Cours Délectronique Analogique

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Cours d’électronique analogique
Prof. MOHAMED AGHOUTANE
Filière SMP/S5 Cours d’électronique analogique Prof.M.AGHOUTANE

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Tables des matières
Chapitre I : Amplificateur à transistor bipolaire pages : 3-39.
Chapitre 2 : Amplificateur à JFET à canal N pages : 30- 59
Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel pages : 60-80
Chapitre 4 : Réaction et oscillateur harmonique pages : 81-98

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Chapitre I
Amplificateur à transistor bipolaire à jonctions
Introduction
Le transistor bipolaire est un composant électronique destiné à fonctionner comme
amplificateur en électronique analogique ou comme un élément de base en électronique
numérique ou logique (inverseur, bascules RS ou JK ou autres). Le composant a été découvert
en 1948 par deux chercheurs américains, John Bardeen et Walter Brattain des laboratoires
Bell. L’idée de base de l’effet transistor est qu’une jonction polarisée en inverse se
trouvant à côté d’une jonction polarisée en direct peut être parcourue par un courant
important.
I. Structure et modes de fonctionnement

I.1 Structure et symbole
Il est constitué de trois couches de semiconducteurs extrinsèques ou dopés(Figure.1). On
distingue deux types de transistors bipolaires, le transistor NPN et le transistor PNP.
Le transistor NPN est constitué par :
 Une couche N fortement dopée constituant l’émetteur.
 Une couche P très mince et faiblement dopée constituant la base.
 Une couche N faiblement dopée constituant le collecteur.
Le transistor PNP est constitué par :
 Une couche P fortement dopée constituant l’émetteur.
 Une couche N très mince et faiblement dopée constituant la base.
 Une couche P faiblement dopée constituant le collecteur.
Le tableau ci-dessous résume la situation.
a b
Figure.1 : a : Structure et symbole d’un transistor NPN ; b : structure et symbole d’un
transistor PNP.

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B : base ; E : émetteur ; C : collecteur.
Le transistor présente trois électrodes, B, E et C. Si on prend une des électrodes comme

référence des tensions, on le ramène à un quadripôle. En conséquence, on aura trois types de
montages : émetteur commun, collecteur commun et base commune.
 Emetteur commun : entrée par la base, sortie par le collecteur et émetteur comme
référence des tensions.
 Collecteur commun : Entrée par B, sortie par E, C’ est la référence des tensions.
 Base commune : Entrée par E, sortie par C et B comme référence des tensions.
Les sens positifs des différents courants des transistors sont représentés sur la figure 2.
a b
Figure.2. Sens positifs des courants d’un transistor bipolaire ; a : NPN monté émetteur
commun, b : PNP monté en collecteur commun.
La flèche au niveau de E désigne le sens positif du courant de l’émetteur, IE.
I.2. Modes de fonctionnement
Rappelons que le transistor est constituée de deux jonction P-N, la jonction base-émetteur ou
JBE et la jonction base-collecteur ou JBC. Selon le type de polarisation des deux jonctions, on
distingue quatre modes de fonctionnement :
 Fonctionnement normal ou dans la zone active si la jonction JBE est polarisée en
direct (+ du côté P, - du côté N) et la jonction JBC est polarisée en inverse (- du côté P
et + du côté N).
 Transistor bloqué (IC=0) si les deux jonctions, JBE et JBC, sont polarisées en inverse.
 Transistor saturé (VCE si les jonctions, JBE et JBC sont en direct.
 Fonctionnement inversé si la jonction JNE est en inverse et la jonction JBC est en
direct. Ce type de fonctionnement est inutilisable en électronique analogique ou
numérique.
Intéressons nous au fonctionnement normal du TBJ de type NPN monté en base commune.
Polarisons la structure du transistor comme indiqué sur la figure 3.

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Figure 3 : Polarisations des deux jonctions en fonctionnement normal
VEE polarise la jonction JBE en direct.

VCC polarise la jonction JBC en inverse.
On a représenté sur le schéma le sens positif du courant au niveau de chaque électrode, c’est
dire IE sortant et IB et IC entrants.
Sur la figure 4, on représente le sens de mouvement des porteurs, électrons et trous, dans la
structure.
Figure 4 : Flux des porteurs dans un transistor NPN en fonctionnement normal
 Flux 1 : injection d’un nombre important d’électrons de l’émetteur vers la base

puisque la JBE est en direct. Ce flux fournit le courant InE.
 Flux 2 : Une partie des électrons injectés dans B se recombinent avec les trous, il
constitue le courant IB. La base étant mince et peu dopée, une partie importante des
électrons injectés dans B parviennent au collecteur.
 Flux 3 : La jonction JBC est polarisée en inverse, un champ important, dirigé de C
vers B, est présent au niveau de cette jonction. Les électrons parvenant à cette
jonction, et qui ont échappé à la recombinaison dans la base, sont collectés au niveau
du collecteur, ce qui se traduit par un courant important InC.
 Flux 4 : La jonction JBE étant polarisée en direct, un flux de trous est injecté de B
dans E, Ce flux constitue IpE.
 Flux 5 et 6 : Flux des minoritaires dus à la présence du champ électrique intense au
niveau de la JBC, les électrons minoritaires dans P poussés vers C, les trous
minoritaires dabs C sont poussés dans B. Les deux flux constituent un courant dit de
minoritaires ou de saturation inverse qu’on note par ICBO et dépend de la température.

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Les flux 1 et 4 constituent le courant total IE, d’où : IE=InE+IpE. Or E est plus dopé que B,
IE InE.
Le transistor est dit bipolaire car il utilise deux types de porteurs majoritaires, électrons et
trous, pour produire les courants. Les courants IB, IC et IE sont reliés entre eux selon les
relations ci-dessous :
 IC  CSi on néglige ICBO, on aura : IC   est dite
amplification statique en courant du montage base commune, elle est de 098 à 0.99 ou
égale à 1 dans le cas idéal.
 IE=IC+IB d’où IB= (1- )IE
 IC= avec ( . Si on
néglige le terme en ICBO, on aura :
IC= .
a une valeur importante.
En définitive, les relations entres les différents du transistor sont :
Remarque : Dans certaines références bibliographiques, on attribue le mot gain au lieu de

l’amplification.
II- Caractéristiques statiques du transistor bipolaire
Considérons un transistor NPN monté en émetteur commun. Pour obtenir les caractéristiques
de ce transistor, on utilise le montage expérimental de la figure 5.

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Figure 5 : Montage expérimental pour tracer les caractéristiques du transistor.
EB : générateur de tension qui polarise la JBE en direct.

EC : générateur de tension qui polarise la JBC en inverse
RB : résistance variable qui permet de varier IB soit de contrôler sa valeur pour EB fixée.
Le circuit du côté B est dit circuit d’entée ; celui du côté C est appelé circuit de sortie. IB et
VBE sont, donc, les variables d’entrée alors que IC et VCE sont les variables
de sortie du montage.
RC : permet de contrôler la valeur de IC mesuré par un ampèremètre placé en série.
IB est mesuré par un microampèremètre placé en série avec B, VBE est mesurée par un
voltmètre placé en parallèle avec les électrodes B et E.
La tension VCE est mesurée au moyen d’un voltmètre placée en parallèle entre C et E, le
courant IC est mesuré par un ampèremètre placé en série avec RC et qui n’apparait pas sur le
montage.
Pour tracer le réseau de caractéristiques d’un TBJ, il suffit de fixer une des variables et de
déterminer les 2 autres à partir de la variation de la 4ème. Soit :
Les différentes caractéristiques d’un TBJ de type NPN monté en émetteur commun sont
décrites par les fonctions ci-dessous :
 IC=f(VCE) à IB=constante : Caractéristique de sortie.
 IB= f(VBE) ou VBE =f(IB) à VCE constante : Caractéristique d’entrée
 IC=f(IB) à VCE constante : Caractéristique de transfert en courant.
 VCE=f(VBE) à IB constante : Caractéristique de réaction tension-tension.
Les tracés des différentes caractéristiques sont regroupés sur la figure 6. On a divisé le graphe
en quatre quadrants, 1,2,3 et4.

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Figure 6 : Réseau de caractéristiques d’un transistor NPN monté en émetteur commun
 Sur le quadrant 1, on a représenté le réseau de caractéristiques de sortie qui décrivent

la relation IC=f(VCE) à IB constant. On remarque que le courant de base, IB, paramètre
ces caractéristiques. On remarque que des valeurs de VCE supérieurs à une certaine
valeur dite de saturation, VCEsat, les courbes sont pratiquement rectilignes.
 Sur le quadrant 2, on représenté la caractéristique de transfert en courant qu’on
suppose indépendante de VCE et dont la pente n’est autre que β.
 Le quadrant 3 est réservé à la caractéristique d’entrée IB=f(VBE) à VCE constante.
On suppose que cette caractéristique dépend peu de VCE. Elle est exponentielle de
forme IB=IS-JBE ( où IS-JBE est le courant de saturation de la jonction

base-émetteur..
 Le quadrant 3 est très peu exploité dans les calculs des circuits à transistors.
Les points P1, P2, P3 et P4 représentent un exemple de point de fonctionnement de
coordonnées IB=30µA, VBE=0.62V, IC=3mA et VCE=5V. Si on provoque des petites
variations autour du point de fonctionnement, on peut déterminer les paramètres
caractéristiques du transistor ci-dessous :

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𝝆E : résistance différentielle d’entrée du transistor, µE est un coefficient de réaction, β n’est

autre que l’amplification statique en courant du transistor et finalement 𝝆
S constitue la
résistance de sortie
En régime dynamique, les paramètres ci-dessus sont respectivement remplacés par
Remarques :
Remarque1 : Si pour VCE>VCEsat, la caractéristique de sortie présente une inclinaison, le
courant collecteur devient dépendant de VCE et s’exprime par :
Remarque 2 : Selon la valeur de VCE, on peut faire apparaitre sur les caractéristiques de
sortie trois zones de fonctionnement comme le montre la figure 7.
Figure 7 : Différentes zones de fonctionnement

On voit apparaitre un claquage du transistor si on dépasse VCEmax fournie par le constructeur.
D’autres limites sont fournies par le constructeur qui sont : ICmax et Pmax comme le montre la
figure 8.

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Figure 8 : Limites de fonctionnement du transistor
1. Tension maximale collecteur-émetteur : VCEmax.

2. Limite pour VBE =VCE
3. Courant max. au collecteur
4. Droite pour IB = 0 soit IC=ICEO
5. Hyperbole de dissipation maximale: Pmax = VCEIC = Cte
Il faut donc tenir compte des limites ci-dessus avant d’effectuer les mesures.
Par exemple le constructeur fournit pour le transistor 2N1711 les limites suivantes :
- ICB0 = 10 nA à 25° C et 10 mA à 150° C
- VCEmax = 50 V.
- PCmax = 800 mW à 25° C et 200 mW à 150° C
- ICmax = 500 mA max.
III- Polarisation d’un transistor
On commence par poser la question suivante : Pourquoi polarise-t-on un transistor ?
La réponse est pour qu’il puisse fonctionner la région qui nous intéresse : Zone active, zones
de blocage ou de saturation. Le point de polarisation ou point de fonctionnement est souvent
représenté par la lettre Q (quiétude ou repos), il présente des coordonnées sur les trois
quadrants de la figure 6. Le point de fonctionnement doit être placé à l’intérieure des limites
fournies par le constructeur comme c’est indiqué sur la figure 9.
Figure 9 : Délimitation de la zone permise à la positon du point de fonctionnement

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En considérant le montage émetteur commun, les coordonnées de Q sur la courbe d’entrée

seront désignées par : IBQ, et VBEQ. Celles de Q sur la courbe de sortie seront désignées par :
ICQ et VCEQ. Jusqu’à présent, nous avons toujours utilisé 2 sources de tension pour polariser le
transistor : la première dans la boucle d’entrée et la deuxième dans la boucle de sortie. En
pratique, on utilise une seule source que l’on partage entre les 2 boucles.
Parmi plusieurs circuits de polarisation, on choisit celui qui répond aux critères suivants :
 Stabilité du point de fonctionnement vis-à-vis de la température car ICBO augmente
lorsque T augmente et VBE diminue.
 Insensibilité aux paramètres spécifiques du composant, β par exemple.
 En régime dynamique, le montage amplificateur de tension par exemple, doit avoir
une excursion maximale de la tension de sortie, un gain en tension important,….
III-1 Polarisation par la base.
Le montage à considérer est celui de la figure 10.
Figure 10 : Version complète d’un ampliateur

On voit apparaitre sur le schéma deux condensateurs C1 et C2 dits de liaison et qui se
comportent comme des circuits ouverts en continu, ils empêchent le continu d’aller vers la
source, ac imput signal ou signal alternatif d’entrée, et vers la charge, ac output signal ou
signal alternatif de sortie.
En continu, polarisation seule, le montage ci-dessous se ramène à :
En appliquant la loi des mailles sur la boucle 1, on obtient :

 droite d’attaque ou de charge à l’entrée
La loi des mailles appliquée sur la boucle 2 donne :
 : droite de charge.
Les deux équations, d’attaque et de charge, sont exploitées pour déterminer graphiquement le
point de fonctionnement du montage comme le montre la figure 11.

