COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE 2018-2019

Chapitre 2
Transistor bipolaire

Sommaire :
I. Généralités
II. Symboles
III. Effet transistor
IV. Caractéristiques
V. Modes de fonctionnement
1. Régime statique
2. Régime dynamique
VI. Modélisation
1. Modèle en fonctionnement linéaire
(basses fréquences petits signaux)
2. Modèle en commutation
VII. Caractéristiques constructeurs
VIII. Choix d’un transistor
IX. Applications

I. Généralités
o Le transistor :
Le Transistor est l’élément “clef” de l’électronique, il est utilisé pour :
- amplifier un signal
- réaliser une source de courant
- agir comme un interrupteur commandé
- dans les circuits numériques
- ... etc
o Historique :
1947 : le premier transistor
1971 : le premier Processeur Hier : le Pentium IV

Demain.. La nano-électronique
(Transistor 25nm)
42.106 Transistors MOS
Le 4004 d’INTEL
(Taille d’un transistor: ~0,18m)
(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits.)

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II. Symboles du transistor bipolaire

III. Effet transistor

Exemple : Transistor NPN

Jonction E-B en direct

 Jonction B-C en inverse

Ebc

La polarisation normale du transistor est telle que la diode émetteur-base (E-B) est polarisée en directe
(diode passante) et la diode base-collecteur (B-C) est polarisée en inverse (diode bloquée).
Dans ces conditions, l’effet transistor apparaît : Le courant IE est déterminé par la tension VBE (comme pour
une diode polarisé en direct) et le courant IC (au lieu d’être nul, comme dans le cas d’une diode bloquée) est
égal, en première approximation, à IE : IE ̴ IC
L’origine physique de cet effet est le champ électrique intense 𝐸⃗𝑏𝑐 qui apparaît dans la zone de charge
d’espace de la jonction B-C. Ce champ collecte les électrons qui sont injectés par l’émetteur dans la base.
En réalité, le courant Ic est légèrement inférieur à IE. Certains électrons ne parviennent pas jusqu’au
collecteur, ils se recombinent avec les trous dans la base. Par ailleurs une petite fraction du courant IE est
porté par les trous qui diffusent de la base vers l’émetteur et qui de fait ne participent pas à l’effet transistor.
La jonction E-B étant à dopage dissymétrique (le dopage côté émetteur est plus élevé que côté base), la part
du courant IE transportée par les électrons est largement majoritaire : IB = IE -IC << IE .

IV. Caractéristiques
o Convention des courants

IE = IB+IC

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o Caractéristiques d’entrée IB=f(VBE)

o Caractéristiques de Transfert IC=f(IB)

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o Caractéristiques de sortie IC=f(VCE)

o Résumé – réseau de caractéristiques

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V. Modes de fonctionnement :
1. Fonctionnement en régime statique
On parle de fonctionnement en régime statique du transistor quand toutes les grandeurs (courants et
tensions) sont des grandeurs continues. On les notera en MAJUSCULE.
a. Droite d’attaque :

Circuit d’attaque

Le point de fonctionnement est imposé par le circuit d’attaque.

On peut le déterminer graphiquement en traçant la droite
d’attaque, d’équation:
1 V
IB   VBE  P
RB RB
Généralement, VP est connue et il faut choisir RB pour fixer IB0.

b. Droite de charge :
Circuit de charge

IB0 étant fixé, on en déduit IC0 par: IC0 =  IB0

Ce qui est vrai si on autorise l’existence d’un courant I C :
 circuit de charge.
Point de
La valeur de VCE0 est fixée par VCC et RC, et peut être fonctionnement
déterminée graphiquement en traçant la droite de
charge d’équation:
1 V
IC   VCE  CC
RC RC
La droite de charge passe forcément par I C0.
En pratique, VCC est généralement connue, on choisit
alors RC pour fixer IC0 et VCE0.

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POLARISER le transistor consiste à fixer le point de fonctionnement : (IB0, VBE0) à l’entrée et (IC0, VCE0) à la
sortie. (VP, RB) fixe le courant IB0 et (VCC , RC) fixe la tension VCE0.

c. Différents montages de polarisation :

Polarisation par résistance Polarisation à contre réaction Polarisation par pont de base
de base collecteur-base

2. Fonctionnement en régime dynamique

On parle de fonctionnement en régime dynamique quand toutes les grandeurs (courants et tensions) sont
des grandeurs variables dans le temps. On les notera en MINUSCULE.
Généralement l’étude se fait en régime sinusoïdal, autour du point de polarisation, c’est-à-dire pour VP+v(t).

