Vous êtes sur la page 1sur 92

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-1

Electronique

Numérique

A.

Oumnad

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-2

Sommaire

I Rappels

I.1

I.2

I.3

I-5

Diviseur de tension

I-5

Diviseur de courant

I-5

Cellule RC

I-5

I.3.1 RC Passe bas

I-5

I.3.2

Réponse à un échelon

I-5

I.3.3 RC passe haut

I-6

II Composants en commutation

II.1

II-9

Caractéristiques d'un commutateur

II-9

II.2

La diode en commutation

II-10

II.2.1 Comportement dynamique d’une diode

II-11

II.3 Transistor bipolaire en commutation

II-11

II.3.1

II.3.2

II.3.3

Temps de commutation

II-14

Commande dynamique d'un transistor de commutation

II-15

Application : Multivibrateur Astable

II-16

II.4 Transistor MOS à enrichissement

II-18

II.4.1

Commutateur analogique (porte analogique)

II-18

II.5 Amplificateur opérationnel

II-19

II.5.1

II.5.2

II.5.3

II.5.4

Fonctionnement en boucle ouverte, COMPARATEUR

II-19

Fonctionnement en comparateur à seuil unique

II-20

Fonctionnement en contre réaction positive

II-20

Application : Multivibrateur astable

II-22

II.6 Le Timer 555

II-22

II.6.1

II.6.2

Utilisation en monostable

II-23

Fonctionnement en ASTABLE

II-25

III

Les familles des Circuits logiques

III-26

III.1

III.2

III.3

III.4

III.4.1

III.4.2

Notations (abréviations de termes anglo-américains)

III-26

Model fonctionnel simplifié d'une porte logique

III-27

Nomenclature commerciale des circuits

III-27

Famille TTL (Transistor Transistor Logique)

III-29

Variantes de la famille TTL

III-29

Alimentation et température de fonctionnement :

III-30

III.4.3

III.4.4

III.4.5

Série TTL standard

III-30

Niveaux logiques de la famille TTL Standard

III-32

Immunité au bruit :

III-32

III.4.6

III.4.7

III.4.8

III.4.9

III.4.10

III.4.11

III.4.12

III.4.13

III.4.14

III.4.15

III.4.16

III.4.17

III.4.18

Courant d'entrée Ii de la porte standard

III-33

Courant de sortie Io de la porte standard

III-33

Sortance (Fan out)

III-34

Courant de court circuit

III-34

Courant d'alimentation et puissance consommée

III-34

Temps de propagation

III-35

Portes à sortie collecteur ouvert (OC : Open Collector)

III-35

Porte à sortie 3 états (tri-state)

III-35

Porte à entrée Trigger de Schmitt

III-36

Variante TTL Schottky ou TTL-S

III-38

Variante TTL Low Pwer Schottky ou TTL-LS

III-38

Variantes TTL avancée AS et ALS

III-39

Variante TTL-F ou TTL Fast

III-39

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-3

III.4.19

III.4.20

Performances typiques de la technologie bipolaire

III-39

Caractéristiques de sortie de quelque famille TTL

III-40

III.5

III-41

III.5.1

III.5.2

III.5.3

III.5.4

III.5.5

Les Familles CMOS (Complementary MOS) Série 4000

III-41

Porte analogique

III-43

Série High speed CMOS : HC, HCT, AHC et AHCT

III-46

Caractéristiques typiques des technologies CMOS et HCMOS

III-46

La Technologie BiCMOS : BCT et ABT

III-47

III.5.6

III.5.7

Familles Low voltage

III-49

Positions comparées des familles logiques

III-50

IV

Circuits

IV-51

IV.1 Les

IV.1.1

combinatoires usuels multiplexeurs

IV-51

Choix d'une voie (entrée) parmi N

IV-51

IV.1.2

Choix

d'un mot parmi N

IV-51

IV.1.3

Exemple de multiplexeur du commerce

IV-53

IV.2 Les démultiplexeurs

 

IV-53

IV.2.1

Démultiplexeur 1 parmi 4

IV-53

IV.2.2 Les décodeurs

 

IV-54

IV.2.3

Exemple de démultiplexeur du commerce

IV-54

IV.3 Les comparateurs

 

IV-55

IV.3.1 Comparateurs du commerce

IV-55

IV.4 Les additionneurs

IV-57

IV.4.1

Additionneurs à propagation de la retenue

IV-57

IV.4.2

IV.4.3

Additionneur à retenue

IV-58

Additionneurs du commerce

IV-58

IV.5

Unité arithmétique et logique (ALU)

IV-59

IV.6

Décodeurs BCD-7 segments

IV-59

IV.6.1 Pilotage

des

afficheurs

IV-61

IV.6.2

IV.6.3

Pilotage des afficheurs Anode

IV-61

Pilotage des afficheurs Cathode

IV-62

IV.6.4 Décodeur BCD-7 segments du commerce

IV-62

V

CIRCUITS SEQUENTIELS USUELS

V-64

V.1 Les Bascules

 

V-64

V.1.1

La Bascule

RS

V-64

V.1.2

La Bascule

RSH

V-64

V.1.3

La Bascule JK et JKH

 

V-65

V.1.4

La Bascule

réagissant sur front d’horloge

V-65

V.1.5

Bascule JK

réagissant au front descendant

V-65

V.1.6

Exemple de détecteur de Front

V-66

V.1.7 Bascule

V.1.8 Bascule

V.1.9 Bascule

RS Maître Esclave

V-67

JK Maître Esclave

V-67

D

V-67

V.1.10

Les entrés de forçage CLear et Preset

V-67

V.2 Les registres

 

V-68

V.2.1

V.2.2

Les registres à réaction sur fronts

V-68

Les Registres Latches

V-70

V.3

Les registres à décalage

 

V-70

V.3.1

Registres à décalage entrée parallèle sortie parallèle

V-71

V.4 les compteurs

 

V-72

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-4

V.4.1

Les

compteurs Asynchrones

V-72

V.4.2

Les

Décompteurs Asynchrones

V-73

V.4.3

Les

Compteurs/Décompteurs Asynchrones

V-74

V.4.4

Comptage incomplet

V-74

V.4.5

Mise en cascade des compteurs Asynchrone

V-75

V.4.6

Les compteurs Synchrones

V-76

VI

VI.1

Les mémoires

VI-81

Hiérarchie des mémoires dans un ordinateur

VI-81

VI.2

Classement des mémoires selon l'Utilisation

VI.2.1

VI.2.2

VI-81

Mémoire vive ou RAM

VI-81

Mémoire Morte ou ROM

VI-82

VI.2.3

Mémoire

MORTE PROGRAMMABLE ou PROM

VI-82

VI.2.4

Mémoire morte reprogrammable ou EPROM

VI-82

VI.2.5

Mémoire

Mémoire

MORTE EFFAÇABLE électriquement ou EEPROM

VI-82

VI.2.6

FLASH

VI-83

VI.2.7

Cellule statique d'une mémoire vive

VI-83

VI.2.8

Cellule dynamique d'une mémoire vive

VI-85

VI.2.9

Cellule d'une mémoire ROM

VI-86

VI.2.10

Cellule d'une mémoire PROM

VI-87

VI.2.11

Cellule d'une mémoire EPROM et EEPROM

VI-88

VI.3 Organisation

par mot

VI-88

VI.3.1

Capacité d'une mémoire

VI-89

VI.3.2

Entrée de sélection de boîtier

VI-90

VI.3.3

Augmentation de capacité mémoire par association de plusieurs boîtiers .VI-90

VI.4

Cycle de lecture

VI.4.1

VI.4.2

VI-91

Cycle d'écriture

VI-92

Les barrettes SIM et DIM

VI-92

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-5

I

I.1

I.2

RAPPELS

Diviseur de tension

V =

V

R2

V1

R1+R2

Diviseur de courant

I

1

I

2

R V V 2 I 2 1 R R R R 1 2 1 2
R
V
V
2
I
2
1
R
R
R
R
1
2
1
2
R
V
V
1
I
1
2
R
R
R
R
1
2
1
2

R1

V =

V1

R1 V R2
R1
V
R2

V2

R2

V1

R1+R2

+

R1

R1+R2

R2R 1 2 1 2 R1 V = V1 R1 V R2 V2 R2 V1 R1+R2

V1

V2

V2

V3

V

V1

R1 R3 V R2 V2 V1 V3 V2 + + R1 R2 R3 = 1
R1
R3
V
R2
V2
V1
V3
V2
+
+
R1
R2
R3
=
1
1
1
+
+
R1
R2
R3
I I1 I2 R2 R1
I
I1
I2
R2
R1
R 2 I 1 R R 1 2 R 1 I 2 R R 1
R
2
I
1
R
R
1
2
R
1
I
2
R
R
1
2

I

I

I.3

Cellule RC

I.3.1

RC Passe bas

I.3.2

Réponse à un échelon

L'équation de toute charge ou décharge d'une capacité peut s'écrire sous la forme suivante.