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IC
IC0 Q
IB IB0
VCE0 VCE
VBE0
Droite de charge
VBE statique
Droite d’attaque
statique
Figure 11 : Détermination graphique du point de fonctionnement

Les coordonnées du point de fonctionnement à l’entrée, IBQ et VBEQ, sont déterminées à partir
de l’intersection de la droite d’attaque avec la caractéristique d’entrée.
L’intersection de la projection de IBQ sur la caractéristique de transfert en courant fournit ICQ.
En projetant l’horizontale ICQ sur la droite de charge, on obtient la dernière coordonnée du
point de fonctionnement, soit VCEQ.
En plus de la méthode graphique ci-dessus, on peut déterminer le point de fonctionnent en
appliquant les théorèmes des réseaux à condition de disposer les valeurs des résistances du
circuit, des alimentations continues et du transistor. Parfois, on fournit de la valeur de
VBE si le transistor fonctionne dans sa zone active.
Considérons l’exemple numérique ci-dessous :
VCC=12V, RB= 100KΩ , RC= 560 Ω , VBE= 0.7 et β=100.
Les coordonnées du point de fonctionnement sont obtenues à partir des équations déterminées
auparavant, soit :
=
IC = β = 11.3mA
Et =12-560x11.3 5.7V
L’inconvénient de ce circuit de polarisation est que :
 IC dépend très fortement de β, propriété pas souhaitable.
 IC peut être affecté par des variations de VBE. On peut éliminer cet effet
en prenant VCC ≫ VBE (en pratique, un facteur 10 suffit).
 On peut passer facilement à la saturation du transistor.

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Pour avoir une idée sur l’instabilité du point de fonctionnement, considérons que la
température passe de 25°C à 75°C et que β passe de 100 à 150. En conséquence VBE passe de
0.7V à 0.6V (diminution de 2mV/°C), IC passe de 11.3mA à 17.1mA et VCE passe de 5.7 à
2.4V. On remarque que le point de fonctionnement se déplace vers la saturation et qu’une
variation relative de β de correspond une variation relative de
IC de et une variation relative de VCE de
En raison des inconvénients ci-dessus, on doit éviter ce type de circuit pour polariser un TBJ.
Remarque :
On peut améliorer la stabilité du point de fonctionnement en introduisant une résistance
intermédiaire, RE, entre l’émetteur et la masse comme le montre la figure 12. Le circuit est dit
à réaction d’émetteur.
Figure 12 : Stabilisation par réaction d’émetteur.

Les équations fournies par le circuit sont :
(
( )
Avec β>>1. Si en plus on a , d’où le point de

fonctionnement est stable par rapport au montage sans R E. Le rôle de RE est
donc de stabiliser le point de fonctionnement.
On a utilisé la tension entre les bornes de la résistance d'émetteur pour contrebalancer la
variation de β. Si β augmente, le courant collecteur augmente lui aussi. Cela fait diminuer la
tension VCE et donc fait diminuer la tension entre les bornes de la résistance de base et réduit
le courant base. Cette diminution du courant base entraîne une diminution du courant
collecteur, ce qui contrebalance partiellement l'augmentation initiale de β.
On peut améliorer la stabilité en plaçant la résistance RB entre le collecteur et la base comme
le montre la figure 13.

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Figure 13 : a) Polarisation par réaction de collecteur, b) droite de charge statique
Lorsque β varie du simple au triple, le courant collecteur double sa valeur. Le point Q n'est
pas figé, mais il se comporte mieux qu'en polarisation par réaction d'émetteur. De plus, le
transistor ne peut se saturer, si grand que devienne β. Voilà pourquoi, on utilise parfois la
polarisation par réaction de collecteur dans les amplificateurs petits signaux. Les calculs
effectués sur le montage donnent :
De ces résultats, on déduit que :
III-2 Polarisation par pont diviseur
La figure 14 représente le circuit de polarisation par diviseur de tension (appelé encore circuit
universel de polarisation). Cette polarisation est la plus utilisée dans les circuits linéaires.

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L'appellation « par diviseur de tension » provient du diviseur de tension formé par R1 et R2. La
tension entre les bornes de R2 polarise la diode émettrice en direct.
Figure 14 : Circuit de polarisation par pont diviseur
En appliquant le théorème de Thévenin entre la base et la masse, le montage ci-dessus devient

(figure 15).
Figure 15 : Circuit équivalent au circuit à pont

Avec et .

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On peut déduire des expressions ci-dessus que :
Le point de fonctionnement est stable à condition de réaliser les conditions précédentes.

Donnons un exemple de comportement du circuit suite à une augmentation de β en fonction
de la température.

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Si on compare ces résultats à ceux du paragraphe précédent, obtenus dans les mêmes
conditions, on remarque des variations moindres du point de fonctionnement, le montage est
donc stable.
IV- Amplificateur à transistor bipolaire en régime linéaire ou petits signaux
Pour avoir une amplification linéaire, on considère, dans le cas général, des signaux alternatifs
de faible amplitude par rapport aux valeurs de repos. D’une manière générale, la structure
d’un amplificateur est représentée par le schéma bloc ci-dessous :
X est un signal qui peut être une tension ou un courant. La source de puissance concerne la
tension continue de polarisation et qui sert à fixer le point de fonctionnement du transistor. Le
signal à amplifier est fourni par la source. Le signal de sortie est pris aux bornes d’une charge.
L’amplification est dite linéaire si son amplification, A, est définie par A=
On parle de saturation si X1 augmente mais X2 reste constant, dans ce cas, on a A .
IV-1 Structure d’un amplificateur à transistor bipolaire monté en émetteur commun

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Pour obtenir l’amplificateur il faut, en plus de la polarisation, superposer un signal sinusoïdal

à l’entrée du montage.
Rappelons qu’il existe trois types de montages amplificateurs :
 Montage émetteur commun : le signal d’entée est appliqué au niveau de la base, le
signal de sortie est pris du côté collecteur.
 Montage collecteur commun : l’entrée du montage est du côté base, la sortie est du
côté émetteur.
 Montage base commune : l’entée est côté émetteur, la sortie est du côté collecteur.
Considérons un transistor bipolaire de type NPN polarisé par pont diviseur que nous
rappelons sur le circuit ci- dessous (figure 16).
VCC
RC
Rb1
IC
IP
IB VCE
VBE
VE
Rb2
RE
Figure 16
On désire obtenir un montage amplificateur dit « en émetteur commun ». Pour cela il est
nécessaire d’exciter le montage entre base et masse par un générateur sinusoïdal indépendant
ve(t) = VM sin (wt). La tension de sortie vs du montage doit alimenter une résistance
d’utilisation Ru appelée encore charge de l’amplificateur. La structure d’un amplificateur
émetteur commun est représentée sur la figure 17.
Figure 17 : Montage amplificateur émetteur commun

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C1 : Capacité de liaison à l’entrée placée entre la source sinusoïdale et la base.

E0=VCC : tension de polarisation du transistor.
CE : capacité de découplage de la résistance RE.
En raison de la présence de deux générateurs, eg et E0, les courants et tensions du transistor
prennent la forme suivante :
iB= IB+ib , iC=IC+ic, vBE=VBE+vb et vCE=VCE+vce

La variable totale, désignée par une lettre minuscule d’indice majuscule, est la somme d’une
composante continue ou de repos, IB par exemple, et d’une composante alternative, ib par
exemple. On résume la situation sur la figure 18.
Figure 18 : Coutants et tensions du transistor

En appliquant le théorème de superposition, on peut séparer l’étude de l’étage amplificateur
de la figure 17 en deux, une étude statique qui permet de déterminer les composantes
continues ou de point de fonctionnement et une étude dynamique qui permet d’obtenir les
composantes alternatives.
IV-2 Analyse graphique de l’amplification

On va s’intéresser aux tensions sinusoïdales qui évoluent autour des tensions continues
comme c’est indiqué sur la figure 19. Sachant que la tension continue VCC est fixe par
principe, ses variations sont nulles. La tension VCC se comporte donc pour les variations
comme un court-circuit.
Pour l’attaque en courant, on considère ib qui introduit une faible distorsion sur la tension de
sortie vce( figure 19)

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Figure 19 : évolutions des tensions du circuit autour des valeurs de repos Pour une attaque en
courant.
VCE0, IC0, VBE0 et IB0 sont les coordonnées du point de fonctionnement statique du transistor.
La droite de charge désignée par DCB correspond à la droite de charge dynamique de pente
non confondue avec la droite de charge statique de pente .
Pour l’attaque en tension, on considère vbe qui introduit une distorsion notable par le passage
de vbe et ib et qui s’ajoute à celle de l’attaque en courant (figure 20).

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Figure 20. Attaque en tension
Sur la figure 21, on voit bien une distorsion du signal de sortie (a) ou un écrêtage (b).
a b
Sous l’influence du signal alternatif, le point de fonctionnement quitte sa position de repos P 0
et se déplace sur la DCD, de pente -1/RC.
Les limites de son déplacement (pour une amplification) sont M1 et M2. Pour éviter le
phénomène d’écrêtage, il faut choisir le point de repos P0 au milieu du segment M1M2.

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Si eg est sinusoïdal, et le fonctionnement est linéaire ou petits signaux, on aura :
IV-3- Analyse du circuit de l’amplificateur supposé linéaire.

L’amplificateur étant linéaire, on peut utiliser le théorème de superposition. On traite d’une
part la composante continue, et d’autre part la composante alternative. Il faut donc considérer
deux circuits, et deux schémas équivalents différents.
IV-3-1 Schéma équivalent pour la composante continue :
C’est le circuit à considérer pour faire le calcul de la polarisation. On remplace tous les
condensateurs par des circuits ouverts
Pour avoir le circuit en continu, on remplace les condensateurs par des circuits ouverts
( .
Il en résulte le circuit suivant (figure 22).
Figure 22.Montage en statique

L’équation de la Droite de Charge Statique (DCS) est :
= (
IV-3-2 Schéma équivalent pour la composante alternative ou schéma en régime

dynamique:
Supposons qu’aux les fréquences de travail, les impédances des différents condensateurs sont
considérées comme des courts circuits. On parle dans ce cas de domaine des fréquences
moyennes. Le circuit à considérer est celui représenté sur la figure 23.

23
Figure 22.
Remarque :
Les effets de la fréquence sur l’amplification en tension du montage sont représentés sur la
figure 23.
f1 et f 2 sont dites fréquences de coupure.