• v(t)=V.sin(2pft)
Composante continue
Composante continue +
Composante variable

Composante variable

Circuit d’attaque

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Lorsque v(t) varie de –V à +V, ve(t) varie de VP-V à VP+V. La droite d’attaque se déplace alors dans le plan
(IB,VBE) et le point de fonctionnement se déplace entre les points A et B au rythme (à la fréquence) de v(t).
Le signal variable v(t) conduit à une variation de VBE et IB entre les points A et B :

L’exploitation de la caractéristique de transfert permet de la même façon de déterminer les variations du

courant IC autour de IC0.

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D’après le schéma, lorsque IC varie, la tension au bornes de la résistance de polarisation RC varie également
et par conséquent la tension VCE aussi.
Graphiquement, la variation de IB autour de IB0 se traduit par le balayage de toutes les caractéristiques de
sortie (translation) correspondant aux différentes valeurs de IB parcourues.
On retrouve alors les mêmes variations de IC entre ICm et ICm qu’avec la caractéristique de transfert.
On retrouve également la variation de la tension VCE entre:
VCEm = VCC - RCICM ; VCEM = VCC - RCICm

Dans ce cas le fonctionnement est linéaire.

Mais que se passe t-il si on augmente l’amplitude du signal v(t)?

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VI. Modélisation
1. Modèle équivalent du transistor en fonctionnement linéaire
On va raisonner sur la caractéristique d’entrée. Puis on utilisera la même méthode pour modéliser les
autres caractéristiques.

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La caractéristique ib=f(vBE) est une droite. Elle traduit donc une relation du type:

Où h11 à la dimension d’une résistance et correspond à l’inverse du

coefficient directeur de la droite (dérivé autour du point de
fonctionnement).
Ce qui se traduit par le schéma électrique équivalent suivant:

En exploitant l’ensemble du réseau de caractéristique du transistor, on aboutit au schéma équivalent en

régime sinusoïdal:

dvBE diC 1 dv
h11  h21   CE
Où : diB Mo
diB Mo
h22 diC Mo

2. Modèle équivalent du transistor en commutation

 Au blocage, on a: IB= 0 et IC = 0 quelque soit VCE. Le transistor est donc équivalent à un interrupteur
ouvert entre collecteur et émetteur :

 A la Saturation, on a: IC = ICSAT < IB et VCE= VCESAT  0. Le transistor est donc équivalent à un circuit
fermé entre collecteur et émetteur :

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VII. Caractéristiques constructeurs

1. Valeurs limites de fonctionnements
o ICM: Courant collecteur maximum admissible.
o VCEoM: Tension collecteur-émetteur maximale
admissible à l’état bloqué.
o Ptot: Puissance maximale consommée par le
transistor :
Ptot = VCEM*ICM
o VCBoM: Tension collecteur-base maximale
admissible à l’état bloqué.
o VBEoM: Tension négative base-émetteur
maximale admissible à l’état bloqué.
o TJ: Température maximum de la jonction en
fonctionnement. Fortement lié à la puissance
consommée par le transistor.
2. Caractéristiques Statiques
o VCEsat: Tension collecteur-émetteur minimale existant quand le transistor est saturé.
o VBEsat: Tension base-émetteur minimale existant quand le transistor est saturé.
o IEB0: Courant résiduel maximum parcourant la jonction base émetteur à l’état bloqué.
o ICB0: Courant résiduel maximum parcourant la jonction collecteur base à l’état bloqué. Ce courant
varie énormément avec la température.
o hFE: Gain en courant () du transistor en régime linéaire.
3. Caractéristiques Dynamiques
En régime de fonctionnement linéaire
o CBC0: Capacité parasite entre la base et le collecteur (de
l’ordre de 10pF). A prendre en compte en HF.
o fT: Fréquence de transition. Le gain en courant chute en
fonction de la fréquence. On note fT la fréquence pour
laquelle =1.
En régime de commutation
o td: Delay time: temps de retard entre l’application d’un courant Ib et le début de variation de I C.
o tr: Rise time: temps de montée du courant IC.
o ton: Switch on time: temps de saturation du
transistor.
o ts: Storage time: temps de retard entre
l’annulation d’un courant IB et le début de
variation de IC.
o tf: Fall time: temps de descente du courant IC.
o toff: Switch off time: temps de blocage du
transistor.

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VIII. Choix d’un transistor

Commutation Linéaire

ICM ICM
VCEoM VCEM
Limites d’emploi VBEoM VBE0M
TJ TJ
Ptot Ptot

ton hFE
Performances
toff fT

VCEsat h21=f(Ic)
Défauts et dérives ICB0 VBE =f(T°)
CBCo CBCo en HF

IX. Applications
 En fonctionnement linéaire
o Amplification
o Oscillateur
o A la base de tous les circuits intégrés analogiques (AOps, Multiplieur, etc.)
 En commutation
o Amplificateur de courant (à la base de tous les circuits logiques TTL)
o Pilotage de moteur pas à pas, de LED, etc.

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