Université Sultan Moulay Slimane Ecole Nationale des Sciences Appliquées de Khouribga

ANNEE UNIVERSITAIRE : 2020/2021

TD 3 : Electronique 2 (API2)
Exercice 1 :
On considère le montage de Darlington, représenté par la figure ci-après.
T1, T2 sont deux transistor NPN au silicium et on donne VBE = 0.7V, VCC = 12V, βT1 = 100 et
βT2 = 50.
1) Etablir la relation entre IB1 et IC2. Que peut-on dire du montage ?
2) Si IC2 = 50 mA, calculer la tension EB et la puissance consommée par chaque transistor.
+ VCC

RB = 100 kohm

T1
V1
EB T2

Exercice 2 :
Un transistor NPN au silicium, tel que β = 250, VBE = 0.7 V, est inséré dans le montage de la
figure ci-contre pour lequel VCC = 12 V, R = 200 KΩ, RC de valeur inconnue.
1) a) Déterminer les coordonnées du point de repos du transistor sachant que
l’on se place au milieu de la droite de charge statique.
b) En déduire la valeur de RC.
2) Donner les expressions des droites d’attaque et de charge statique du
montage. Les tracer et placer les points de repos.
3) Calculer les puissances dissipées dans le transistor dans les cas suivants :
a) En régime de fonctionnement normal ;
b) En commutation.
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Exercice 3 :

La figure ci-dessous représente le schéma d’un amplificateur utilisant un transistor NPN dont
les caractéristiques ic=f(vCE) sont des droites parallèles à l’axe v CE : Ic=60 iB.

1) Représenter le réseau de caractéristiques ic=f(vCE) pour les valeurs suivantes de iB :

iB1 = 20μA ; iB2 = 40μA ; iB3 = 60μA ; iB4 = 80μA ; iB5 = 100μA ;
iB6 = 120μA ; iB7 = 140μA ; iB8 = 1600μA ; iB9 = 200μA ;
2) Construire la droite de charge pour :
Vcc = 12V ; RC = 1kΩ ; Rp = 120kΩ.
(On considère que vBE est négligeable devant Vcc). Cette dernière condition servira lors de la
résolution de la prochaine question (n°3).
3) Déterminer les coordonnées du point de repos.