V

t ( ) t V V V e 0
t
( )
t
V
V
V
e
0
sous la forme suivante. V t ( ) t V V V e 0 Dans notre
sous la forme suivante. V t ( ) t V V V e 0 Dans notre

Dans notre cas V =E, Vo=0, =RC : Constante de temps.

Vs(t)=E(1-e -t/ )

est le temps que met le signal Vs pour atteindre 63% de sa valeur finale,Vo=0, =RC : Constante de temps. Vs(t)=E(1-e - t / ) en effet : Vs( )=E(1-e

en effet : Vs( )=E(1-e - / )=E(1-1/e)=0,63E Ne pas confondre avec le temps de montée Tr (Rising Time) qui correspond au temps que met le signal pour passer 0,1E à 0,9E. On retiendra la règle suivante :

pour passer 0,1E à 0,9E. On retiendra la règle suivante : Vs Ve R C Ve
pour passer 0,1E à 0,9E. On retiendra la règle suivante : Vs Ve R C Ve
pour passer 0,1E à 0,9E. On retiendra la règle suivante : Vs Ve R C Ve
Vs Ve R C Ve E t t=0 Vs E t
Vs
Ve
R
C
Ve
E
t
t=0
Vs
E
t

t=0

Fig. I-1 : Réponse à un échelon d'une cellule RC passe bas

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-6

Plus

RC=

Plus RC= faible Plus la réponse est rapide

faible

Plus RC= faible Plus la réponse est rapide

Plus

la réponse est rapide

I.3.2.1

Réponse à un rectangle

[to,t1[la réponse est rapide I.3.2.1 Réponse à un rectangle Charge de la capacité Vs(t)=E(1-e - t

réponse est rapide I.3.2.1 Réponse à un rectangle [to,t1[ Charge de la capacité Vs(t)=E(1-e - t

Charge de la capacité

Vs(t)=E(1-e -t/ ) (t o origine du temps)

Vs(t)=E(1-e - t / ) (t o origine du temps) t > t1 Décharge de la

t > t1

- t / ) (t o origine du temps) t > t1 Décharge de la capacité

Décharge de la capacité V s = V o e -t/

(t1 Origine du temps ) V o = E(1 - e -T/

)
)

On retiendra que :

du temps ) V o = E(1 - e - T / ) On retiendra que

plus

plus = RC est faible plus le signal de sortie ressemble au signal d'entrée

= RC est faible

plus = RC est faible plus le signal de sortie ressemble au signal d'entrée

plus le signal de sortie ressemble au signal d'entrée

Ve T E t to t1 Vs E Vo t to t1
Ve
T
E
t
to
t1
Vs
E
Vo
t
to
t1

Fig. I-2 : Réponse à un rectangle d'une cellule RC passe bas

I.3.3

I.3.3.1

RC passe haut

réponse à un échelon

On entendra souvent : La capacité transmet les fronts de tension, qu'est ce que cela voudrait il dire? Pour le savoir, on va faire l'analyse de ce qui se passe après l'instant to sachant les choses suivantes :

Ve = Vc + Vs

Ve = Vc + Vs

Au

repos (t < t o ), aucun courant ne circule dans le

circuit RC. Une capacité ne peut pas se charger instantanément.

circuit RC. Une capacité ne peut pas se charger instantanément.

On peut donc affirmer les résultats suivants :

On peut donc affirmer les résultats suivants : à t = to - déchargée). à t
On peut donc affirmer les résultats suivants : à t = to - déchargée). à t

à t = to -

déchargée).

à t = to +

résultats suivants : à t = to - déchargée). à t = to + Ve=0, V
résultats suivants : à t = to - déchargée). à t = to + Ve=0, V

Ve=0,

V R = Vs = 0

à t = to - déchargée). à t = to + Ve=0, V R = Vs

Ve = E, Vc = 0,

Vc = 0, (capacitéà t = to + Ve=0, V R = Vs = 0 Ve = E, Vc

Vs = Vc - Ve = E

Donc on voit bien que le front de tension apparu à l'entrée du montage se retrouve à la sortie. Il est évident que les choses ne restent pas ainsi, (On a dit que la capacité ne se chargeait pas instantanément, mais on n'a pas dit qu'elle ne se chargera jamais) Donc la capacité se charge avec la constante de temps RC.

Vc(t) = E(1 - e -t/

)
)

Vs(t) = E - Vc(t) = Ee -t/

Vc C R Ve
Vc
C
R
Ve

Vs

Ve E t to E Vc Vs t
Ve
E
t
to
E
Vc
Vs
t

to

Vs(t) = E - Vc(t) = Ee - t / Vc C R Ve Vs Ve

Fig. I-3 : Réponse à un échelon

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-7

On peut essayer d'aborder le phénomène de transmission de fronts de tension sur un aspect différent, en effet, l'Impédance (module) d'une capacité est :

Zc

1 1 C C 2 f
1
1
C
C
2 f

Donc cette impédance est quasiment nulle pour les hautes fréquences, or justement un front de tension équivaut à une fréquence très élevée (Variation très rapide) La capacité se comportera donc comme un court-circuit (bout de fil en cuivre) pour les fronts de tension qui lui sont appliqués. C'est l'approche qui consiste à faire l'étude de la réponse harmonique d'un filtre passe haut. le front de tension correspond à un harmonique très élevé donc bien supérieur à la fréquence de coupure du filtre, il est donc transmis avec un gain = 1.

I.3.3.2

Réponse à un rectangle

[ to , t1[transmis avec un gain = 1. I.3.3.2 Réponse à un rectangle La capacité transmet le front

un gain = 1. I.3.3.2 Réponse à un rectangle [ to , t1[ La capacité transmet

La capacité transmet le front

puis

se charge vers E avec la constante de temps

RC.

V

C

t E 1 e
t
E 1
e

, V

S

t V V Ee e c
t
V
V
Ee
e
c

t= t1 De nouveaux la capacité transmet le

=

t1

De nouveaux la capacité transmet let = t1

font (descendant cette fois) vers la sortie qui

passe

Ee T 1 .
Ee
T
1
.

V

de

V 1

=

à

V 3

.

Vc

=

V2

et

T V E E e 1 3 1
T
V
E
E e
1
3
1

V

. V de V 1 = à V 3 . Vc = V2 et T V

,

T E 1 e 2
T
E 1
e
2

V

t > t1V 3 . Vc = V2 et T V E E e 1 3 1 V

Décharge de la capacité vers zéro.

V

C

V t 2
V
t
2

, V e

T t V V 0 V V V E e 1 e C S S
T
t
V
V
0
V
V
V
E e
1 e
C
S
S
C
S

On peut conclure que :

E

E

V2

V1

E V2 V1

V3

Ve T
Ve
T

to

t1

t

Vs

Vc Vs
Vc
Vs

to

to
to
to
to

t

E E V2 V1 V3 Ve T to t1 t Vs Vc Vs to t

Fig. I-4 : Réponse à un rectangle d'une cellule RC passe haut

grand faible
grand
faible

La sortie est quasi rectangulaire . Le montage fonctionne en dérivateur.

