CHAP II : TRANSISTOR BIPOLAIRE

I- Constitution
Il est constitué de trois couches de semiconducteurs extrinsèques.
On distingue deux types de transistors bipolaires, les transistors NPN et les transistors PNP.

Le transistor NPN est constitué par :

• Une couche N fortement dopée constituant l’émetteur.
• Une couche P très mince et faiblement dopée constituant la base.
• Une couche N faiblement dopée constituant le collecteur.

Le transistor PNP est constitué par :

• Une couche P fortement dopée constituant l’émetteur.
• Une couche N très mince et faiblement dopée constituant la base.
• Une couche P faiblement dopée constituant le collecteur.

Structure

Symbole

II- Principe de fonctionnement : effet transistor.

En l’absence de polarisation, les porteurs majoritaires diffusent de part et d’autres des deux jo
provoquant la création de deux zones dépeuplées (de déplétion) où règnent deux champs Ei q
la diffusion et engendrent une situation d’équilibre..

Si on applique un générateur externe entre le collecteur et l’émetteur, la jonction collecteur-ba

CB) est
polarisée en inverse, sa zone dépeuplée devient plus large, aucun courant ne circule entre le c
l’émetteur.
Si on applique un deuxième générateur entre la base et l’émetteur, la jonction base
BE) se –trouve
émetteu
polarisée en direct, la zone de déplétion qui l’entourait disparaît et un courant directe circul
l’émetteur, on l’appelle le courant de
B. base I

La polarisation de la jonction BE en direct va être à l’origine d’un deuxième courant dans le tra
effet, l’émetteur fortement dopé N injecte un grand nombre d’électrons dans la base (diffusion
majoritaires), ces électrons ne vont pas tous être récupérés par le circuit extérieur, car, comme
mince, un grand nombre d’entre eux va se trouver au voisinage de la jonction base - collecteu
jonction, les électrons du côté de la base constituent les porteurs minoritaires dont le passage
est fortement encouragé par le champ important qui règne autour de cette jonction. Il en résu
d’un courant important entre le collecteur et l’émetteur à travers la base.
Ce phénomène est appelé effet transistor.

(Effet transistor)

Le courant le l’émetteur
E, celui
I de la baseB Iet celui du collecteur est noté
C obéissent
I aux relations
suivantes :

IE =BI+CI et IC = βI
B  IE =BI(1 + β)
IC IC
IB IB
VCE VCE

VBE IE VBE IE
NPN PNP
β entre le courant du collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelq
Le rapport
quelques centaines, c’est le gain en courant du transistor.
β est souvent noté
Dans les ouvrages anglophones, 21 ou
h hfe.

En résumé, le transistor est un composant électronique géré par la relation I C = βI B . Cette relation traduit la
possibilité de contrôler un courant important (I C) à l’aide d’un courant beaucoup plus faible (I B), d’où son
utilisation à grande échelle en amplification.
 III- Réseau de caractéristique du transistor

C’est un réseau de courbes qui décrit l’évolution du courant Cdu encollecteur

fonction de
I la tension
CE etV
ceci pour différentes valeurs du courant Bde
. Aussi
basel’évolution
I C=f(I
IB) et BI = f(V
BE).

Caractéristique de Csortie
= f(V
CE)IB=cste
I
Caractéristique de transfert en courant
IC = βI
B

IB(µA)

0,7 V

Caractéristique d’entrée
BE =Vf(I
B)VCE=cste

VBE (V)

IV- Polarisation du transistor

Pour fonctionner correctement, le transistor doit avoir sa jonction base-émetteur polarisée en d

engendre un courant B dans
I C =I β I B dans le collecteur. L’état du transistor est
la base et un courant
caractérisé par ce qu’on appelle le point de fonctionnement correspondant CE, IC) qui
au sont
couple
la (V
tension entre le collecteur et l’émetteur ainsi que le courant duC.collecteur
Ces valeurs
I sont nommées en
général CE0
V, IC0

IV-1- Polarisation par résistance de base

- On détermine le courant
B en Iécrivant la loi d’Ohm dans la maille d’entré :

VCC= RBI B + V
BE + R
E(I B + IC)

IC parβIB , on obtient :
En remplaçant
VBE =VCC – [RB + RE(1 + β)]I
B (Droite d’attaque statique:DAS)
Cette expression montre queBE varie
V en fonction de B. Toutefois
I comme cette variation
BEde
reste
V assez
faible pour toute la plage de variation
B, alors
de I on prendra en géneral
BE= cste
V 0,7V pour les transistors
au silicium.

- La tensionCEVest obtenue en écrivant la loi d’Ohm dans la maille de sortie :

VCE = VCC – [RC + RE (1 + )]I C (Droite de charge statique : DCS)

puis le placer sur le réseau de caractéristique.

Il arrive que le problème soit posé à l’envers, c’est à dire qu’on se donne un point de fonctionn
cherche les valeurs des résistances qui permettent d’obtenir ce point de fonctionnement.

Exemple :
Soit un transistor de βgain
=100, etBEV=0,7V polarisé à l’aide d’une alimentation Vcc=12V,
CalculerBR
, RE, et R
C pour obtenir le point de fonctionnement
CE0=5V,
Q{V
C0I=1mA}.

IV-2- Polarisation par réaction de collecteur

Maille d’entrée: VCC= RC(I B + IC) + R

BI B + V
BE + RE(I B + IC)
VCC= (RC+ R E)(1 + β)IB + RBI B + V
BE
VBE = VCC - [RB + (RC + RE)(1 + β)]I B (Droite d’Attaque Statique)

Maille de sortie: VCC= RC(I B + IC) + V

CE + RE(I B + IC)

VCC= (RC+ R E)(1 + )I C + V

CE

VCE = VCC - (RC + RE)(1 + )IC (Droite de Charge Statique)

IV-3- Polarisation par pont de base

La base est polarisée par un "pont" constitué de deuxB1résistance
et R
B2. R
Pour faciliter le calcul, on applique le théorème de Thévenin au circuit d'entrée et on obtient le
permet de ramener le problème à une polarisation par une résistance de base.

Maille d’entrée: Veq = ReqI B + V

BE + R
E(I B + IC)

VBE =Veq - [Req + RE(1 + β)] BI (DAS)

Maille de sortie: VCC= RCI C + V

CE + R
E(I B + IC)

VCE = VCC – [RC + RE(1 + )]I C (DCS)

Pratique :
On donne Vcc=12V, β =100, VBE=0,7V. Calculer RB1, RB2, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
{VCE0 = 5,5V, IC0 = 1mA, Ve = 1V (potentiel à l’émetteur)}.

Ces données ne suffisent pas pour calculer les deux résistances du pon
permettent seulement de calculer Req. Pour lever cette indétermination
donne une des deux résistances et on calcule l'autre. Une deuxième sol
consiste à se donner le rapport entre le courant P et
dulepont
courant
I de base
B I
Si on note1 le
I courant dans
1 et
R 2I le courant dans2, on
R a1I= BI + 2I.
Si 2I est grand devant
B, on
I peut négliger
B et
I on obtient1=I 2I = PI = courant du
VB pont.
Ve
En prenant
P=I 30B Ion obtient :