Introduction à l’électronique analogique.

Chapitre 1 : Diode à jonction PN

* circuits à diodes.

Chapitre 2 : Les transistors

* Transistor bipolaire.
* Transistor unipolaire
Chapitre 3 : Les amplificateurs
* L’amplificateur opérationnel
Conclusion.

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Catégorie de Transistors
Introduction:

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Transistor bipolaire
Introduction:
 le Transistor = Transfer Resistor

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Transistor bipolaire
Introduction:
Le Transistor permet:
 amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
 être utilisé comme une source de courant
 agir comme un interrupteur commandé ( ou mémoire binaire)
 essentiel pour l’électronique numérique
il existe :
 soit comme composant discret
 soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un
circuit plus complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à
quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs)
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chapitre II E.A EEA (S6)
 On distingue le transistor bipolaire du transistor à effet de champ
 différents mécanismes physiques
 Ils agissent, en 1ière approx., comme une source de courant
commandé
 transistor bipolaire : commandé par un courant
 transistor à effet de champ: commandé par une tension

Icontrôle I commandé  A  I contrôle I commandé  G  Vcontrôle

Vcontrôle

source de courant source de courant

commandée par un commandée par
courant une tension
A = “gain” en courant G = transconductance.

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire

Transistor PNP Transistor NPN

E E
diode « EB » diode « EB »

émetteur
P+ N+
couplage B B
entre les N base P
diodes P N
collecteur
diode « BC » diode « BC »
C C

 Deux « jonctions PN ou diodes » couplées  « effet transistor »

 Symétrie NPN/PNP

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Effet transistor :  Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Exemple: Transisor NPN Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
RE
E N+ P N C RC

I e- E IC
E

VEE IB VCC
B

 si VEE > ~ 0.7V , jonction EB passante  VBE ~ 0.7V, IE > 0

 La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E)
 courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B
vers E)
 VCC > 0, jonction BC “bloquée” => champ électrique intense à l’interface B/C
 La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le
champ E IC ~IE et IB +IC = IE Loi au nœud
 En mode actif, IC est contrôlé par IE , et non vice versa…
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chapitre II E.A EEA (S6) 7
  Symboles:transistor bipolaire NPN vs PNP

 Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0.7V, VCB > - 0.5V.

C C
 IE >0 en mode actif
B B

E E
PNP NPN

Conventions des courants :

IC IC
IB IB

IE IE

 IE = IB+IC NPN PNP

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Caractéristiques du transistor NPN
VCE
 Choix des paramètres :

 Les différentes grandeurs électriques RE IE IC RC

(IE, IB, VBE,VCE,…) sont liées: VEE VCB VCC
VBE IB
 différentes représentations équivalentes
des caractéristiques électriques existent

 Configuration “Base Commune” ( base = électrode commune)

 Caractéristiques : IE (VBE , VBC), IC (VBC , IE)

 Configuration “Emetteur Commun”(émetteur= électrode commune)

 Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE , IB)

 La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur

commun” est la moins utilisés.
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chapitre II E.A EEA (S6)
Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN
IE (VBE, VCB) : « caractéristique d’entrée »
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)

IE (mA)  ~ caractéristique d’une jonction PN

VCB=0 , -15   VBE  
2
I E  I s exp    1
  VT  
1
 très peu d’influence de IC (resp. VCB)
VBE (V)
0.1 0.5

Jonction BE bloqué Jonction BE passante

IE ~ 0, VBE < 0.5 V IE >0, VBE  0.6-0.7V= « Vo »

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chapitre II E.A EEA (S6)
 IC (VCB, IE) : mode actif
Ic (mA) IE (mA)
2.0

1.5 1.5
IC  I E
1.0 1
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3
VCB (V)
 jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC
 pour VCB  -0.5V, on a I
= aF IE , avec aF proche de 1.
C
 En mode actif, I B  I E  IC  I E 1  a F 
 pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0
 Transistor en “mode bloqué”
 pour VCB  -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus contrôlée par IE
 Transistor en “mode saturé”
Ordre de grandeur : aF ~0.95 - 0.99

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chapitre II E.A EEA (S6) 11
 Caractéristiques en configuration EC :

