TPs ADS – Marchal Alexandre, Monteiro Matthieu

TP n°2 – Simulation DC & AC

1. Simulation DC
A) Sélection du composant – Prise en compte du boitier
Nous avons tout d’abord commencé par réaliser le circuit demandé suivant :

Figure 1: Circuit Mod_Trans comprenant un transistor BJT-NPN

B) Création d’un symbole pour ce circuit

Une fois le circuit créé, il a été demandé de concevoir un symbole pour ce circuit, c’est-à-dire que
l’on a mis le circuit dans une « boite » afin d’avoir une version simplifiée de celui-ci et de pouvoir le
réutiliser ultérieurement dans un autre circuit.

Voici la représentation du circuit :

Figure 2: Symbole du circuit Mod_Trans

Le symbole représenté est celui d’un transistor NPN.

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C) Simulation DC avec variation d’un paramètre

Nous créons un nouveau design intitulé DC_Curves. Puis nous fixons le courant base du transistor
Ib=50µA grâce à la source de courant I_DC.

Ic

VCE

Figure 3: Schématique du circuit DC_Curves

Une fois le circuit monté, nous faisons varier la tension VCE entre 0 et 5V et traçons les graphes IC.i
et SRC1.i en fonction de cette variable, nous obtenons les graphes suivant :
(A)

Régime linéaire

Régime saturé
(A)

(V)

Figure 4: Graphes IC.i=f(VCE) et SRC1.i= f(VCE) et tableau de valeurs correspondant

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Si l’on commence par observer le graphe IC.i=f(VCE), on peut remarquer qu’il s’agit d’une des
caractéristiques typique d’un transistor NPN. On peut distinguer deux zones :

 Zone de saturation : pour des tensions de VCE comprises entre 0 et VCEsat. Le courant
du collecteur Ic dépend de VCE et du courant de base IB. Ici VCEsat est à peu près égale
à 0.25 V.
 Zone de régime linéaire (VCE>VCE sat) : le courant Ic est indépendant de la tension VCE
et est proportionnel au courant d’entrée IB d’où Ic=β* IB avec β le gain en courant du
transistor.

Si l’on observe maintenant SRC1.i=f(VCE) correspondant au tracer de la courbe du générateur, on

peut remarquer qu’il s’agit de l’inverse/opposée de la courbe IC.i=f(VCE). Les valeurs négatives du
courant viennent du fait que la tension de la source VCE (on prend comme référence le pôle +) et le
courant Ic vont dans le même sens (Figure3).

Pour une polarisation VCE=1V, on obtient un courant Ic=3.061mA (Tableau ou marqueur de la

Figure 4). Pour cette tension, le transistor est en régime linéaire donc on peut utiliser la relation
Ic=β* IB. IB étant égale à 50µA, on obtient alors β=61.22.

On constate que le β obtenu est plus faible que celui choisi (β=100) due à la présence d’un courant
de fuite ISE=0.02pA.

Si on modifie ISE=0pA dans le circuit Mod_Trans, Ic=5.019mA pour VCE=1V et on obtient β=101.38,
valeur quasiment égale à celle du transistor BJT-NPN (Figure5).

Figure 5 : Graphes IC.i=f(VCE) et SRC1.i= f(VCE) et tableau de valeurs correspondant

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D) Conception d’un réseau de polarisation résistif

o Point de fonctionnement du transistor

On commence par créer une variable IBB correspondant au courant de base du transistor que l’on
initialise à 40µA. Puis on effectue une simulation DC où l’on fait varier IBB de 0 à 100µA par pas de
2µA. VCE est fixé à 3V.

Figure 6: Graphes Vbe=f(IBB) et IC.i= f(IBB) et tableau de valeurs correspondant

Les deux graphes ci-dessus sont aussi des caractéristiques du transistor NPN.
En ce qui concerne la caractéristique Vbe=f(IBB), le transistor est passant si la jonction base-
émetteur est polarisée en direct, c’est-à-dire que Vbe>Vs avec Vs la tension de seuil. Ici en traçant la
tangente de la courbe, on a Vs=0.44V bien que en théorie nous savons que cette tension vaut aux
alentours de 0.65V. Il faudrait alors faire varier IBB jusqu’à une valeur de l’ordre du mA pour pouvoir
avoir une valeur plus précise.

Pour la caractéristique IC.i=f(IBB), on remarque que l’on obtient une droite. La pente permet de
retomber sur le β du transistor.

o Réseau de polarisation résistif

En se basant sur le schéma fourni dans le polycop, on a les équations suivantes :

𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐶𝐸 𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐶𝐸
 Vcc=Rc*ICC+VCE  𝑅𝑐 = 𝐼𝑐𝑐
= 𝛽∗𝐼𝐵𝐵

𝑉𝐶𝐸−𝑉𝐵𝐸
 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅𝑏 ∗ 𝐼𝐵𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 → 𝑅𝑏 = 𝐼𝐵𝐵

Avec VCE=3V et VCC=5V.

