CHAPITRE V :

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE

I - GENERALITES
I.1 – Définition
I.2 – Modes de fonctionnement
I.3 – Exemple de fonctionnement d’un transistor NPN en mode actif
I.4 – Types de montage des transistors sous forme de quadripôles

II- FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME

CONTINU OU STATIQUE
II.1 – Expression des courants
II.2 - Réseau de caractéristiques statiques
II.3- Polarisation du transistor

III- FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME

VARIABLE OU DYNAMIQUE

1
I – GENERALITES
I.1 – Définition
Le transistor bipolaire est un transistor à jonctions: il est constitué de deux jonctions PN
réalisées dans un même monocristal de semi-conducteur, et comporte ainsi trois régions:
- deux régions de même type de conductibilité électrique (P ou N) appelées Emetteur
(très dopé) et Collecteur (d’épaisseur très large et de dopage modéré) ;
- une région très mince et faiblement dopée de type de conductibilité électrique opposé,
appelée Base, sépare les deux premières régions.
Il existe ainsi deux types de transistor : PNP et NPN dont les symboles sont donnés ci-
dessous :

E P N P C E N P N C

B B
C C

B B

E E

NB :
 La flèche indique le sens réel du courant dans l’Emetteur.
 Le transistor est dit bipolaire parce que son fonctionnement fait intervenir les deux
types de porteurs : minoritaires et majoritaires.
 Le principe de fonctionnement est identique pour les deux types de transistor ; il suffit
de faire une permutation P ↔ N et du sens de référence des courants et tensions
pour passer d’un type de transistor à l’autre.

I.2 – Modes de fonctionnement

E B C

Jonction Jonction collecteur-Base (CB)

Emetteur-Base (EB)

On distingue trois modes de fonctionnement du transistor, définis selon les polarisations des
jonctions EB et CB :

Jonction EB Jonction CB Mode Régime

Sens direct sens inverse actif ou normal Linéaire

Sens direct Sens direct saturé

Commutation
Sens inverse sens inverse bloqué

2
  Exemple de polarisation du transistor NPN en mode actif :

E C
N PP N
N N

- + - + VE < VB < VC
B
VBE > 0 VBC < 0

 Exemple de polarisation de transistor PNP en mode actif :

E C
P N P

+ - + - VE > VB > VC
B
VEB > 0 VCB < 0

I.3 – Exemple de fonctionnement d’un transistor NPN en mode actif

E EB B CB C
Courant dû au passage N P N Courant dû au passage
des électrons de E vers B EBE EBC des électrons de B vers C
IE IC
e-  électrons 

- + IB - +

B
VBE > 0 VBC < 0

IB : Courant dû aux faibles

recombinaisons dans B

 Lorsque la jonction EB est polarisée en direct (VBE > 0), la barrière de potentiel se
trouve abaissée pour favoriser le passage des porteurs majoritaires élections de E vers B. La
jonction EB étant dissymétrique de type N+P (la région d’Emetteur est fortement dopée par
rapport à celle de la Base), le courant d’Emetteur IE dans la jonction EB est donc
essentiellement dû au passage de ces électrons majoritaires.
3
  Les électrons arrivant dans la Base de type P subissent très peu de recombinaisons, car
la Base est très mince et très faiblement dopée. Le courant lié aux faibles recombinaisons,
appelé courant de Base IB, est tout logiquement très faible devant IE
 Ainsi, la majorité des électrons issus de l’Emetteur ont une énergie suffisante pour
atteindre la jonction CB. Au niveau de cette jonction, les électrons sont accélérés par le champ
inverse E BC qui y règne pour être déversés dans le collecteur; ce qui donne naissance au
courant de collecteur IC, qui constitue donc une fraction de IE (IC = .IE, avec 0,95≤ ≤0,99).
On constate que IC est aussi important que IE malgré la polarisation en inverse de la jonction
CB ; on décrit ainsi l’effet transistor comme étant un phénomène de transfert du courant
d’un circuit de faible résistance dynamique (jonction EB polarisée en direct) vers un circuit de
forte résistance dynamique (jonction CB polarisée en inverse).
 Ce phénomène confère au transistor la possibilité d’amplifier des signaux.

