Cours Fonctions électroniques

Filière : 1ère année GMP

Enseignante: Sonia ELOUED
AU:2020/2021
Chapitre 3: transistor bipolaire en régime
continu

Filière : 1ère année GMP

Enseignante: Sonia ELOUED
AU:2020/2021
Plan

 Réseau de caractéristiques et modes de fonctionnement d’un transistor

bipolaire à jonction: paramètres du transistor, saturation, blocage,

amplification

 Effet Early

 Montages de polarisation

 Compensation des effet thermiques par résistance d’émetteur

 Le transistor bipolaire en commutation, portes logiques TTL

 Description et symbole
Un transistor est formé par la succession de 3 semi-conducteurs (SC).
E == Emetteur
B == Base
C == Collecteur

•Le terme ‘émetteur’ signifie que c’est ce SC qui émet

les porteurs à travers la base B jusqu’au ‘collecteur’
qui les collecte.
•Le ‘+’ de l’émetteur signifie qu’il est fortement dopé.
En conséquence la concentration en porteurs de
charge (e- ou trous) y est plus importante que dans
les autres SC du transistor.

•Le sens de la flèche (située près de l’émetteur) indique le sens du courant

électrique lorsque, l’émetteur ‘émet’ c’est-à-dire lorsque le transistor est
conducteur.
 Description et symbole

Ci-contre un exemple de transistor PNP

du type dit ‘planar’.

Remarquer que l’épaisseur de la base est

ici 60 fois plus faible que celle du
transistor.

La suite du cours sera illustrée par l’étude du transistor NPN. Celle du transistor
PNP est similaire.
Description et symbole
 L’effet transistor
 Cet effet consiste à contrôler avec un courant de base relativement faible, un

courant de collecteur IC beaucoup plus important.

Le transistor peut être représenté comme un quadripôle (4 pôles, entrée BE et sortie

CE). Lorsque comme ici, le pôle E est commun à l’entrée et à la sortie, on parle de
montage en émetteur ‘commun’.
 L’effet transistor
L’effet transistor apparaît lorsque :

 La jonction BE est polarisée en direct (VBE  0.7 V) : la jonction est plus ou

moins conductrice suivant que VBE est légèrement en dessous ou légèrement

au-dessus de la tension seuil 0.7 V.

 La jonction CB est polarisée en inverse (VBC < 0.7 V) : il existe un champ

électrique important EZD dans la zone de déplétion. Il aspire littéralement les

électrons présents dans la base et les ‘injecte’ dans le collecteur avant qu’ils ne
se recombinent avec les trous de la base. Celle-ci est de faible épaisseur, les
porteurs émis par l’émetteur sont rapidement à proximité du champ EZD.

Au total, un fort courant IC peut traverser le transistor du Collecteur vers

l’Emetteur tandis que le courant de Base IB peut rester faible.

Les 2 conditions (VBE  0.7 V) & (VBC < 0.7 V) donnent : VCE = (VBE - VBC) ≥ 0 V
 L’effet transistor

 Considérons le schéma de la figure ci-dessous. La jonction base-

collecteur est polarisée en inverse.

 La jonction base-émetteur est polarisée en direct.

 L’effet transistor
Le courant IC résulte :

- du courant de fuite en base commune ICOB qui intervient sur le schéma de la

figure ci-contre:

- du courant α IE provenant des électrons injectés par l'émetteur, 0,9<α < 0,995

soit,

et

Avec:
: gain statique en courant

:C'est le courant de fuite en émetteur commun.

α: coefficient de transport
 Caractéristiques du transistor
Pour caractériser complètement le fonctionnement d'un transistor, il faut
déterminer six grandeurs : IC, IB, IE, VCE, VBE et VBC .

Montage pour le relevé des caractéristiques:

 Réseaux de caractéristiques

Caractéristique d’entrée:

C'est le réseau IB = f(VBE) à VCE =Cte .

Dés que VCE ≥ 0,7V, toutes les courbes sont pratiquement confondues.

La courbe est identique à la caractéristique d'une diode (jonction base

émetteur).

Pour un transistor au silicium VBE varie très peu et reste voisine de la

tension seuil de la jonction base-émetteur, soit 0,7V.
 Réseaux de caractéristiques

Réseau de sortie:

Quand IB=Constante, les caractéristiques IC=f(VCE) présentent 3 zones :

1) La zone ‘ohmique’. IC est proportionnel à la tension VCE. Le champ ‘injecteur’

EZD est plus ou moins intense ce qui donne un courant plus ou moins
intense.
 Réseaux de caractéristiques

Réseau de sortie:

2) Au-dessus d’une certaine valeur de VCE,

tous les électrons présents dans la base
sont injectés dans le collecteur.

En conséquence, l’augmentation du champ EZD ne s’accompagne pas d’une

augmentation du courant (on parle de « plateau » ou de « saturation »). Cette zone
est appelée ‘zone de fonctionnement linéaire’ du transistor car la valeur du ‘plateau’
IC dépend linéairement de IB. Dans cette zone, on a IC=b.IB. Le coefficient b est
appelé gain en courant du transistor. Les valeurs de b sont typiquement de l’ordre
de 10 à 1000.

3) Au-dessus d’une valeur critique, le transistor peut se détériorer par le

phénomène d’avalanche.
 Réseaux de caractéristiques

Réseau de transfert en tension :

C'est le réseau VBE = f(VCE) à IB = Cte. On constate que les variations de la

tension de sortie sont sans effet sur la tension d'entrée.