Dans le cas ou le signal Ve est un signal carré périodique, le signal de sortie est centré. La

composante continue est arrêtée par la capacité. la forme du signal dépend de

faible : le montage fonctionne en dérivateur, le signal de sortie est constitué d'aiguilles à la place des fronts de tension du signal d'entrée.arrêtée par la capacité. la forme du signal dépend de = RC : Signal d'entrée Signal

= RC :à la place des fronts de tension du signal d'entrée. Signal d'entrée Signal de sortie Fig.

Signal d'entrée Signal de sortie
Signal d'entrée
Signal de sortie

Fig. I-5 : RC passe haut, réponse à un signal carré (RC faible)

Electronique Numérique par A. OUMNAD

I-8

grand : Le signal de sortie reste carré (il est très légèrement déformé) mais il est débarrassé de sa composante continue (centré).Electronique Numérique par A. OUMNAD I-8 Signal d'entrée Signal de sortie Fig. I-6 : RC passe

Signal d'entrée Signal de sortie
Signal d'entrée
Signal de sortie

Fig. I-6 : RC passe haut, réponse à un signal carré (RC grand)

Exercice :

Dessiner l'allure de Vs pour les 2 circuits ci-dessous.

Vr=5V R2 R1 Ve Vs Ve C
Vr=5V
R2
R1
Ve
Vs
Ve
C
Vr=5V R1 C R2
Vr=5V
R1
C
R2

Ve

E=10V Vs to
E=10V
Vs
to

t

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-9

II COMPOSANTS EN COMMUTATION

II.1 Caractéristiques d'un commutateur

Un commutateur est un composant dont la résistance peut prendre deux états extrêmes, elle est très faible si le commutateur est fermé, elle est très grande s'il est ouvert . Le circuit de la figure 2.1 représente une résistance R L en série avec un commutateur idéal. En position ouvert, aucun courant ne circule dans R L , la tension au point A est égale à V CC . En position fermé, la résistance du commutateur est nulle, la tension au point A est nulle, le courant est limité seulement par R L . La charge R L est alimentée.

Un commutateur réel n'a ni une résistance infinie à l'état ouvert, ni une résistance nulle à l'état fermé. La figure 2.2 représente le circuit équivalent d'un commutateur réel, R S est la résistance à l'état fermé (de conduction), elle est d'autant plus faible que le commutateur est de bonne qualité. R P est la résistance à l'état ouvert (de fuite), plus elle grande, meilleure est la qualité du commutateur. A l'état fermé, la tension au point A n'est plus tout à fait nulle, mais reste toutefois très

faible V

V CC . A l'état ouvert, V A est légèrement inférieure à

A

R S R S
R
S
R
S

L

R

Vcc à cause de la chute de tension dans R L due au courant de fuite du

commutateur, V

A

R P R P
R
P
R
P

L

R

V CC

.

Vcc R L A K
Vcc
R L
A
K

Fig. II-1 : Commutateur idéal

Vcc R L A Rs Rp
Vcc
R L
A
Rs
Rp

Fig. II-2 : Commutateur réel

Contrairement au commutateur idéal, une dissipation de puissance se produit dans le commutateur réel, qu'il soit ouvert ou fermé.

Les résistances à l'état ouvert et fermé (Bloqué et conducteur), caractérisent le comportement statique du commutateur, une autre caractéristique importante du commutateur est son temps de commutation, il dépends du comportement transitoire du commutateur lors du passage d'un état à un autre; on parle de comportement dynamique. La figure 2.3 représente le comportement transitoire dans le cas d'une commande

rectangulaire. commande t d : Temps de retard (delay time) t r : Temps de
rectangulaire.
commande
t d : Temps de retard (delay time)
t r : Temps de montée (rising time)
t s : Temps de stockage (storage)
t f : Temps de descente (fall time)
t on : Temps de conduction, de déblocage
T off : Temps de blocage
t
I
90%
La plus
haute
fréquence avec laquelle le
commutateur peut être actionné, doit avoir une
durée de période T min au mois égale à t on + t off soit
t
10%
t s
t
f
t d
tr
1
t
t off
on
f max
t
t
on
off
Fig. II-3 : Comportement dynamique

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-10

II.2 La diode en commutation

La diode est un commutateur qui est commandée par le sens de la tension qui lui est appliquée. Il n'y a pas de séparation entre le circuit de commande est le circuit commandé. C'est la polarité de la tension d'alimentation de la charge qui commande la diode. la figure Fig. II-4 :

Diode en commutation montre une diode utilisée en commutateur, alors que la figure Fig. II-5 : Points de fonctionnement d'une diode en commutation montre les points de fonctionnement sur la caractéristique de la diode, le point C correspond à la diode conductrice, alors que le point B correspond à la diode bloquée.

Vc

R Vd D (+E,-E)
R
Vd
D
(+E,-E)

Fig. II-4 : Diode en commutation

Id If C -E Ir Vd B
Id
If
C
-E
Ir
Vd
B

Fig. II-5 : Points de fonctionnement d'une diode en commutation

Quand Vc=+E, la diode est conductrice, la majeure partie de Vc se trouve aux borne de R, un courant I F important circule dans le circuit. La résistance de conduction (statique) R F =Vd/I F F important circule dans le circuit. La résistance de conduction (statique) R F =Vd/I F est faible, elle varie entre quelques

milliohms à quelques dizaines d'ohms. Alors que le courant If augmente, la résistance de conduction Rf diminue (voir point de fonctionnement C), il en résulte que la tension Vd = Rf If reste quasiment constante (caractéristique quasi verticale). Par conséquent, dans le cas d'une diode conductrice, le calcul est généralement fait non pas avec la résistance de conduction mais avec la tension Vd qu'on prend généralement égale à 0.7 V pour les diodes au silicium. Pour éviter que la diode soit détruite par échauffement, il faut veiller à ne pas dépasser la puissance maximale qu'elle peut dissiper, soit

I FMAX . V DMAX < P DMAX .

Pour faire conduire une diode il ne suffit pas que la polarité de la tension de commande soit correcte, il faut qu'elle soit supérieure à la tension de seuil , sinon la diode restera bloquée ou très faiblement conductrice

exemple:

Si on a une diode telle que P DMAX = 500 mW, si on prend V DMAX ,=2V et E=12V, il faut calculer R pour que le courant ne dépasse pas I FMAX = 500mW / 2V = 250 mA. R = (12 - 2)V / 250 mA = 40

A X = 500mW / 2V = 250 mA. R = (12 - 2)V / 250

Quand Vc = -E, la diode est bloquée, le courant Ir est quasiment nul (dépends beaucoup de la température), la résistance de blocage dépasse le gigaohms pour les diodes au silicium . Pratiquement toute la tension -E se trouve au gigaohms pour les diodes au silicium. Pratiquement toute la tension -E se trouve au borne de la diode, afin que la diode ne soit pas détruite par claquage, la tension inverse -E ne doit pas dépasser la tension inverse maximale U RMAX fournie par le constructeur.

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-11

II.2.1 Comportement dynamique d’une diode

La figure Fig. II-6 illustre le comportement dynamique d'une diode en commutation. Pendant le temps d'ouverture T ON , qui est très court, les porteur de charge sont poussé par la tension directe à travers la région de transition vers la couche à conductivité opposée. Si la tension de commande change de polarité, un courant inverse de même intensité que If circule pendant un court instant, ce courant est du aux porteurs de charge non recombinés qui sont rappelés par la tension inverse. La durée de ce phénomène est dite temps de recouvrement inverse t rr (reverse recovery time). Selon la diode et le circuit de commande, il varie de quelques nanosecondes à quelques microsecondes. t rr qui correspond au temps de blocage t off de la diode est considérablement plus important que t on .

Voici quelques caractéristiques de diodes du commerce :

1N4148 (Diode de commutation)

V Rmax = 75V

I Rmax / Vr =20 = 25 nA à 25 °C : Courant inverse max

: Tension inverse max

= 50 µA à 150 °C

C max = 4 pF

T rrmax (I f=10mA ) = 4ns

I Dmax = 75 mA.

