le substrat ( Body ) est spar de la grille ou la grille est isole du substrat. NMOS
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Le canal ou le substrat est du type n


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La jonction de contrle du type p PMOS Le canal ou le substrat est du type p La jonction de contrle du type n Le MOSFET est un lment ou composant quatre lectrodes ou terminaux. Notes *Le FET canal n est utilis plus que le canal p cause de la mobilit des lectrons versus celle des trous. *Le canal et la jonction ont des contacts mtalliques pour tre relis au monde externe. *Lexistence de 2 types complmentaires de FET ( canal n et p) permet une plus grande flexibilit dutilisation et de conception de circuits lectroniques. Dpendant de lalimentation on aura besoin dutiliser le n ou le p. Pour certaines applications, on aura besoin dutiliser les 2 types de transistor, le canal n et le canal p.

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Les diffrents types de transistors La reprsentation schmatique du JFET et MOSFET JFET

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JFET canal n Prsence de 3 lectrodes (S, G et D). MOSFET Appauvrissement

JFET canal p

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MOSFET canal n Enrichissement

MOSFET canal p

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MOSFET canal n Prsence de 4 lectrodes (S, G, D et le substrat). 6.1.1.1.

MOSFET canal p

La dfinition du drain, de la source et de la grille (BJT) E = metteur, (BJT) B = Base, (BJT) C = Collecteur Non Applicable

S = Source G = Grille, D = Drain SS = Substrat

Notes *Pour le MOSFET Enrichissement, bien quil n y a pas de canal on utilise la terminologie canal n et canal p. * Pas de canal pour le MOSFET Enrichissement. 6.1.1.2. Le symbole du JFET et MOSFET et les conventions de courants et de tensions JFET
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canal n

canal p

JEFT canal n I D pour V GS ngative < V GS 0 (V DS > 0) JFET canal p I D pour 0 V GS > V GS positive. (V DS < 0) Le substrat est normalement reli la Source linterne du composant. MOSFET Appauvrissement

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canal n Enrichissement

canal p

canal n Les MOSFET Appauvrissement et Enrichissement


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canal p

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Les 2 types de MOSFET Le MOSFET Appauvri ou en Dpltion Le MOSFET Enrichi. Diffrence entre le MOSFET Appauvri et Enrichi MOSFET Appauvri Existence de canal MOSFET Enrichi Pas de canal. NMOS Appauvri I D pour V GS ngative < V GS < V GS positive NMOS Enrichi I D pour V GS > 0. PMOS Appauvri I D pour V GS ngative < V GS < V GS positive PMOS Enrichi I D pour V GS < 0. Notes *Le JFET a presque les mmes caractristiques que le MOSFET Appauvrissement avec la diffrence suivante JEFT canal n I D pour V GS ngative < V GS 0 NMOS Appauvri I D pour V GS ngative < V GS < V GS positive
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Puisque V GS ngative < V GS < V GS positive, le MOSFET Appauvrissement fonctionne en mode appauvri ou enrichi. JFET canal p I D pour 0 V GS < V GS positive. PMOS Appauvri I D pour V GS ngative < V GS < V GS positive *Les diffrents types de botiers des transistors sont donns lannexe.

La construction physique du JFET et MOSFET La reprsentation schmatique du JFET facilite la comprhension de son fonctionnement mais la structure physique planaire est un peu diffrente de la reprsentation schmatique. Les circuits planaires qui suivent sont ceux de JFET et MOSFET.

JFET
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MOSFET Appauvrissement

MOSFET Enrichissement

Le fonctionnement du JFET et MOSFET JFET canal n Note *La reprsentation schmatique du JFET facilite la comprhension de son fonctionnement. Pour lexplication du fonctionnement du JFET, analysons le JFET canal n. Prenons un semi-conducteur du type n et appelons lun des bouts comme Source (S) et lautre Drain (D). Lorsquon applique une diffrence de potentiel V DS positive entre ces 2 bouts, il y aura un courant
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circulant de D S (le semi-conducteur agit comme une rsistance et la courbe V DS et I D est une droite passant par lorigine avec une pente proportionnelle aux caractristiques du semi-conducteur). Ajoutons les semi-conducteurs du type p appels les Grille (G). Il y aura formation de diodes formation de 2 zones dappauvrissement du ct du Drain et de la Source (voir la figure qui suit).

