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FP de Larache 2018-2019 SMP-S4

Faculté Polydisciplinaire de Larache


Université Abdelmalek Essaadi

Travaux Pratiques De
« Electronique de base »

Réaliser par :
MOUAAD ELBOUHSSINI SMP0045/15
MOHAMMED EL GHAZOUANI SMP0125/17
MOHAMMED SIHAD SMP0029/17

Année Universitaire : 2018-2019


FP de Larache 2018-2019 SMP-S4

Le Transistor Bipolaire

BUT
Le but de cette manipulation est le tracé des réseaux de caractéristiques d’un
transistor bipolaire et leur exploitation dans la détermination de ces différents
paramètres.

1. Généralités
Un transistor est constitué de trois zones de semi-conducteur de connectivités
différentes et alternativement opposées formant deux jonctions. Deux structures
sont possibles : PNP et NPN. Leur fonctionnement est identique, seuls les sens de
courants et des tensions sont inverses.

1.1. Le transistor NPN

Il est représenté par le symbole suivant :

Nous avons : IB + IC = IE
VE + VCB + VEC = 0

1.2. Réseaux de caractéristiques d’un transistor NPN

Le schéma ci-dessous représente les réseaux de caractéristiques d’un transistor


NPN
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1. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte


2. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte
3. Réseau de transfert en courant IC = f(IB) à VCE = Cte
4. Réseau de transfert en tension : VBE = f(VCE) à IB = Cte

Pour tracer les caractéristiques d’un réseau, on prend une grandeur en fonction
d’une autre tout en gardant une troisième fixe.

a. Réseau d’entrée : IB = f(VBE) à VCE = Cte

Il représente l’évolution du courant de base IB en fonction de la tension entre la


base et l’émetteur VBE. C’est la caractéristique d’une diode à jonction.

b. Réseau de transfert en courant : IC = f(IB) à VCE = Cte

Le courant qui parcourt le collecteur IC est proportionnel au courant de base IB.


C’est l’effet amplificateur du transistor.
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c. Réseau de sortie : IC = f(VCE) à IB = Cte

Pour un courant IB donne, le courant collecté IC reste constant même si VCE varie.
Le réseau de sortie est donc un réseau de courbes sensiblement parallèle
paramétré par IB.

1.3. Paramètres hybrides

Le transistor peut être considéré comme un quadripôle pour les faibles signaux.

Vbe = h11 Ib + h12 Vce


Ic = h21 Ib + h22 Vce

Tel que :

 h11 = Re = (Δvbe /Δib)vce=cte Résistance d’entrée


 h12 = (Δvbe /Δvce)ib=cte Coefficient de réaction interne
 h21 = = (Δic /Δib)vce=cte Coefficient d’amplification de courant
 h22 = 1/Rce = (Δic /Δvce)ib=cte Conductance de sortie

2. Manipulation

2.1 Caractéristiques d’entrrée VBE = f(IB) VCE = Cte


Montage

En variant la tension VBB, mesurer la tension VBE pour différentes valeurs de IB ;


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IB (µA) 0 50 100 150 200 250


VBE(mV)

 Tracer la courbe VBE = f(IB).


 Déterminer la valeur de IB à partir de laquelle VBE peut être considérée comme égale
à 0,6 V.
 Déterminer la résistance d’entrée Re = (Δvbe /Δib)vce=cte
 Conclusion

2.2 Caractéristique de sortie Ic = f(VCE) IB = Cte


Montage

 Fixer IB
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de VCE.

IB = 100 IC(mA)
µA VCE(V) 2 4 6 8 10 12
IB = 200 IC(mA)
µA VCE(V) 2 4 6 8 10 12

 Tracer la courbe IC = f(VCE)


 Déterminer Rs = (Δvce /Δib)ib=cte
 Conclusion

2.3 Caractéristique de transfert en courant Ic = f(IB) VCE = Cte


Montage
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 Fixer VCE
 En variant la tension Vcc, mesurer Ic pour différentes valeurs de IB.

VCE = 5 IC(mA)
V IB(µA) 2 4 6 8 10 12
VCE = 10 IC(mA)
V IB(µA) 2 4 6 8 10 12

 Tracer la courbe IC = f(IB)


 Déterminer le coefficient d’amplification en courant β = (Δic/Δib)vce=cte
 Conclusion