Électronique

LABORATOIRE 2 : Les transistors

Noah Jamsin
Florent Padovese
Thomas Brabant
Université de Liège

Année académique 2023 / 2024

Table des matières

1 Introduction 2

2 Le transistor bipolaire 2
2.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2 Gain statique en fonction de Ib et courbe caractéristique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2.1 Gain associé au transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2.2 Courbe caractéristique et point de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.3 Gain en fonction de la fréquence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

3 Le transistor à effet de champ 7

3.1 Méthode de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.2 Effet du pinch-off . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.3 Courbe caractéristique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Électronique Le transistor bipolaire

1 Introduction
Dans ce laboratoire, nous mettons en lumière deux types de transistors essentiels pour l’électronique
contemporaine : les transistors bipolaires et les transistors à effet de champ. Notre objectif est de fournir
une compréhension approfondie du fonctionnement, des régimes de fonctionnement et des applications
de ces dispositifs cruciaux.

2 Le transistor bipolaire
2.1 Principe de fonctionnement
Un transistor bipolaire N P N est composé de trois sections semi-conductrices appelées l’émetteur,
labase et le collecteur. Ces trois sections sont chacune dopées différemment : l’émetteur est un semi-
conducteur de type N fortement dopé, la base un semi-conducteur de type P et le collecteur un semi-
conducteur de type N. Elles sont agencées de manière à former 2 jonctions PN.

Figure 1 – Structure générale d’un transistor N P N . La flèche relie toujours la base à l’émetteur, partant
du semi-conducteur dopé P vers celui dopé N.

L’effet du transistor est de contrôler un courant important entre le collecteur (C) et l’émetteur (N )
grâce à un courant faible entre la base (P) et l’émetteur.

2.2 Gain statique en fonction de Ib et courbe caractéristique

Une première étude du système électronique est la détermination du courant du collecteur IC grâce
au courant passant dans la résistance RC . Pour se faire, on peut appliquer la loi de Kirchhoff 1 (loi des
mailles) et la loi d’Ohm pour respectivement connaître la répartition de la tension et du courant Ic :
(
VCC = VRC + VCE
VRC = IC + RC

Où VCE correspond à la différence de potentiel entre le collecteur et l’émetteur.

1. Il faut noter que la masse se trouve au niveau de l’émetteur, ce qui définit un transistor émetteur commun.

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Électronique Le transistor bipolaire

Au final, on trouve la valeur de IC étant comme :

VCC − VCE
IC =
RC
De la même méthode, le courant traversant la base IB vaut :
VBB − VBE
IB =
RB
Où VBE correspond à la différence de potentiel entre la base et l’émetteur. Après la prise de mesure des

Figure 2 – Montage expérimental d’un transistor statique (NPN).

différentes tensions au niveau des résistances, il vient par la loi d’Ohm la valeur des courants pour une
valeur fixe de VCC avec VBB variant entre 0 et 30V . On obtient le graphique ci-dessous.

I_C en fonction de I_B

0.00498

0.00496

0.00494
I_C

0.00492

0.00490

0.00488

0.00486
0.00000 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005

I_B

Figure 3 – Courbe caractéristique du courant du collecteur en fonction du courant de la base.

La courbe caractéristique du courant du collecteur en fonction du courant de la base (IC − IB ) d’un

transistor bipolaire montre comment le courant collecteur (IC ) varie par rapport au courant de base

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Électronique Le transistor bipolaire

(IB ). Cette courbe est essentielle pour comprendre le fonctionnement d’un transistor et est généralement
divisée en plusieurs régimes distincts.

— Zone de coupure (Cut-off Region) : Lorsque le courant de base (IB ) est nul (ou très proche
de zéro), le transistor est en mode de coupure. Dans cette région, le courant collecteur (IC ) est
également très proche de zéro, ce qui signifie que le transistor est "éteint". La courbe caractéristique
se trouve près de l’axe des abscisses.
— Zone active (Active Region) : À mesure que le courant de base (IB ) augmente, le transistor
entre dans la zone active. Dans cette région, le courant collecteur (IC ) augmente de manière
linéaire par rapport à IB . Le transistor est en mode actif, et il amplifie le signal d’entrée. La
courbe caractéristique forme une pente linéaire.
— Saturation : Lorsque IB continue d’augmenter, le transistor atteint la saturation. Dans cette
région, le courant de base (IB ) atteint un niveau tel que le transistor est "entièrement ouvert".
Le courant collecteur (IC ) atteint un niveau maximal et ne peut pas augmenter davantage. La
courbe caractéristique atteint un plateau horizontal.