Sans polarisation

Avec Polarisation

Le transistor est principalement form dun canal et dune jonction de contrle. La largeur du canal est dtermine par la largeur des zones de dpltion. 6.1.1.3. Le JFET non polaris

Lorsque le JFET est non polaris, nous aurons 2 zones dappauvrissement entre la partie infrieure du canal (Source), la partie suprieure du canal (Drain) et les jonctions Grille.
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Le JFET polaris (POUR LTUDE VOIR LA COURBE I D VERSUS V DS )

1) V GS = 0

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Situation 1 V DS = V DD > 0 (Petites tensions). Note *Les valeurs des petites tensions dpendent du FET utiliss. La jonction de la partie infrieure de canal (Source-Grille) nest pas polarise mme zone de dpltion quen cas du JFET non polaris La jonction de la partie suprieure du canal (Drain-Grille) est polarise inversement la zone de dpltion est largie rduisant la largeur du canal (Le semi-conducteur prsente une certaine rsistance). Situation 2 0 < V DS < -V P (V P Tension ngative = Tension dtranglement)

La jonction de la partie infrieure de canal (Source-Grille) nest pas polarise mme zone de dpltion quen cas du JFET non polaris La jonction de la partie suprieure du canal (Drain-Grille) est polarise inversement la zone de dpltion est largie jusqu la fermeture du canal
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(La rsistance du semi-conducteur commence changer). Note *Lorsque V DS = -V P , le courant naugmente plus et reste presque constant. On dit que le canal est trangl et V P = Tension dtranglement Canal trangl I D 0 et non 0. Situation 3 V DS = V DD > -V P Le courant est pratiquement constant et est satur une valeur I D = I DSS . Le courant I DSS (avec V GS = 0) est le courant maximum que le JFET peut produire en fonctionnement normal.

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2) V P < V GS < 0 (V GS ngative)

Situation V DS = V DD > 0 Mme raisonnement que le cas avec V GS = 0, avec I D satur < I DSS . 3) V GS = V P Situation V DS = V DD > 0

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I D = 0 quelque soit la valeur de V DS . Notes 1) Pour V GS = 0 *Lorsque V DS = -V P = V DS SAT I D = I DSS (Zone active). * V DS SAT (pour V GS donne) = V GS -V P (pour chaque V GS une valeur de V DS SAT )

*Lorsque V DS = -V P les 2 couches de dpltion de la partie suprieure (Drain) se rapprochent et se touchent. *Pour V DS > -V P la couche de dpltion de la partie suprieure (Drain) se rpartie et augmente la rsistance effective du canal de conduction I D reste essentiellement constant Niveau de saturation (I D 0). *Bien que les zones de dpltion de la partie suprieure se touche, la diffrence de potentiel aux bornes de cette rsistance effective cre un champ intense permettant le passage des lectrons.

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*Pour comprendre comment le courant reste constant, imaginer 2 rsistances en srie de 1 et dune rsistance x variable. Pour V DS >-V P la rsistance variable change de valeur de telle sorte que I D reste constant.

2) Pour V P < V GS < 0 *Le niveau de saturation du courant diminue (I D < I DSS ). 3) Pour V GS = V P *Le canal est compltement bloqu et le courant I D ~ 0. Pour V GS = 0 et V DS > - V P I D = I DSS , alors le JFET peut tre reprsent comme une source de courant gale I DSS
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*Puisque la Grille est toujours en polarisation inverse, le courant I G ~ 0 Limpdance dentre est leve. Une courbe gnrale des situations mentionnes est donne par

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