Chapitre 3:

Transistor à effet de champ

Transistors à effet de champ (TEC ou FET) : Introduction
Inconvénients des transistors bipolaires :

Courant de base non nul ⇒ consommation non nulle.

Fonctionnement par injection de charge

Risque de stabilité thermique

Impédance d'entrée faible (ordre de kΩ )

Pilotage en courant (pas en tension)

On souhaite un autre type de transistor :

A consommation d’énergie très réduite en commutation.

Pilotable en tension.

Impédance d'entrée élevée

Plus stable thermiquement Transistor à effet de champ à jonction

(JFET)

⇒ Il existe : le transistor à Effet de champ Deux familles

MOSFET (Métal-Oxyde-
Semiconducteur à effet de champ)
Transistors à effet de champ à jonction (JFET ):Types
JFET de type N ou canal N

La Source S est l’électrode par ou les électrons

entrent dans le barreau. (Source d’électrons)
ID
Le drain D est l’électrode par ou les électrons
IG
quittent le barreau. (Électrode chargée pour drainer
les électrons)
La grille G permet de commander le courant IDS

JFET de type P ou canal P

ID La Source S est l’électrode par ou les trous entrent

dans le barreau. (Source d’électrons)
IG
Le drain D est l’électrode par ou les trous quittent
le barreau. (Électrode chargée pour drainer les
trous)
La grille G permet de commander le courant IDS

Dans ce ce qui suit, on s’intéressera au JFET de type N uniquement, le JEFET de type P étant
identique par permutation des zones P et N.
Principe de fonctionnement du JFET de type N

VGS ≤0

VDS≥ 0

En fonctionnement normal, le drain sera polarisé positivement par rapport a la source (VDS > 0), la
grille sera polarisée négativement par rapport a la source (VGS <0) ce qui polarisera en inverse les
jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi deux zones de depletion autour des jonctions. Ces zones
ne contiennent pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur épaisseur augmente avec VGS et aussi
avec VDS. Les électrons, qui sont les porteurs mobiles de charges, circulent dans le canal dont la
largeur est contrôlée par la tension VGS<0.
Principe de fonctionnement du JFET de type N

VDS =0V VD=VS VGD =VGS

Drain
-
N

Gate
P P +
- VDS =0 VGS

+ N
Source

La largeur du canal est contrôlée par la tension VGS<0

Principe de fonctionnement du JFET de type N : VGS=0 et VDS variée
Vp = pincement du canal VDS

N N
Id
P
Rds variée Ids = Vds/Rds VGD = VGS -VDS = -VDS

IDS = f(VDS) pour VGS = 0 V

Vp
 Principe de fonctionnement du JFET de type N : VGS et VDS variées

VDS = 0 Vp2 = Vp -|VGS2| Vp1 = Vp -|VGS1| Vp VDS

VGS =0 P N

VGS1<0

VGS2<VGS1

Vp =
VGS off

VGS
iDS mA VGS= 0 V
8

VGS= -2 V
6

VGS= -4 V
4
VGS= -5,5 V

10 20 30 40 VGS= -6,7 V

vDS

-2

-4
iDS mA VGS= 0 V
8

VGS= -2 V
6

VGS= -4 V
4
VGS= -5,5 V

10 20 30 40 VGS= -6,7 V

Vp
vDS
Vp - 2
Vp - 4
-2 Vp – 5,5

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
 iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

vDS
-2

-4
 iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
 iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
 iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
 iDS mA iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2
vGSoff
-4
Caractéristique de transfert pour VDS = 15 V
iDS mA
VGS= 0 V
iDSS
10 10

8 8
VGS= -1 V
6 6
VGS= -2 V
4 4
VGS= -3 V
2 2
vGSoff vGS 10 20VGS= -6,7 V

-6 V -4 V -2 V vDS
-2

-4
Caractéristique de transfert du JFET de type N

Si on observe le réseau de caractéristique ID=f(VDS)VGS=Cte, on s'aperçoit qu'on peut distinguer deux modes de
fonctionnement du FET :
 Pour VDS < Vp -|VGS|, le FET se comporte comme une résistance, d'où l'appellation Zone résistive ou Zone