Figure 23.

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IV-3-3 Schéma équivalent BF (ou MF) du Transistor Bipolaire
En régime linéaire ou petits signaux, on a l’habitude de représenter un transistor bipolaire par

ses paramètres hybrides hij, soit :
Avec hie=h11, hre=h12, hfe=h21 et h0e=h22.
Les équations (1) et (2) sont représentées par le circuit équivalent ci-dessous (figure 24).
Figure 24
Les paramètres hybrides varient avec le point de fonctionnement. L’indice « e » signifie

émetteur commun. Le paramètre de réaction hre
D’où le schéma le plus utilisé est celui de la figure 25.

25
Figure 25
Si en plus, on a une charge RL avec Ω et Ω, on peut négliger 1/h0e
devant RL, d’où schéma équivalent simplifié ci-dessous (figure 26).
Figure 26.
On peut représenter le circuit équivalent de la figure 26 en celui de la figure 27.
Figure 27.
(
( ) et (
(
IV-3-4 Calcul des paramètres caractéristiques d’un amplificateur.

a) Montage émetteur commun
Considérons le montage de la figure 28. Nous considérerons que tous les
condensateurs se comportent comme des courts circuits aux fréquences de travail. On
suppose que le régime linéaire ou petits signaux est respecté.

26
Figure 28
En régime dynamique petits signaux, on obtient le schéma équivalent de la figure 29.
Figure 29
A partir de ce circuit, on peut déterminer les paramètres ci-dessous :
Le signe - sur Av signifie que v2 et v1 sont en opposition de phase.

b) Montage base commune.
Le circuit correspondant est celui de la figure 30. L’entrée du signal se fait par
l’émetteur, alors que la sortie est prise au niveau du collecteur.

27
Figure 30
En régime dynamique petits signaux et pour des fréquences où les condensateurs sont
considérés comme des courts circuits, on obtient le schéma équivalent suivant (figure
31) :
Figure 31.
En négligeant 1/h0e, on peut :
Ce montage est caractérisé par une amplification élevée en tension, une amplification en
courant , une résistance d’entrée faible et de sortie élevée.
c) Montage collecteur commun.
Pour le montage collecteur commun, l’entrée du signal est du côté base, la sortie est du côté
émetteur. Le circuit correspondant est celui de la figure 31.

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Figure 31.
Si on considère les condensateurs comme des courts circuits et que le régime linéaire est
respecté, on obtiendra le schéma équivalent dynamique ci-dessous (figure 32) :
Figure 32
Si on néglige 1/h0e, on peut :
Ce montage est caractérisé par une amplification en tension proche de 1, montage suiveur ;
une amplification en courant élevée ; une résistance d’entrée élevée et une résistance de sortie
faible.
IV-4- Comportement du transistor aux hautes fréquences.
Aux hautes fréquences, on utilise le schéma équivalent dit de Giacoletto représenté sur la
figure 33. Ce schéma est valable pour le montage émetteur commun.

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Figure 33
On remarque sur le schéma une base externe B et une base interne B’
CB’C est la capacité de transition de la jonction B’C polarisée en inverse. CB’E est la capacité
de diffusion de la jonction B'E en polarisation directe, la résistance d’accès à la base
effective B’ est rBB’. CB’C et CB’E sont dits capacités parasites du transistor.
Le courant iB’ peut être remplacé par gmvB’E . Le courant de base actif est celui qui passe
dans la résistance de la jonction base émetteur, soit rB’E. Ceci a pour conséquence d’introduire
une fréquence de coupure, avec sortie en court-circuit, du gain en courant en régime
sinusoïdal qui s’exprime par :
La fréquence de coupure à RC 0 est encore plus faible car le gain en tension, négatif
,amplifie le courant dans CB’C qui apparaît alors vue de la base comme une capacité
(1+Av)CB’C si Av est la valeur absolue du gain en tension en basse fréquence (effet Miller).

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Chapitre II
Les transistors à effet de champ, TEC ou FET en statique et en dynamique

(Amplificateur)
Introduction
Il existe une grande variété de transistors à effet de champ. La figure 1 représente les deux
catégories qui feront l’objet de ce chapitre. Le MESFET sort du cadre de ce cours.
Figure 1 : Différentes catégories de FET
Le point commun entre les transistors ci-dessus est qu’ils fournissent un courant contrôlé par
un champ électrique ou une tension. Le principe de fonctionnent diffère de celui d’un
transistor bipolaire.
Il existe de nombreux types de transistors utilisant un ”effet de champ” (FET : Field Effect
Transistor). Ces composants sont caractérisés par l’utilisation d’un seul type de porteurs : les
électrons ou les trous, par opposition aux technologies bipolaires utilisant simultanément les
deux types de porteurs. Le principe d’un transistor à effet de champ est commun aux
différentes sous catégories de transistors. Il repose sur l’existence d’un canal, c’est à dire
d’une zone dans laquelle les porteurs sont libres de se mouvoir sous l’action d’un champ
(phénomène analogue à une résistance). Les porteurs passent ainsi d’une borne à une autre à
travers ce canal sous l’action d’un champ électrique (c’est à dire d’une tension) appliqué tout
du long, comme cela est représenté sur la figure 2 (on note Vlong la tension appliquée). A
l’aide d’une tension transversale au canal, notée Vtrans sur le schéma, on contrôle la section du
canal (de manière indirecte à l’aide d’une jonction ou d’une capacité, comme nous le verrons
plus loin). On module ainsi la résistance de ce canal et donc la valeur de l’intensité le
parcourant. Nous allons voir qu’un tel dispositif permet soit de réaliser une résistance
commandée (à l’aide de Vtrans), soit une source de courant commandée en tension (à nouveau
par la tension Vtrans), soit un fonctionnement en tout ou rien.
Le nombre de possibilités pour réaliser un tel dispositif est important. En effet, on peut agir
soit sur le type de porteurs (électrons ou trous), soit sur le type de contrôle du canal (nous

31
verrons plus loin que la section du canal est commandée via une jonction de matériaux), soit
sur l’état du canal au repos (existence ou non du canal à Vtrans = 0V ).
Fig. 2.1 – Principe d’un transistor à effet de champ.
I- TRANSISTORS à EFFET DE CHAMP à JONCTION (TEC ou JFET :

Junction Field Effect Transistor)
1 – Structure
Contrairement aux transistors bipolaires dont le fonctionnement repose sur deux types de
porteurs les trous et les électrons, les transistors unipolaires fonctionnent avec un seul type de
charges, les trous (JFET à canal P) ou les électrons (JFET à canal N). Le transistor à effet de
champ à jonction est un premier exemple de transistor dit unipolaire.
La structure de base d’un transistor JFET à canal N est représentée sur la figure 2. Pour
obtenir un JFET à canal P, on remplace les régions P par N et la région N par P.
Drain Source
Zones de charges Canal

d’espace ou ZCE
(Gate ou
grille)
Figure 2 : Structure d’un JFET à canal N

32
En fonctionnement normal et pour un canal N, la tension VDS est supérieure à zéro ( ,

alors que VGS est inférieure ou égale à zéro ( .
Sur un substrat P+ très fortement dopé, on diffuse une zone dopée N qui constitue le canal.
Au centre du dispositif, on diffuse une grille nommée aussi porte ou gate, dopée P+ reliée au
substrat. Deux électrodes sont prises aux extrémités de la zone N, appelées la source (zone
d’entrée des électrons dans le dispositif) et le drain (zone de sortie des charges). Il existe
aussi des JFET (acronyme pour Junction Field Effect Transistor) ayant un canal P qui sont
complémentaires des transistors canal N. Pour ces transistors à canal P, toutes les tensions et
les courants sont à inverser.
Le symbole utilisé pour les représenter est donné ci-dessous. Le trait qui correspond au canal
est continu. La grille et le canal forment une jonction PN ; la flèche correspondante est
orientée dans le sens passant de cette jonction. Sur les schémas, elle est parfois décalée du
côté de la source.
2- Symboles
On symbolise le JFET selon le type de conduction du canal, N ou P. La figure 3 représente les
symboles utilisés.
Figure 3 : Symboles d’un JFET selon le type du canal

G : électrode grille ; S : électrode source ; D : électrode drain.
Pour le canal N, la conduction électrique est assurée par les électrons. Ce sont les trous qui
assurent la conduction dans un JFET à canal P. Dans les applications courantes comme
l’amplification, on préfère utiliser le canal N car les électrons sont plus rapides que les trous.
La figure 3 montre qu’il s’agit d’un tripôle qu’on peut ramener à un quadripôle si on prend
une des trois électrodes comme référence de tension.
3- Fonctionnement
3.1 – Réseau des caractéristiques de sortie : ID=f(VDS) à VGS constante

En fonctionnement normal (figure4), la tension VDS>0 , donc un champ électrique vertical
dirigé de ‘D’ vers ‘S’, permet aux électrons de circuler, à travers le canal, de la source ‘S’ au
drain’ D’. Cette circulation d’électrons se traduit par un courant IDS entrant par ‘D’ et sortant
par ‘S’. La tension VGS< polarise la jonction grille canal en inverse ce qui se traduit par une
zone de charge d’espace plus épaisse et donc un canal moins épais qu’à l’équilibre. C’est
donc un champ électrique horizontal dirigé du canal vers la grille qui contrôle l’épaisseur du
canal et donc le courant IDS, d’où le nom de transistor à effet de champ.

33
Figure 4 : Polarisations en fonctionnement normal d’un JFET dans la zone ohmique.

La longueur du canal située sous la grille est désignée par L. Z représente la largeur du canal.
Sur la figure 5 on représente les détails concernant le canal.
Figure 5 : Représentation détaillée du canal
Le réseau de sortie est obtenu en traçant les caractéristiques IDS=f(VDS) à VGS constante (≤0).
Les tracés obtenus sont représentées sur la figure 5. On peut expliquer le comportement d’un
JFET en exploitant la caractéristique à VGS=0. On remarque deux zones différentes de
fonctionnement : une zone dite ohmique où IDS varie linéairement avec VDS et zone dite de
saturation où IDS devient presque indépendant de VDS et se sature à une valeur IDSS. On n’a
pas représenté une troisième dite de claquage où IDS s’éloigne brusquement de sa valeur de
saturation, ce claquage est à éviter. La séparation entre la zone ohmique et la zone de
saturation se produit pour VDSsat= VGS-VP où VP est dite tension de pincement du canal.

34
Figure 5 : Caractéristiques de sortie avec IDSS=8mA et VP=-4V
3.2 – Interprétation du fonctionnement

Considérons la caractéristique de sortie à VGS nulle représentée sur la figure 6.
Figure 6 : IDS en fonction de VDS à VGS=0

On remarque la présence de deux régions selon la valeur de VDS ; une zone dite ohmique où
ID varie linéairement avec VDS et une zone dite de saturation où le courant IDS se sature à une
valeur notée par IDSS indépendante de VDS.
 « Zone ohmique ou résistive » : VDS VDSAT=

Dans une jonction polarisée en inverse existe une zone isolante (sans porteurs libres) dont
l'épaisseur augmente lorsque la tension inverse. Cette zone isolante qui correspond aux
jonctions grille-canal et substrat-canal diminue l’épaisseur effective du canal figure 7).