L’allure de cette courbe caractéristique est typiquement représentée de manière non linéaire, montrant
une transition rapide entre la zone de coupure et la zone active, suivie d’une saturation où IC atteint sa
valeur maximale.

2.2.1 Gain associé au transistor

Le gain d’un transistor bipolaire est une mesure de l’amplification du courant qui se produit lorsqu’un
courant de base (IB ) est appliqué. Le gain est défini comme le rapport entre le courant collecteur et le
courant de base. On le note β et est défini comme :
IC
β=
IB
Le gain est une caractéristique importante d’un transistor, car il indique combien de fois le courant
de sortie (IC ) est amplifié par rapport au courant d’entrée (IB ). Plus le gain est élevé, plus le transistor
est capable d’amplifier le signal.

Après manipulation des données du point précédent, on trouve la courbe suivante :

Gain en fonction de I_B

4000

3000
I_C/I_B = Gain

2000

1000

0
0.00000 0.00001 0.00002 0.00003 0.00004 0.00005

I_B

Figure 4 – Courbe caractéristique du gain d’un transistor.

On remarque 2 zones différentes d’évolution du gain, relative aux zones de fonctionnement du tran-
sistor :

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Électronique Le transistor bipolaire

— Zone active : Dans la zone active de la courbe du gain, le gain est relativement constant et
supérieur à un. Cela signifie que le transistor amplifie le signal de manière linéaire dans cette
région.
— Saturation : Lorsque le transistor atteint la saturation, le gain diminue. Dans cette région, le
transistor ne peut plus amplifier le signal de la même manière et atteint sa limite

2.2.2 Courbe caractéristique et point de fonctionnement

La deuxième partie de l’expérience consiste à la détermination de la courbe caractéristique d’un
transistor. Cette courbe est construite par les données d’évolution du courant du collecteur en fonction
de la tension entre le collecteur et l’émetteur (VCE ). Pour se faire, on fixe une valeur de VBB et on fait
varier VCC . Finalement, la courbe caractéristique du transistor sous une tension à la base constante est
de la forme suivante :

Courbe caractéristique du transistor pour V_BB = 5V

0.008

0.006
I_C

0.004

0.002

0.000
0 5 10 15 20

V_CE

Figure 5 – Courbe caractéristique propre à un transistor.

De plus, on peut tracer la droite de charge qui est caractérisée par les points (VCC ,0) et (0,VCC /RC ).
L’intersection entre ces 2 courbes nous donne un point important dans l’étude du fonctionnement du
transistor.
Le point de fonctionnement Q est l’intersection de la droite de charge et de la courbe caractéris-
tique. Il représente les valeurs spécifiques de VCE et IC pour un courant de base donné (IB ). Le choix
du point de fonctionnement est crucial pour concevoir un circuit électronique efficace, car il détermine
comment le transistor amplifie les signaux électriques.

2.3 Gain en fonction de la fréquence

Pour étudier le comportement du transistor en fonction de la fréquence, il nous est demandé de
réaliser le circuit ci-dessous.
Remarquons la présence d’un condensateur qui a pour but d’éviter des retours de courant continu
dans le générateur de courant. En effet, on sait que l’impédance d’un condensateur est donnée par la
formule suivante :
1
ZC =
iCω
i : nombre complexe - C : capacité - ω = 2πf : pulsation du signal

On remarque alors que pour un courant continu, la fréquence du circuit est identiquement nulle et
conduit à une impédance du condensateur "infinie". Sachant que l’impédance est une caractéristique
proche d’une résistance, celui implique qu’un condensateur ne laisse pas passer un courant continu mais

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Électronique Le transistor bipolaire

Courbe caractéristique du transistor pour V_BB = 5V

0.008

I_C 0.006

0.004

0.002

0.000
0 5 10 15 20

V_CE

Figure 6 – Courbe caractéristique propre à un transistor intersectée avec la droite de charge. Le point
d’intersection représente le point de fonctionnement du circuit.

Figure 7 – Montage expérimental d’un transistor statique (NPN) en vue de la caractérisation de sa

réponse en fréquence.

n’affecte pas (de façon conséquente) le passage d’un courant alternatif.