Ohmique de cette région :

Où

 Pour VDS > Vp -|VGS|, Le courant ID ne dépend quasiment pas de VDS. Cette région est dite Zone de saturation :

Équation de schockley VGSOFF= -Vp

Caractéristique de transfert du JFET de type N

Pour finir de tracer la courbe de transfert, on peut isoler VGS à partir de l’équation de Schokley :

I DSS I DSS
 Et calculer VGS pour les 2 cas particuliers : ID = ID =
4 2

I V
I D = DSS VGS = P
4 2
   

   
 Caractéristique de transfert du JFET de type N

I DSS V
ID = VGS = P
4 2

  ID =0   VGS = Vp
ID = IDSS VGS = 0V
Comparaison entre JFET de type N et Transistor bipolaire NPN
Comparaison entre JFET de type N et Transistor bipolaire NPN

Bipolaire NPN JFET de type N

Le JFET se comporte comme un robinet ( SOURCE ) dont on commande le débit ( COURANT ) vers le
DRAIN avec une valve ( GRILLE )
La force qui agit sur la valve correspond au champ électrique entre la GRILLE et le CANAL
Polarisation d'un JFET

 Polarisation par la grille ( deux alimentation)

 Polarisation automatique
 Polarisation par diviseur de tension
Polarisation fixe (par deux alimentations) du JFET de type N

-VGG -VGS+ RG IG =0 VGS = -VGG

On a : RG IG =0

Donc VGS = -VGG Droite d'attaque

ID = -VDS/RD + VDD/R

Droite de charge
Polarisation fixe (par deux alimentations) du JFET de type N : Exemple

Déterminer les coordonnées du point de repos : VGSQ, IDQ et VDSQ

IDSS = 10 mA

VGSOFF = -8V

RD = 2 kΩ

VDD =16 V

RG = 1 MΩ
Polarisation automatique du JFET de type N

Droite d'attaque
RG IG +VGS + Rs ID =0 VGS + Rs ID = 0 ID = -VGS /RD

Droite de charge

VDD = VDS – (Rs+RD) ID ID = -VDS/ (Rs+RD) + VDD/ (Rs+RD)

Polarisation automatique du JFET de type N : exercice

Soit le montage suivant. On donne le courant : IDSS = 12 mA, la pente : Vp=-3V, la résistance :
RG = 1 MΩ et RD = 3 kΩ.
1. On désire polariser le transistor à la valeur VGS = VP/2. Donner la valeur de la résistance RS
qui permet d’avoir cette polarisation.
2. Pour la valeur trouvée de RS, déterminer la valeur du courant ID qui circule dans le drain ainsi
que la tension VDS.
3. Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos P.
Polarisation par pont de résistance du JFET de type N

Rth = R1//R2
Droite d'attaque :
Eth = VDD R2/(R1+R2 )
VGS = Eth -Rs ID ID = -VGS/Rs + Eth/Rs

Droite de charge :

VDD = VDS + ID (RD + Rs)

ID = - VDS / (RD + Rs ) + VDD / (RD+ Rs)

Polarisation par pont de résistance du JFET de type N : Exercice
Déterminer les coordonnées du point de repos : VGSQ, IDQ et
VDSQ
IDSS = 8 mA

VGSOFF = -4V

R1 = 2,1 MΩ,R2 = 270 kΩ

RD = 2,4 kΩ, Rs = 1,5 kΩ

VDD =16 V
JFET de type N: Modèle petit signaux
En amplification, le JFET est utilisé en source de courant. On a le modèle petits signaux basse
fréquence suivant :
D
ID
G
VDS

VGS S
Remarques :
L’impédance d’entrée est infinie ⇔ utile pour l’adaptation d’impédance.
Consommation très faible en commutation.
Le plus souvent, on prendra rDS= ∞⇒négligée.
gm est appelée transconductance.
JFET de type N: Amplificateur source commune
JFET de type N: Amplificateur source commune (Exercice)