1N4007 (diode de redressement)

I D0 = 1A

V Rmax = 1000V

I Rmax(Vrmax,100°C) = 50 µA : Courant inverse max

: courant nominal

: Tension inverse max

V Fmax(Ido) = 1.1 V

: tension seuil max

Vc E t Id -E t t on Vd t rr t
Vc
E
t
Id
-E
t
t on
Vd
t rr
t

Fig. II-6 : Temps de réponse d'une diode

II.3 Transistor bipolaire en commutation

Dans un transistor utilisé comme commutateur, la section émetteur collecteur est utilisée comme contact et la section base émetteur représente le circuit de commande. Le circuit de commutation et le circuit de commande ne sont pas galvaniquement séparés. Le transistor en conduction correspond au commutateur fermé, le transistor bloqué au commutateur ouvert.

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-12

Ic Rc Vrc Vcc/Rc Ibsat Icmax Ic S C Vcc Q Rb Ib B Vce
Ic
Rc
Vrc
Vcc/Rc
Ibsat
Icmax
Ic
S
C
Vcc
Q
Rb
Ib
B
Vce
B
Vbb
E
Vce
Vcc
V cesat

Fig. II-7 : Transistor en commutation

On distingue trois cas de fonctionnement :

Fig. II-8 points de fonctionnement d'un transistor en commutation

A) Fonctionnement linéaire

Le point de fonctionnement Q se trouve entre le point B et le point S, il évolue selon les équations

suivantes :

(1)

Ic =

Ib , loi qui caractérise le transistor

Ib , loi qui caractérise le transistor

(2)

E = R C I C + V CE , Loi d'ohm dans la maille de sortie = droite de charge

Si I B

B vers S.

, (1) I C , (2) , V CE
, (1)
I C
, (2)
,
V CE

le point de fonctionnement Q se déplace sur la droite de charge de

B) Blocage

C'est quant le point de fonctionnement Q se trouve au point B: I C = 0 , I B = 0 , V CE = V CC .

Pour bloquer le transistor, il faut annuler I B , ce qui revient à bloquer la jonction base émetteur, pour ce, il suffit d'annuler la tension V BE ou la rendre négative pour renforcer le blocage.

Au blocage presque toute la tension V CC se retrouve au borne du transistor, une très faible chute de tension se produit dans R C à cause du courant résiduel du collecteur I CER qui dépend du transistor utilisé et des tension V BE et V CE . On ne fait pas une grande erreur en supposant qu'il est de l'ordre du µA . Pour le 2N2222 I CERmax = 10 nA avec V BE = -3V et V CE =60V

C) Saturation

Le point de fonctionnement Q est au point S.

I B = I BSAT I C = I CMAX = I BSAT 0.7 V
I B = I BSAT
I C = I CMAX =
I BSAT
0.7 V
V BE = V BESAT
0.2V
V CE = V CESAT
V
-V
R
C

I

CMAX

=

CC

CESAT

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-13

Même si I B augmente au delà de I BSAT , I C V BESAT et V CE sensiblement égale à V CESAT .

reste égal à I CMAX , V BE reste sensiblement égale à

Pour saturer un transistor il faut lui appliquer un courant I B tq:

= I CMAX BSAT
=
I
CMAX
BSAT

Pour le 2N2222 V CEsat

= 0.3V

pour Ic=150mA, I b =15mA

= 1V

pour Ic=0.5A, I b =50mA (pendant 300 µs)

Le plus souvent on ne dispose pas du

=50mA (pendant 300 µs) Le plus souvent on ne dispose pas du du transistor, on connaît

du transistor, on connaît seulement la fourchette

[
[
pas du du transistor, on connaît seulement la fourchette [ M I N , M A

MIN , MAX ] disponible sur le catalogue du constructeur.

Exemple :

On dispose d'un transistor 2N1711 dont Vcc = 12V V BB = 9V

Rc

= 1K

transistor 2N1711 dont Vcc = 12V V B B = 9V Rc = 1K [100, 300]

[100, 300]transistor 2N1711 dont Vcc = 12V V B B = 9V Rc = 1K I CMAX

I

CMAX

=

V

CC

- V

CESAT

R

C

12 0.2
12 0.2

1000

12mA

I B S A T = 12mA/100 = 120 µA BSAT = 12mA/100 = 120 µA

100

I B S A T = 12mA/100 = 120 µA 100 

R

I B S A T = 12mA/300 = 40 µA BSAT = 12mA/300 = 40 µA

300

I B S A T = 12mA/300 = 40 µA 300  R

R

B

B

V V BB
V
V
BB

I

BSAT

BESAT

V V BB
V
V
BB

I

BSAT

BESAT

9V-0.7V 120 A 9V-0.7V 40 A

BESAT V V BB I BSAT BESAT 9V-0.7V 120 A 9V-0.7V 40 A 69K 207K Pour
BESAT V V BB I BSAT BESAT 9V-0.7V 120 A 9V-0.7V 40 A 69K 207K Pour
69K
69K
V V BB I BSAT BESAT 9V-0.7V 120 A 9V-0.7V 40 A 69K 207K Pour être

207K

Pour être sur qu'on aura saturation quelque soit le 2N1711 dont on dispose, il faut que I B soit >

120 µA soit R B < 69 K

.
.

La condition de saturation devient alors :

I

B

< 69 K . La condition de saturation devient alors : I B BSAT = I

BSAT

=

I

CMAX
CMAX

Quand le transistor est fortement saturé ; I B > I BSAT , on définit le facteur de saturation comme :

=
=

I

B

I Bsat

Quand le transistor est saturé, la quasi totalité de la tension V CC se trouve au borne de la résistance de charge du collecteur. De ce fait, même si le courant I C est important, il y a une faible dissipation de puissance au niveau du transistor car V CESAT reste très faible (0.2V à 0.3 V , peut atteindre 1V pour certains transistor si I C est trop important)

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-14

II.3.1 Temps de commutation

La figure 2.9 montre le profil des courants lors de la

saturation et du blocage du transistor.

courants lors de la saturation et du blocage du transistor. t d : temps de retard

t d : temps de retard (delay) faible t r : temps de montée (rise) ton : temps de déblocage = t d +t r ts : temps de stockage (storage) tf : temps de chute (fall) toff : temps de blocage.

Le facteur prépondérant dans le temps de commutation d'un transistor est le temps de stockage t S . Quand le transistor est saturé, et surtout s'il est fortement saturé, un grand nombre de porteurs de charge est accumulé dans la base du transistor. Au moment où V BE devient nulle ou négative, ces porteurs stockés vont donner naissance à un courant I B important dans le sens opposé, et ceci pendant tout le temps nécessaire pour évacuer toutes les charges se trouvant dans la

base, cette durée est dite temps de stockage. IL n'y

a pas de changement perceptible du courant Ic pendant cette période.

Vbe V BESAT t V BEOFF I B I B1 t I B2 I t
Vbe
V
BESAT
t
V
BEOFF
I
B
I
B1
t
I
B2
I
t
t
t
r
d
t
on
t s
t f
t off

Fig. II-9 : Temps de commutation d'un transistor

Pour réduire t S , il faut choisir un courant de I B juste suffisant pour la saturation. Il ne faut pas qu'il soit beaucoup plus grand que I BSAT afin que le nombre de porteurs stockés dans la base ne soit pas trop important.

Pour le 2N2222 : td=10 ns, tr=25ns, ts=225ns

Exercice :

Soit le montage de la fig. 2.10, donner une relation entre Rb et Rc pour que

le

transistor soit saturé.