35
Figure 7 : Début du pincement du canal du côté drain avec VDS<VDSsat.

Pour les tensions VDS faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique dont la
valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et la source. Le
JFET est alors équivalent à une résistance commandée par une tension. Pour une valeur V P
suffisamment négative de VGS, la conduction s’annule. On dit que le canal est « pincé » et que
VP est la tension de pincement (figure 8) .
Figue 8 : Pincement total du canal à VDS= VDSsat=VGS-VP et VGS=0

On remarque que le pincement débute du côté ‘D’ car la jonction grille–canal est plus
polarisée en inverse de ce côté. Etant donné que la largeur de la zone de déplétion ou de
charges d’espace est influencée par la tension entre le drain et la source. Du côté de la source

36
sa largeur est : w1 = √ √( . Du côté du drain, elle est égale à
√ √( , avec
Quand VDS augmente, la valeur du courant drain résulte de deux phénomènes compétitifs :
une croissance liée au caractère ohmique du canal et une diminution liée au pincement
progressif de ce canal qui débute en ‘D’(figure 8).
 " Zone de saturation

Dans cette zone tout accroissement de VDS, qui augmenterait le courant IDS, augmente aussi le
pincement. Quand le canal se pince, la densité du courant augmente jusqu'à ce que les
porteurs atteignent leur vitesse limite qui est la vitesse de saturation : le courant drain reste
constant et le transistor est dit saturé. La valeur maximum de IDS pour VGS = 0, qui correspond
au pincement du canal est notée par IDSS.
 " Zone d'avalanche
Elle résulte d'un claquage inverse de la jonction drain-grille. Ce claquage est destructeur du
dispositif si rien ne limite le courant drain.
 " Influence de la température

La largeur de la zone de déplétion diminue avec la température ce qui induit une croissance
du courant drain. Mais la mobilité des porteurs diminue avec la température. C’est le second
effet qui est prépondérant pour les courants drains élevés et il n’y a pas de risque
d’emballement thermique avec les transistors à effet de champ.
3.3- Calcul du courant IDS
 Dans la zone ohmique où , on a :
Pour les faibles valeurs de VDS, le terme en VDS2 devient négligeable et on aura :
( ( ]
C’est une fonction qui augmente linéairement avec VDS et qui contrôlée par VGS.
 Dans la zone de saturation où
C’est une équation qui a été définie par Shockley. En réalité IDS aumente légèrement avec
VDS dans la zone de saturation, cet effet décrit l’effet Early qui se traduit sur l’équation par
l’ajout d’un terme supplémentaire comme le montre l’équation ci-dessous :
( )2(1+
L’effet Early est représenté sur la figure 9.

37
Figure 9 : Effet EARLY
3.4- Caractéristique de transfert : IDS=f(VGS) à VDS

Cette caractéristique est une droite dans la zone ohmique. Dans la zone de saturation, la
caractéristique est parabolique et décrite en première approximation par la relation de
Shockeley, soit :

Dans la zone de saturation, elle possède l’allure représentée sur la figure 10.

Figure 10: Caractéristique de transfert IDS=f(VGS) dans la zone de saturation
Les JFET sont caractérisés par une grande dispersion des valeurs des paramètres. Pour un
même type, le courant drain maximum IDSS et la tension VGS de pincement, VP, peuvent varier
d’un facteur 4 à 5. Ainsi pour un 2N 5459, on note les valeurs suivantes :
4 mA < IDSS < 16 mA et – 2 V > VP > – 8 V.
4 – Polarisation des transistors à effet de champ

38
4.1– Polarisation automatique (figure 11)

Il s’agit du montage de polarisation le plus utilisé. Le mot automatique provient du fait que la
jonction grille-source est polarisée automatiquement par la tension aux bornes de la résistance
RS.
Figure : Montage à polarisation automatique ou ‘self- bias configuration’
En courant continu, les condensateurs C1 et C2 sont considérés comme des circuits ouverts et
le courant grille IG est nul, on obtient le circuit donc le circuit de la figure 12.
Figure 12 : Montage en statique

La grille est reliée à la masse par une résistance RG de forte valeur. Comme le courant grille
est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la résistance de source une
chute de tension égale à RS.ID . La tension grille-source vaut donc :
VGS = VGM – VSM = – RS.ID . Cette équation est dite droite de transfert ou droite
d’attaque.

39
On remarque, d’après la présence du signe’-‘, que la grille est bien négative par rapport à la
source.
Du côté drain, on a :
VDS = VDD – (RS + RD).ID. C’est l’équation dite de droite de charge.

En représentant les deux droites sur les réseaux d’entrée et de sortie, on déduit les
coordonnées du point de fonctionnement du transistor (figure 13).
Figure 13 : Détermination graphique du point de fonctionnent d’un JFET à canal N monté en

source commune.
L'intersection de IDS = – VGS/RS avec la caractéristique de transfert définit la tension

VGS=VGSO et la valeur de IDS= IDSO.
L’intersection de la droite de charge et de la caractéristique de sortie qui correspond à V GS0
donne la valeur de VDS= VDS0.
Si le courant drain augmente, la chute de tension dans la résistance de source augmente ce qui
diminue la conduction du canal et donc le courant drain. Il y a une contre-réaction qui
stabilise le point de fonctionnement.
Pour effectuer le calcul théorique d’un point de fonctionnement, on associe les équations
fournies par le circuit à la relation de Shockley qui est : ( où IDSS et VP
sont des caractéristiques d’un JFET et sont données par le constructeur.
On a, donc, à associer trois équations :
 Relation de Shochley : ( ,
 Droite de transfert : VGS=-RSIDS,
 Droite de charge : VDS=VDD-(RD+RS) IDS.
Si par exemple, on utilise un JFET avec IDSS=8mA et VP=-6v et on suppose que le transistor
est polarisé au point milieu c’est-à-dire VGS= , on déduit pour le circuit où RD=3.3KΩ,
RS=1KΩ , RG=1MΩ et VDD=20V:
VGS=-3V ; IDS= = 2mA et VDS=20-(4.3)103x2.10-3=11.4V.

4.2-Plarisation par pont.
Le montage à considérer est celui de la figure 14.

40
Figure 14 : polarisation avec pont diviseur.

En régime statique, les condensateurs C1 et C2 et CS sont des circuits ouverts. Le montage se
ramène alors à :
Figure 14 : polarisation par pont

En appliquant le théorème de Thévenin entre G et la masse, on obtient : Eth=VG= et
Rth= RG= où IG=0.
En appliquant la loi des mailles au niveau de la grille, on obtient :
VGS = VG - RSIDS
Au niveau de la sortie on a :
VDS=VDD-(RD+RS) IDS
Remarque : D’autres montages de polarisation sont possible comme par exemple (figure 15) :

41
Figure 15
On peur regrouper les différents montages de polarisation sur le tableau ci-dessous :
Différentes configurations de polarisation d’un JFET à canal N
5-Schéma équivalent d’un JFET en régime linéaire ou petits signaux

En régime linéaire, on peut décrire un JFET à canal N monté en source commune par le
système d’équations :
ig=0

42
ids=gmvgs+
à , c’est à dire à : pente du transistor.
c’est-à-dire à résistance de sortie du transistor qui
tient compte de l’effet Early. On représente, parfois, cette résistance par ρ.
Notons qu’en régime variable, on a :
, et sont dites composantes continues ou valeurs moyennes déterminées en

statique.
sont dites composantes alternative et qui sont purement dynamiques.
Le système d’équations donné au début du paragraphe est représenté par le schéma électrique
équivalent suivant (figure 16).
Figure 16 : Schéma équivalent d’un JFET à canal N en source commune
Dans certaines configurations on trouve gds =1/ρ au lieu de ρ, de telle sorte qu’on écrit :
ids=gmvgs+ ; cette équation se traduit par:
G D
Il s’agit d’un schéma équivalent dans la zone de saturation du transistor. Dans cette zone, on
a:

43
Soit :
Si on désigne par ( , on a :
La pente dépend aussi bien de VGS que de IDS comme le montre la figure 17.
Figure 17 : Variation de gm avec la position du point de fonctionnement
La caractéristique de transconductance étant parabolique, les JFET déforment les signaux de

grande amplitude. Il faut satisfaire la condition ids << ID pour limiter la distorsion du signal.
On détermine graphiquement la résistance de sortie du JFET en procédant comme indiqué sur
la figure 18.

44
Figure 18 : détermination graphique de la résistance de sortie du JFET.
Comme pour gm, rd dépend du point de fonctionnement. Ceci est représenté sur la figure 19.
Figure 19 : Dépendance entre rd et le point de fonctionnement
6 – Montage amplificateur à JFET

Comme pour les transistors bipolaires trois montages peuvent être envisagés : source
commune, drain commun et grille commune. En source commune l’entrée du signal est côté
grille alors que la sortie est du côté drain. En drain commun, l’entrée est en G, la sortie est en
S. En grille commune, l’entrée est en S, la sortie est en D.
6.1- Montage source commune
Considérons un montage à JFET à canal N à polarisation automatique (figure 20).
Figure 20 : Montage amplificateur source commune.
Zi : impédance d’entrée vue par la tension vi ou par la source.

Z0 : impédance de sortie vue par la tension v0 ou vue par la charge.
Cl1 et Cl2 sont dites capacités de liaison entre la source et la charge respectivement.
Cs : Capacité de découplage de RS pour ne pas diminuer le gain en tension de l’amplificateur.
RCH : résistance de charge
En régime dynamique petits signaux, le JFET peut être remplacé par son schéma équivalent
de la figure 16. Si les fréquences de travail sont de telle sorte que les condensateurs se

45
comportent comme des courts circuits ou d’impédances négligeables, on obtient le circuit ci-
dessous (figure 21).
ie is
Figure 21 : Schéma équivalent du montage en régime dynamique

Du montage ci-dessus, on peut déterminer :
 : amplification en tension.
 : amplification en courant
 : résistance d’entrée

 Calcul de
 posons R=(1/gds)//RD//RCh, on a en sortie:
 A l’entrée on a:
 Soit:
L’amplification en tension négative, il existe don un déphasage de 180° entre l’entrée et la
sortie.
 Calcul de
 Posons RD’= 1/gds//RD, la relation de division de courant donne :
 A l’entrée on a :
 Soit :
 Calcul de :
 Calcul de :
 Pour , si Rch est en circuit ouvert on a, en
sortie le schéma ci-dessous :
is

46
 =
6.2- Montage drain commun

Considérons le circuit de la figure 22.
Figure 22 : montage drain commun

En régime dynamique linéaire et en considérant les condensateurs de liaison CLe et CLS
comme des courts circuits (domaines des fréquences moyennes), on obtient comme schéma
dynamique le circuit de la figure 23.
is
ie
Figure 22 : Montage drain commun en régime dynamique
Déterminons les caractéristiques de l’amplificateur, à savoir :

 .
 Calcul de :
 En sortie, posons // , d’où : .
 A l’entrée, on a : (
 . On remarque que
(
, le montage drain commun n’amplifie pas en
tension , il est dit suiveur.

47
 Calcul de :
 En sortie, posons ,
(
 A l’entrée on a :
 (
=-(

 Calcul de la résistance de sortie :
- On met en court-circuit et on met en circuit ouvert,
- ( ) =0 =0 et
-
6.3- Montage grille commune
Le montage qui correspond à cette configuration est représenté sur la figure 23.
Figure 23 : Montage grille commune

En régime dynamique petits signaux et pour des fréquences où les condensateurs sont des
court-circuit, on obtient le schéma équivalent ci-dessous ( figure 24).
Figure 24 : Schéma équivalent en régime dynamique

48
Calculons les caractéristiques de cet amplificateur qui sont :

 .
 Calcul de :
- A l’entrée, on
- En sortie, on a : ( ( avec
, d’où :
- ( =-( =+(
(
-
(
 Calcul de AI :
(
-
- ( ) = -[ (
(
-
( (
 =
(
 , soit :
II. TRANSISTOR MOSFET ( Metal Oxyde Semiconductor Field Effect

Transistor)
1- Structure
Il existe quatre catégories de MOSFET:
- 2 types MOSFET dits normalement OFF ou à enrichissement ou à canal induit:
à canal N et à canal P.
- 2 types de MOSFET dits normalement ON ou à déplétion ou à canal diffusé.
La structure d’un MOSFET à enrichissement à canal N et à canal P ainsi que leurs symboles
sont représentés sur la figure 25. On retrouve les trois électrodes caractéristiques d’un FET à
savoir la source, S, le drain, D, et la grille, G. On remarque que sans polarisation, il y a
absence du canal entre S et D. Ce canal sera induit par des polarisations appropriées,
VGS>VTH>0 pour le canal N et VGS<VTH<0 pour le canal P. VTH représente le seuil de VGS à

49
partir duquel un canal apparait entre S et D. Un oxyde apparait entre le contact métallique de
G et la région P ou N dans laquelle sera créé un canal à électrons ou à trous.
Symbole
Figure 25 : MOSFET à enrichissement ou E-MOSFET à canal N. (a) Vue à 3D ; (b) coupe

Le MOSFET à enrichissement à canal P est représenté sur la figure 26.