Etudier ce montage

Vp = -4V
Idss= 8 mA
Transistors à effet de champ Métal-Oxyde-
Semiconducteur (MOSFET)

MOSFET à canal MOSFET à canal

diffusé induit
MOSFET à canal
diffusé
MOSFET à canal diffusé : Structure et symbole
Source Grille Drain

DRAIN
N+ N N+ GRILLE
substrat
P

SOURCE
substrat
métal Structure MOSFET à canal N Symbole

Source Grille Drain

DRAIN

P+ P P+
GRILLE substrat
N

SOURCE
substrat
métal Structure MOSFET à canal P Symbole
MOSFET de type N à canal diffusé : Principe de fonctionnement

VGS=0  un canal existe

Source Grille Drain

N
N+ N+

substrat

VDS

Canal N
MOSFET de type N à canal diffusé : Principe de fonctionnement
VGS faible
appauvrissement faible

Source Grille Drain

N+ N N+

substrat

VDS
Canal N
MOSFET de type N à canal diffusé : Principe de fonctionnement

VGS appauvrissement fort

Source Grille Drain

N+ N N+

Zone dépeuplée d’électrons libres

substrat

VDS
MOSFET de type N à canal diffusé : Principe de fonctionnement

VGS OFF

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

VDS
MOSFET de type N à canal diffusé : Principe de fonctionnement

enrichissement
VGS

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

VDS
MOSFET de type N à canal diffusé : Caractéristiques

Caractéristique de sortie Caractéristique de transfert

DRAIN
Enrichissement
GRILLE
substrat

SOURCE

Appauvrissement

Même équation que les JFET

Ohmique
Saturation

où

Équation de schockley
MOSFET de type P à canal diffusé

Symbole

DRAIN

GRILLE substrat

SOURCE

Canal P
MOSFET de type P à canal diffusé : Principe de fonctionnement

VGS=0  il y a un canal

Source Grille Drain

P
P+ P+

substrat

VDS

Canal P
 VGS faible appauvrissement faible

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

VDS

Canal P
 VGS élevée appauvrissement fort

Source Grille Drain

P+ P P+

Zone dépeuplée de trous

substrat

VDS

Canal P
 enrichissement

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

Canal P
MOSFET à canal
induit
MOSFET à canal induit : Structure et symbole

Source Grille Drain

DRAIN
N+ P N+
GRILLE
substrat

substrat
SOURCE
film métallique Canal N

Source Grille Drain

DRAIN
GRILLE
P+ P+ substrat
N

SOURCE
substrat
Canal P
film métallique
MOSFET de type N à canal induit : Principe de fonctionnement

VGS=0  il n’y a pas de canal

SiO2
Source Grille Drain

N+ N+
P

substrat

film métallique

Canal N
MOSFET de type N à canal induit : Principe de fonctionnement

enrichissement
VGS >0

Source Grille Drain

N
N+ N+

substrat

VDS
MOSFET de type N à canal induit : Principe de fonctionnement

enrichissement
VGS

Source Grille Drain

N+ N N+

substrat

VDS
MOSFET de type N à canal induit : Principe de fonctionnement

VGS enrichissement

Source Grille Drain

N+ N+
N

substrat

VDS
MOSFET de type N à canal induit : Caractéristiques

Caractéristique de sortie
Caractéristique de sortie

VTH : Tension seuil

DRAIN
GRILLE
substrat

SOURCE
MOSFET de type P à canal induit : Principe de fonctionnement
VGS=0  il n’y a pas de canal
SiO2
Source Grille Drain

P+ P+
N

substrat

film métallique

Canal P
MOSFET de type P à canal induit : Principe de fonctionnement
enrichissement
VGS

Source Grille Drain

P
P+ P+

substrat
VDS

Canal P
MOSFET de type P à canal induit : Principe de fonctionnement
enrichissement
VGS
Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

VDS

Canal P
MOSFET de type P à canal induit :Principe de fonctionnement
enrichissement
VGS

Source Grille Drain

P+ P P+

substrat

VDS

Canal P