La

condition de saturation est

I

B

I
I

BSAT

=

I

Cmax
Cmax

I CMAX

=

I

B =

V

CC

-

V

CESAT

R

C

est I B I BSAT = I Cmax I CMAX = I B = V CC

V

CC

R

C

V CC

- V

V

CC

BESAT

= I B = V CC - V CESAT R C V CC R C V

R

B R

B

d'où

R B

<

R B < MIN . R C

MIN

. R

C

Rb

Vcc Rc Ic C Ib B E Fig. II-10
Vcc
Rc
Ic
C
Ib
B
E
Fig. II-10

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-15

II.3.2 Commande dynamique d'un transistor de commutation

Au repos, c.à.d. t < to, le transistor est saturé, R B et Rc ont été choisies t.q. R B < MIN Rc

et Rc ont été choisies t.q. R B < M I N Rc V B =

V B = V BESAT

t.q. R B < M I N Rc V B = V B E S A
t.q. R B < M I N Rc V B = V B E S A

0.7V , Vc=V CESAT 0.2V

La tension au borne du condensateur C est :

Vca = V B - Ve = 0.7V - 0V = 0.7V

A l'instant to - on a Ve=0V, Vco=0.7V, V B =0.7V

A l'instant to + on a Ve=E, Vco=0.7

V B =0.7V A l'instant to + on a Ve=E, Vco=0.7 V B =E+0.7 A l'instant

V B =E+0.7

A l'instant to + , Vco est encore égale à 0.7V car un condensateur ne peut pas se charger instantanément.

A partir de to + on se trouve avec une tension bien supérieure à 0.7V au borne de la jonction Vbe ce qui provoque une augmentation très importante du courant I B qui provoque

une charge très rapide de la capacité C et on se retrouve très vite à l'état statique Ve=E, V B =0.7V .

L'état transitoire n'a pas changé l'état du transistor car I B augmentant, n'a fait que renforcer la saturation.

A l'instant t1, Ve repasse à 0, la capacité

transmet le front de tension sur la base qui voit sa tension passer à 0.7V-E < 0, le transistor se bloque, La capa se trouve en présence du circuit

si dessous,

Vi

elle

se

charge

Vcc Rb C I B vers la tension
Vcc
Rb
C
I
B
vers
la
tension

Vcc

selon

l'équation suivante : (origine des temps en t1)

V (t)

B

V
V

CC

-(V

CC

suivante : (origine des temps en t1) V (t) B V CC -(V CC E t

E

suivante : (origine des temps en t1) V (t) B V CC -(V CC E t
t
t

0.7)e

Vcc Rc Rb Ic Vca C Ib B Ve C E Ve E t t1
Vcc
Rc
Rb
Ic
Vca
C
Ib
B
Ve
C E
Ve
E
t
t1
to

Fig. II-11 : commande dynamique

E t t t 1 0 V B Vcc 0.7+E 0.7 t t t 2
E
t
t
t
1
0
V B
Vcc
0.7+E
0.7
t
t
t
2
3
0.7-E
Vc Vcc 0.2 t
Vc
Vcc
0.2
t

Fig. II-12 : Commande dynamique d'un transistor

A l'instant t2, V B commence à devenir supérieure à zéro, la jonction V BE commence à conduire I B augmente Ic augmente V CE commence à diminuer (doucement) . A l'instant t 3 , V BE

diminuer (doucement) . A l'instant t 3 , V B E atteint 0.7V, le transistor se
diminuer (doucement) . A l'instant t 3 , V B E atteint 0.7V, le transistor se
diminuer (doucement) . A l'instant t 3 , V B E atteint 0.7V, le transistor se

atteint 0.7V, le transistor se sature, V CE "tombe" à 0.2V et V BE se stabilise à 0.7V, tout le courant acheminé par R B passe dans la base du transistor, la capacité s'arrête de ce charger, et on se retrouve à l'état initial.

Si on ne tient pas compte du fléchissement de la courbe de charge dans l'intervalle [t 2 ,t 3 ], la

durée T de l'impulsion recueillie sur le collecteur peut être calculée en posant V B (T)=0.7 soit :

V

CC

-(V

CC

être calculée en posant V B (T)=0.7 soit : V CC -(V CC E 0.7)e T
être calculée en posant V B (T)=0.7 soit : V CC -(V CC E 0.7)e T

E 0.7)e

T R C B
T
R
C
B

0.7

e

T V 0.7 R B C CC V CC
T
V
0.7
R
B C
CC
V
CC

E 0.7

T

V E 0.7 CC V 0.7 CC
V
E
0.7
CC
V
0.7
CC
soit : V CC -(V CC E 0.7)e T R C B 0.7  e T

R C Ln

B

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-16

Si V CC =E et si 0.7V est négligeable devant V CC :

T = R B C Ln 2

II.3.3 Application : Multivibrateur Astable

R B C Ln 2 II.3.3 Application : Multivibrateur Astable Il est représenté sur la figure

Il est représenté sur la figure 2.13. R B et R C sont choisies telles que R B < R C.

A la mise sous tension, un des deux transistor se sature le premier (on supposera que c'est Q1) car

le montage ne peut jamais être parfaitement symétrique, Le front de tension négatif du au passage à 0.2 V de la tension V CE est transmis sur la base de l'autre transistor, la tension V BE de celui ci devient négative provoquant son blocage. Q 1 saturé , Q 2 bloqué, C 2 se charge à travers R B2 (fig. 2.13), V B2 augmente exponentiellement avec la constante de temps R B2 C 2 , au moment où elle atteint 0.7V, Q2 se sature , V C2 passe de V CC à 0.2V, C 1 transmet se front de tension sur B 1 , V B1 devient négative, Q 1 se bloque, C 1 se charge à travers R B1 , V B1 augmente exponentiellement avec la constante de temps R B1 C 1 , au moment où elle atteint 0.7V, Q1 se sature , V C1 passe de V CC à 0.2V, C 2 transmet se front de tension sur B 2 , V B2 devient négative, Q 2 se bloque et le cycle recommence. Comme l'indique la figure 2.13, Le multivibrateur astable est un oscillateur, il délivre deux signaux carrés en opposition de phase sur les collecteurs des transistors.

La période T=T 1 +T 2 de ces signaux peut être calculée ainsi :

Charge de C 1 : V(0) = 0.7-Vcc+0.2, V

calculée ainsi : Charge de C 1 : V(0) = 0.7-Vcc+0.2, V = Vcc, V(T 1

= Vcc, V(T 1 ) = 0.7

(front = Vcc-0.2)

V(t) = Vcc-(Vcc+Vcc-0.9)exp(-t/R B1 C 1 )

R 1
R
1

T

B1

C Ln

1

2Vcc-0.9 Vcc 0.7

R
R

B1

C Ln2

1

T

2

R
R

B2

C Ln

2

2Vcc-0.9 Vcc 0.7

R
R

B2

C Ln2

2

T = (R B1 C 1 +R B2 C 2 ) Ln 2

Si

R B1 = R B2 = R B

et C 1 = C 2 = C

:

T = 2 R B C Ln 2

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-17

Vcc

Rc1 Rb1 Rb2 Rc2 Q1 Q2 C1 C2 Vcc
Rc1
Rb1
Rb2
Rc2
Q1
Q2
C1
C2
Vcc
~0.2V C2 Q1
~0.2V
C2
Q1

Rb2

V B1

Vcc Rc1 Rb1 Rb2 Rc2 Q1 Q2 C1 C2 Vcc ~0.2V C2 Q1 Rb2 V B1
V C1 T1 T2 V B2 V C2
V C1 T1 T2 V B2 V C2
V C1 T1 T2 V B2 V C2
V C1 T1 T2 V B2 V C2
V C1 T1 T2 V B2 V C2
V
C1
T1
T2
V
B2
V
C2

t

t
t
t
t
t
t

Fig. II-13 : Multivibrateur Astable

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-18

II.4 Transistor MOS à enrichissement

Grille metallique S G D Isolant Oxyde de silicium n n p substrat (body) B
Grille metallique
S
G
D
Isolant
Oxyde de silicium
n
n
p
substrat
(body)
B

Fig. II-14 : MOS canal n à enrichissement

Si V GB =0, quelque soit la tension drain source, le courant

drain - source est nul car il y aura toujours une des deux jonctions drain - substrat ou source - substrat qui sera bloquée. Si on applique une tension V GB positive, les

porteur minoritaires qui se trouvent dans le substrat (p) sont attirés par la grille pour former un canal (n)

conducteur qui va relier le drain à la source et si V DS est non nul, un courant I D circulera entre le drain et la source. La figure Fig. II-15 illustre les conditions de blocage et de conduction d'un MOS à enrichissement.