50
Symbole
S D
Figure 26 : MOSFET à enrichissement ou E-MOSFET à canal P
Le MOSFET à déplétion diffère du précédent par le fait que le canal est présent avant même
l’application des polarisations. On le désignera par D-MOSFET. On distingue encore un
D-MOSFET à canal N et à canal P.
(a) (b)
Symboles d’un D-MOSFET : (a) à canal N ; (b) à canal P
Les structures du D-MOSFET sont représentées ci-dessous (figure 27).

51
D-MOSFET à canal N
D-MOSFET à canal P
Figure 26 : D-MOSFET
2- Fonctionnement et caractéristique d’un MOSFET
Considérons un E-MOSFET à canal N. Lorsqu’aucune tension VGS n'est appliquée entre la

grille et la source, alors qu'une tension VDS positive est présente entre Drain et Source, la
diode Substrat (relié à la Source) - Drain est polarisée en inverse et aucun courant ne circule
dans le circuit Drain-Source.
Appliquons une tension VGS positive entre G et S (fig.27). Le champ électrique créé par la
tension VGS, dans l’oxyde dirigé verticalement du contact G vers le substrat, repousse les
porteurs majoritaires, trous, présents à la surface du substrat du côté oxyde, vers dans le
volume du substrat. Il se forme alors sous la grille une zone de déplétion, vide de porteurs
libres (trous) mais peuplée d'atomes ionisés négativement. Parallèlement, la tension positive
de grille attire dans le canal des électrons provenant de la Source et du Drain (où ils sont
majoritaires). Lorsqu'un nombre suffisant d'électrons s'est accumulé à la surface du canal,
sous la grille, une zone de type N s'est effectivement créée. La zone N induite forme un canal
N qui donne son nom à ce type de MOSFET (on notera qu'un MOSFET canal N est réalisé sur
un substrat P. Inversement on peut réaliser des MOSFET’S canal P à partir d'un substrat N).
Si une tension positive est appliquée entre le D et S ( figure 28), un courant électrique, IDS,
s'établit alors à travers cette zone N induite circulant du Drain vers la Source.

52
Figure 27 : Apparition d’un canal d’électrons entre S et D

La valeur de la tension grille-source VGS qui produit une accumulation suffisante d'électrons
pour créer un canal conducteur est appelée tension de seuil Vth. (Threshold voltage). Cette
valeur dépend de la technologie mais s'étend en général entre 1 et 3V.
La grille (GATE) et le substrat (relié à la source) forment un condensateur, de capacité C OX,
dont le diélectrique est la couche d'oxyde. La tension VGS appliquée provoque la charge de ce
condensateur avec accumulation de charges positives sur la grille et de charges opposées dans
la zone d'inversion qui forme le canal. C'est donc l'amplitude de cette tension VGS qui contrôle
la conductivité du canal et donc le courant qui y circule lorsqu'une tension positive est
appliquée entre Drain et Source.
Figure 28 : Polarisation normale d’un E-MOSFET à canal N pour VGS>Vth.

On remarque que le canal est plus étendu du côté S que du côté D car la jonction Substrat don
grille-drain est plus polarisée en inverse que du côté S. La valeur de VDS choisie n’est pas
suffisamment importante.
Sur le schéma de la figure 28, une faible tension Drain-Source (VDS<1V) est appliquée. Un
courant ID s'établit à travers le canal N induit. On notera qu'il s'agit d'un courant d'électrons
libres circulant de la Source vers le Drain (d'où le nom de ces électrodes). L'intensité du
courant ID dépend de la densité d'électrons dans le canal, qui dépend elle-même de l'amplitude
de la tension VGS.
Pour des tensions VGS inférieures ou égales à la tension de seuil Vth, , le courant Drain ID est
nul ou négligeable. Lorsque la tension VGS dépasse la tension de seuil Vth, une plus grande
quantité d'électrons est attirée dans le canal. On peut représenter l'influence de la tension V GS

53
(au-dessus de Vth) comme une augmentation de la profondeur du canal. Il en résulte une

augmentation de la conductance du canal c'est à dire une réduction de sa résistance.
Pour les faibles valeurs de VDS et pour VGS>Vth, le canal et donc le transistor se comporte
comme une résistance contrôlée par la tension VGS comme le montre la figure 29.
Figure 29 : Comportement du transistor comme une résistance contrôlée par une tension
Le courant ID circulant dans le canal est donc proportionnel à (VGS-Vth) et à la tension Drain-
Source appliquée On note que le courant Drain est égal au courant Source puisque le courant
de Grille est nul (car la grille est isolée par l’oxyde).
Lorsqu’on augmente la tension Drain-Source en maintenant la tension grille-source constante
et égale à une valeur supérieure à la tension de seuil, on remarquera que la tension Drain-
Source VDS apparaît en fait comme une chute de tension tout au long du canal. Il en résulte
que la tension entre la grille et les différents points le long du canal est variable, de V GS côté
Source à VGS - VDS du côté Drain.
Comme la profondeur du canal dépend de cette tension, il est clair que la profondeur du canal
n'est pas uniforme comme l'indique la figure 28.
A mesure que la tension Drain-Source VDS augmente, le canal prend une pente de plus en plus
élevée (figure 30), tend à être pincé du côté D. Le courant ID se sature comme le montre la
figure 31.
Figure 30 : pincement du canal du côté D

54
Figure 31 : Caractéristiques iD-VDS à VGS constante

Vth : seuil de VGS qui induit le canal.
Dans la zone de saturation, lorsque la tension drain-source VDS atteint une valeur, VDSsat dite
de saturation, telle que la tension grille-canal côté Drain atteint la tension de seuil, c'est-à-dire
VGS-VDSsat = Vth d’où :VDSsat = VGS – Vth. Dans ces conditions, la profondeur du canal à
l'extrémité Drain devient voisine de 0 ; on dit qu'il y a pincement (pinch off). Toute
augmentation de VDS au-delà de VDSsat sera sans effet sur l'intensité du courant Drain ID qui se
sature.
Dans la zone ohmique où VDS< VGS-VTH, ID varie linéairement avec VDS.
La caractéristique iD-VGS à VDS située dans la zone de saturation, est représenté sur la
figure 32.
Figure 32 : Caractéristique de transfert iD—VGS à VDS=constante >(VGS-VTH)
3- Caractéristiques du E-MOSFET à canal N

3.1- Zone de fonctionnement ohmique, on a :
Où K est un paramètre dépendant de la géométrie et de la technologie utilisées, avec :

55
Et :
Avec où est la permittivité de l’oxyde, est l’épaisseur de

l’oxyde et WL est la section de zone sous la grille.
Si la tension drain-source est suffisamment faible, ce qui est le cas du fonctionnement avant
pincement, on peut négliger le terme VDS2. On obtient alors:
Cette relation linéaire entre ID et VDS montre que le MOS se comporte comme une
résistance dont la valeur peut être contrôlée par VGS (voir figure 29). Cette résistance est :
3.2- Zone de saturation

La zone de fonctionnement à courant Drain saturé correspond au pincement du canal qui se
produit pour VDSsat = VGS - Vth.
En remplaçant VDS par cette valeur dans l'expression (1) on obtient :
Soit : ( (2)
Dans cette zone de fonctionnement, le courant drain est indépendant de la tension drain-
source VDS et suit la tension grille-source VGS selon une loi quadratique.
Notons que la ligne de partage entre la zone triode ou ohmique et la zone de fonctionnement
saturé (ou zone d'amplification) correspond au pincement du canal qui se produit pour :
VDSsat = VGS – Vth. Cette ligne est donc décrite par la relation : ( .
Remarque :
Nous avons supposé que toute augmentation de VDS au-delà de la valeur pour laquelle se
produit le pincement était sans effet sur le courant Drain. En réalité, à mesure que la tension
VDS augmente, le point où se produit le pincement se déplace légèrement en direction de la
source. La longueur effective du canal se trouve réduite de (

56
Figure 33
Ce phénomène est connu sous le nom de modulation de la longueur du canal. Le paramètre K
étant inversement proportionnel à la longueur du canal, augmente avec VDS. Pour tenir
compte du phénomène de modulation de la longueur du canal, on introduit un terme
(1+VDS) dans la relation (2) où est une constante dépendant du MOSFET utilisé :
ID = K (VGS – Vth)2(1+VDS) (4)
On représente l’effet Early sur la figure 34.
Figure 33: Effet de la modulation de la longueur du canal ou effet Early

On remarque que tous les segments de droite de la caractéristique ID - VDS se coupent sur l'axe
des VDS en un point d’abscisse VDS = - 1/= - VA. VA est un paramètre valant typiquement
200 à 300V.Il en résulte que la résistance de sortie du MOSFET fonctionnant dans la zone de
saturation est finie et peut s'exprimer par :

2 -1
soit d'après (4) : Ro = [K (VGS - Vth) ] que l'on peut approximer en négligeant le terme
-1
VDS dans (4) : Ro = (ID) où ID est le courant correspondant à la valeur particulière de
VGS pour laquelle Ro est évaluée.
Cette relation peut aussi s'écrire : . On remarque que la résistance de sortie Ro est
inversement proportionnelle au courant drain de polarisation ID.
On en déduit un schéma équivalent en régime grands signaux qui présenté sur la figure 34.

57
Figure 34 : Schéma équivalent grands signaux du MOSFET

4- E-MOSFET en tant qu’amplificateur.
On retrouve les trois montages fondamentaux : Source commune (figure 35), drain
commun et grille commune.
(a) (b)
Figure 35 : Montage à MOSFET monté en source commune. (a) D-MOSFET, (b) E-MOSFET
L’étude statique et dynamique du montage est analogue à celle effectuée pour le JFET. En
régime statique, on met les condensateurs du montage en circuit ouvert et on court-circuite ve.
En régime dynamique, on court-circuite VDD , on remplace le transistor par son équivalent
linéaire en régime petits signaux et court-circuite les condensateurs si les fréquences de ve le
permettent.
Le schéma équivalent du MOSFET monté en source commune est représenté sur la figure 36.
Figure 36 : Schéma équivalent du MOSFET en régime petits signaux dans la zone de

saturation.
Avec :

58
Et
Le calcul des caractéristiques d’un amplificateur à MOSFET est identique à celui effectué
pour le transistor JFET.
Effectuons un calcul sur le montage de la figure ci-dessous.
En régime dynamique petits signaux, on obtient le circuit suivant :
Les résultats des calculs sont :

59

60
Chapitre III
Amplificateur opérationnel
INTRODUCTION.
Les montages amplificateurs à base de transistors ne sont pas très commodes d’emploi car :
 Ils ne permettent pas de transmettre le continu ;

 Ils sont objets des dispersions dues aux transistors, ce qui fait que leurs
caractéristiques sont imprécises et non répétables.
Les amplificateurs opérationnels sont nés au début des années 60, quand on a commencé à
intégrer plusieurs transistors et résistances sur le même substrat de silicium ; cette technologie
a permis de bâtir des montages complexes, et de les faire tenir sur une petite plaquette de
silicium encapsulée dans un boîtier (généralement à 8 broches) commode d'emploi.
Avec ces composants, on a eu accès à des amplificateurs simples d'utilisation, transmettant

des signaux continus, et facile à mise en œuvre à l'aide de quelques composants annexes
(résistances, condensateurs...) ; les caractéristiques des montages obtenus ne dépendent
quasiment plus de l'amplificateur opérationnel, mais uniquement des composants passifs qui
l'accompagnent, ce qui garantit une bonne fiabilité du résultat ce qui a assuré sa réputation.
Les amplificateurs opérationnels ont beaucoup progressé depuis leur création, et tendent
maintenant à devenir très proches de l'amplificateur idéal (l'amplificateur opérationnel parfait,
AOP).
I- Caractéristiques de l’AOP
l'AOP est constitué essentiellement d’un amplificateur différentiel, muni de deux entrées,
l'une dite non inverseuse (V+) et l'autre inverseuse (V-), et d'une sortie (s) comme le montre
la figure 1:
Fig. 1. Symbole d'un amplificateur opérationnel.
La fonction de transfert complète en continu (en pratique, Avd et Avmc dépendent de la

fréquence) de cet amplificateur est donnée par la formule :

61
( ( )
En général, on désigne ( par .
La fonction de transfert de l’AOP caractérisée par ( présente l’allure représentée

sur la figure 2
Figure 2
Ad est dit gain en tension en mode différentiel de l'amplificateur, et Avmc le gain en tension
en mode commun. Dans le cas d'un amplificateur parfait, on suppose que ces gains ne
dépendent pas de la fréquence. Pour un amplificateur idéal, on suppose =0, la
caractéristique de la figure 2 se ramène à celle de la figure 3.