I.4 – Types de montage des transistors sous forme de quadripôles

* Exemple du transistor NPN, tel que : IE = IB + IC .

a) Montage Emetteur commun (EC) b) Montage Base commune (BC)

IC IE IC
C C
IB E
B
VCE VCB
VBE VEB
IE
IB
E B

c) Montage Collecteur commun (CC)

IE
E
IB
B
VEC
VBC
IC

NB : On peut aussi utiliser la convention des courants rentrants ; dans ce cas on écrit :
IB + IC + IE = 0 (IE est alors dirigé vers l’intérieur).

4
II- FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME
CONTINU OU STATIQUE

II.1 – Expression des courants

Les courants sont établis ici en considérant deux jonctions PN dont l’une est polarisée sous la
tension VBE et l’autre sous la tension VBC (transistor NPN).

On écrit les équations d’Ebers-Moll suivantes :

   V BE    V  
 I E  I S 1 exp    1   I .I S 2 exp  BC   1
   UT     UT  

   V BE     V BC  
 I C   N .I S 1 exp  U   1  I S 2 exp  U   1
   T     T  

avec : IS1 = Courant de saturation totale dans la jonction EB

IS2 = Courant de saturation totale dans la jonction CB
 dI 
N = Gain statique en courant à VBC = cte,  N   C 
 dI E VB C cte
 dI 
I = Gain statique en courant à VBE = cte,  I   E 
 dI C VB E cte

 En fonctionnement en mode actif VBE 0 et VBC <0 :

  VBE 
 I E  I S 1 exp  
  UT 
V  V    VBE 

==> exp  BE   1, et exp  BC   1 , d’où,  I C   N .I S 1 exp     N .I E
 UT   UT    UT 
I  I  I
 B E C




II.2 - Réseau de caractéristiques statiques

 Montage

IC
C RC
IB B
VCE
RB E EC
VBE
EB 5
 Grandeurs d’entrée : VBE, IB
(montage EC)
Grandeur de sortie : VCE, IC

 Expression de IC en fonction de IB :

 dI 
On a : IC = .IE ==>    C  , correspond au gain en courant du montage BC.
 dI E VB C cte

Or IE = IC + IB ==> IC = .(IC + IB) = .IC + .IB ==> (1 – ).IC = .IB

   dI 
 IC  .I B   .I B avec     C  , gain en courant du montage EC.
1 1    dI B V
CE cte

Dans la pratique,  ≥ 15 , et peut atteindre 300.

 Tracé du réseau :

(S)
IC(mA)
IB constante

VCE constante

Caractéristiques de Caractéristiques de sortie

transfert en courant

IB(A)

VCE(V)

0,6V (Si)

VCE constante

Caractéristiques d’entrée IB constante

VBE(V) Caractéristiques de transfert

inverse en tension

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Pour les caractéristiques de sortie, on a des droites de faible pente et parallèles dans la zone
linéaire.
Par contre, dans la zone où VCE est faible, on tient compte des chutes ohmiques dans le
transistor qui devient équivalent à une résistance RS de faible valeur (RS est de l’ordre de
quelques dizaines d’Ohms).

 Droite de charge statique et point de fonctionnement

. Le transistor est un élément actif capable de fournir une réponse à sa sortie lorsqu’un signal
d’entrée (excitation) lui est appliqué.

Pour que cela soit possible, il faut d’abord fournir une énergie continue au transistor ; on parle
alors de polarisation du transistor.

Transistor
Signal d’entrée Signal de sortie (Réponse)
(Excitation) Pertes
Joule

Alimentation
Continue

. Le fonctionnement dynamique du transistor dépend fortement de la polarisation : celle-ci

définit le point de fonctionnement ou de repos.

. Exemple : On considère le montage précédent :

IC
C RC
IB B
VCE
RB E EC
VBE
EB

. On suppose le transistor caractérisé par son réseau de sortie IC = f(VCE).

