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Lycée Général et Technologique de Villaroy B.T.S.

TPIL Académie de Versailles

T.P. sur le transistor

Objectifs : le but de ce T.P. est l'étude du composant "transistor bipolaire" :


 par une présentation rapide
 par l'obtention des courbes caractéristiques du transistor
 par l'exploitation de ces caractéristiques permettant la mise en évidence de
plusieurs états de fonctionnement.

PRESENTATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

 Transistor, nom masculin (mot anglais, de transfer resistor, résistance de transfert)


 C’est un dispositif à semi-conducteur, qui peut amplifier des courants électriques,
 Le transistor bipolaire est l’opérateur technique de base de fonctions de l’électronique telles
que l’amplification ou la commutation. Il est obtenu en insérant un barreau semi-conducteur
entre deux du type opposé. On obtient ainsi 2 possibilités :

Le transistor NPN :

Le transistor PNP :

                                                                                                    

 Les noms des 3 bornes ainsi constituées sont : la base (B), l’émetteur (E) et le collecteur (C).
Les représentations symboliques des transistors nous informent sur leur type (PNP ou NPN)
ainsi que sur le sens des courants.
 Deux jonctions constituent le transistor, jonctions que l’on peut assimiler à 2 diodes (entre
B-C et B-E) dont le sens dépend du type. Ainsi, pour permettre le passage d’un courant à
travers le transistor, il faut d’abord s’assurer de la conduction ou du blocage de ces
jonctions.

T.P. sur le transistor 1/5


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Principe de fonctionnement :

Bloqué iBsat

On distingue 3 modes de fonctionnement du transistor : le mode bloqué, le mode linéaire et le


mode non linéaire (ou saturé).

La courbe représentant le courant de collecteur (iC) en fonction du courant de base (iB) permet
d’identifier ces 3 modes de fonctionnement :

 bloqué : il n’y a pas de courant dans le transistor


 linéaire : le courant ic est directement proportionnel au courant ib, on exploite alors les
propriétés d’amplification du transitor : ic = β.ib. β représente le facteur d'amplification en
courant et d'après les constructeurs : 100 < β < 200.
 saturé : à partir d’un certain courant ib, appelé courant de saturation ibsat, le courant ic 
atteint une valeur maximale, le transistor est dit « saturé ».

 Très souvent, dans les différentes structures


organisées autour du transistor, on distingue :
 un circuit de commande qui détermine le
régime de fonctionnement (saturé, bloqué
ou linéaire) du transistor,
 le circuit de charge qui intervient dans l’état
de fonctionnement du transistor et influe sur
les paramètres électriques environnants.

CARACTERISTIQUES D'UN
TRANSISTOR BIPOLAIRE
2N2222 (NPN)
I. Courant d'entrée Ib=f(Vbe) et courant de sortie Ic=f(Ib)

soit le montage suivant (à réaliser sur votre plaque d'essai) :

T.P. sur le transistor 2/5


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Montage 1 : détermination de certaines caractéristiques du transistor

E1 : alimentation continue variable (0V-12V)


E2 : alimentation continue fixe (10V)
Rb = 10kΩ
Rc = 100Ω

1.1 En faisant varier E1, relever les valeurs de Ib, Ic et Vbe.

E1 (V)

Ib (µA)

Vbe (V)

Ic (mA)

1.2 Tracer le courbe Ib=f(Vbe).

1.3 Tracer le courbe Ic=f(Ib).


Figure 1
1.4 Identifier, sur ce dernier graphique, les différentes zones de fonctionnement du transistor
bipolaire et déterminer la valeur de Ibsat.

1.5 Calculer la valeur du coefficient d'amplification en courant β de ce transistor. La valeur


trouvée correspond-elle à celle donnée par le constructeur ?

II. Courant de sortie Ic=f(Vce) à Ib constant

Le montage électronique reste le même.

E1 : alimentation continue
E2 : alimentation continue variable (12V-0V)

En agissant sur E1, régler ib1 à 200µA

2.1 Faire varier Vce en mettant des valeurs pour E2 allant de 12V à 0V ; relever les valeurs de
Ic puis tracer Ic=f(Vce) (faire en sorte d'avoir Ib1 constant en agissant, si besoin, sur E1).

2.2 Identifier sur la courbe obtenue les différentes zones de fonctionnement du transistor
bipolaire.

2.3 Tracer Ic=f(Vce) sur le même graphique que précédemment pour Ib2=50µA.

EXPLOITATION DES CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR


III. Droite de charge et point de fonctionnement (ou point de polarisation)

3.1 Pour E2=12V, déterminer la relation liant Vce, Rc, Ic et E2. Montrer que cette équation
peut s'écrire :
T.P. sur le transistor 3/5
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Ic = x.Vce+y ; vous préciserez les valeurs numériques de x et y.

La courbe d'équation Ic = f(Vce) s'appelle la droite de charge du transistor


(droite de charge statique dans le cas de la polarisation du transistor).

3.2 Tracer cette droite sur le même graphe qu'au 2.1.

3.3 Déterminer alors le point de fonctionnement (Ic ; Vce) du transistor pour Ib=200µA.

3.4 Sachant qu'en régime linéaire Ic = β.Ib , justifier pourquoi le choix d'un point de
fonctionnement à E2/2 serait judicieux.

Résumé des états de fonctionnement :

Etat bloqué : Vbe = Etat saturé : Vbe =


  Ib =     Ib =
  Ic =     Ic =
  Vce =     Vce =

POSITION DE REPOS DU TRANSISTOR BIPOLAIRE


IV. Polarisation du transistor

Le schéma est le suivant :

VCC=10V
RC=RE=100Ω
R1=R2=10kΩ

4.1 Tracer la droite de charge statique sur le même graphe obtenu en 2.1.

4.2 Déterminer graphiquement le point de polarisation.

4.3 Réaliser le montage à partir du schéma ci-dessus puis mesurer et relever les valeurs de IB0,
IC0, VCE0 et VBE0. Retrouver la valeur de β.
T.P. sur le transistor 4/5
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4.4 Le point de polarisation est-il placé au milieu de la droite de charge statique ?


Si oui, qu’est ce que cela implique ?

4.5 Calcul des puissances :


 calculer la puissance utile : PU=VCE.IC
 calculer la puissance de commande : PC=VBE.IB
Comparer les deux valeurs et conclure.

Lien à consulter : http://www.acedim.com/Formatronic/Electro_1/cha_2/index.html

T.P. sur le transistor 5/5

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