Canal n Canal p I D D I D D G B G B S
Canal n
Canal p
I D
D
I
D
D
G
B
G
B
S
S
V GB
V GB
V TH
V TH
V
V
<
OFF
>
OFF
GS
V TH
GS
V TH
V
V
>>
ON
<<
ON
GS
V TH
GS
V TH

Fig. II-15 : Caractéristiques d'un MOS

II.4.1 Commutateur analogique (porte analogique)

tous les deux conducteurs, (Q 1 : canal n, Q 2 : canal p). La

tous

les deux conducteurs, (Q 1 : canal n, Q 2 : canal p). La sortie analogique Vsa est reliée à l'entrée analogique Vea par une faible résistance ( ½ R DSON ) de quelque

C

= 1 (V C = V dd ),

résistance ( ½ R D S O N ) de quelque C = 1 (V C

= 0 (V

=V EE )

résistance ( ½ R D S O N ) de quelque C = 1 (V C
résistance ( ½ R D S O N ) de quelque C = 1 (V C

Q 1 et Q 2 sont

dizaines d' .

 
C = 0 ( = 1) le deux transistor sont bloqués et la

C

= 0 ( = 1) le deux transistor sont bloqués et la

= 0 ( = 1) le deux transistor sont bloqués et la

V ea

sortie analogique est complètement déconnectée de l'entrée analogique.

C Q2 V DD V SS Q1
C
Q2
V DD
V SS
Q1

V sa

Pourquoi deux transistors en parallèle ?

La largeur du canal de conduction dans un transistor MOS ne dépend seulement de la tension Grille-substrat V GB (c'est le cas dans la partie centrale du transistor), elle dépend aussi des tensions Grille-source et grille-drain vers les extrémité du transistor. Prenons par exemple un MOS à enrichissement conducteur (V G = 10 V, V S =0, V B =0 V D =0), le champ électrique dans l'oxyde a la même intensité partout et le canal de conduction est uniforme sur toute sa longueur (fig. 2.18a). Si on augmente la tension du drain, la tension V GD diminue ainsi que le champ dans la région voisine du drain, il en résulte un rétrécissement du canal dans cette région (fig. 2.18b) et donc une augmentation de sa résistance.

C

Fig. II-16 : commutateur analogique

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-19

Le fait d'utiliser deux transistors complémentaires dans une porte analogique, la variation de la tension d'entrée analogique V ea n'influe pas sur la résistance de conduction du commutateur car, l'augmentation de résistance d'un transistor est compensée par la diminution de celle de l'autre.

(a)

V > 0

g G S D n n p B
g
G
S
D
n
n
p
B

(b)

V > 0

g V > 0 D G S D n n p B
g
V
> 0
D
G
S
D
n
n
p
B

Fig. II-17 : canal d'un transistor MOS polarisé

II.5 Amplificateur opérationnel

Bien que l'ampli-op ne soit pas un composant discret de commutation, son fonctionnement non linéaire justifie qu'on en parle dans ce chapitre.

II.5.1 Fonctionnement en boucle ouverte, COMPARATEUR

Pour |Vi| < V th l'ampli-op fonctionne en linéaire :

Vo = A BO Vi , A BO > 10 5

Pour

|Vi|

>

V th

l'ampli-op

fonctionne

en

non

linéaire (ou en saturation) :

Vi > V th soit V + - V - > V th

Vi < V th soit V + - V - < V th

Vo=Vh Vi < V t h soit V + - V - < V t h

Vo=V< V t h soit V + - V - < V t h Vo=V O

OH

OL

Essayons de voir quel est l'ordre de grandeur de V th . Pour Vi = V th , Vo = V OH = A BO V th L'ampli étant alimenté au maximum entre +15V, -15V, et

si on tient compte des tensions de déchet on a V OH de l'ordre de 13V:

V Vo Abo V Vi= V - V
V
Vo
Abo
V
Vi= V
- V
Vo V OH Vi -Vth Vth V OL
Vo
V
OH
Vi
-Vth
Vth
V OL

Fig. II-18 : Ampli-op en boucle ouverte

Vo Vcc V OH V OL Vee
Vo
Vcc
V
OH
V
OL
Vee

Vi

Fig. II-19 : Caractéristique idéalisée

V OH ~ 13V Vth = 13/10 5 = 0.130 mV V th étant très faible, on peut idéaliser la caractéristique, fig. 2.20, et dire :

Vi

> 0 soit V+ > V-

> 0 soit V+ > V- Vo=V O H

Vo=V OH

Vi

< 0 soit V+ < V-

< 0 soit V+ < V- Vo=V O L

Vo=V OL

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-20

II.5.2 Fonctionnement en comparateur à seuil unique

Vref Vo
Vref
Vo
V+ V- Vo
V+
V-
Vo

Fig. II-20 : Illustration de l'utilisation d'un Ampli op en comparateur

On observe sur la figure que si le signal d'entrée V + comporte un brouittage indésirable, le signal de sortie en tiendra compte et sera inutilisable dans la majeure partie des cas.

II.5.3 Fonctionnement en contre réaction positive

L'utilisation de l'Ampli-Op avec contre réaction positive, a l'avantage de présenter deux seuils de basculement. Le trigger de Schmitt est la configuration à contre réaction positive la plus courante.

Vi Vo R1 R2 Vref Fig. II-21 : Trigger de Schmitt
Vi
Vo
R1
R2
Vref
Fig. II-21 :
Trigger de Schmitt

Vo

Voh Vs1 Vs2 Vol
Voh
Vs1
Vs2
Vol

Vi

Fig. II-22 : Réponse d'un trigger de Schmitt

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-21

Seuil de comparaison Vi Vs1 Vs2 Vo V OH V OL
Seuil de comparaison
Vi
Vs1
Vs2
Vo
V
OH
V
OL

t

t

Fig. II-23 : Fonctionnement d'un trigger de Schmitt

l'amplitude crête à crête du bruit.

Vo = V O H OH

l'amplitude crête à crête du bruit. Vo = V O H V R 2 R 1

V

R 2 R 1
R
2
R
1

R

2

V OH

Vo = V O L OL

du bruit. Vo = V O H V R 2 R 1 R 2 V OH

V

R 2 R 1
R
2
R
1

R

2

V OL

R 1 R 1
R
1
R
1

2

R

V

ref

R 1 R 1
R
1
R
1

2

R

V

ref

2 R 1 R 2 V OL R 1 R 1 2 R V ref R

V

S 1

1 R 2 V OL R 1 R 1 2 R V ref R 1 R

V

S 2

Si Vref=0 et V OL = -V OH :

V S1 = -V S2 . La courbe de la fig. 2.22b est symétrique par rapport à zéro.

On remarque sur la fig. 2.23 que ce montage est insensible aux signaux parasites. Il est donc bien adapté à la mise en forme d'un signal numérique affaibli et bruité durant une transmission par exemple. Les seuils seront choisis tels que V S1 -V S2 soit supérieure à

Remarque :

Avec la contre réaction positive, il est impossible de faire fonctionner l'Ampli-Op dans la zone linéaire, le basculement de la tension de sortie est quasi instantané. Prenons un exemple :

Données : Vcc = 15V, Vee = -15V, V OH = 15V, V OL = -15V, Vref =0, R 1 = R 2 ,

Abo = 10 6

O L = -15V, Vref =0, R 1 = R 2 , Abo = 10 6

Zone linéaire : [ -15µV , +15 µV ]

Etat initial : V - = -7.5V + 16 µV

Vo = V OL = -15V

initial : V - = -7.5V + 16 µV Vo = V O L = -15V

V + = -7.5V

Ve = V + - V - = -16 µV + - V - = -16 µV

Si on augmente Ve de 2 µV pour essayer d'aller dans la zone linéaire

V - = -7.5V + 14 µV

Sans contre réaction positive, tout s'arrête dans cet état, mais "grâce" à la contre réaction, on a :

