TP transistor

T.P. N°2 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

I INTRODUCTION :
Un transistor bipolaire est un semi-conducteur comportant deux jonctions PN. Suivant
l'orientation de ces jonctions, on obtient soit un transistor NPN ou PNP.
Sur les schémas, on repère les différentes parties :
 la lettre E pour l'émetteur.
 la lettre B pour la base.
 la lettre C pour le collecteur.
On ajoute une flèche sur l'émetteur pour indiquer le sens passant de la jonction base-
émetteur.
II ENSEMBLE DES CARACTÉRISTIQUES :
a- Montage :

b- Caractéristique d'entrée IB ( VBE ) :

Régler la tension E2 = 5 V. La tension E1 varie de 0 à 20 V.
Manipulation : Faire varier la tension E1 de 0 à 20 V et relever dans un tableau les valeurs
de IB et de VBE.

E1 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
IB(mA
)
VBE
Tracer la courbe VBE =f( IB )et en déduire à quel composant on peut comparer la jonction
BASE-EMETTEUR .

c- Caractéristique de transfert en courant IC ( IB ) à VCE constant :

En jouant sur l'alimentation E1 (max : 7 V), faire varier IB entre tout en maintenant VCE =
3V
Manipulation : Régler la tension E1 = 0 V et régler E2 jusqu'à ce que la tension VCE = 3 V.
Ensuite, augmenter progressivement la tension E1 et ajuster la tension E2 jusqu'à ce que
VCE = 3 V et relever les grandeurs IC et IB dans un tableau.

VCE(V) 3 3 3 3 3 3 3 3
E1
Ic
Ib
Tracer la courbe IC ( IB ) et en déduire le coefficient d'amplification de courant β pour la
partie linéaire de la caractéristique. Comparer cette valeur à celle donnée par le
constructeur (DC current gain).
d- Caractéristique de sortie IC (VCE ) :
 TP transistor

En jouant sur l'alimentation E2, faire varier VCE en maintenant le courant IB = 1 mA (on
maintient le courant de base IB en jouant avec l'alimentation E1).
Relever dans un tableau les grandeurs IC ( VCE ) pour IB = 1 mA.
IB 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA 1 mA
IC
VCE
E2 3 15 25 40 50

Même travail pour IB = 0,5 mA.

IB 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
IC
VCE
E2

Tracer les courbes IC (VCE) pour les deux valeurs de IB.