Réseau de transfert en courant :

C'est le réseau IC = f(IB) 0 à VCE =Cte .

La courbe est linéaire et passe par le point IB =0 et ICEO.

C'est la courbe représentative de l’ équation :

 Réseaux de caractéristiques

Réseau de sortie
Caractéristique de transfert en courant

Caractéristique d’entrée Caractéristique de transfert en tension

 Réseaux de caractéristiques : Résumé

En pratique on considérera que le comportement d’un transistor est celui

d’un dipôle Collecteur-Emetteur commandé par le courant de base :

Si IB0 ou faible, le transistor est bloqué. Le dipôle C-E correspond à

un circuit ouvert avec IC0 quelle que soit la tension VCE

Si IB possède une valeur intermédiaire qui place le point de

polarisation dans la zone de fonctionnement linéaire du transistor, le

dipôle C-E est parcouru par un courant IC=b.IB.

Si IB est trop important, le transistor est dit ‘saturé’ et le dipôle C-E est

assimilé à un circuit fermé avec VCE=0 quelque soit le courant IC.

 Effet Early

Théoriquement, dans sa zone de fonctionnement linéaire, le courant de

collecteur Ic d'un transistor bipolaire ne devrait pas être influencé par
la tension collecteur-émetteur Vce. En réalité, la hausse de cette tension
(Vce) modifie légèrement le courant de collecteur. C'est ce qu'on appelle
l'effet Early.
Fonctionnement en régime statique
On parle de fonctionnement statique quand toutes les
grandeurs (courants et tensions) sont des grandeurs
continues, c’est-à-dire qui ne varient pas dans le temps.

On les notera en MAJUSCULE.

 Fonctionnement statique
RB IBo Caractéristique d’entrée
IB(µA)
VP VBEo

Point de
fonctionnement
Circuit d’attaque VP
RB
Le point de fonctionnement est imposé par le IBo
circuit d’attaque. On peut le déterminer
graphiquement en traçant la droite
d’attaque, d’équation:
1 V
I B   VBE  P
RB RB

Généralement, VP est connue et il faut choisir

RB pour fixer IB0. VBEo VBE(V)
 Fonctionnement statique
Caractéristique de transfert
IC0
IC(mA)

RC

RB IBo VCC

VP IC0

IB0 étant fixé, on en déduit IC0 par:

IC0 = b IB0
Ce qui est vrai si on autorise l’existence d’un
IB0
courant IC => un circuit de charge IB(µA)
 Fonctionnement statique
Caractéristique de sortie
IC0
IC(mA)
RC VCC
RC
RB IBo VCC
IBo
IC0
VP

VCE0 VCC VCE(V)

La valeur de VCE0 est fixée par VCC et RC, et

peut être déterminée graphiquement en La droite de charge passe forcément par
traçant la droite de charge d’équation: IC0.

1 V En pratique, VCC est généralement

I C   VCE  CC connue, on choisit alors RC pour fixer IC0
RC RC
et VCE0.
Fonctionnement statique
 VP et RB fixe le courant IB0.
 VCC et RC fixe la tension VCE0.

C’est ce qu’on appelle POLARISER le transistor.

 Montages de polarisation

La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du

transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques. Pour cela on
applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continues de
valeurs convenables
 Polarisation par résistance de base
Soit le montage de la figure ci-contre:

La loi des mailles à l'entrée permet d'écrire :

Pour la maille de sortie, on peut écrire :

Donc :

Ce montage est sensible à la dérive thermique. Ce type de polarisation ne

doit jamais être employé pour un transistor utilise en amplificateur (il est
tolérable en commutation).
 Polarisation par réaction d'émetteur :
Soit le montage de la figure ci-contre:

La résistance RE permet de compenser les

variations de β . En effet, Si β croit, IC et donc IE
augmente.
Le potentiel de l‘émetteur VE =RE IE croit ainsi que
le potentiel de base (puisque VBE =0,7V) ce qui
diminue ainsi le courant de base puisque

donc le courant IC. diminue.

 Polarisation par réaction de collecteur

Soit le montage de la figure ci-contre:

On a : VCE =E−RCIC et VCE =RBIB.

Si β croit, IC augmente, donc VCE diminue
ainsi que la différence de potentiel aux
bornes de RB. Le courant IB diminue et
contre balance l’accroissement
du gain.
 Polarisation par pont de base et résistance
d'émetteur
Compensation des effet thermiques par résistance d’émetteur

Soit le montage de la figure ci-contre:

Pour rendre indépendant le courant
collecteur des variations du gain, on utilise
un diviseur de tension nomme « pont de
base ».
On suppose que le courant de base est
négligeable par rapport au courant qui
circule dans les résistances du pont de
base. IB<< IP

Dans ces conditions, le pont diviseur maintient constant le potentiel VB de la base

(par rapport à la masse) puisque : VBM =R1IP
 Polarisation par pont de base et résistance
d'émetteur
L'équation de la droite de charge est donnée par la maille de sortie

VCE=(VCC-VCE)/(RC+RE(1+1/β))

L'équation de la droite d’attaque:

IB=(ETh-VBE)/(RTh+RE(1+β))
En remplaçant R1 et R2 par le générateur
VCC
de Thévenin, on tire :
Eth=(R1/R1+R2))VCC

RTh=R1//R2
Stabilité du point de fonctionnement?