état, mais "grâce" à la contre réaction, on a : Ve = -7.5V +7.5V -14 µV
état, mais "grâce" à la contre réaction, on a : Ve = -7.5V +7.5V -14 µV

Ve = -7.5V +7.5V -14 µV = -14 µV

contre réaction, on a : Ve = -7.5V +7.5V -14 µV = -14 µV Vo =

Vo = 10 6 . -14 µV = -14 V

+7.5V -14 µV = -14 µV Vo = 10 6 . -14 µV = -14 V

V + = Vo / 2 = -7 V

Ve = -7V +7.5V -14 µV = 0.5V - 14 µV >> 15 µVµV Vo = 10 6 . -14 µV = -14 V V + = Vo /

Cet état est stable car maintenant V + = 7.5V

Ve = 7.5V +7.5V -14 µV15 µV Cet état est stable car maintenant V + = 7.5V Vo = V O

stable car maintenant V + = 7.5V Ve = 7.5V +7.5V -14 µV Vo = V

Vo = V OH = +15V 15V >> 15 µV

V - =-7.5V+14µvVe=-14µVVo=-14VV + =-7VVe 0.5V

Vo=+15V

=-7.5V+14µv  Ve=-14µV  Vo=-14V  V + =-7V  Ve 0.5V Vo=+15V  Vo=+15V 

=-7.5V+14µv  Ve=-14µV  Vo=-14V  V + =-7V  Ve 0.5V Vo=+15V  Vo=+15V 

Vo=+15VV + =+7.5VVe 15V

Vo

15V -15µV -14µV -16µV 0.5V 15V 15µV -14V -15V
15V
-15µV -14µV
-16µV
0.5V
15V
15µV
-14V
-15V

Ve

Fig. II-24 : accélération de la commutation par la contre réaction positive

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-22

II.5.4 Application : Multivibrateur astable

R C R1 R2
R
C
R1
R2

Vo

Vc(V-) Vseuil(V+) Vo V OH V S1 t t2 t1 V S2 V OL
Vc(V-)
Vseuil(V+)
Vo
V
OH
V
S1
t
t2
t1
V
S2
V
OL

T

Fig. II-25 : Multivibrateur Astable

Pour simplifier on considère que V OL = -V OH et Vref=0 d'où :

V

S1

R V 2 S2 R R 1 2
R
V
2
S2
R
R
1
2

V

OH

Supposons qu'à la mise sous tension, la capacité est déchargée et Vo = V OH , on a donc V-=0 et V+=V S1 . La capacité se charge avec la constante de temps RC. (Il est inutile de rappeler que les impédances d'entrée de l'ampli-op sont supposées infinie). Vc = V- augmente, au moment (t1) où

elle dépasse V+=V 1S , Vo passe à V OL , V+ passe à V S2 , la capacité se décharge vers V OL avec la constante de temps RC, au moment (t 2 ) où elle passe en dessous de V+=V S2 , Vo passe à V OH , La capacité commence à se charger vers V OH et le cycle recommence.

Si on prend l'origine des temps en t1 on a:

Vc

OLSi on prend l'origine des temps en t1 on a: Vc (V OL S1 )e t

Si on prend l'origine des temps en t1 on a: Vc OL (V OL S1 )e

(V

OL

S1Si on prend l'origine des temps en t1 on a: Vc OL (V OL )e t

)e

t R 2R t RC V 1 1 2 e RC OL R R 1
t
R
2R
t
RC
V
1
1
2
e RC
OL
R
R
1
2

A l'instant t2=T/2 on a :

R T V 2 2 S2 R R 1 2
R
T
V
2
2
S2
R
R
1
2

V

OL

Vc

R 2R T V 1 1 2 e 2RC OL R R 1 2
R
2R
T
V
1
1
2
e 2RC
OL
R
R
1
2

R 1

R2 V OL Vc R 2R T V 1 1 2 e 2RC OL R R

1

2
2

R

2

)

e

2R T V 1 1 2 e 2RC OL R R 1 2 R 1 R

T

2 RC

T

R 2R 1 2 R 1
R
2R
1
2
R
1
T R 2R 1 2 R 1 2RC Ln

2RC Ln

Si R 1 =R 2 On a V S1 =-V S2 =V OH / 2 et :

T 2RC Ln 3
T 2RC Ln 3

II.6 Le Timer 555

Le

555 est

un petit circuit intégré qui peut

être utilisé soit en générateur d’impulsion

(monostable) soit en générateur d’horloge (Astable). Son schéma bloc est le suivant.

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-23

Vcc

8 R 3 - Seuil Q R + 6 7 R 2 - S Q
8
R
3
-
Seuil
Q
R
+
6
7
R
2
-
S
Q
T
Déclanchement
+
R
4
1
RAZ
Fig. II-26 : Schéma bloc d’un Timer 555

Sortie

Décharge

Son fonctionnement peut être résumé dans le tableau suivant

CAS

V2

V6

R

S

Q

T

 

1 1/3 Vcc

< 2/3 Vcc

< L

 

H

H

Bloqué

 

2 1/3 Vcc

> 2/3 Vcc

< L

 

L

Qp

Inchangé

 

3 1/3 Vcc

> 2/3 Vcc

> H

 

L

L

ON

 

4 1/3 Vcc

< 2/3 Vcc

> H

 

H

 

Interdit

II.6.1 Utilisation en monostable

Si on monte le 555 comme le montre la figure ci dessous et on applique sur son entrée de déclenchement le signal Ve indiqué, son fonctionnement est le suivant :

Au départ, le transistor T est ON, la capacité est déchargée, Vc = V6 =

Au départ, le transistor T est ON, la capacité est déchargée, Vc = V6 = 0

 
A l'instant t1, V2 passe à une valeur inférieure à 1/3 Vcc, on se trouve

A

l'instant t1, V2 passe à une valeur inférieure

à

1/3 Vcc, on

se

trouve dans

le

cas

1,

le

transistor se bloque, la capacité commence à se charger à travers R.

 
A l'instant t2, V2 repasse à Vcc, deux scénarios sont alors possibles :

A

l'instant t2, V2 repasse à Vcc, deux scénarios sont alors possibles :

V2 repasse à Vcc, deux scénarios sont alors possibles : a) La durée de l'impulsion Ve

a) La durée de l'impulsion Ve est supérieure à RC, la tension au bornes de

la capacité atteint 2/3 Vcc à l'instant t' < t2 , donc à l'instant t2, on se

trouve dans le cas 4, les résultats ne peuvent être prévus, ce cas est prohibé .

V2 t1 t' t2 Vc
V2
t1
t'
t2
Vc

b) L a durée

ce cas est prohibé . V2 t1 t' t2 Vc b) L a durée de l'impulsion

de l'impulsion Ve est faible, (inférieure à RC), on se trouve dans le cas 2, ( V2=Vcc >

1/3 Vcc et V6 < 2/3 Vcc), la situation reste inchangée, T reste bloqué et la capacité continue de

se charger.

T reste bloqué et la capacité continue de se charger. à l'instant t2, la tension au

à l'instant t2, la tension au bornes de la capacité devient supérieure à 2/3 Vcc, on se trouve

dans le cas 3, le transistor conduit est la capacité se décharge instantanément , la tension à ses

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-24

Electronique Numérique par A. OUMNAD II-24 bornes passe aussitôt en dessous de 2/3 Vcc et on

bornes passe aussitôt en dessous de 2/3 Vcc et on se retrouve à l'état initial ( cas 2) : V2=Vcc, Vc 0, T conducteur.

l'état initial ( cas 2) : V2=Vcc, Vc 0, T conducteur. Si une autre impulsion similaire

Si une autre impulsion similaire se présente sur l'entrée 2, le phénomène se répète égal à lui même et on recueillera une impulsion carré de durée T=t3-t1 sur la sortie.