Il est possible de calculer le gain de ce circuit en décibel, que l’on définit comme :
 
Vout
(GV )dB = 20 log
Vin

Au final, on peut porter l’évolution du gain (en décibel) en fonction de la fréquence émisse par le
générateur alternatif, ce qui donne le graphique ci-dessous. Ce graphique représente le gain du système en
fonction de la fréquence. Le gain est exprimé en décibels (dB) sur l’axe vertical, tandis que la fréquence
est représentée sur l’axe horizontal en échelle logarithmique. Le graphique de gain montre comment
le système amplifie ou atténue les signaux à différentes fréquences. Il peut révéler les fréquences de
résonance, de coupure, ou les bandes passantes du système. On appelle plus couramment ce type de
graphique un diagramme de Bode.

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Électronique Le transistor à effet de champ

Figure 8 – Courbe caractéristique du gain en fonction de la fréquence en échelle logarithme.

3 Le transistor à effet de champ

3.1 Méthode de fonctionnement
Un transistor à effet de champ (FET) est un composant électronique fondamental utilisé pour amplifier
et commuter des signaux électriques. Il existe plusieurs types de FET, mais le plus courant est le transistor
à grille métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Le FET fonctionne en utilisant un champ électrique
pour contrôler le courant qui circule entre deux électrodes, appelées la source et le drain.

Figure 9 – Montage expérimental d’un transistor à effet de champ.

Au coeur d’un MOSFET se trouve un canal de semi-conducteur, généralement du silicium. Le cou-

rant circule du drain à la source à travers ce canal. Le contrôle du courant est assuré par la grille, une
électrode isolée de la source et du drain par une fine couche d’oxyde. En appliquant une tension à la
grille, on crée un champ électrique qui attire ou repousse les porteurs de charge dans le canal, modifiant
ainsi sa conductivité en modifiant l’épaisseur de la zone de déplétion. Lorsque la tension de grille est
élevée, le MOSFET est en mode d’inversion, et le canal devient conducteur. Lorsque la tension de grille
est basse, le MOSFET est en mode de conduction coupée, et le canal est isolant.

Au départ, un MOSFET est dans un état où le canal entre le drain et la source est isolant, et aucun
courant ne circule entre eux. Lorsque la tension de grille atteint une valeur seuil spécifique, le champ
électrique créé attire les porteurs de charge (électrons ou trous) dans le canal, modifiant son état pour

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Électronique Le transistor à effet de champ

devenir conducteur. C’est ce qu’on appelle le mode d’inversion, où le MOSFET devient actif et permet
au courant de circuler entre le drain et la source.

3.2 Effet du pinch-off

Cependant, à mesure que la tension de grille continue d’augmenter, un point critique est atteint,
appelé "pinch-off" 2 . À ce stade, le canal est saturé de porteurs de charge, et le champ électrique ne
peut plus en attirer davantage. En conséquence, le courant entre le drain et la source est limité, voire
complètement interrompu. Cette région de "pinch-off" marque la limite de la région de saturation du
FET, où il fonctionne à pleine capacité.
La capacité de contrôler le "pinch-off" en ajustant la tension de grille est au coeur du fonctionnement
des MOSFET. Cela permet un contrôle précis du courant entre le drain et la source, ce qui en fait un
élément clé dans de nombreuses applications électroniques.

3.3 Courbe caractéristique

Par mesure de la tension entre le drain et la gate Vds et le courant passant Id , il est possible de dresser
la courbe caractéristique du transistor à effet de champ.

Figure 10 – Courbe expérimentale d’un transistor à effet de champ.

La courbe comporte généralement trois régions distinctes :

— Région de Coupure (Cut-off) : Lorsque la tension de grille (Vgs ) est maintenue en dessous de
la tension de seuil, le FET est en mode de coupure. En conséquence, il n’y a pratiquement aucun
courant qui circule entre le drain et la source (Is ), et le graphique montre une courbe plate proche
de zéro.
— Région de Triode (Linéaire) : À mesure que Vgs augmente au-delà de la tension de seuil, le
FET entre dans la région de triode. Dans cette région, le courant Is augmente de manière linéaire
par rapport à Vgs . La courbe présente une pente linéaire, ce qui signifie que le courant augmente
de manière proportionnelle à la tension de grille.
— Région de Saturation : Lorsque Vgs continue d’augmenter, le FET entre dans la région de
saturation. Dans cette région, le courant Is atteint un plateau où il reste relativement constant
malgré les variations de Vgs . Cette région de saturation représente le fonctionnement optimal du
FET en tant qu’amplificateur.

2. La zone de déplétion diminue avec l’augmentation de Vds jusqu’à ce que le canal soit pincé.

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