Université de Sfax Année universitaire : 2017 – 2018

Matière : Electronique Analogique

Institut Supérieur de Gestion Classes : 1 ère année LAEEA
Industrielle de Sfax Enseignant : Saber DAKHLI

TD N° 1
(Caractéristiques de la diode)

Exercice n° 1 :
On rappelle le modèle exponentiel de la caractéristique courant-tension de la diode :
U
n UT
I  IS (e  1)
.
I : courant de la diode (A)
IS : courant inverse de saturation de saturation (A)
U : tension aux bornes de la diode (V)
UT : tension thermodynamique (V)
n : cœfficient d’émission
Soit le circuit à diode suivant :

R I0

U0 D U

On donne : Is = 10-11A, n =1.5, UT = 26 mV et Us = 0.6V (tension seuil de la diode)

On veut imposer un courant I0 = 1 mA à partir d’une source U0 = 2 V.
En utilisant le modèle exponentiel de la diode, calculer :
1) la chute de tension aux bornes de la diode.
2) la résistance R nécessaire pour imposer le courant I0 .
3) la résistance dynamique rd de la diode au point de fonctionnement.

Page 1 sur 2
Exercice n° 2 :
La caractéristique linéarisée de la diode : I = f (U) est donnée ci-dessous.
D I

U
E R

On donne : E = 12V et R = 40 Ω
1) Déterminer à partir du graphe, la tension seuil Us de la diode, de même que
sa résistance dynamique rd. Expliquer la méthode.
2) Ecrire la loi des mailles pour le circuit ; en déduire l’expression de I, intensité
du courant dans le circuit en fonction de E et de U. Cette équation est celle de
la droite de charge statique Δ du circuit.
3) Tracer cette droite Δ sur le graphique I = f (U) et déterminer le point de
fonctionnement P du circuit (l’intensité traversant le circuit et la tension aux
bornes de la diode)
4) L’intensité maximale supportée par la diode est Imax = 400 mA.
Déterminer la tension U aux bornes de la diode, quand elle est traversée par
cette intensité de courant et en déduire la puissance maximale P max admissible
par la diode.

Page 2 sur 2