. La loi des mailles à la sortie du montage s’écrit : EC = VCE + RC.IC

==> EC 1
IC   .VCE
RC RC

Dans le graphe IC = f(VCE), cette équation est celle d’une droite appelée droite de charge
(d.d.c), passant par les points de concours: S (VCE = 0V; IC = EC/RC) et, B (VCE = EC; IC = 0mA).
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La droite (ddc) est tracée ci-dessous :

IC (mA)
S (ddc) (H)
IB6
)

IB5

IB4 = IB0
P0
IC0
IB3

IB2

IB1

0 VCE0 B VCE(V)

. Les points d’intersection entre ddc et courbes du réseau constituent les points de repos ou de
fonctionnement.
Pour une valeur IB0 de IB fixée, on considérera un point de repos P0(VCE0 ; IC0).
. Les points de repos proche du point S ont une valeur VCE ≈ 0V; ils imposent au transistor un
fonctionnement en mode de saturation (le transistor fonctionne alors comme un interrupteur
fermé : VCE = 0V; IC croît).
. Les points de repos proche du point B ont une valeur IC ≈ 0mA; ils imposent au transistor un
fonctionnement en mode de blocage (le transistor fonctionne alors comme un interrupteur
ouvert : VCE = croît; IC = 0mA).

Les points de repos situés vers le milieu de la droite de charge commandent au transistor un
fonctionnement en régime linéaire (VCE ≠ 0V; IC ≠ 0mA).

 Hyperbole de dissipation maximale

Le fabricant donne la puissance maximale Pdmax que peut supporter le transistor. Dans son
fonctionnement, le transistor reçoit une puissance électrique correspondant à Pd = VC E.IC.
Celle-ci doit toujours rester inférieure à Pdmax ; par conséquent, l’équation donnant le courant
maximal dans le transistor s’écrit :
P
IC  d m ax
VCE

Dans le graphe IC = f(VCE), cette équation est celle d’une hyperbole dite de dissipation
maximale. Elle délimite la zone de fonctionnement autorisée pour le transistor (voir la courbe
(H) dans le réseau ci-dessus). Le point de repos doit toujours rester en dessous de cette
courbe.

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 II.3 - Polarisation du transistor
La polarisation du transistor consiste à lui fournir les tensions et courants continus
indispensables pour déterminer le point de repos nécessaire à son fonctionnement en tant
qu’élément actif.
Il convient de noter évidemment que le point de repos obtenu peut subir des fluctuations sous
l’influence de causes multiples liées à l’environnement et aux autres éléments du circuit. On
peut citer entre autres :
- Les dérives thermiques (le gain peut doubler entre 20°C et 100°C) ;
- Les fluctuations des tensions continues d’alimentation ;
- Les dispersions des composants passifs associés au transistor ; etc.
Pour limiter la variation du courant IC, et donc du point de repos, à la suite de la variation du
gain  (influence de la température), on envisage des montages dits de polarisation ; nous
étudions ici deux exemples.

a) Polarisation par résistance entre alimentation et base

 Schéma du montage :
Exemple : on donne les valeurs de polarisation
+VCC
suivantes : +VCC = 15V ; RC = 500 ; VBE0 = 0,7V ;
IC
IC0 = 15mA.
RB RC * Pour  = 0 = 75, calculons IB0 et RB :
IB
IC 0 15
I B0    0,2mA  200 A
VCE 0 75
VBE
RB 
VCC  VBE 0

15  0,7 V  71,5 K
I B0 0,2mA
* Supposons que pour une variation de la température,  passe de 0 = 75 à 1 = 150 ; les
éléments RC et RB étant inchangés, calculons le courant IC1 :

On a : IC1 = 1. IB1 = 1. IB0 = 150x0,2 = 30mA = 2. IC0.

 Le point de repos passe ainsi de P0(0 ; IC0) à P1(1 ; IC1).
 Ce montage proposé n’est donc pas stable en température (le point de repos se
déplace).

b) Polarisation par pont de base et résistance d’émetteur

 Schéma du montage :
+VCC
IC

R1 Rc

IB
IP VCE

R2
RE
9

M
  Aux températures usuelles, on a : IC ≈ .IB.
Ainsi, pour que IC reste quasi stable, il faut que les variations de  entraînent des variations
inverses de IB de sorte qu’on ait .IB ≈ constante.
 On suppose ici : IE = IC + IB ≈ IC (IC >> IB). On établit les équations suivantes :
 I C   .I B 1

VCC  R1 ( I P  I B )  R2 .I P  ( R1  R2 ) I P  R1.I B 2
 R .I  V  R .I  V  R . I 3
 2 P BE E E BE E C

VCC  R1 .I B VCC  R1 .I B
2  I P  et 3  R2 .  VBE  RE .I C
R1  R2 R1  R2
 R .R 
1  R2 . VCC  R1 .I B  VBE  RE . .I B  I B   .RE  1 2   VBE 
.R 2
.VCC
R1  R2  R1  R2  R1  R2