62
Figure 3
Les gains, ainsi que les impédances d'entrée et de sortie d'un AOP doivent répondre à des
critères précis. On peut représenter le schéma équivalent de l'AOP par le circuit de la figure
4:
Fig. 4. Schéma équivalent d'un AOP.
: Impédance d’entrée en mode commun
: Impédance d’entrée en mode différentiel
: Impédance de sortie
: Amplification différentielle
L’amplificateur est dit idéal ou parfait si :
 les gains en tension doivent répondre aux caractéristiques suivantes : Ad =  et

Avmc = 0.

63
 Les impédances d’entrée en mode commun et différentiel sont infinies : Zed = , Zemc = .
 L’impédance de sortie nulle : Zs = 0
En résumé : un amplificateur opérationnel parfait est un amplificateur de différence pur

à gain différentiel infini, rejetant parfaitement le mode commun et dont les impédances
d'entrées sont infinies et l'impédance de sortie est nulle.
En réalité, l'amplificateur opérationnel réel présente des défauts par rapport à celui qui est
idéal, mais le modèle de ce dernier est suffisant pour étudier la plupart des montages simples
sans faire des calculs laborieux et inutiles.
Tous les montages fondamentaux qui vont être étudiés, on considèrera les hypothèses
relatives au modèle d'AOP parfait telles que décrites précédemment. Dans ces hypothèses, on
a vu que le gain en tension différentiel tendait vers l'infini : cela implique que la tension
d'entrée différentielle (V+ - V-) va devoir tendre vers 0 pour que la tension de sortie soit finie.
Calcul des montages à AOP.
II- MONTAGES DE BASE À AOP en régime linéaire.
Dans "amplificateur opérationnel", il y a deux mots :
Amplificateur : c'est la fonction de base de ce composant ; on va étudier plusieurs montages

amplificateurs de base.
Opérationnel : les caractéristiques de cet ampli nous donnent la possibilité de créer des
fonctions mathématiques telles que addition, soustraction, dérivée, intégrale, Logarithme ou
exponentielle. A l’aide des fonctions précédentes, on peut résoudre des équations
différentielles, et ainsi de simuler des réponses de systèmes physiques divers (mécaniques,
acoustiques...). D'où le nom "opérationnel".
II-1 AMPLIFICATION
Dans tous les montages amplificateurs, la sortie de l’AOP est rebouclée sur l’une des entrées
inverseuse (entrée « -») ou non inverseuse ou entréee « + ».
Dans ce paragraphe, nous considérerons que les AOP sont idéaux (impédances d’entrée en
+ -
mode différentiel ou commun sont infinies c’est-à-dire i+=i- =0, gain différentiel infini, v =v ,
et impédance de sortie nulle).
II-1.1. Amplificateur inverseur.
La figure 5 représente le schéma électrique d’un amplificateur inverseur.

64
Fig. 5. Amplificateur inverseur.
Calculons les paramètres de l’amplificateur qui sont :
-
-
- Et |pour
L’amplificateur OP est idéal, aucun courant n’entre dans ce dernier ; par conséquent, tout le
courant ie arrivant dans R1 passera dans R2 vers la sortie de l'AOP. On a donc :
Ve= R1 ie et Vs= - R2 ie

D’où :
- =
La présence du signe – sur Av signifie que sont en opposition de phase ce qui

confirme qu’il s’agit d’un amplificateur inverseur. On remarque que Av est indépendante de
la charge.
La résistance d’entrée est définie par : , d’où
Pour = 0 et sans charge, on a v+=0 et v- = = v+=0, d’où vs=0 et donc Rs=0
On peut obtenir Av en utilisant le théorème de Millman au niveau de l’entrée (-).
II-1-2 Amplificateur non inverseur.
L'amplificateur non inverseur est le deuxième amplificateur de base, figure 6.

65
Figure 6
Calculons l’amplification en tension, la résistance d’entrée et de sortie du montage en

réutilisant les définitions du paragraphe précédent.
On remarque que et que R1 et R2 forment un diviseur de tension entre , soit :

= , d’où
Le gain est non seulement positif (ampli non inverseur), mais il est aussi toujours supérieur à
1, alors que l'ampli non inverseur autorisait un gain (en valeur absolue) inférieur à 1, soit une
atténuation.
L’impédance d’entrée est Re =
Pour ce qui est de l'impédance d'entrée, elle est infinie, ce qui laisse plus de maneuvre dans le
choix de R1 et R2 pour régler le gain que dans le cas du montage inverseur.
En procédant de la même façon que dans le paragraphe précédent, on trouve
L'impédance de sortie du montage est encore nulle
II-2 MONTAGES OPÉRATIONNELS.
Après les fonctions d'amplification de base, on va voir plusieurs montages opérationnels, dans
le sens où ils vont réaliser des opérations arithmétiques sur un ou plusieurs signaux.
II-2-1 Additionneur inverseur.

66
Figure 7. Amplificateur sommateur inverseur.
À la base de ce montage, on retrouve l'amplificateur inverseur ; on avait vu que l'entrée

inverseuse était considérée comme une masse virtuelle, et qu'aucun courant n'entrait dans
l'AOP. De ce fait, chaque courant ii ne dépend que de la tension d'entrée Vei et de Ri relatif à
sa branche : il n'y aura donc pas d'interaction entre les différentes entrées.
On a :
Ve1= R1 i1 ; Ve2= R2 ie2 et Ve3= R3 i3.
-
La loi des nœuds en V nous donne : i= i1+i2+i3.
En sortie, on a : Vs= -Ri, soit (
On voit que ce montage offre donc toutes les souplesses. Par exemple si toutes les résistances
sont égales, on obtient :
On obtient donc un additionneur inverseur pur.
II-2-2 Montage soustracteur ou différentiel.
Ce montage permet d'amplifier la différence de deux signaux. Sa structure est représentée sur
la figure 8.
Figure 8. Amplificateur différentiel.

67
Pour calculer l’amplification en tension de cet étage, on va faire appel à la formule du pont
diviseur et au théorème de Millman.
Au niveau de l’entrée (+), on a :
Au niveau de l’entrée(-), appliquons Millman, on obtient :
Si les résisistances sont identique, on obtient :
La tension de sortie est une pure différence entre les deux signaux d’entrée.
II-2-3 Montage intégrateur.
Le circuit de base est celui de la figure 9. Le signal d’entrée peut être sinusoïdal ou non.
Figure 9. Montage intégrateur.
Le calcul de la réponse Vs à un signal d'entrée Ve se traite comme dans le cas de

l'amplificateur inverseur. On a : avec i= - C
En tenant compte du fait que i= , on obtient : ∫

68
On retrouve en sortie l'intégrale du signal d'entrée.
II-2-4 Montage dérivateur
Ce montage est similaire au précédent et se traite de la même manière.
Figure 10. Montage dérivateur.
En entrée et en sortie, on a : avec i= et q= C , d’où : .
La sortie est proportionnelle à la dérivée de l'entrée.
II-4-5 Montage logarithmique.
Dans ce montage, on retrouve la structure traditionnelle de l'ampli inverseur, mais avec une
diode en contre-réaction ( figure 11).
Figure 11
La diode, dont la caractéristique courant/tension est donnée par :
i= Is ( exp( -1) avec
Si VD >50mV, on néglige le terme 1 devant l’exponentielle et on aura ( .

En sortie, on trouve bien une fonction logarithmique du signal d'entrée. Tel quel, ce montage
aurait peu d'intérêt ; mais, si on se rappelle qu'additionner des logarithmes revient à faire une
multiplication, on en perçoit son utilité.

69
II-4-6 Montage exponentiel.
Pour multiplier deux signaux, il ne suffit pas de prendre le Log de chacun des signaux, et
d'additionner ; il faut ensuite prendre l'exponentielle du résultat. Ce circuit est fait pour
effectuer ce genre d’opération. La figure 12 représente la structure d’un tel circuit.
Figure 12. Montage exponentiel.
Par des calculs analogues aux précédents, on démontre facilement et de la même

manière que : ( )
D’autres applications courantes d’amplificateur opérationnel en régime linéaire comme

l’opération de filtrage.
III- Applications de l’AOP en régime non linéaire.
Les montages précédents sont qualifiés de "linéaires" car l'amplificateur fonctionne avec la
condition V+ = V- , soit dans sa plage de fonctionnement en amplificateur linéaire. Il convient
de noter que certains des montages étudiés (ex : montage logarithmique) ne sont pas
linéaires ! Mais, l'amplificateur, lui, fonctionne en mode linéaire.
Nous allons voir maintenant plusieurs montages (et il en existe bien d'autres) dans lesquels
cette condition n'est plus vérifiée.
Pour ce faire, on va forcer artificiellement les deux entrées à des valeurs différentes, ce qui
impliquera en sortie, du fait du gain infini (très grand pour les amplis réels), que l'ampli ne
pourra prendre que deux valeurs : Vsat+ et Vsat-, qui sont respectivement les tensions de
saturation positive et négative de l'ampli. En effet, ce dernier est alimenté par deux sources de
tension dont on ne pourra pas dépasser les valeurs en sortie.
Vu que l'amplificateur ne peut prendre que les deux valeurs des tension en sortie, ces
montages sont appelés montages en commutation, et peuvent être interfacés avec des circuits
logiques, qui ne connaissent, eux aussi, que deux états.

70
III-1-Comparateur simple de tensions.
Le principe est simple : on compare un signal d'entrée à une tension de référence, et selon que
la valeur du signal est supérieure ou inférieure à la référence, l'amplificaeur prendra l'une ou
l'autre des valeurs Vsat+ ou Vsat- en sortie.
Il existe deux configurations : le comparateur non inverseur (signal sur l'entrée +) et le

comparateur inverseur (signal sur l'entrée -). Dans le premier cas, si la référence est égale à 0,
la sortie vaut Vsat+ quand le signal est positif et Vsat- sinon. Dans le deuxième cas, on a
l'inverse.
Figure 13. Comparateur non inverseur.
Si on met un signal sinusoïdal à l'entrée, les chronogrammes d'entrée et de sortie sont donnés
sur la figure 14 :
Figure 14. Comparateur : chronogrammes
III-2- Comparateur à deux niveaux de basculement ou Trigger Schmitt.
Ce montage est très utilisé dans tout système de mesure où l'on doit détecter un seuil : il est
donc fondamental.
Il existe plusieurs schémas possibles. Le montage de la figure 15 sera choisi.

