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Plan du cours
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Historique de l lectronique Transistor bipolaire et Transistor effet de champ Fabrication des circuits intgrs Amplificateurs oprationnels Filtres actifs et filtres capacit commute Oscillateurs Boucle verrouillage de phase (PLL) Convertisseurs Analogiques Numriques Amplificateurs de puissance
Pr. Jamal EL ABBADI
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1895 : H.A. Lorentz postule l existence de charges discrtes lmentaires lectrons Deux ans aprs 1897 : Braun a ralis le premier tube rayon cathodique (tube CRT) 1904 : Fleming a invent deux lments, la diode (valve) et triode utilisant l effet edisson 1906 : Pickard utilise un cristal silicium avec un fil press l intrieur , ralisant une premire diode demi conducteur Les premires utilisations des tubes vides taient la tlphonie et les radio communications
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1912 : cration de l IRE (Institute of Radio Engineers) L AIEE (American Institute of Electrical Engineers) a t cre en 1884 Les deux associations deviennent en 1963 un seul organisme dite IEEE (Institute of Electrical and Electronic Engineers) L aire des semi-conducteurs a commenc avec l invention du transistor en 1948 Kilby (Texas Instruments) annonce le premier circuit intgr en convention avec L IRE en 1959 1961 : Ralisation du premier circuit intgr TTL numrique 1964 : Ralisation du premier circuit analogique (AOP)
Pr. Jamal EL ABBADI
1960: Bell Laboratories invente le transistor MOS 1970 : ralisation des RAM CMOS A partir des annes 1970: introduction des circuits intgrs base de transistors MOS volution de la densit d intgration
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1960 : Small Scale Integration SSI (moins de 100 comp/chip) 1966 : Medium Scale Integration MSI (100 1000 Comp/Chip) 1969 : Large Scale Integration LSI (1000 10000 Comp/Chip) 1975 : Verry Large Scale Integration VLSI (plus de 10000 Comp/Chip)
Chapitre 1
Transistor bipolaire et Transistor Effet de Champ
Transistor bipolaire
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Un transistor bipolaire est constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N et P, formant deux jonctions PN.
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soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP. soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.
TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR PNP
Montages de base
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Emetteur commun . L'entre est la base et la sortie le collecteur. Base commune . L'entre est l'metteur et la sortie le collecteur. Collecteur commun . L'entre est la base et la sortie l'metteur.
Caractristique d'entre.
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La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) @ V CE = cte. En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une diode. Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la donne en gnral pour une seule valeur de VCE.
Caractristique de transfert.
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La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte. La caractristique de transfert est donc une droite; le transistor est un gnrateur de courant command par un courant. Le b du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 500 pour des transistors de signal.
I C = I CEo + bI B
Courant de fuite
Caractristique de sortie
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La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) @ IB = cte. En pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.
Limites d'utilisation
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Ce domaine sera limit par trois paramtres le courant collecteur maxi ICMax la tension de claquage VCEMax la puissance maxi que peut supporter le transistor
Modes de fonctionnement
Les divers cas de fonctionnement du transistor dpendent des valeurs des tensions aux jonctions BE et BC. Si l on considre l tat bloqu et l tat passant de chaque jonction, on dnombre quatre modes de fonctionnement possibles : le transistor est bloqu lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse ; le transistor est en fonctionnement normal direct lorsque la jonction de commande BE est en polarisation directe et que la jonction BC est en polarisation inverse ;