Nous insérons ensuite ces équations sous le data display de la dernière simulation (Figure 7).

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Figure 7: Visualtisation des differentes valeurs Rb et Rc en fonction de IBB

On peut remarquer sur la figure ci-dessus que nous avons pris, pour les équations, β=100 alors qu’il
était demandé de prendre dans cette simulation β =160. Cela vient du fait qu’avec le courant de fuite
le gain en courant du transistor passe de 160 à 100.

On sait que le point de fonctionnement du transistor a été spécifié pour VCE=3V et IBB=40µA, on
regarde alors, sur le tableau, les valeurs des résistances correspondantes : Rb=63.72kΩ et Rc=500Ω.

E) Simulation du transistor polarisé

Figure 8: Circuit polarisé DC_Net

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Le but est de faire le travail inverse qui a été fait précédemment, c’est-à-dire, avec les valeurs des
résistances Rb et Rc trouvées auparavant, regarder si on obtient bien I BB=40µA et VCE=3V.

Après avoir affecté les valeurs Rc et Rb correspondantes, et lancé la simulation, on obtient les
résultats suivant : IBB=39.6µA et VCE=3.32V.(Figure 8)

Les valeurs affichées semblent correctes et proches de IBB=40µA et VCE=3V.

2. Simulation AC

A) Simulation du bruit
Nous commençons par construire le circuit suivant (amplificateur avec transistor monté en émetteur
commun) :

Les DC_blocks sont des capacités de liaison. DC_Block1 permet de ne laisser passer que les tensions
et courants alternatifs (et donc supprimer la composante continue), ainsi on évite de modifier la
polarisation de la base.

La capacité DC_Block2 permet à la charge R1(résistance d’entrée du bloc suivant) de ne pas modifier
la polarisation du transistor.

Nous configurons ensuite la simulation AC. On fera varier la fréquence de 100MHz à 4GHz par pas de
100MHz. De plus, cette simulation consiste à simuler le bruit introduit par chaque composant du
circuit.

Après simulation, nous obtenons les graphes et le tableau suivant :

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Figure 9: Graphe vnc[1] et tableau sur la contribution du bruit sur chaque composant pour certaines fréquences

Le paramètre vnc(voltage noise contributors) permet de connaitre la valeur de tension du bruit

introduit par un composant du circuit à une certaine fréquence.
Vnc[1] correspond à la contribution du transistor seulement (Figure 9).
Ici, à 100 MHz, on a un bruit généré dans le transistor qui a une valeur de 1.475nV.

B) Simulation du gain
𝑉𝑜𝑢𝑡
Le but est de mesurer le gain en tension de l’amplificateur 𝐴𝑣 = 𝑉𝑖𝑛
.
De plus, il est possible de tracer le gain en fonction de la fréquence et de l’avoir aussi en dB.

𝑉𝑜𝑢𝑡
𝐴𝑣𝑑𝐵 = 20 ∗ log ( ) = 20 ∗ log(𝐴𝑣)
𝑉𝑖𝑛

Si l’on observe la figure 10, on peut remarquer que l’amplificateur se comporte comme un Passe-Bas,
le gain est réduit lorsque l’on se trouve en haute fréquence.

La valeur maximum du gain se trouve à 100Mhz et vaut AvdB=15.313dB.

Pour récupérer la fréquence de coupure, on prend la valeur à -3dB du maximum et on trouve une
valeur de fc=3.6GHz (marqueur m2).

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Figure 10:Tracés du gain en tension de l’amplificateur

Le marqueur m3 permet de récupérer le gain à 2.4GHz qui est de AvdB=13.739dB.

Enfin la figure ci-dessous permet de connaitre le comportement de la phase de notre amplificateur

en fonction de la fréquence. On remarque qu’en basse fréquence, la phase du signal de sortie est de
180° (en supposant que la phase du signal d’entrée est de 0°), l’amplificateur se comporte alors
typiquement comme un inverseur. Cette variation de phase tend vers 90° lorsque l’on va en haute
fréquence.

Figure 11: Evolution de la phase de l'amplificateur en fonction de la fréquence

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Conclusion
Ce TP a permis de mieux prendre en main le logiciel ADS. Nous avons pu par ailleurs mieux
approfondir nos connaissances sur le transistor bipolaire NPN : études des caractéristiques
tension/courant en DC et AC, impact du courant de fuite.

Nous avons pu finir ce TP, en implémentant un amplificateur que l’on adaptera par la suite à une
fréquence de 2.4Ghz (TP n°2).