71
Puisque l’on fonctionne en régime non-linéaire, la tension de sortie ne peut prendre que les
valeurs +Vsat ou -Vsat.
On démontre que le basculement de la sortie se produit pour les valeurs de la tension d’entrée
reportées dans le tableau suivant :
Dans ce montage (et les autres montages non linéaires), l'amplificateur fonctionne en comparateur :
comme le gain est infini (ou très grand), on a les relations :
Dans le cas particulier où Vref = 0 et Vsat+ = |Vsat-| = Vsat, on aura :
La figure 16 donne les signaux d'entrée, de sortie, et de l'entrée + de l'amplificateur, pour

R1=10k et R2=33k :

72
Fig. 16. Signaux sur le trigger
En fait, tout se passe comme si on avait un comparateur de tension ayant deux seuils de
basculement liés aux états de la sortie : quand la sortie est à l'état bas, le seuil a une valeur
haute ; passé ce seuil, la sortie bascule à l'état haut, et le seuil prend une valeur basse. De ce
fait, pour faire rebasculer la sortie à l'état bas, il faut que le signal diminue d'une quantité
supérieure à la valeur l'ayant fait basculer précédemment : c'est l'hystérésis du trigger.
Un trigger est caractérisé par son cycle d'hystérésis (la réponse est différente suivant la valeur
de l'état de la sortie).
Le cycle relatif aux signaux de la figure 16 (mêmes valeurs de composants) est le suivant :
Figure 17. Cycle d'hystérésis du trigger
Ce cycle est centré autour de zéro, qui est la valeur de la tension de référence Vref. On y voit
les deux seuils de basculement de la sortie ; La différence de ces deux seuils est la valeur de
l'hystérésis. Ce cycle est ici symétrique pour deux raisons :
Vref = 0
Vsat+ = |Vsat-| = Vsat

73
Si on modifie ces valeurs, le cycle va devenir asymétrique par rapport à la tension de

référence. La tension de référence permet un décalage horizontal du cycle d’hystérésis
( ( On appelle « hystérésis », la différence en valeur absolue entre les deux seuils
(supérieur et inférieur). Les formules suivantes montrent qu’il suffit d’agir sur le rapport de
deux résistances pour augmenter ou diminuer sa valeur.
III-3-Multivibrateur astable.
Le but de ce montage est de délivrer un signal carré en sortie : c'est un générateur de signal
autonome. Le montage de base de cet oscillateur est le suivant ( figure 18).
Figure 18. Multivibrateur astable.
III-3-1- Fonctionnement
Supposons qu’à t=0, on a :

- Condensateur déchargé, c’est-à-dire 
- 
-  

74


III-3-2 Chronogrammes.
Les tracés ci-dessous, figure 19, représentent les signaux obtenus aux bornes du condensateur
et de la sortie du montage.

75
Figure 19
III-3-3 calcul de la période de l’astable
III-4- Multivibrateur monostable

76
C’est un circuit qui présente un seul état stable , +Vsat ou –Vsat, Si le circuit se trouve
initialement à l’état stable +Vsat, une impulsion de commande le fait passer à l’état instable
puis, le montage retourne de lui-même à l’état stable au bout d’un temps T, dépendant du
circuit, appelé durée du monostable.
III-4-1 Circuit
Le circuit est celui représenté sur la figure 20.
Figure 20
On suppose que :
III-4-2 Fonctionnement

77
On suppose que C est initialement déchargé c’est-à-dire i=0 et que l’état stable est Vs= +Vsat. Le
circuit de la figure 21 résume la situation à t=0.
Figure 21
Appliquons une impulsion externe à t=0+. L’impulsion fait passer la sortie à l’état instable –Vsat. La
nouvelle représentation est résumée sur la figure 22.

78
Figure 22
III-4-3 Chronogrammes
Sur la figure 23, sont représentés les tracés de V-, V+ et Vs.

79
Figure 23
On remarque que Vs est revenue à son état stable après un temps T, mais il faut attendre
que V+, V- et Vs soient revenues à l’état de départ pour pouvoir donner une nouvelle
impulsion.
II-4-4 Calcul de la durée de l’état instable

80
Remarque :
On peut aussi réaliser un astable ou un monostable en utilisant deux transistors bipolaires ou à
effet de champ fonctionnant en régime de commutation entre le blocage et la saturation.

81
Chapitre IV
Réaction et oscillateur harmonique
Dans certaines applications électroniques, un dispositif instable générant un signal périodique

à des fréquences bien définies est très utile. Un tel dispositif s’appelle oscillateur. Un
oscillateur est un montage électronique permettant d’obtenir un signal alternatif à partir de la
tension continue des sources qui servent à polariser les composants actifs du montage. Dans
un système électronique, cet oscillateur a souvent le rôle d’une source de référence de tension,
de fréquence ou de temps. Ainsi sont utilisées : l’horloge d’un micro-ordinateur, la base de
temps d’un oscilloscope…etc. Suivant la nature des signaux fournis, les oscillateurs se
divisent en deux grandes familles : – Les oscillateurs sinusoïdaux (ou harmoniques) qui
fournissent un signal quasi-sinusoïdal. – Les oscillateurs à relaxation qui produisent un signal
non sinusoïdal (créneaux, dents de scie…etc)
On distingue deux catégories :
- Oscillateur à réaction
- Oscillateur à résistance négative.
Pour comprendre le fonctionnement d’un oscillateur à réaction, il faut d’abord faire un tour
sur le principe de la réaction elle-même.
I - Etude de la rection
I-1- Principe de la réaction
Le principe de la réaction est utilisé dans de très nombreux circuits électroniques. Il consiste à
réinjecter une partie du signal de sortie à l'entrée du circuit pour le combiner avec le signal
d'entrée extérieur.
La réaction change fondamentalement les propriétés du circuit auquel elle est appliquée.
On distingue deux types de réaction : la réaction positive et la réaction négative.
Dans la réaction positive, on réinjecte une partie du signal de sortie en phase avec le
signal d'entrée extérieur. Ceux-ci vont donc additionner leurs effets pour produire un signal
de sortie plus grand que celui qui existerait en "boucle ouverte" (c'est à dire sans réaction).
C'est le principe qui est utilisé notamment dans les circuits oscillateurs ou dans les bascules.
Dans la réaction négative, on réinjecte une partie du signal de sortie en opposition de
phase avec le signal d'entrée extérieur. Ces deux signaux vont donc soustraire leurs effets
pour produire un signal de sortie inférieur à celui qui existerait en boucle ouverte.
Un amplificateur auquel on applique une réaction négative jouit de propriétés extrêmement
intéressantes, parmi lesquelles on peut citer:
- La stabilisation de la valeur du gain, c'est à dire sa désensibilisation aux
variations des caractéristiques des composants dues notamment aux variations
de température, aux tolérances de fabrication, etc.

82
- La réduction de la distorsion non-linéaire : la sortie reste l'image fidèle de

l'entrée, malgré les non-linéarités internes de l'amplificateur.
- La réduction de l'effet du bruit (signaux électriques parasites) dont la source
est interne à l'amplificateur.
- L'extension de la bande-passante de l'amplificateur par rapport à sa bande-
passante en boucle ouverte.
- Le contrôle de la valeur des impédances d'entrée et de sortie, c'est à dire la
possibilité de les augmenter ou de les diminuer à volonté, en fonction de la
configuration de circuit choisie.
La réaction négative permet donc de transformer un amplificateur imparfait en un
amplificateur dont les caractéristiques sont proches de celles d'un amplificateur idéal. Le prix
à payer pour cette amélioration des performances est la réduction du gain. On verra d'ailleurs
qu'il y a une proportionnalité directe entre la réduction du gain et l'amélioration des autres
caractéristiques de l'amplificateur : le facteur de réduction du gain est aussi le facteur par
lequel on pourra multiplier la largeur de la bande passante, ainsi que la valeur des impédances
ou admittance d'entrée et de sortie, etc.
I-2 Structure ET RELATIONS D'UNE BOUCLE DE RÉACTION
La structure générale d'une boucle de réaction négative est illustrée à la Figure 1.

L'amplificateur dont le gain vaut A en boucle ouverte délivre à sa sortie un signal xo. Ce
signal est appliqué à une charge extérieure, ainsi qu'à l'entrée d'un circuit de réaction dont la
sortie xβ est soustraite du signal d'entrée extérieur xs.
Figure 1 structure d’un circuit avec réaction négative
Les relations fondamentales de cette boucle peuvent s'exprimer de façon simple lorsque les
conditions suivantes sont remplies :
- le circuit de réaction β ne charge ni l'entrée ni la sortie de l'amplificateur, ce
qui revient à dire que le gain en boucle ouverte A de l'amplificateur n'est pas
affecté par les impédances d'entrée ou de sortie du circuit de réaction.
- La transmission du signal dans le sens direct (source vers charge extérieure) se
fait uniquement au travers de l'amplificateur.
- La transmission dans le sens inverse (charge extérieure vers source) se fait
uniquement au travers du circuit de réaction.
On verra par la suite comment une configuration quelconque peut être ramenée à ce cas idéal.
En admettant que les conditions de la réaction négative idéale soient applicables, on peut
écrire les relations suivantes entre les signaux d'entrée et de sortie de l'amplificateur et du
circuit de réaction.

83
Le signal d'entrée de l'amplificateur peut être défini par la relation :
Le gain en boucle fermée s'obtient à partir des relations précédentes, soit :
Le produit β.A s'appelle le gain de boucle, il doit être positif pour que la réaction soit bien
négative. Il est négatif pour une réaction positive.
Le terme (1+β⋅A) s'appelle le taux de réaction, c'est la quantité par laquelle il faut diviser le
gain A de l'amplificateur en boucle ouverte pour obtenir le gain en boucle fermée.
Les signaux d'entrée et de sortie de l'amplificateur (xi, xo), de la réaction (xo, xβ) et de sortie
de la source (xS), peuvent être indépendamment, soit une tension soit un courant. Ainsi quatre
cas possibles peuvent se présenter : ce sont les quatre configurations de circuits à réaction
négative. Xβ est parfois noté par XF.
Les grandeurs x pouvant être des tensions ou des courants, quatre cas peuvent se présenter
suivant la nature de xi, et de xs.
 Prélèvement série ou de courant et injection série ou une tension.
 Prélèvement série et injection parallèle ou un courant.
 Prélèvement parallèle ou une tension et injection parallèle ou courant.
 Prélèvement parallèle et injection série ou tension.
Les quatre combinaisons sont regroupées sur la figure 2.

84
Figure 2. Les quatre types de circuit à réaction
I-2- Effets de la réaction

La réaction négative agit sur les propriétés d’un amplificateur (de tension, de courant, de
trans- impédances ou de trans-admittance).
 Elle fait diminuer le gain de l’amplificateur.
 Réduire la sensibilité de l’amplificateur.