IB (VBE, VCE) : « caractéristique d’entrée »

hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)
IB (µA) IC
IE

VCE= 0.1V N P E N
3 IB

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

 VBE >= 0.7V, jonction PN passante

 IB <<IE  charges non collectées par le champ électrique de la
jonction BC. I B  1  a F I E
 Influence légère de VCE sur la caractéristique IB(VBE)
aF  “Effet Early”
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chapitre II E.A EEA (S6) 12
 IC (VCE, IB) : Ic(mA)
Ib= 20 µA
2 15µA

10µA
1
5µA
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”

 Mode actif : BE passant, BC bloquée  VBE  0.7V et VCB  -0.5 V

 VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7  0.2 V
aF
I C  a F I E  a F I C  I B   I C  I B " hFE " I B hFE = “gain en courant
1aF
continue en EC” = “bF”
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250
 Grande dispersion de fabrication sur hFE.
 Effet Early : aF tend vers 1 lorsque VCE augmente  hFE augmente avec VCE
 Mode saturé : Diode BC passante -> IC ~ indépendant de IB (hFE diminue lorsque VCE 0)
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chapitre II E.A EEA (S6) 13
  Modes actif / bloqué / saturé (Transistor NPN)

Configuration EC : VCC étant la source de tension externe alimentant la maille contenant C et E

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC I c  hFE I B

Mode bloqué : I B  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé :VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C
B IB C B C B C
B
 ~0.7V hFE IB
~0.8V ~0.2V

E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

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chapitre II E.A 14
EEA (S6)
  Modes actif / bloqué / saturé Transistor PNP

Configuration EC :

Mode actif : VBE  0.7V ~ 0.3V  VCE  VCC ( 0) I c  hFE I B

Mode bloqué : I B  0 VCE  VCC IC  0

Mode saturé : VBE  0.8V VCE  0.2V I c  hFE I B

C
B IB C B C B C
B
 -0.7V hFE IB ~0.2V
~0.8V
E
E E
E
Mode actif Mode bloqué Mode saturé

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chapitre II E.A EEA (S6)
  Valeurs limites des transistors
 Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)
ICVCE =Pmax
 Puissance maximale dissipée :
Pmax =VCE IC.
 Courants de saturations inverses :
IC , IB et IE 0 en mode bloqué

 Influence de la température
 La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température

 les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T

 VBE, à IB constant, diminue avec T

 ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe, IE (et donc IC) augmente avec T

 Risque d’emballement thermique : T  IC   Puissance dissipée 

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit
 Droites de charges :  Point de fonctionnement
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques
du transistor et par les lois de Kirchhoff appliquées au circuit de
polarisation.
Exemple :  Comment déterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Droites de charges :

Rc V V
Vth  Rth I B  VBE  I B  th BE
Rth
Rth

V  VCE
Vth VCC  RC IC  VCE  I C  CC
RC

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chapitre II E.A EEA (S6)
  Point de fonctionnement
IB
 VBEQ 0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V
V  VBE
 I B  th (diode passante
Rth
transistor actif ou saturé)
Q
IBQ

VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ

Ic(mA)  VCE sat  VCEQ  VCC

Q VCC  VCE sat VCC

ICQ  IBQ I CO  I c  
V V
Rc Rc
I C  CC CE
RC
 Q fixe le mode de fonctionnement
ICO du transistor
VCEsat VCEQ VCE (V)

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chapitre II E.A EEA (S6)
Exemple : Calcul du point de fonctionnement

+VCC=10V
Rc=3kW
Rc Vcc
Rth IB
Rth=30kW
hFE =100 hFE IB
Vth 0.7V
Vth =1V

On peut partir de l’hypothèse que ce circuit, il est en mode actif.

Alors:
 I BQ  10µA
 IC Q  1mA  On a bien : ~0,3 <VCEQ < VCC

 VCEQ  7V Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.

 l’hypothèse est bien correct.

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chapitre II E.A EEA (S6)
 Remplacement de Rth par 3kW : +VCC=10V
Rc=3kW
  I BQ  100µA
Rth=3kW
  IC Q  10mA
hFE =100
  VCE Q  20V !!
Vth =1V
 Résultat incompatible avec le mode actif

le modèle donne des valeurs erronées

Cause : Ic(mA)  IBQ

En ayant augmenté IBQ,(réduction de Q
Rth) Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif

 VCE Q ~ 0.3V

et ICQ  3.2mA

VCEQ VCE (V)

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chapitre II E.A EEA (S6)