.R2
.VCC  VBE
.R2 R .R R1  R2 V  VBE
Posons : VTh  .VCC et RTh  1 2  IB   Th
R1  R2 R1  R2 R .R  .RE  RTh
 .RE  1 2
R1  R2

VTh et RTh sont les éléments du générateur de Thévenin équivalent au circuit vu des bornes B
et M, d’où le schéma équivalent :

+VCC
IC
.R2
Rc .VCC  VBE
R1  R2 V  VBE
1  I C   .   . Th
R .R  .RE  RTh
RTh IB  .RE  1 2
VCE R1  R2
VTh  VBE
VBE  IC 
R
VTh .RE  Th
RE VEM 

Exemple : on donne les valeurs de polarisation suivantes : +VCC = 15V ; R1 = 10K R2 =

1,5K RE = 100 ; VBE0 = 0,7V.
1,5 10 x.1,5
 VTh  .15  1,96 V et RTh   1,304 K
10  1,5 10  1,5

10
 1,96  0,7
* Pour  = 0 = 50, on a : IC0   10 mA .
1304
100 
50
1,96  0,7
* Pour  = 1 = 150, on a : I C1   11,6mA .
1304
100 
150

On remarque que pour une augmentation de 200% de  (1 = 30), IC augmente seulement de
16% (IC1 = 1,16 IC0), ce qui est négligeable.
 Ce montage proposé rend plus stable en température le courant IC ; le point de repos
est donc quasi stable.

11
III- FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME
VARIABLE OU DYNAMIQUE
Après la fixation du point de repos d’un transistor, on peut lui appliquer un signal d’entrée
pour étudier sa réaction ; le transistor fonctionne alors en régime dit dynamique ou variable.
Ici, on utilise un signal de faible amplitude (dans ce cas, l’étude se fait en régime dynamique
petits signaux). Le comportement du transistor est alors assimilé à un système linéaire ; ainsi,
la théorie des quadripôles linéaires (paramètres et schémas équivalents) est utilisée pour
l’analyse des caractéristiques dynamiques.
La matrice utilisée pour l’étude du fonctionnement du transistor en basse fréquence (BF) est
la matrice hybride [H].
 Rappel :
i1 i2

v1 Q v2

La tension d’entrée v1 et le courant de sortie i2 sont exprimés en fonction du courant

d’entrée i1 et de la tension de sortie v2.
Soit v1 = h11i1 + h12v2
hij = paramètres hybrides
i2 = h21i1 + h22v2

v1 h11 h12 i1
==> =
i2 h21 h22 v2

Matrice [H] = Matrice hybride

v 
h11   1   impédance d ' entrée quand la sortie est en court  circuit (CC )
 i1  v2 0
(exp rimée en Ohms )
v 
h12   1   gain ( rapport) inverse en tension quand l ' entrée est en circuit ouvert (CO)
 v2  i1 0
( sans unité)
i 
h21   2   gain ( rapport) en courant quand la sortie est en court  circuit (CC )
 i1  v2 0
( sans unité)
i 
h22   2   admit tan ce de sortie quand l ' entrée est en circuit ouvert (CO)
 v2 i1 0
(exp rimée en Ohms 1ou Siemens)

12
 Le schéma équivalent du quadripôle avec les paramètres hybrides est :

i2
i1

h11
+ h21i1
h22
v1 v2
h12v2
E

NB : * Les paramètres hybrides hij sont mesurables expérimentalement.

* Ici, les courants et tensions sont désignés par des lettres minuscules.

* Application au montage Emetteur commun (EC) :

iC C

B iB
vCE
vBE

E E

Les paramètres seront affectés d’un indice e pour désigner les paramètres hybrides en
émetteur commun : hije
Ordre de grandeur :

h11e = 103 ; h12e = 10-4 , très négligeable ; h21e ≥ 50 ; h22e = 10-8 S, peut être négligé.
Ce qui conduit au schéma équivalent du transistor en régime dynamique BF :

ic
ib
B
h11
h21ib h22
vbe vce

E E

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