85
 Augmenter la résistance d’entrée si le signal réinjecté, Xf , est une tension ou fait

diminuer la résistance d’entrée si le signal réinjecté est un courant.
 Augmenter la résistance de sortie si le signal prélevé est le courant de sorie, i2, ou fait
diminuer la résistance sortie si le signal prélevé est la tension de sortie V2.
II- Oscillateur harmonique ou sinusoïdal à réaction
Dans certaines applications électroniques, un dispositif instable générant un signal périodique

à des fréquences bien définies est très utile. Un tel dispositif s’appelle un oscillateur. Un
oscillateur est un montage électronique permettant d’obtenir un signal alternatif à partir de la
tension continue des sources qui servent à polariser les composants actifs du montage. Dans
un système électronique, cet oscillateur a souvent le rôle d’une source de référence de tension,
de fréquence ou de temps. Ainsi sont utilisées : l’horloge d’un micro-ordinateur, la base de
temps d’un oscilloscope…etc. Suivant la nature des signaux fournis, les oscillateurs se
divisent en deux grandes familles : – Les oscillateurs sinusoïdaux (ou harmoniques) qui
fournissent un signal quasi-sinusoïdal. – Les oscillateurs à relaxation qui produisent un signal
non sinusoïdal (créneaux, dents de scie, etc.…)
II-1 Schéma bloc d’un oscillateur à réaction
La structure d’un oscillateur peut se ramener à celle d’un système bouclé (ou en boucle
fermée) constitué par :
 Une chaîne directe ou d’action de fonction de transfert A(p).
 Une chaîne de retour ou de réaction de transmittance B(p).
 Un comparateur qui réalise la différence entre le signal d’entré et la partie du signal
de sortie réinjectée à l’entrée.
La figure 1, le schéma bloc d’un oscillateur à réaction.
(a) (b)
Figure 1 : (a) Circuit avec réaction, (b) Oscillateur harmonique
Si on considère que la réaction est positive, la fonction de transfert du montage avec réaction est :

86
(
( (
avec p=jw..
(
Lorsque le signal de la source est nul, on aura [1-B(p)A(p)].S(p)= 0 . Pour que S(p) soit
différent de zéro, il faut que B(p)A(p)=1 qui représente la condition d’auto-oscillation.. Pour
la suite, on adoptera la réaction positive. En pratique, on prend le gain en boucle ouverte
légèrement supérieur à 1.
II-2 Oscillateurs basses fréquences

II-2-1- Oscillateur à pont de Wien
La réaction étant de type tension - série. Le quadripôle de réaction (R,C) est appelé « réseaux
de Wien » ou « pont de Wien » . On réalise un oscillateur à pont de Wien en utilisant un
amplificateur en cascade avec le pont puis on réalise la réaction comme le montre la figure 2.
Figure 2
E ou V1 représente la tension d’entrée du circuit de réaction.
S ou V2 : tension de sortie de l’amplificateur.
V ou Vf : tension de réaction.
La chaine directe constituée d’un amplificateur non inverseur est suivie du pont de Wien.. Le
gain en boucle ouverte est : BA= = .
Rappelons qu’on peut remplacer un amplificateur par le schéma équivalent de la figure 3.
Figure 3
Re : résistance d’entrée de l’amplificateur.
Rs : résistance de sortie

87
Avo= pour Ru en circuit ouvert.

L’amplificateur non inverseur peut être remplacé par le schéma équivalent de la figure 4.
Figure 4
En tenant compte du schéma équivalent de l’amplificateur et du circuit de réaction, on obtient
le circuit de la figure 5.
Figure 5
L’amplificateur utilisé est un non inverseur à amplificateur opérationnel, il est donc

caractérisé par ( ,
Sachant que le circuit de réaction ne charge pas l’amplificateur et que l’amplificateur ne
charge le circuit de réaction, on peut calculer AVO et B séparément. Pour calculer B, on utilise
le circuit de la figure 6.
Figure 6
On pose Z2= R// 1/jcw et Z1= R+1/jcw.

88
Le circuit est un diviseur de tension, d’où :
=
( ) (
Le gain en boucle ouverte est alors :
BA= (
(
La condition d’oscillation du montage est BA=1, d’où :
( ) (
L’égalité est vraie si :
( =0, soit est la pulsation des oscillations

obtenues. La fréquence des oscillations est alors : .
La condition de maintien des oscillations est BA(W= 1, soit :
( ) R2= 2R1.
En pratique, pour maintenir les oscillations sans amortissement on prend R2 légèrement
supérieure ou égale à 2R1 .
Remarquons qu’on peut réaliser un oscillateur à pont de Wien en utilisant d’auters
amplificateurs non inverseurs comme le montage base commune ou le montage grille
commune.
II -2-2 Oscillateur à circuit déphaseur.
L’amplificateur utilisé est un inverseur, émetteur commun, source commune ou inverseur à
amplificateur opérationnel. Le circuit de réaction est constitué de trois cellules R-C ou C-R.
La figure 7 montre un exemple de circuit de réaction de type déphaseur.
Figure 7
On a choisi sur le schéma des notations complexes à cause de la présence des condensateurs.
Faisons le calcul de B sans tenir compte de la résistance d’entrée de l’amplificateur que nous
devons la placer en parallèle avec la résistance située à droite du schéma.

89
L’impédance d’entrée du circuit de réaction est :
Prenons comme application le circuit de la figure 8.

90
Figure 8
Supposons que le régime est linéaire et que le condensateur CE découple parfaitement RE à la
fréquence des oscillations. Le transistor utilisé est caractérisé par ses paramètres hybrides h 11
et h21.
Pour commencer l’étude, on donne le schéma équivalent du montage en régime dynamique
linéaire.
En tenant compte du fait que la résistance RB=R1//R2 est très importante devant h11 qui est en
parallèle avec elle et on posant h11+R’= R, on obtient le schéma équivalent de la figure 9.
Figure 9

91
III-Oscillateurs hautes fréquence
Le circuit de réaction utilisé présente la structure suivante, figure 10.
Figure 10
Supposons que l’amplificateur posséde une très forte impédance d’entrée (J.FET source
commune, amplificateur opérationnel). Il est caractérisé en sortie par son schéma de Thévenin
équivalent (AVOV1, Rs). Si AVO, est négatif, il s’agit d’un amplificateur inverseur.
Le réseau de réaction, réalisé à partir des trois impédances Z1, Z2 et Z3. Il possède :

92
- si A, est négatif (amplificateur inverseur), X1 et X3 doivent être de même signe, et les

impédances Z1 et Z3 sont de même nature;
- compte tenu de X2 = - (X1 + X3), le signe de X2 est l’opposé de celui de (X1+ X3) et
l’impédance Z2, est de nature différente à Z1 et Z3.
Si Z1 et Z3 sont des condensateurs, Z2 sera une inductance, l’oscillateur obtenu est dit est un
oscillateur Colpitts.
Si Z1 et Z3 sont des inductances, Z2 sera un condensateur, l’oscillateur obtenu est dit
oscillateur Hartley.
III-1-Oscillateur Colpitts à amplificateur opérationnel
Considérons le circuit de la figure 11. L’amplificateur utilisé est un non inverseur.

93
Figure 11
Remplaçons l’amplificateur par : Re= ; Av=( 1+ ) er puis représentons le circuit de
nouveau, figure 12.
Figure 12
Remplaçons le générateur de tension en série avec R par un générateur de courant en

parallèle avec la même R on obtient :
Figure 13
En appliquant la relation de division de courant et la relation Vf= , on trouve :
( (
Soit encore :

94
( (
La condition d’oscillation étant BA=1, d’où :
( avec √ ( est la pulsation des oscillations obtenues.
La fréquence des oscillations n’est autre que : .

La condition de maintien des oscillations est BA( , soit :
L (
Ou encore : (1+ ( ) .
Dans la pratique l’oscillation sinusoïdale prend naissance lorsque :
III-2-Oscillateur à JFET
Une autre variante de l’oscillateur Colpitts utilisant un transistor à effet de champ représenté
par sa pente en source commune ( est infinie). Les capacités de liaisons CS et Ce sont
supposées des courts-circuits à la fréquence d’oscillation.
Considérons le circuit de la figure 14.

95
Ou encore :
Pour un oscillateur Hartley constitué d’un JFET monté en source commune et caractérisé par
, on obtient le schéma équivalent suivant ( figure 15) :
Figure 15
En procédant de la même manière que précédemment, on trouve :
- Pour la fréquence des oscillations :

96
- Pour la condition de maintien des oscillations :
IV-Oscillateur à résistance négative

Il est constitué d’un circuit oscillant RLC en parallèle avec un composant à résistance
négative. Prenons le circuit de la figure 16 constitué d’un amplificateur opérationnel, sa
résistance d’entrée est négative.
Figure 16
A partir du circuit on déduit :

97
Avec
(
On remarque que : =
La résistance d’entrée du montage définie par = .
Associons un circuit LrC série en parallèle avec l’entrée de l’amplificateur on obtient le

circuit de la figure 17.
Figure 17
En remplaçant l’entrée de l’amplificateur par sa résistance négative, on obtient :

98
( (
Le terme est un terme d’amortissement. Si ce terme est nul, c’est-à-dire
Si = RN, l’équation différentielle devient :
( (
C'est l'équation différentielle de l'oscillateur harmonique dont la solution est de la forme :

i(t) = A.cos ( t + φ) avec T0 = 2.π.√ .
r=RN correspond donc à la condition d’oscillation du circuit.

En fait l'expérience montre qu'il y a apparition spontanée des oscillations lorsque r > RN.

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Cours d’électronique analogique

Prof. MOHAMED AGHOUTANE

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Tables des matières

Chapitre I : Amplificateur à transistor bipolaire pages : 3-39.

Chapitre 2 : Amplificateur à JFET à canal N pages : 30- 59

Chapitre 3 : Amplificateur opérationnel pages : 60-80

Chapitre 4 : Réaction et oscillateur harmonique pages : 81-98

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Amplificateur à transistor bipolaire à jonctions

I. Structure et modes de fonctionnement

Le tableau ci-dessous résume la situation.

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B : base ; E : émetteur ; C : collecteur.

Le transistor présente trois électrodes, B, E et C. Si on prend une des électrodes comme

La flèche au niveau de E désigne le sens positif du courant de l’émetteur, IE.

I.2. Modes de fonctionnement

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Figure 3 : Polarisations des deux jonctions en fonctionnement normal

VEE polarise la jonction JBE en direct.

Figure 4 : Flux des porteurs dans un transistor NPN en fonctionnement normal

 Flux 1 : injection d’un nombre important d’´electrons de l’´emetteur vers la base

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Remarque : Dans certaines références bibliographiques, on attribue le mot gain au lieu de

II- Caractéristiques statiques du transistor bipolaire

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Figure 5 : Montage expérimental pour tracer les caractéristiques du transistor.

EB : générateur de tension qui polarise la JBE en direct.

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Figure 6 : Réseau de caractéristiques d’un transistor NPN monté en émetteur commun

 Sur le quadrant 1, on a représenté le réseau de caractéristiques de sortie qui décrivent

forme IB=IS-JBE ( où IS-JBE est le courant de saturation de la jonction

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𝝆E : résistance différentielle d’entrée du transistor, µE est un coefficient de réaction, β n’est

Figure 7 : Différentes zones de fonctionnement

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Figure 8 : Limites de fonctionnement du transistor

1. Tension maximale collecteur-émetteur : VCEmax.

Figure 9 : Délimitation de la zone permise à la positon du point de fonctionnement

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En considérant le montage émetteur commun, les coordonnées de Q sur la courbe d’entrée

Figure 10 : Version complète d’un ampliateur

En appliquant la loi des mailles sur la boucle 1, on obtient :

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Figure 11 : Détermination graphique du point de fonctionnement

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IC de et une variation relative de VCE de

Figure 12 : Stabilisation par réaction d’émetteur.

Avec β>>1. Si en plus on a , d’où le point de

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Figure 13 : a) Polarisation par réaction de collecteur, b) droite de charge statique

De ces résultats, on déduit que :

III-2 Polarisation par pont diviseur

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Figure 14 : Circuit de polarisation par pont diviseur

En appliquant le théorème de Thévenin entre la base et la masse, le montage ci-dessus devient

Figure 15 : Circuit équivalent au circuit à pont

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On peut déduire des expressions ci-dessus que :

Le point de fonctionnement est stable à condition de réaliser les conditions précédentes.

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L’amplification est dite linéaire si son amplification, A, est définie par A=