Vcc

Ve

une impulsion carré de durée T=t3-t1 sur la sortie. Vcc Ve Fig. II-27 : 555 utilisé

Fig. II-27 : 555 utilisé en monostable

Vcc Vs 8 4 3 2 R Ve 7 6 1 C
Vcc
Vs
8
4
3
2
R
Ve
7
6
1
C

Calculons la durée de l'impulsion T. L'équation de la charge de la capacité est :

V

C

(t ) V (V V 0 V C (T ) 2 3 V CC
(t )
V
(V
V
0
V
C (T )
2
3
V CC

)e

t t RC V e RC cc 1
t
t
RC
V
e
RC
cc 1
T V 1 e RC CC
T
V
1
e
RC
CC

T

T RC Ln(3)

RC Ln(3)

Ve

Ve
 
   
   
   

Vcc

2/3Vcc

Vcc 2/3Vcc

1/3Vcc

       
       

Vs

Vs

t1

t2

 

Vcc

           

Vc

Vc 2/3Vcc

2/3Vcc

t1

 

t3

 
Vc 2/3Vcc t1   t3  
 
T

T

T
T

Fig. II-28 : Signaux d'un monostable à base de 555

Electronique Numérique par A. OUMNAD

II-25

II.6.2 Fonctionnement en ASTABLE

Condition initiale : C déchargée. V6=0, V2=0, on est dans le cas 1, le transistor

Condition initiale : C déchargée. V6=0, V2=0, on est dans le cas 1, le transistor est bloqué. La capacité se charge à travers Ra+Rb.

A l'instant t1, on passe dans le cas 2, la situation reste inchangée,

A

l'instant t1, on passe dans le cas 2, la situation reste inchangée,

la

capacité continue de se charger.

A l'instant t2, on passe dans le cas 3, le transistor conduit et se

A

l'instant t2, on passe dans le cas 3, le transistor conduit et se

sature à cause de la chute de tension dans Ra, C se décharge alors dans Rb.

A l'instant t3, On passe de nouveau dans le cas 1, le transistor se

A

l'instant t3, On passe de nouveau dans le cas 1, le transistor se

Vcc 8 4 Vs 2 3 Ra 6 7 Rb 1 C
Vcc
8
4
Vs
2
3
Ra
6
7
Rb
1
C

Fig. II-29 : Astable à 555

bloque, la capacité se charge à travers Ra+Rb et le cycle recommence.

Calculons la période du signal de sortie :

Charge de la capacité :recommence. Calculons la période du signal de sortie : V V C C (t ) (T

V

V

C

C

(t )

(T

1

t 2 V 1 e ( R R )C a b cc 3
t
2
V
1
e
( R
R
)C
a
b
cc
3

)

2 3
2
3

V CC

T 1 V 1 e ( R R )C a b CC
T
1
V
1
e
( R
R
)C
a
b
CC
T1 T2 Vs Vcc 2/3Vcc Vc 1/3Vcc t t1 t3 t2 t4 Fig. II-30 :
T1
T2
Vs
Vcc
2/3Vcc
Vc
1/3Vcc
t
t1
t3
t2
t4
Fig. II-30 : Signaux d'un Astable à 555

T 1

T 1 (R a + R b )C Ln(2)

(R

a

+ R

b

)C Ln(2)

Décharge de la capacitéd'un Astable à 555 T 1 (R a + R b )C Ln(2) V C (t

V C

(t )

2
2

3

V

cc

e

t

)C Ln(2) Décharge de la capacité V C (t ) 2 3 V cc e t

b C

R

V (T

C

2

)

2
2

3

V

cc

e

T

V C (t ) 2 3 V cc e t b C R V (T C

2

b C

R

1
1

3

V

cc

 

T

2

R C Ln(2) b

R C Ln(2)

b

 

T

(R

(R

a

+ 2R

b

)C Ln(2)

Electronique Numérique par A. OUMNAD

III-26

III LES FAMILLES DES CIRCUITS LOGIQUES

Les circuits intégrés Numériques (logiques) sont classés suivant leur technologie de fabrication. Les familles logiques principales sont :

Les familles bipolaires : Elles sont fabriquées à base de transistors bipolaires. La plus répandues d'entre elles est la famille TTL (Transistor Transistor Logic) qui possède de nombreuses variantes. (Transistor Transistor Logic) qui possède de nombreuses variantes.

Les familles CMOS : Elles sont fabriquées à base de transistor CMOS.Transistor Logic) qui possède de nombreuses variantes. Les familles BiCMOS : Ces familles combinent les avantages

Les familles BiCMOS : Ces familles combinent les avantages des technologies Bipolaires et CMOS.CMOS : Elles sont fabriquées à base de transistor CMOS. Les familles Low Voltage : Ce

Les familles Low Voltage : Ce sont des familles CMOS ou BiCMOS fonctionnant avec une faible tension d'alimentation.combinent les avantages des technologies Bipolaires et CMOS. Une famille logique est caractérisée par ses paramètres

Une famille logique est caractérisée par ses paramètres électriques :

La plage des tensions d’alimentation et la tolérance admise sur cette valeur,est caractérisée par ses paramètres électriques : La plage des tensions associée à un niveau logique,

La plage des tensions associée à un niveau logique, en entrée ou en sortie,d’alimentation et la tolérance admise sur cette valeur, Les courants pour chaque niveau logique, en entrée

Les courants pour chaque niveau logique, en entrée ou en sortie,associée à un niveau logique, en entrée ou en sortie, Les courants maximums que l’on peut

Les courants maximums que l’on peut extraire ou injecter dans une porte logique en entrée ou en sortie, cette caractéristique sera souvent désignée par driving capability en sortie, cette caractéristique sera souvent désignée par driving capability

La puissance maximale consommée qui dépend souvent de la fréquence de fonctionnement.sera souvent désignée par driving capability Les performances dynamiques principales comme le temps de

Les performances dynamiques principales comme le temps de montée (transition bas– haut) et de descente (transition haut –bas) des signaux en sortie d’une porte, haut) et de descente (transition haut–bas) des signaux en sortie d’une porte,

Les temps de propagation d’un signal entre l’entrée et la sortie d’une porte logique. Cette caractéristique emps de propagation d’un signal entre l’entrée et la sortie d’une porte logique. Cette caractéristique ainsi que les temps de montée/descente définissent la vitesse de fonctionnement d'une porte.

La raison de l'existence d'un nombre important de familles logiques, est qu'il est difficile de concevoir une porte logique qui a, à la fois, de très bonnes performances en consommation, vitesse, driving capability et d'immunité au bruit.

III.1 Notations (abréviations de termes anglo-américains)

Tensions :

V CC : tension nominale d’alimentation, V IH : tension d’entrée au niveau logique haut (Input High), V IL : tension d’entrée au niveau logique bas (Input Low), V OH : tension de sorti e au niveau logique haut (Output High), V OL : tension de sortie au niveau logique bas (Output Low).

Courants : (par convention, les courant entrant sont comptés positifs, et les sortant négatifs) I CC : courant d’alimentation (suivant les conditions d’utilisation de la porte), I IH : courant d’entrée au niveau logique haut, I IL : courant d’entrée au niveau logique bas, I OH : courant de sortie au niveau logique haut, I OL : courant de sortie au niveau logique bas.

Electronique Numérique par A. OUMNAD

III-27

I IL I IH I IL V IH I I OH I OL IL V
I
IL
I IH
I IL
V IH
I I OH
I OL
IL
V OH
V OL
V IL
I IH
I IL

Vcc

Vcc

I CC
I CC

Fig. III.1 : Illustration de la nomenclature

III.2 Model fonctionnel simplifié d'une porte logique

Quelque soit sa famille logique, une porte logique peut être représentée par le model suivant :

Vi1

Vi2

Vin

Vcc

H Logique L
H
Logique
L

Vo

Fig. III.2 : model fonctionnel d'une porte logique

Selon la fonction logique réalisée par la porte et la configuration des entrées, le bloc logique détermine la commande des deux commutateurs H et L, 3 configurations sont possibles :

fermé, H ouvert, La sortie est au niveau bas niveau bas

ouvert, H fermé, La sortie est au niveau haut V o = V O H niveau logique "1" niveau haut V o = V OH niveau logique "1"

L

L